JPH0380308B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光
線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、Υ線等を示す）
の様な電磁波に感受性のある光導電部材に関す
る。固体撮像装置、或いは像形成分野における電
子写真用像形成部材や原稿読取装置における光導
電層を形成する光導電材料としては、高感度で、
SN比〔光電流（I_p）／暗電流（I_d）〕が高く、照
射する電磁波のスペクトル特性にマツチングした
吸収スペクトル特性を有すること、光応答性が速
く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時におい
て人体に対して無公害であること、更には固体撮
像装置においては、残像を所定時間内に容易に処
理することができること等の特性が要求される。
殊に、事務機としてオフイスで使用される電子写
真装置内に組込まれる電子写真用像形成部材の場
合には、上記の使用時における無公害性は重要な
点である。 この様な点に立脚して最近注目されている光導
電材料にアモルフアスシリコン（以後ａ−Siと表
記す）があり、例えば、独国公開第2746967号公
報、同第2855718号公報には電子写真用像形成部
材として、独国公開第2933411号公報には光電変
換読取装置への応用が記載されている。 而乍ら、従来のａ−Siで構成された光導電層を
有する光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答
性等の電気的、光学的、光導電的特性、及び耐湿
性等の使用環境特性の点、更には経時的安定性の
点において、総合的な特性向上を計る必要がある
という更に改良される可き点が存するのが実情で
ある。 例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合
に、高光感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとす
ると、従来においては、その使用時において残留
電位が残る場合が度々観測され、この種の光導電
部材は長時間繰返し使用し続けると、繰返し使用
による疲労の蓄積が起つて、残像が生ずる所謂ゴ
ースト現象を発する様になる、或いは、高速で繰
返し使用すると応答性が次第に低下する、等の不
都合な点が生ずる場合が少なくなかつた。 更には、ａ−Siは可視光領域の短波長側に較べ
て、長波長側の波長領域よりも長い波長領域の吸
収係数が比較的小さく、現在実用化されている半
導体レーザとのマツチングに於いて、通常使用さ
れているハロゲンランプや螢光灯を光源とする場
合、長波長側の光を有効に使用し得ていないとい
う点に於いて、夫々改良される余地が残つてい
る。 又、別には、照射される光が光導電層中に於い
て充分吸収されずに支持体に到達する光の量が多
くなると、支持体自体が光導電層を透過して来る
光に対する反射率が高い場合には、光導電層内に
於いて多重反射による干渉が起つて、画像の「ボ
ケ」が生ずる一要因となる。 この影響は、解像度を上げる為に、照射スポツ
トを小さくする程大きくなり、殊に半導体レーザ
を光源とする場合には大きな問題となつている。 或いは又、ａ−Si材料で光導電層を構成する場
合には、その電気的、光導電的特性の改良を計る
ために、水素原子或いは弗素原子や塩素原子等の
ハロゲン原子、及び電気伝導型の制御のために硼
素原子や燐原子等が或いはその他の特性改良のた
めに他の原子が、各々構成原子として光導電層中
に含有されるが、これ等の構成原子の含有の仕方
如何によつては、形成した層の電気的或いは光導
電的特性や耐圧性に問題が生ずる場合があつた。 即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射に
よつて発生したフオトキヤリアの該層中での寿命
が充分でないことや暗部において、支持体側より
の電荷の注入の阻止が充分でないこと、或いは、
転写紙に転写された画像に俗に「白ヌケ」と呼ば
れる、局所的な放電破壊現象によると思われる画
像欠陥や、例えば、クリーニングに、ブレードを
用いるとその摺擦によると思われる、俗に「白ス
ジ」と云われている所謂画像欠陥が生じたりして
いた。又、多湿雰囲気中で使用したり、或いは多
湿雰囲気中に長時間放置した直後に使用すると俗
に云う画像のボケが生ずる場合が少なくなかつ
た。 更には、層厚が十数μ以上になると層形成用の
真空堆積室より取り出した後、空気中での放置時
間の経過と共に、支持体表面からの層の浮きや剥
離、或いは層に亀裂が生ずる等の現象を引起し勝
ちになる。この現象は、殊に支持体が通常、電子
写真分野に於いて使用されているドラム状支持体
の場合に多く起る等、経時的安定性の点に於いて
解決される可き点がある。 従つてａ−Si材料そのものの特性改良が計られ
る一方で光導電部材を設計する際に、上記した様
な問題の総てが解決される様に工夫される必要が
ある。 本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ
−Siに就て電子写真用像形成部材や固体撮像装
置、読取装置等に使用される光導電部材としての
適用性とその応用性という観点から総括的に鋭意
研究検討を続けた結果、シリコン原子（Si）とゲ
ルマニウム原子（Ge）とを母体とし、水素原子
(H)又はハロゲン原子（Ｘ）のいずれか一方を少な
くとも含有するアモルフアス材料、所謂水素化ア
モルフアスシリコンゲルマニウム、ハロゲン化ア
モルフアスシリコンゲルマニウム、或いはハロゲ
ン含有水素化アモルフアスシリコンゲルマニウム
〔以後これ等の総称的表記として「ａ−SiGe（Ｈ，
Ｘ）」を使用する〕から構成される光導電性を示
す非晶質層を有する光導電部材の構成を以後に説
明される様な特定化の下に設計されて作成された
光導電部材は実用上著しく優れた特性を示すばか
りでなく、従来の光導電部材と較べてみてもあら
ゆる点において凌駕していること、殊に電子写真
用の光導電部材として著しく優れた特性を有して
いること、及び長波長側に於ける吸収スペクトル
特性に優れていることを見出した点に基いてい
る。 本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時
安定していて、殆んど使用環境に制限を受けない
全環境型であり、長波長側の光感度特性に優れる
と共に耐光疲労に著しく長け、繰返し使用に際し
ても劣化現象を起さず、残留電位が全く又は殆ん
ど観測されない光導電部材を提供することを主た
る目的とする。 本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーザとのマツチングに優
れ、且つ光応答の速い光導電部材を提供すること
である。 本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材
として適用させた場合、通常の電子写真法が極め
て有効に適用され得る程度に、静電像形成の為の
帯電処理の際の電荷保持能が充分ある光導電部材
を提供することである。 本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフ
トーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画
像を得る事が容易に出来る電子写真用の光導電部
材を提供することである。 本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、
高SN比特性を有する光導電部材を提供すること
でもある。 本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層
と支持体との間や積層される層の各層間に於ける
密着性に優れ、構造配列的に緻密で安定的であ
り、層品質の高い光導電部材を提供することであ
る。 本発明の更に他の目的は、長期の使用に於いて
画像欠陥や画像のボケが全くなく、濃度が高く、
ハーフトーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高
品質画像を得ることが容易にできる電子写真用の
光導電部材を提供することである。 本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体
と、該支持体上にシリコン原子とゲルマニウム原
子とを母体とする非晶質材料で構成され光導電性
を示す第１の非晶質層と、シリコン原子と炭素原
子とを母体とする非晶質材料で構成された第２の
非晶質層と、を前記支持体側より順に有し、前記
第１の層領域中におけるゲルマニウム原子の分布
濃度が前記支持体より該支持体側とは反対の側に
向かつて減少し、且つ、前記第１の非晶質には周
期律表第族及び第族に属する原子から選ばれ
る原子と酸素原子とが含有されていることを特徴
とする。 上記した様な層構成を取る様にして設計された
本発明の光導電部材は、前記した諸問題の総てを
解決し得、極めて優れた電気的、光学的、光導電
的特性、耐圧性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用像形成部材として適用させた
場合には、画像形成への残留電位の影響が全くな
く、その電気的特性が安定しており高感度で、高
SN比を有するものであつて、耐光疲労、繰返し
使用特性に長け、濃度が高く、ハーフトーンが鮮
明に出て、且つ解像度の高い、高品質の画像を安
定して繰返し得ることができる。 又、本発明の光導電部材は支持体上に形成され
る非晶質層が、層自体が強靭であつて、且つ支持
体との密着性に著しく優れており、高速で長時間
連続的に繰返し使用することができる。 更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於
いて光感度が高く、殊に半導体レーザとのマツチ
ングに優れ、且つ光応答が速い。 以下、図面に従つて、本発明の光導電部材に就
て詳細に説明する。 第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電
部材の層構成を説明するために模式的に示した模
式的構成図である。 第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材
用としての支持体１０１の上に、ａ−SiGe（Ｈ，
Ｘ）から成り、酸素原子を含有し、光導電性を有
する第一の非晶質層（）１０２と第二の非晶質
層（）１０３とを有する。第一の非晶質層
（）１０２中に含有されるゲルマニウム原子は、
該非晶質層（）１０２の層厚方向には連続的で
あつて且つ前記支持体１０１の設けられてある側
とは反対の側（第二の非晶質層１０３側）の方に
対して前記支持体側の方に多く分布した状態とな
る様に前記第一の非晶質層（）１０２中に含有
される。 本発明の光導電部材においては、第一の非晶質
層（）中に含有されるゲルマニウム原子の分布
状態は、層厚方向においては、前記の様な分布状
態を取り、支持体の表面と平行な面内方向には均
一な分布状態とされるのが望ましいものである。 第２図乃至第１０図には、本発明における光導
電部材の第一の非晶質層（）中に含有されるゲ
ルマニウム原子の層厚方向の分布状態の典型的例
が示される。 第２図乃至第１０図において、横軸はゲルマニ
ウム原子の含有量Ｃを、縦軸は光導電性を示す第
一の非晶質層（）の層厚を示し、t_Bは支持体側
の第一の非晶質層層（）の表面の位置を、t_Tは
支持体側とは反対側の第一の非晶質（）の表面
の位置を示す。即ち、ゲルマニウム原子の含有さ
れる第一の非晶質層（）はt_B側よりt_T側に向つ
て層形成がなされる。 第２図には、第一の非晶質層（）中に含有さ
れるゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態の第
１の典型例が示される。 第２図に示される例では、ゲルマニウム原子の
含有される第一の非晶質層（）が形成される表
面と該第一の非晶質層（）の表面とが接する界
面位置t_Bよりt₁の位置までは、ゲルマニウム原子
の分布濃度ＣがC₁なる一定の値を取り乍らゲル
マニウム原子が、形成される第一の非晶質層
（）に含有され、位置t₁よりは界面位置t_Tに至
るまで分布濃度C₂より徐々に連続的に減少され
ている。界面位置t_Tにおいてはゲルマニウム原子
の分布濃度ＣはC₃とされる。 第３図に示される例においては、含有されるゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは位置t_Bより位置t_T
に至るまで濃度C₄から徐々に連続的に減少して
位置t_Tにおいて濃度C₅となる様な分布状態を形成
している。 第４図の場合には、位置t_Bより位置t₂まではゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度C₆と一定値
とされ、位置t₂と位置t_Tとの間において、徐々に
連続的に減少され、位置t_Tにおいて、分布濃度Ｃ
は実質的に零とされている（ここで実質的に零と
は検出限界量未満の場合である）。 第５図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは位置t_Bより位置t_Tに至るまで、濃度C₈より
連続的に徐々に減少され、位置t_Tにおいて実質的
に零とされている。 第６図に示す例においては、ゲルマニウム原子
の分布濃度Ｃは、位置t_Bと位置t₃間においては、
濃度C₉と一定値であり、位置t_Tにおいては濃度
C₁₀とされる。位置t₃と位置t_Tとの間では、分布濃
度Ｃは一次関数的に位置t₃より位置t_Tに至るまで
減少されている。 第７図に示される例においては、分布濃度Ｃは
位置t_Bより位置t₄までは濃度C₁₁の一定値を取り、
位置t₄より位置t_Tまでは濃度C₁₂より濃度C₁₃まで
一次関数的に減少する分布状態とされている。 第８図に示す例においては、位置t_Bより位置t_T
に至るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃
度C₁₄より実質的に零に至る様に一次関数的に減
少している。 第９図においては、位置t_Bより位置t₅に至るま
ではゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度C₁₅
より濃度C₁₆まで一次関数的に減少され、位置t₅
と位置t_Tとの間においては、濃度C₁₆の一定値と
された例が示されている。 第１０図に示される例においては、ゲルマニウ
ム原子の分布濃度Ｃは位置t_Bにおいて濃度C₁₇で
あり、位置t₆に至るまではこの濃度C₁₇より初め
はゆつくりと減少され、t₆の位置付近において
は、急激に減少されて位置t₆では濃度C₁₈とされ
る。 位置t₆と位置t₇との間においては、初め急激に
減少されて、その後は、緩かに徐々に減少されて
位置t₇で濃度C₁₉となり、位置t₇と位置t₈との間で
は、極めてゆつくりと徐々に減少されて位置t₈に
おいて、濃度C₂₀に至る。位置t₈と位置t_Tの間にお
いては、濃度C₂₀より実質的に零になる様に図に
示す如き形状の曲線に従つて減少されている。 以上、第２図乃至第１０図により、非晶質層中
に含有されるゲルマニウム原子の層厚方向の分布
状態の典型例の幾つかを説明した様に、本発明に
おいては、支持体側において、ゲルマニウム原子
の分布濃度Ｃの高い部分を有し、、界面t_T側にお
いては、前記分布濃度Ｃは支持体側に較べて可成
り低くされた部分を有するゲルマニウム原子の分
布状態が非晶質層に設けられている。 本発明に於ける光導電部材を構成する第一の非
晶質（）は好ましくは上記した様に支持体側の
方にゲルマニウム原子が比較的高濃度で含有され
ている局在領域(A)を有するのが望ましい。 本発明に於いては局在領域(A)は、第２図乃至第
１０図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置
t_Bより5μ以内に設けられるのが望ましいものであ
る。 本発明においては、上記局在領域(A)は、界面位
置t_Bより5μ厚までの全層領域（L_T）とされる場合
もあるし、又、層領域（L_T）の一部とされる場
合もある。 局在領域(A)を層領域（L_T）の一部とするか又
は全部とするかは、形成される非晶質層に要求さ
れる特性に従つて適宜決められる。 局在領域(A)はその中に含有されるゲルマニウム
原子の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム原
子の分布濃度の最大値Cmaxがシリコン原子に対
して、通常は1000atomic ppm以上、好適には
5000atomic ppm以上、最適には１×10⁴atomic
ppm以上とされる様な分布状態となり得る様に層
形成されるのが望ましい。 即ち、本発明においては、ゲルマニウム原子の
含有される第一の非晶質層（）は、支持体側か
らの層厚で5μ以内（t_Bから5μ厚の層領域）に分布
濃度の最大値Cmaxが存在する様に形成されるの
が好ましいものである。 本発明において、第一の非晶質層（）中に含
有されるゲルマニウム原子の含有量としては、本
発明の目的が効果的に達成される様に所望に従つ
て適宜決められるが、通常は１〜9.5×10⁵atomic
ppm、好ましくは100〜８×10⁵atomic ppm、最
適には、500〜７×10⁵atomic ppmとされるのが
望ましいものである。 本発明の光導電部材に於いては、第一の非晶質
層（）中に於けるゲルマニウム原子の分布状態
は、全層領域にゲルマニウム原子が連続的に分布
し、ゲルマニウム原子の層厚方向の分布濃度Ｃが
支持体側より第一の非晶質層（）の自由表面側
に向つて、減少する変化が与えられているので、
分布濃度Ｃの変化率曲線を所望に従つて任意に設
計することによつて、要求される特性を持つた第
一の非晶質層（）を所望通りに実現することが
出来る。例えば、第一の非晶質層（）中に於け
るゲルマニウムの分布濃度Ｃを支持体側に於いて
は充分高め、第一の非晶質層（）の自由表面側
に於いては、極力低める様な、分布濃度Ｃの変化
を、ゲルマニウム原子の分布濃度曲線に与えるこ
とによつて、可視光領域を含む、比較的短波長か
ら比較的長波長迄の全領域の波長の光に対して光
感度化を計ることが出来る。 又、後述される様に、第一の非晶質層（）の
支持体側端部に於いてゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃを極端に大きくすることにより、半導体レー
ザを使用した場合の、第一の非晶質層（）のレ
ーザ照射面側に於いて充分吸収し切れない長波長
側の光を第一の非晶質層（）の支持体側端部層
領域に於いて、実質的に完全に吸収することが出
来、支持体面からの反射による干渉を効果的に防
止することが出来る。 本発明の光導電部材に於いては、高光感度化と
高暗抵抗化、更には、支持体と第一の非晶質層
（）との間の密着性の改良を計る目的の為に、
第一の非晶質層（）中には酸素原子が含有され
る。第一の非晶質層（）中に含有される酸素原
子は、第一の非晶質層（）の全層領域に万偏な
く含有されても良いし、或いは第一の非晶質層
（）の一部の層領域のみに含有させて偏在させ
ても良い。 又、酸素原子の分布状態は分布状態Ｃ（Ｏ）が
第一の非晶質層（）の層厚方向に於いては、均
一であつても、第２図乃至第１０図を用いて説明
したゲルマニウム原子の分布状態と同様に分布濃
度Ｃ（Ｏ）が層厚方向には不均一であつても良い。 詰り、酸素原子の分布濃度Ｃ（Ｏ）が層厚方向
に不均一である場合の酸素原子の分布状態は、第
２図乃至第１０図を用いてゲルマニウム原子の場
合と同様に説明され得る。 本発明に於いて、第一の非晶質層（）に設け
られる酸素原子の含有されている層領域（Ｏ）
は、光感度と暗抵抗の向上を主たる目的とする場
合には、第一の非晶質層（）の全層領域を占め
る様に設けられ、支持体と第一の非晶質層（）
との間の密着性の強化を計るのを主たる目的とす
る場合には、第一の非晶質層（）の支持体側端
部層領域を占める様に設けられる。 前者の場合、層領域（Ｏ）中に含有される酸素
原子の含有量は、高光感度を維持する為に比較的
少なくされ、後者の場合には、支持体との密着性
の強化を確実に計る為に比較的多くされるのが望
ましい。 又、前者と後者の両方を同時に達成する目的の
為には、支持体側に於いて比較的高濃度に分布さ
せ、第一の非晶質層（）の自由表面側に於いて
比較的低濃度に分布させるか、或いは第一の非晶
質層（）の自由表面側の表層領域には、酸素原
子の積極的には含有させない様な酸素原子の分布
状態を層領域（Ｏ）中に形成すれば良い。 本発明に於いて、第一の非晶質層（）に設け
られる層領域（Ｏ）に含有される酸素原子の含有
量は、層領域（Ｏ）自体に要求される特性、或い
は、該層領域（Ｏ）が支持体に直に接触して設け
られる場合には、該支持体との接触界面に於ける
特性との関係等、有機的関連性に於いて、適宜選
択することが出来る。 又、前記層領域（Ｏ）に直に接触して他の層領
域が設けられる場合には、該他の層領域の特性
や、該他の層領域との接触界面に於ける特性との
関係も考慮されて、酸素原子の含有量が適宜選択
される。 層領域（Ｏ）中に含有される酸素原子の量は、
形成される光導電部材に要求される特性に応じて
所望に従つて適宜決められるが、通常の場合、
0.001〜50atomic％、好ましくは0.002〜40atomic
％、最適には0.003〜30atomic％とされるのが望
ましいものである。 本発明に於いて、層領域（Ｏ）が第一の非晶質
層（）の全域を占めるか、或いは第一の非晶質
層（）の全域を占めなくとも、層領域（Ｏ）の
層厚T₀の第一の非晶質層（）の層厚Ｔに占め
る割合が充分多い場合には、層領域（Ｏ）に含有
される酸素原子の含有量の上限は、前記の値より
充分少なくされるのが望ましい。 本発明の場合には、層領域（Ｏ）の層厚T₀が
非晶質層の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２
以上となる様な場合には、層領域（Ｏ）中に含有
される酸素原子の量の上限としては、通常は、
30atomic％以下、好ましくは20atomic％以下、
最適には10atomic％以下とされるのが望ましい
ものである。 本発明において、第一の非晶質層（）を構成
する酸素原子の含有される層領域（Ｏ）は、上述
した様に支持体側の方に酸素原子が比較的高濃度
で含有されている局在領域(B)を有するものとして
設けられるのが望ましく、この場合には、支持体
と非晶質層との間の密着性をより一層向上させる
ことが出来る。 上記局在領域(B)は、第２図乃至第１０図に示す
記号を用いて説明すれば、界面位置t_Bより5μ以内
に設けられるのが望ましい。 本発明においては、上記局在領域(B)は、界面位
置t_Bより5μ厚までの全層領域（L_T）とされる場合
もあるし、又、層領域（L_T）の一部とされる場
合もある。 局在領域を層領域（L_T）の一部とするか又は
全部とするかは、形成される非晶質層に要求され
る特性に従つて適宜決められる。 局在領域(B)はその中に含有される酸素原子の層
厚方向の分布状態として酸素原子の分布濃度の最
大値Cmaxが通常は500atomic ppm以上、好適に
は800atomic ppm以上、最適には1000atomic
ppm以上とされる様な分布状態となり得る様に層
形成されるのが望ましい。 即ち、本発明においては、酸素原子の含有され
る層領域（Ｏ）は、支持体側からの層厚で5μ以
内（t_Bから5μ厚の層領域）に分布濃度の最大値
Cmaxが存在する様に形成されるのが望ましい。 本発明の光導電部材に於いては、ゲルマニウム
原子の含有される第一の非晶質層（）中には、
伝導特性を支配する物質を含有させることによ
り、非晶質層の伝導特性を所望に従つて任意に制
御することが出来る。 この様な物質としては、所謂、半導体分野で云
われる不純物を挙げることが出来、本発明に於い
ては、形成される第一の非晶質層（）を構成す
るａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）に対してｐ型伝導特性を与
えるｐ型不純物及びｎ型伝導特性を与えるｎ型不
純物を挙げることが出来る。 具体的には、ｐ型不純物としては周期律表第
族に属する原子（第族原子）、例えば、Ｂ（硼
素）、Al（アルミニウム）、Ga（ガリウム）、In（イ
ンジウム）、Tl（タリウム）等があり、殊に好適
に用いられるのは、Ｂ，Gaである。 ｎ型不純物としては、周期律表第族に属する
原子（第族原子）、例えば、Ｐ（燐）、As（砒
素）、Sb（アンチモン）、Bi（ビスマス）等であり、
殊に、好適に用いられるのは、Ｐ，Asである。 本発明に於いて、第一の非晶質層（）中に含
有される伝導特性を制御する物質の含有量は、該
第一の非晶質層（）に要求される伝導性、或い
は該第一の非晶質層（）が直に接触して設けら
れる支持体との接触界面に於ける特性との関係
等、有機的関連性に於いて、適宜選択することが
出来る。 又、前記の伝導特性を制御する物質を第一の非
晶質層（）中に含有させるのに、該第一の非晶
質層（）の所望される層領域に局在的に含有さ
せる場合、殊に、第一の非晶質層（）の支持体
側端部層領域に含有させる場合には、該層領域に
直に接触して設けられる他の層領域の特性や、該
他の層領域との接触界面に於ける特性との関係も
考慮されて、伝導特性を制御する物質の含有量が
適宜選択される。 本発明に於いて、第一の非晶質層（）中に含
有される伝導特性を制御する物質の含有量として
は、通常の場合、0.01〜５×10⁴atomic ppm、好
適には0.5〜１×10⁴atomic ppm、最適には１〜
５×10³atomic ppmとされるのが望ましいもの
である。 本発明に於いて、伝導特性を支配する物質が含
有される層領域に於ける該物質の含有量が通常は
30atomic ppm以上、好適には50atomic ppm以
上、最適には、100atomic ppm以上の場合には、
前記物質は、第一の非晶質層（）の一部の層領
域に局所的に含有させるのが望ましく、殊に第一
の非晶質層（）の支持体側端部層領域に偏在さ
せるのが望ましい。 上記の中、第一の非晶質層（）の支持体側端
部層領域(E)に前記の数値以上の含有量となる様に
前記の伝導特性を支配する物質を含有させること
によつて、例えば該含有させる物質が前記のｐ型
不純物の場合には、第二の非晶質層（）の自由
表面が極性に帯電処理を受けた際に支持体側か
らの第一の非晶質層（）中への電子の注入を効
果的に阻止することが出来、又、前記含有させる
物質が前記のｎ型不純物の場合には、第二の非晶
質層（）の自由表面が極性に帯電処理を受け
た際に、支持体側から第一の非晶質層（）中へ
の正孔の注入を効果的に阻止することが出来る。 この様に、前記端部層領域(E)に一方の極性の伝
導性を支配する物質を含有させる場合には、第一
の非晶質層（）の残りの層領域、即ち、前記端
部層領域(E)を除いた部分の層領域（Ｚ）には、他
の極性の伝導特性を支配する物質を含有させても
良いし、或いは、同極性の伝導特性を支配する物
質を、端部層領域(E)に含有される実際の量よりも
一段と少ない量にして含有させても良いものであ
る。 この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有され
る前記伝導特性を支配する物質の含有量として
は、端部層領域(E)に含有される前記物質の極性や
含有量に応じて所望に従つて適宜決定されるもの
であるが、通常の場合、0.001〜1000atomic
ppm、好適には0.05〜500atomic ppm、最適には
0.1〜200atomic ppmとされるのが望ましいもの
である。 本発明に於いて、端部層領域(E)及び層領域
（Ｚ）に同種の伝導性を支配する物質を含有させ
る場合には、層領域（Ｚ）に於ける含有量として
は、好ましくは、30atomic ppm以下とするのが
望ましいものである。上記した場合の他に、本発
明に於いては、第一の非晶質層（）中に、一方
の極性を有する伝導性を支配する物質を含有させ
た層領域と、他方の極性を有する伝導性を支配す
る物質を含有させた層領域とを直に接触する様に
設けて、該接触領域に所謂空乏層を設けることも
出来る。詰り、例えば、第一の非晶質層（）中
に、前記のｐ型不純物を含有する層領域と前記の
ｎ型不純物を含有する層領域とを直に接触する様
に設けて所謂ｐ−ｎ接合を形成して、空乏層を設
けることが出来る。 本発明において、必要に応じて、第一の非晶質
層（）中に含有されるハロゲン原子（Ｘ）とし
ては、具体的にはフツ素、塩素、臭素、ヨウ素が
挙げられ、殊にフツ素、塩素を好適なものとして
挙げることが出来る。 本発明において、ａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れる第一の非晶質層（）を形成するには例えば
グロー放電法、スパツタリング法、或いはイオン
プレーテイング法等の放電現象を利用する真空堆
積法によつて成される。例えば、グロー放電法に
よつて、ａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）で構成される第一の
非晶質層（）を形成するには、基本的にはシリ
コン原子（Si）を供給し得るSi供給用の原料ガス
とゲルマニウム原子（Ge）を供給し得るGe供給
用の原料ガスと、必要に応じて水素原子(H)導入用
の原料ガス又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用
の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に所
望のガス圧状態で導入して、該堆積室内にグロー
放電を生起させ、予め所定位置に設定されてある
所定の支持体表面上に含有されるゲルマニウム原
子の分布濃度を所望の変化率曲線に従つて制御し
乍らａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成させれ
ば良い。又、スパツタリング法で形成する場合に
は、例えばAr，He等の不活性ガス又はこれ等の
ガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でSiで構
成されたターゲツト、或いは、該ターゲツトと
Geで構成されたターゲツトの二枚を使用して、
又は、SiとGeの混合されたターゲツトを使用し
て、必要に応じてHe，Ar等の稀釈ガスで稀釈さ
れたGe供給用の原料ガスを、必要に応じて水素
原子(E)Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用
のガスをスパツタリング用の堆積室に導入し、所
望のガスのラズマ雰囲気を形成すると共に、前記
Ge供給用の原料ガスのガス流量を所望の変化率
曲線に従つて制御し乍ら、前記のターゲツトをス
パツタリングしてやれば良い。 イオンプレーテイング法の場合には、例えば多
結晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマ
ニウム又は単結晶ゲルマニウムとを、夫々蒸発源
として蒸着ボートに収容し、この蒸発源を抵抗加
熱法、或いは、エレクトロンビーム法（EB法）
等によつて加熱蒸発させ、飛翔蒸発物を所望のガ
スプラズマ雰囲気中を通過させる以外は、スパツ
タリング法の場合と同様にする事で行うことが出
来る。 本発明において使用されるSi供給用の原料ガス
と成り得る物質としては、SiH₄，Si₂H₆，Si₃H₈，
Si₄H₁₀等のガス状態の又はガス化し得る水素化硅
素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙
げられ、殊に層作成作業時の取扱い易さ、Si供給
効率の良さ等の点でSiH₄，Si₂H₆が好ましいもの
として挙げられる。Ge供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、GeH₄，Ge₂H₆，Ge₃H₈，
Ge₄H₁₀，Ge₅H₁₂，Ge₆H₁₄，Ge₇H₁₆，Ge₈H₁₈，
Ge₉H₂₀等のガス状態の又はガス化し得る水素化
ゲルマニウムが有効に使用されるものとして挙げ
られ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ge供
給効率の良さ等の点で、GeH₄，Ge₂H₆，Ge₃H₈
が好ましいものとして挙げられる。 本発明において使用されるハロゲン原子導入用
の原料ガスとして有効なのは、多くのハロゲン化
合物が挙げられ、例えばハロゲンガス、ハロゲン
化物、ハロゲン間化合物、ハロゲンで置換された
シラン誘導体等のガス状態の又はガス化し得るハ
ロゲン化合物が好ましく挙げられる。 又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを
構成要素とするガス状態の又はガス化し得る、ハ
ロゲン原子を含む水素化硅素化合物も有効なもの
として本発明においては挙げることが出来る。 本発明において好適に使用し得るハロゲン化合
物としては、具体的には、フツ素、塩素、臭素、
ヨウ素のハロゲンガス、BrF，ClF，ClF₃，
BrF₅，BrF₃，IF₃，IF₇，ICl，IBr等のハロゲン
間化合物を挙げることが出来る。 ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲ
ン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体
的には例えばSiF₄，Si₂F₆，SiCl₄，SiBr₄等のハ
ロゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが
出来る。 この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用
してグロー放電法によつて本発明の特徴的な光導
電部材を形成する場合には、Ge供給用の原料ガ
スと共にSiを供給し得る原料ガスとしての水素化
硅素ガスを使用しなくとも、所望の支持体上にハ
ロゲン原子を含むａ−SiGeから成る第一の非晶
質層（）を形成する事が出来る。 グロー放電法に従つて、ハロゲン原子を含む第
一の非晶質層（）を製造する場合、基本的に
は、例えばSi供給用の原料ガスとなるハロゲン化
硅素とGe供給用の原料ガスとなる水素化ゲルマ
ニウムとAr，H₂，He等のガス等を所定の混合比
とガス流量になる様にして第一の非晶質層（）
を形成する堆積室に導入し、グロー放電を生起し
てこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成すること
によつて、所望の支持体上に第一の非晶質層
（）を形成し得るものであるが、水素原子の導
入割合の制御を一層容易になる様に計る為にこれ
等のガスに更に水素ガス又は水素原子を含む硅素
化合物のガスも所望量混合して層形成しても良
い。 又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で
複数種混合して使用しても差支えないものであ
る。 スパツタリング法、イオンプレーテイング法の
何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を
導入するには、前記のハロゲン化合物又は前記の
ハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを堆積室中
に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形成してや
れば良いものである。 又、水素原子を導入する場合には、水素原子導
入用の原料ガス、例えば、H₂、或いは前記した
シラン類又は／及び水素化ゲルマニウム等のガス
類をスパツタリング用の堆積室中に導入して該ガ
ス類のプラズマ雰囲気を形成してやれば良い。 本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料
ガスとして上記されたハロゲン化合物或いはハロ
ゲンを含む硅素化合物が有効なものとして使用さ
れるものであるが、その他に、HF，HCl，
HBr，HI等のハロゲン化水素、SiH₂F₂，
SiH₂I₂，SiH₂Cl₂，SiHCl₃，SiH₂Br₂，SiHBr₃等
のハロゲン置換水素化硅素、及びGeHF₃，
GeH₂F₂，GeH₃F，GeHCl₃，GeH₂Cl₂，
GeH₃Cl，GeHBr₃，GeH₂Br₂，GeH₃Br，
GeHI₃，GeH₂I₂，GeH₃I等の水素化ハロゲン化
ゲルマニウム、等の水素原子を構成要素の１つと
するハロゲン化物GeF₄，GeCl₄，GeBr₄，GeI₄，
GeF₂，GeCl₂，GeBr₂，GeI₂等のハロゲン化ゲル
マニウム、等々のガス状態の或いはガス化し得る
物質も有効な第一の非晶質層（）形成用の出発
物質として挙げる事が出来る。 これ等の物質の中水素原子を含むハロゲン化物
は、第一の非晶質層（）形成の際に層中にハロ
ゲン原子の導入と同時に電気的或いは光電的特性
の制御に極めて有効な水素原子も導入されるの
で、本発明においては好適なハロゲン導入用の原
料として使用される。 水素原子を第一の非晶質層（）中に構造的に
導入するには、上記の他にH₂、或いはSiH₄，
Si₂H₆，Si₃H₈，Si₄H₁₀等の水素化硅素をGeを供
給する為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物
と、或いは、GeH₄，Ge₂H₆，Ge₃H₈，Ge₄H₁₀，
Ge₅H₁₂，Ge₆H₁₄，Ge₇H₁₆，Ge₈H₁₈，Ge₉H₂₀等
の水素化ゲルマニウムとSiを供給する為のシリコ
ン又はシリコン化合物と、を堆積室中に共存させ
て放電を生起させる事でも行う事が出来る。 本発明の好ましい例において、形成される光導
電部材の第一の非晶質層（）中に含有される水
素原子(H)）の量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は
水素原子とハロゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は通
常の場合0.01〜40atomic％、好適には0.05〜
30atomic％、最適には0.1〜25atomic％とされる
のが望ましい。 第一の非晶質層(I)）中に含有される水素原子
（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御
するには、例えば支持体温度又は／及び水素原子
(H)Ｈ）、或いはハロゲン原子（Ｘ）を含有させる
為に使用される出発物質の堆積装置系内へ導入す
る量、放電々力等を制御してやれば良い。 本発明に於いて、第一の非晶質層（）に酸素
原子の含有された層領域（Ｏ）を設けるには、第
一の非晶質層（）の形成の際に酸素原子導入用
の出発物質を前記した第一の非晶質層（）形成
用の出発物質と共に使用して、形成される層中に
その量を制御し乍ら含有してやれば良い。 層領域（Ｏ）を形成するのにグロー放電法を用
いる場合には、前記した第一の非晶質層（）形
成用の出発物質の中から所望に従つて選択された
ものに酸素原子導入用の出発物質が加えられる。
その様な酸素原子導入用の出発物質としては、少
なくとも酸素原子を構成原子とするガス状の物質
又はガス化し得る物質をガス化したものの中の大
概のものが使用され得る。 例えばシリコン原子（Si）を構成原子とする原
料ガスと、酸素原子（Ｏ）を構成原子とする原料
ガスと、必要に応じて水素原子(H)又は及びハロゲ
ン原子（Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所望
の混合比で混合して使用するか、又は、シリコン
原子（Si）を構成原子とする原料ガスと、酸素原
子（Ｏ）及び水素原子(H)を構成原子とする原料ガ
スとを、これも又所望の混合比で混合するか、或
いは、シリコン原子（Si）を構成原子とする原料
ガスと、シリコン原子（Si）、酸素原子（Ｏ）及
び水素原子(H)の３つを構成原子とする原料ガスと
を混合して使用することが出来る。 又、別には、シリコン原子（Si）と水素原子(H)
とを構成原子とする原料ガスに酸素原子（Ｏ）を
構成原子とする原料ガスを混合して使用しても良
い。 具体的には、例えば酸素（O₂）、オゾン（O₃）、
一酸化窒素（NO）、二酸化窒素（NO₂）、一二酸
化窒素（N₂O）、三二酸化窒素（N₂O₃）、四二酸
化窒素（N₂O₄）、五二酸化窒素（N₂O₅）、三酸化
窒素（NO₃）、シリコン原子（Si）と酸素原子
（Ｏ）と水素原子(H)とを構成原子とする、例えば
ジシロキサン（H₃SiOSiH₃）、トリシロキサン
（H₃SiOSiH₂OSiH₃）等の低級シロキサン等を挙
げることが出来る。 スパツタリング法によつて、酸素原子を含有す
る第一の非晶質層（）を形成するには、単結晶
又は多結晶のSiウエーハーはSiO₂ウエーハー、
又はSiとSiO₂が混合されて含有されているウエ
ーハーをターゲツトとして、これ等を種々のガス
雰囲気中でスパツタリングすることによつて行え
ば良い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、酸素原子と必要に応じて水素原子又は／
及びハロゲン原子を導入する為の原料ガスを、必
要に応じて稀釈ガスで稀釈し、スパツター用の堆
積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマを
形成して前記Siウエーハーをスパツタリングすれ
ば良い。 又、別には、SiとSiO₂とは別々のターゲツト
として、又はSiとSiO₂の混合した一枚のターゲ
ツトを使用することによつて、スパツタ用のガス
としての稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水
素原子(H)又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原
子として含有するガス雰囲気中でスパツタリング
することによつて成される。酸素原子導入用の原
料ガスとしては、先述したグロー放電の例で示し
た原料ガスの中の酸素原子導入用の原料ガスが、
スパツタリングの場合にも有効なガスとして使用
され得る。 本発明に於いて、第一の非晶質層（）の形成
の際に、酸素原子の含有される層領域（Ｏ）を設
ける場合、該層領域（Ｏ）に含有される酸素原子
の分布濃度Ｃ（Ｏ）を層厚方向に変化させて、所
望の層厚方向の分布状態（depth profile）を有
する層領域（Ｏ）を形成するには、グロー放電の
場合には、分布濃度Ｃ（Ｏ）を変化させるべき酸
素原子導入用の出発物質のガスを、そのガス流量
を所望の変化率曲線に従つて適宜変化させ乍ら、
堆積室内に導入することによつて成される。例え
ば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられ
ている何らかの方法により、ガス流路系の途中に
設けられた所定のニードルバルブの開口を漸次変
化させる操作を行えば良い。このとき、流量の変
化率は線型である必要はなく、例えばマイコン等
を用いて、あらかじめ設計された変化率曲線に従
つて流量を制御し、所望の含有率曲線を得ること
もできる。 層領域（Ｏ）をスパツタリング法によつて形成
する場合、酸素原子の層厚方向の分布濃度Ｃ（Ｏ）
を層厚方向で変化させて、酸素原子の層厚方向の
所望の分布状態（depth profile）を形成するに
は、第一には、グロー放電法による場合と同様
に、酸素原子導入用の出発物質をガス状態で使用
し、該ガスを堆積室中へ導入する際のガス流量を
所望に従つて適宜変化させることによつて成され
る。 第二には、スパツタリング用のターゲツトを、
例えばSiとSiO₂との混合されたターゲツトを使
用するのであれば、SiとSiO₂との混合比をター
ゲツトの層厚方向に於いて、予め変化させておく
ことによつて成される。 第一の非晶質層（）中に、伝導特性を制御す
る物質、例えば、第族原子或いは第族原子を
構造的に導入するには、層形成の際に、第族原
子導入用の出発物質或いは第族原子導入用の出
発物質をガス状態で堆積室中に、第一の非晶質層
（）を形成する為の他の出発物質と共に導入し
てやれば良い。この様な第族原子導入用の出発
物質と成り得るものとしては、常温常圧でガス状
の又は、少なくとも層形成条件下で容易にガス化
し得るものが採用されるのが望ましい。その様な
第族原子導入用の出発物質として具体的には硼
素原子導入用としては、B₂H₆，B₄H₁₀，B₅H₉，
B₅H₁₁，B₆H₁₀，B₆H₁₂，B₆H₁₄等の水素化硼素、
BF₃，BCl₃，BBr₃等のハロゲン化硼素等が挙げ
られる。この他、AlCl₃，GaCl₃，Ga（CH₃）₃，
InCl₃，TlCl₃等も挙げることが出来る。 第族原子導入用の出発物質として、本発明に
おいて有効に使用されるのは、燐原子導入用とし
ては、PH₃，P₂H₄等の水素化燐、PH₄I，PF₃，
PF₅，PCl₃，PCl₅，PBr₃，PBr₅，PI₃等のハロゲ
ン化燐が挙げられる。この他、AsH₃，AsF₃，
AsCl₃，AsBr₃，AsF₅，SbH₃，SbF₃，SbF₅，
SbCl₃，SbCl₅，BiH₃，BiCl₃，BiBr₃等も第族
原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げる
ことが出来る。 本発明の光導電部材に於ける非晶質層の層厚
は、非晶質層中で発生されるフオトキヤリアが効
率良く輸送される様に所望に従つて適宜決めら
れ、通常は、１〜100μ、好適には１〜80μ、最適
には２〜50μとされるのが望ましい。 第１図に示される光導電部材１００に於いては
第一の非晶質層（）１０２上に形成される第二
の非晶質層（）１０３は自由表面を有し、主に
耐湿性、連続繰返し使用特性、耐圧性、使用環境
特性、耐久性に於いて本発明の目的を達成する為
に設けられる。 又、本発明に於いては、第一の非晶質層（）
１０２と第二の非晶質層（）１０３とを構成す
る非晶質材料の各々がシリコン原子という共通の
構成要素を有しているので、積層界面に於いて化
学的な安定性の確保が充分成されている。 本発明に於ける第二の非晶質層（）は、シリ
コン原子（Si）と炭素原子(C)と、必要に応じて水
素原子(H)又は／及びハロゲン原子（Ｘ）とを含む
非晶質材料（以後、「ａ−（Si_xC_1-x）_y（Ｈ，Ｘ）_1-
ｙ」但し、０＜ｘ，ｙ＜１、と記す）で構成され
る。 ａ−（Si_xC_1-x）_y（Ｈ，Ｘ）_1-yで構成される第二
の非晶質層（）の形成はグロー放電法、スパツ
タリング法、イオンプランテーシヨン法、イオン
プレーテイング法、エレクトロンビーム法等によ
つて成される。これ等の製造法は、製造条件、設
備資本投下の負荷程度、製造規模、作製される光
導電部材に所望される特性等の要因によつて適宜
選択されて採用されるが、所望する特性を有する
光導電部材を製造する為の作製条件の制御が比較
的容易である、シリコン原子と共に炭素原子及び
ハロゲン原子を、作製する第二の非晶質層（）
中に導入するのが容易に行える等の利点からグロ
ー放電法或はスパツターリング法が好適に採用さ
れる。 更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパ
ツターリング法とを同一装置系内で併用して第二
の非晶質層（）を形成しても良い。 グロー放電法によつて第二の非晶質層（）を
形成するには、ａ−（Si_xC_1-x）_y（Ｈ，Ｘ）_1-y形成
用の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量
の混合比で混合して、支持体の設置してある真空
堆積用の堆積室に導入し、導入されたガスを、グ
ロー放電を生起させることでガスプラズマ化し
て、前記支持体上に既に形成されてある第一の非
晶質層（）上にａ−（Si_xC_1-x）_y（Ｈ，Ｘ）_1-yを
堆積させれば良い。 本発明に於いて、ａ−（Si_xC_1-x）_y（Ｈ，Ｘ）_1-y
形成用の原料ガスとしては、シリコン原子（Si）、
炭素原子(C)、水素原子(H)、ハロゲン原子（Ｘ）の
中の少なくとも１つを構成原子とするガス状の物
質又はガス化し得る物質をガス化したものの中の
大概のものが使用され得る。 Si，Ｃ，Ｈ，Ｘの中の１つとしてはSiを構成原
子とする原料ガスを使用する場合は、例えばSiを
構成原子とする原料ガスと、Ｃを構成原子とする
原料ガスと、必要に応じてＨを構成原子とする原
料ガス又は／及びＸを構成原子とする原料ガスと
を所望の混合比で混合して使用するか、又はSiを
構成原子とする原料ガスと、Ｃ及びＨを構成原子
とする原料ガス又は／及びＣ及びＸを構成原子と
する原料ガスとを、これも又、所望の混合比で混
合するか、或いは、Siを構成原子とする原料ガス
と、Si，Ｃ及びＨの３つを構成原子とする原料ガ
ス又は、Si，Ｃ及びＸの３つを構成原子とする原
料ガスとを混合して使用することが出来る。 又、別には、SiとＨとを構成原子とする原料ガ
スにＣを構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良いし、SiとＸとを構成原子とする原料ガ
スにＣを構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良い。 本発明に於いて、第二の非晶質層（）中に含
有されるハロゲン原子（Ｘ）として好適なのは
Ｆ，Cl，Br，Ｉであり、殊にＦ，Clが望ましい
ものである。 本発明に於いて、第二の非晶質層（）を形成
するのに有効に使用される原料ガスと成り得るも
のとしては、常温常圧に於いてガス状態のもの又
は容易にガス化し得る物質を挙げることが出来
る。 本発明に於いて、第二の非晶質層（）形成用
の原料ガスとして有効に使用されるのは、SiとＨ
とを構成原子とするSiH₄，Si₂H₆，Si₃H₈，
Si₄H₁₀等のシラン（Silane）類等の水素化硅素ガ
ス、ＣとＨとを構成原子とする、例えば炭素数１
〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチレン系
炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭化水
素、ハロゲン単体、ハロゲン化水素、ハロゲン間
化合物、ハロゲン化硅素、ハロゲン置換水素化硅
素、水素化硅素等を挙げる事が出来る。 具体的には、飽和炭化水素としてはメタン
（CH₄），エタン（C₂H₆），プロパン（C₃H₈），ｎ
−ブタン（ｎ−C₄H₁₀），ペンタン（C₅H₁₂），エ
チレン系炭化水素としては、エチレン（C₂H₄），
プロピレン（C₃H₆），ブテン−１（C₄H₈），ブテ
ン−２（C₄H₈），イソブチレン（C₄H₈），ペンテ
ン（C₅H₁₀），アセチレン系炭化水素としては、
アセチレン（C₂H₂），メチルアセチレン
（C₃H₄），ブチン（C₄H₆），ハロゲン単体として
は、フツ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲンガ
ス、ハロゲン化水素としては、FH，HI，HCl，
HBr、ハロゲン間化合物としては、BrF，ClF，
ClF₃，ClF₅，BrF₅，BrF₃，IF₇，IF₅，ICl，IBr、
ハロゲン化硅素としてはSiF₄，Si₂F₆，SiCl₄，
SiCl₃Br，SiCl₂Br₂，SiClBr₃，SiCl₃I，SiBr₄，
ハロゲン置換水素化硅素としては、SiH₂F₂，
SiH₂Cl₂，SiHCl₃，SiH₃Cl，SiH₃Br，SiH₂Br₂，
SiHBr₃、水素化硅素としては、SiH₄，Si₂H₈，
Si₄H₁₀等のシラン（Silane）類、等々を挙げるこ
とが出来る。 これ等の他に、CF₄，CCl₄，CBr₄，CHF₃，
CH₂F₂，CH₃F，CH₃Cl，CH₃Br，CH₃I，
C₂H₅Cl等のハロゲン置換パラフイン系炭化水素、
SF₄，SF₆等のフツ素化硫黄化合物、Si（CH₃）₄，
Si（C₂H₅）₄、等のケイ化アルキルやSiCl（CH₃）₃，
SiCl₂（CH₃）₂，SiCl₃CH₃等のハロゲン含有ケイ化
アルキル等のシラン誘導体も有効なものとして挙
げることが出来る。 これ等の第二の非晶質層（）形成物質は、形
成される第二の非晶質層（）中に、所定の組成
比でシリコン原子、炭素原子及びハロゲン原子と
必要に応じて水素原子とが含有される様に、第二
の非晶質層（）の形成の際に所望に従つて選択
されて使用される。 例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子と
の含有が容易に成し得て且つ所望の特性の層が形
成され得るSi（CH₃）₄と、ハロゲン原子を含有さ
せるものとしてのSiHCl₃，SiH₂Cl₂，SiCl₄、或
いはSiH₃Cl等を所定の混合比にしてガス状態で
第二の非晶質層（）形成用の装置内に導入して
グロー放電を生起させることによつてａ−（Si_x
C_1-x）_y（ClTH）_1-yから成る第二の非晶質層（）
を形成することが出来る。 スパツターリング法によつて第二の非晶質層
（）を形成するには、単結晶又は多結晶のSiウ
エーハー又はＣウエーハー又はSiとＣが混合され
て含有されているウエーハーをターゲツトとし
て、これ等を必要に応じてハロゲン原子又は／及
び水素原子を構成要素として含む種々のガス雰囲
気中でスパツターリングすることによつて行えば
良い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、ＣとＨ又は／及びＸを導入する為の原料
ガスを、必要に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパ
ツター用の堆積室中に導入し、これ等のガスのガ
スプラズマを形成して前記Siウエーハーをスパツ
ターリングすれば良い。 又、別には、SiとＣとは別々のターゲツトとし
て、又はSiとＣの混合した一枚のターゲツトを使
用することによつて、必要に応じて水素原子又
は／及びハロゲン原子を含有するガス雰囲気中で
スパツターリングすることによつて成される。
Ｃ，Ｈ及びＸの導入用の原料ガスとなる物質とし
ては先述したグロー放電の例で示した第二の非晶
質層（）形成用の物質がスパツターリング法の
場合にも有効な物質として使用され得る。 本発明に於いて、第二の非晶質層（）をグロ
ー放電法又はスパツターリング法で形成する際に
使用される稀釈ガスとしては、所謂・希ガス、例
えばHe，Ne，Ar等が好適なものとして挙げる
ことが出来る。 本発明に於ける第二の非晶質層（）は、その
要求される特性が所望通りに与えられる様に注意
深く形成される。 即ち、Si，Ｃ、必要に応じてＨ又は／及びＸを
構成原子とする物質は、その作成条件によつて構
造的には結晶からアモルフアスまでの形態を取
り、電気物性的には、導電性から半導体性、絶縁
性までの間の性質を、又光導電的性質から非光導
電的性質までの間の性質を、各々示すので本発明
に於いては、目的に応じた所望の特性を有するａ
−（Si_xC_1-x）_y（Ｈ，Ｘ）_1-yが形成される様に、所
望に従つてその作成条件の選択が厳密に成され
る。例えば、第二の非晶質層（）を耐圧性の向
上を主な目的として設けることにはａ−（Si_x
C_1-x）_y（Ｈ，Ｘ）_1-yは使用環境に於いて電気絶縁
性的挙動の顕著な非晶質材料として作成される。 又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上
を主たる目的として第二の非晶質層（）が設け
られる場合には上記の電気絶縁性の度合はある程
度緩和され、照射される光に対してある程度の感
度を有する非晶質材料としてａ−（Si_xC_1-x）_y
（Ｈ，Ｘ）_1-yが作成される。 第一の非晶質層（）の表面にａ−（Si_xC_1-x）_y
（Ｈ，Ｘ）_1-yから成る第二の非晶質層（）を形
成する際、層形成中の支持体温度は、形成される
層の構造及び特性を左右する重要な因子であつ
て、本発明に於いては、目的とする特性を有する
ａ−（Si_xC_1-x）_y（Ｈ，Ｘ）_1-yが所望通りに作成さ
れ得る様に層作成時の支持体温度が厳密に制御さ
れるのが望ましい。 本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成さ
れる為の第二の非晶質層（）の形成法に併せて
適宜最適範囲が選択されて、第二の非晶質層
（）の形成が実行されるが、通常の場合、20〜
400℃、好適には50〜350℃、最適には100〜300℃
とされるのが望ましいものである。第二の非晶質
層（）の形成には、層を構成する原子の組成比
の微妙な制御や層厚の制御が他の方法に較べて比
較的容易である事等の為に、グロー放電法やスパ
ツターリング法の採用が有利であるが、これ等の
層形成法で第二の非晶質層（）を形成する場合
には、前記の支持体温度と同様に層形成の際の放
電パワーが作成されるａ−（Si_xC_1-x）_y（Ｈ，Ｘ）_1
−ｙの特性を左右する重要な因子の１つである。 本発明に於ける目的が達成される為の特性を有
するａ−（Si_xC_1-x）_y（Ｈ，Ｘ）_1-yが生産性良く効
果的に作成される為の放電パワー条件としては通
常10〜300W、好適には20〜250W、最適には50〜
200Wとされるのが望ましいものである。 堆積室内のガス圧は通常は0.01〜1Torr、好適
には、0.1〜0.5Torr程度とされるのが望ましい。 本発明に於いては第二の非晶質層（）を作成
する為の支持体温度、放電パワーの望ましい数値
範囲として前記した範囲の値が挙げられるが、こ
れ等の層作成フアクターは、独立的に別々に決め
られるものではなく、所望特性のａ−（Si_xC_1-x）_y
（Ｈ，Ｘ）_1-yから成る第二の非晶質層（）が形
成される様に相互的有機的関連性に基づいて各層
作成フアクターの最適値が決められるのが望まし
い。 本発明の光導電部材に於ける第二の非晶質層
（）に含有される炭素原子の量は、第二の非晶
質層（）の作成条件と同様、本発明の目的を達
成する所望の特性が得られる第二の非晶質層
（）が形成される重要な因子である。 本発明に於ける第二の非晶質層（）に含有さ
れる炭素原子の量は、第二の非晶質層（）を構
成する非晶質材料の種類及びその特性に応じて適
宜所望に応じて決められるものである。 即ち、前記一般式ａ−（Si_xC_1-x）_y（Ｈ，Ｘ）_1-y
で示される非晶質材料は、大別すると、シリコン
原子と炭素原子とで構成される非晶質材料（以
後、「ａ−Si_aC_1-a」と記す。但し、０＜ａ＜１）、
シリコン原子と炭素原子と水素原子とで構成され
る非晶質材料（以後、「ａ−（Si_bC_1-b）_cH_1-c」と
記す。但し、０＜ｂ，ｃ＜１）、シリコン原子と
炭素原子とハロゲン原子と必要に応じて水素原子
とで構成される非晶質材料（以後、「ａ−（Si_d
C_1-d）_e（Ｈ，Ｘ）_1-e」と記す。但し、０＜ｄ，ｅ
＜１）に分類される。 本発明に於いて、第二の非晶質層（）がａ−
Si_aC_1-aで構成される場合、第二の非晶質層（）
に含有される炭素原子の量は通常としては、１×
10^-3〜90atomic％、好適には１〜80atomic％、
最適には10〜75atomic％とされるのが望ましい
ものである。即ち、先のａ−Si_aC_1-aのａの表示
で行えば、ａが通常は0.1〜0.99999、好適には0.2
〜0.99、最適には0.25〜0.9である。 本発明に於いて、第二の非晶質層（）がａ−
（Si_bC_1-b）_cH_1-cで構成される場合、第二の非晶質
層（）に含有される炭素原子の量は、通常１×
10^-3〜90atomic％とされ、好ましくは１〜
90atomic％、最適には10〜80atomic％とされる
のが望ましいものである。水素原子の含有量とし
ては、通常の場合１〜40atomic％、好ましくは
２〜35atomic％、最適には５〜30atomic％とさ
れるのが望ましく、これ等の範囲に水素含有量が
ある場合に形成される光導電部材は、実際面に於
いて優れたものとして充分適用させ得るものであ
る。 即ち、先のａ−（Si_bC_1-b）_cH_1-cの表示で行えば
ｂが通常は0.1〜0.99999、好適には0.1〜0.99、最
適には0.15〜0.9、ｃが通常0.6〜0.99、好適には
0.65〜0.98、最適には0.7〜0.95であるのが望まし
い。 第二の非晶質層（）が、ａ−（Si_dC_1-d）_e
（Ｈ，Ｘ）_1-eで構成される場合には、第二の非晶
質層（）中に含有される炭素原子の含有量とし
ては、通常、１×10^-3〜90atomic％、好適には
１〜90atomic％、最適には10〜80atomic％とさ
れるのが望ましいものである。ハロゲン原子の含
有量としては、通常の場合、１〜20atomic％好
適には１〜18atomic％、最適には２〜15atomic
％とされるのが望ましく、これ等の範囲にハロゲ
ン原子含有量がある場合に作成される光導電部材
を実際面に充分適用させ得るものである。必要に
応じて含有される水素原子の含有量としては、通
常の場合19atomic％以下、好適には13atomic％
以下とされるのが望ましいものである。 即ち、先のａ−（Si_dC_1-d）_e（Ｈ，Ｘ）_1-eのｄ，
ｅの表示で行えば、ｄが通常、0.1〜0.99999、好
適には0.1〜0.99、最適には0.15〜0.9、ｅが通常
0.8〜0.99、好適には0.82〜0.99、最適には0.85〜
0.98であるのが望ましい。 本発明に於ける第二の非晶質層（）の層厚の
数範囲は、本発明の目的を効果的に達成する為の
重要な因子の１つである。 本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目
的に応じて適宜所望に従つて決められる。 又、第二の非晶質層（）の層厚は、該層
（）中に含有される炭素原子の量や第一の非晶
質層（）の層厚との関係に於いても、各々の層
領域に要求される特性に応じた有機的な関連性の
下に所望に従つて適宜決定される必要がある。 更に加え得るに、生産性や量産性を加味した経
済性の点に於いても考慮されるのが望ましい。 本発明に於ける第二の非晶質層（）の層厚と
しては、通常0.003〜30μ、好適には0.004〜20μ、
最適には0.005〜10μとされるのが望ましいもので
ある。 本発明において使用される支持体としては、導
電性でも電気絶縁性であつても良い。導電性支持
体としては、例えば、NiCr、ステンレス、Al，
Cr，Mo，Au，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，Pd等の
金属又はこれ等の合金が挙げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセ
テート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ
塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の
合成樹脂のフイルム又はシート、ガラス、セラミ
ツク、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面
を導電処理され、該導電処理された表面側に他の
層が設けられるのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、その表面に、NiCr，
Al，Cr，Mo，Au，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，
Pd，In₂O₃，SnO₂，ITO（In₂O₃＋SnO₂）等から
成る薄膜を設けることによつて導電性が付与さ
れ、或いはポリエステルフイルム等の合成樹脂フ
イルムであれば、NiCr，Al，Ag，Pb，Zn，Ni，
Au，Cr，Mo，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt等の金
属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパツタ
リングン等でその表面に設け、又は前記金属でそ
の表面をラミネート処理して、その表面に導電性
が付与される。支持体の形状としては、円筒状、
ベルト状、板状等任意の形状とし得、所望によつ
て、その形状は決定されるが、例えば、第１図の
光導電部材１００を電子写真用像形成部材として
使用するのであれば連続高速複写の場合には、無
端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持
体の厚さは、所望通りの光導電部材が形成される
様に適宜決定されるが、光導電部材として可撓性
が要求される場合には、支持体としての機能が充
分発揮される範囲内であれば可能な限り薄くされ
る。而乍ら、この様な場合支持体の製造上及び取
扱い上、機械的強度等の点から、通常は、10μ以
上とされる。 次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概
略について説明する。 第１１図に光導電部材の製造装置の一例を示
す。 図中の１１０２〜１１０６のガスボンベには、
本発明の光導電部材を形成するための原料ガスが
密封されており、その１例としてたとえば１１０
２は、Heで稀釈されたSiH₄ガス（純度99.999％、
以下SiH₄／Heと略す。）ボンベ、１１０３はHe
で稀釈されたGeH₄ガス（純度99.999％、以下
GeH₄／Heと略す。）ボンベ、１１０４はHeで稀
釈されたB₂H₆ガス（純度99.99％、以下B₂H₆／
Heと略す。）ボンベ、１１０５はNOガス（純度
99.999％）ボンベ、１１０６はC₂H₄ガス（純度
99.999％）ボンベである。 これらのガスを反応室１１０１に流入させるに
はガスボンベ１１０２〜１１０６のバルブ１１２
２〜１１２６、リークバルブ１１３５が閉じられ
ていることを確認し、又、流入バルブ１１１２〜
１１１６、流入バルブ１１１７〜１１２１、補助
バルブ１１３２，１１３３が開かれていることを
確認して、先ずメインバルブ１１３４を開いて反
応室１１０１、及び各ガス配管内を排気する。次
に真空計１１３６の読みが約５×10^-6Torrにな
つた時点で補助バルブ１１３２，１１３３、流出
バルブ１１１７〜１１２１を閉じる。 次にシリンダー状基体１１３７上に第一の非晶
質層（）を形成する場合の１例をあげると、ガ
スボンベ１１０２よりSiH₄／Heガス、ガスボン
ベ１１０３よりGeH₄／Heガス、ガスボンベ１１
０４よりB₂H₆／Heガス、ガスボンベ１１０５よ
りNOガスをバルブ１１２２〜１１２５を開いて
出口圧ゲージ１１２７〜１１３０の圧を１Kg／cm²
に調整し、流入バルブ１１１２〜１１１５を徐々
に開けて、マスフロコントローラ１１０７〜１１
１０内に夫々流入させる。引き続いて流出バルブ
１１１７〜１１２０、補助バルブ１１３２を徐々
に開いて夫々のガスを反応室１１０１に流入させ
る。このときのSiH₄／Heガス流量とGeH₄／He
ガス流量とB₂H₆／Heガス流量とNOガス流量と
の比が所望の値になるように流出バルブ１１１７
〜１１２０を調整し、又、反応室１１０１内の圧
力が所望の値になるように真空計１１３６の読み
を見ながらメインバルブ１１３４の開口を調整す
る。そして基体１１３７の温度が加熱ヒーター１
１３８により50〜400℃の範囲の温度に設定され
ていることを確認された後、電源１１４０を所望
の電力に設定して反応室１１０１内にグロー放電
を生起させ、同時にあらかじめ設計された変化率
曲線に従つてGeH₄／Heガスの流量を手動あるい
は外部駆動モータ等の方法によつてバルブ１１１
８の開口を漸次変化させる操作を行なつて形成さ
れる層中に含有されるゲルマニウム原子の分布濃
度を制御する。 この様にして、基体１１３７上に硼素原子(B)と
酸素原子（Ｏ）とが含有され、前記の変化率曲線
に従つたゲルマニウム原子の分布状態が形成され
ている、ａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）で構成された層領域
（Ｂ，Ｏ）が所望の層厚に形成される。 層領域（Ｂ，Ｏ）が所望層厚に形成された段階
に於いて、流出バルブ１１１９，１１２０の夫々
を完全に閉じること、及び必要に応じて放電条件
を変えること以外は、同様な条件と手順に従つ
て、所望時間グロー放電を維持することで前記層
領域（Ｂ，Ｏ）上に、硼素原子(B)も酸素原子
（Ｏ）も含有されていないが、前記の変化率曲線
に従つたゲルマニウム原子の分布状態が形成され
ている、ａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）で構成された上部層
領域が形成されて、第一の非晶質層（）の形成
が終了される。 上記の第一の非晶質層（）の形成の際に、該
層形成開始後、所望の時間が経過した段階で、堆
積室へのB₂H₆／Heガス或いはNOガスの流入を
止めることによつて、硼素原子の含有された層領
域(B)及び酸素原子の含有された層領域（Ｏ）の各
層厚を任意に制御することが出来る。 又、所望の変化率曲線に従つて、堆積室１１０
１へのNOガスのガス流量を制御することによつ
て、層領域（Ｏ）中に含有される酸素原子の分布
状態を所望通りに形成することが出来る。 第一の非晶質層（）中にハロゲン原子を含有
させる場合には、上記のガスに、例えばSiF₄ガス
を更に付加して、グロー放電を生起させれば良
い。 又、第一の非晶質層（）中に水素原子を含有
させずにハロゲン原子を含有させる場合には、先
のSiH₄／Heガス及びGeH₄／Heガスの代りに、
SiF₄／Heガス及びGeF₄／Heガスを使用すれば
良い。 上記の様にして所望層厚に形成された第一の非
晶質層（）上に第二の非晶質層（）を形成す
るには、第一の非晶質層（）の形成の際と同様
なバルブ操作によつて、例えばSiH₄ガス、C₂H₄
ガスの夫々を必要に応じてHe等の稀釈ガスで稀
釈して、所望の条件に従つて、グロー放電を生起
させることによつて成される。 第二の非晶質層（）中にハロゲン原子を含有
させるには、例えばSiF₄ガスとC₂H₄ガス、或い
は、これにSiH₄ガスを加えて上記と同様にして
第二の非晶質層（）を形成することによつて成
される。 夫々の層を形成する際に必要なガスの流出バル
ブ以外の流出バルブは全て閉じることは言うまで
もなく、又夫々の層を形成する際、前層の形成に
使用したガスが反応室１１０１内、流出バルブ１
１１７〜１１２１から反応室１１０１内に至るガ
ス配管内に残留することを避けるために、流出バ
ルブ１１１７〜１１２１を閉じ、補助バルブ１１
３２，１１３３を開いてメインバルブ１１３４を
全開して系内を一旦高真空に排気する操作を必要
に応じて行う。 第二の非晶質層（）中に含有される炭素原子
の量は例えば、グロー放電による場合はSiH₄ガ
スとC₂H₄ガスの反応室１１０１内に導入される
流量比を所望に従つて変えるか、或いは、スパツ
ターリングで層形成する場合には、ターゲツトを
形成する際シリコンウエハとグラフアイトウエハ
のスパツタ面積比率を変えるか、又はシリコン粉
末とグラフアイト粉末の混合比率を変えてターゲ
ツトを成型することによつて所望に応じて制御す
ることが出来る。第二の非晶質層（）中に含有
されるハロゲン原子（Ｘ）の量は、ハロゲン原子
導入用の原料ガス、例えばSiF₄ガスが反応室１１
０１内に導入される際の流量を調整することによ
つて成される。 又、層形成を行つている間は層形成の均一化を
計るため基体１１３７はモータ１１３９により一
定速度で回転させてやるのが望ましい。 以下実施例について説明する。 実施例 １ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に第１表に示す条件で第１２図に
示すガス流量比の変化率曲線に従つてGeH₄／He
ガスとSiH₄／Heガスのガス流量比を層作成経過
時間と共に変化させて第一の非晶質層（）を形
成し、次いで第１表に示す条件で第二の非晶質層
（）を形成して、電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置し5.0kVで0.3sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した。光像はタングステン
ランプ光源を用い、2lux・secの光量を透過型の
テストチヤートを通して照射させた。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアを含む）を像形成部材表面をカスケードす
ることによつて、像形成部材表面上に良好なトナ
ー画像を得た。像形成部材上のトナー画像を、
5.0kVのコロナ帯電で転写紙上に転写した所、解
像力に優れ、階調再現性のよい鮮明な高濃度の画
像が得られた。 実施例 ２ 第１１図に示した製造装置により、第２表に示
す条件で第１３図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH₄／HeガスとSiH₄／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１と同様にして、第一の非晶質
層（）を形成した以外は、実施例１と同様にし
て電子写真用像形成部材を形成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ３ 第１１図に示した製造装置により、第３表に示
す条件で第１４図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH₄／HeガスとSiH₄／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１と同様にして第一の非晶質層
（）を形成した以外は実施例１と同様にして電
子写真用像形成部材を形成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ４ 第１１図に示した製造装置により、第４表に示
す条件で第１５図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH₄／HeガスとSiH₄／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１と同様にして第一の非晶質層
（）を形成した以外は、実施例１と同様にして
電子写真用像形成部材を形成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ５ 第１１図に示した製造装置により、第５表に示
す条件で第１６図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH₄／HeガスとSiH₄／Heガスとガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１と同様にして第一の非晶質層
（）を形成した以外は、実施例１と同様にして
電子写真用像形成部材を形成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ６ 第１１図に示した製造装置により、第６表に示
す条件で第１７図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH₄／HeガスとSiH₄／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１と同様にして第一の非晶質層
（）を形成した以外は、実施例１と同様にして
電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ７ 第１１図に示した製造装置により、第７表に示
す条件で第１８図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH₄／HeガスとSiH₄／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１と同様にして、第一の非晶質
層（）を形成した以外は、実施例１と同様にし
て電子写真用像形成部材を形成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ８ 実施例１に於ける第１表の条件を第８表乃至第
10表に示す各条件にした以外は、実施例１と同様
の条件にして電子写真用像形成部材の夫々（試料
No.801〜803）を形成した。 こうして得られた像形成部材の夫々に就いて、
実施例１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像
を形成したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ９ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に第11表に示す条件で第１２図に
示すガス流量比の変化率曲線に従つて、GeH₄／
HeガスとSiH₄／Heガスのガス流量比を層作成経
過時間と共に変化させて第一の非晶質層（）を
形成した以外は、実施例１と同様にして電子写真
用像形成部材を形成した。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置し5.0kVで0.3sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した。光像はタングステン
ランプ光源を用い、2lux・secの光量を透過型の
テストチヤートを通して照射させた。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアを含む）を像形成部材表面をカスケードす
ることによつて、像形成部材表面上に良好なトナ
ー画像を得た。像形成部材上のトナー画像を、
5.0kVのコロナ帯電で転写紙上に転写した所、解
像力に優れ、階調再現性のよい鮮明な高濃度の画
像が得られた。 実施例 10 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に第12表に示す条件で第１２図に
示すガス流量比の変化率曲線に従つて、GeH₄／
HeガスとSiH₄／Heガスのガス流量比を層作成経
過時間と共に変化させて第一の非晶質層（）を
形成した以外は、実施例１と同様にして電子写真
用像形成部材を形成した。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置し5.0kVで0.3sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した。光像はタングステン
ランプ光源を用い、2lux・secの光量を透過型の
テストチヤートを通して照射させた。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアを含む）を像形成部材表面をカスケードす
ることによつて、像形成部材表面上に良好なトナ
ー画像を得た。像形成部材上のトナー画像を、
5.0kVのコロナ帯電で転写紙上に転写した所、解
像力に優れ、階調再現性のよい鮮明な高濃度の画
像が得られた。 実施例 11 第１１図に示した製造装置により、第13表に示
す条件で第１３図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つてGeH₄／HeガスとSiH₄／Heガスのガス
流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その他
の条件は実施例10と同様にして第一の非晶質層
（）を形成した以外は実施例10と同様にして電
子写真用像形成部材を形成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
10と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 12 第１１図に示した製造装置により、第14表に示
す条件で第１４図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH₄／HeガスとSiH₄／Heガス、
NOガスとSiH₄／Heガスのガス流量比を層作成
経過時間と共に変化させ、その他の条件は実施例
10と同様にして、第一の非晶質層（）を形成し
た以外は実施例10と同様にして電子写真用像形成
部材を形成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
10と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところを極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 13 第１１図に示した製造装置により、第15表に示
す条件で第１５図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH₄／HeガスとSiH₄／Heガス、
NOガスとSiH₄／Heガスのガス流量比を層作成
経過時間と共に変化させ、その他の条件は実施例
10と同様にして第一の非晶質層（）を形成した
以外は、実施例10と同様にして電子写真用像形成
部材を形成した。 こうして得られた像形成部材を就いて、実施例
10と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 14 第１１図に示した製造装置により、第16表に示
す条件で第１６図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH₄／HeガスとSiH₄／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例10と同様にして、第一の非晶質
層（）を形成した以外は実施例10と同様にして
電子写真用像形成部材を形成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
10と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 15 第１１図に示した製造装置により、第17表に示
す条件で第１７図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つてGeH₄／HeガスとSiH₄／Heガスのガス
流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その他
の条件は実施例10と同様にして、第一の非晶質層
（）を形成した以外は実施例10と同様にして電
子写真用像形成部材を形成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
10と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 16 第１１図に示した製造装置により、第18表に示
す条件で第１８図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH₄／HeガスとSiH₄／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例10と同様にして、第一の非晶質
層（）を形成した以外は実施例10と同様にして
電子写真用像形成部材を形成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
10と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 17 実施例10に於ける第12表の条件を第19表乃至第
21表に示す各条件にした以外は、実施例10と同様
の条件にして電子写真用像形成部材の夫々（試料
No.1901〜1903）を形成した。 こうして得られた各像形成部材に就いて、実施
例10と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形
成したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 18 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に第22表に示す条件で第１２図に
示すガス流量比の変化率曲線に従つて、GeH₄／
HeガスとSiH₄／Heガスのガス流量比を層作成経
過時間と共に変化させて第一の非晶質層（）を
形成した以外は、実施例１と同様にして電子写真
用像形成部材を形成した。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置し5.0kVで0.3sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した。光像はタングステン
ランプ光源を用い、2lux・secの光量を透過型の
テストチヤートを通して照射させた。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアを含む）を像形成部材表面をカスケードす
ることによつて、像形成部材表面上に良好なトナ
ー画像を得た。像形成部材上のトナー画像を、
5.0kVのコロナ帯電で転写紙上に転写した所、解
像力に優れ、階調再現性のよい鮮明な高濃度の画
像が得られた。 実施例 19 実施例１及び10に於いて光源をタングステンラ
ンプの代りに810nｍのGaAs系半導体レーザ（10
ｍＷ）を用いて、静電像の形成を行つた以外は、
実施例１及び10と同様のトナー画像形成条件にし
て、実施例１及び10と同様の条件で作成した電子
写真用像形成部材に就いてトナー転写画像の画質
評価を行つたところ、解像力に優れ、階調再現性
の良い鮮明な高品質の画像が得られた。 実施例 20 非晶質層（）の作成条件を第23表に示す各条
件にした以外は、実施例２〜10の各実施例と同様
の条件と手順に従つて電子写真用像形成部材の
夫々（試料No.12−201〜12−208，12−301〜12−
308，…，12−1001〜12−1009の72個の試料）を
作成した。 こうして得られた各電子写真用像形成部材の
夫々を個別に複写装置に設置し、各実施例に記し
たのと同様の条件で転写画像を転写紙上に形成し
た。 各転写画像は、極めて良好なものであつた。転
写されないで電子写真用像形成部材上に残つたト
ナーは、ゴムブレードによつてクリーニングされ
た。このような工程を繰り返し10万回以上行つて
も、いずれの場合も画像の劣化は見られなかつ
た。 各試料の転写画像の総合画質評価と、繰返し連
続使用による耐久性の評価の結果を第23A表に示
す。 実施例 21 非晶質層（）の形成の際に、スパツターリン
グ法を採用し、シリコンウエハとグラフアイトの
ターゲツト面積比を変えて、非晶質層（）に於
けるシリコン原子と炭素原子の含有量比を変化さ
せる以外は、実施例１と全く同様な方法によつて
像形成部材の夫々を作成した。こうして得られた
像形成部材の夫々につき、実施例１に述べた如
き、作像、現像、クリーニングの工程を約５万回
繰り返した後画像評価を行つたところ第24表の如
き結果を得た。 実施例 22 非晶質層（）の層の形成時、SiH₄ガスと
C₂H₄ガスの流量比を変えて、非晶質層（）に
於けるシリコン原子と炭素原子の含有量比を変化
させる以外は実施例１と全く同様な方法によつて
像形成部材の夫々を作成した。こうして得られた
各像形成部材につき、実施例１に述べた如き方法
で転写までの工程を約５万回繰り返した後、画像
評価を行つたところ、第25表の如き結果を得た。 実施例 23 非晶質層（）の層の形成時、SiH₄ガス、
SiF₄ガス、C₂H₄ガスの流量比を変えて、非晶質
層（）に於けるシリコン原子と炭素原子の含有
量比を変化させる以外は、実施例１と全く同様な
方法によつて像形成部材の夫々を作成した。こう
して得られた各像形成部材につき実施例１に述べ
た如き作像、現像、クリーニングの工程を約５万
回繰り返した後、画像評価を行つたところ第26表
の如き結果を得た。 実施例 24 非晶質層（）の層厚を変える以外は、実施例
１と全く同様な方法によつて像形成部材の夫々を
作成した。実施例１に述べた如き、作像、現像、
クリーニングの工程を繰り返し第27表の結果を得
た。

【表】

【表】

【表】

【表】

【表】

【表】

【表】

【表】

【表】

【表】

【表】

【表】

【表】

【表】

【表】

【表】

【表】

【表】

【表】

【表】

【表】

【表】

【表】

【表】

【表】

【表】

【表】

【表】 ◎〓非常に良好 ○〓良好 △〓実用に充分耐える
×〓画像欠陥を生ずる

【表】 ◎〓非常に良好 ○〓良好 △〓実用上充分であ
る ×〓画像欠陥を生ずる

【表】 ◎〓非常に良好 ○〓良好 △〓実用上充分である
×〓画像欠陥を生ずる

【表】 以上の本発明の実施例に於ける共通の層作成条
件を以下に示す。 基体温度：ゲルマニウム原子（Ge）含有層
…約200℃ ゲルマニウム原子（Ge）非含有層
…約250℃ 放電周波数：13.56MHz 反応時反応室内圧：0.3Torr

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明
する為の模式的層構成図、第２図乃至第１０図は
夫々非晶質層中のゲルマニウム原子の分布状態を
説明する為の説明図、第１１図は、本発明で使用
された装置の模式的説明図で、第１２図乃至第１
８図は夫々本発明の実施例におけるガス流量比の
変化率曲線を示す説明図である。 １００……光導電部材、１０１……支持体、１
０２……第一の非晶質層（）、１０３……第二
の非晶質層（）。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 光導電部材用の支持体と、該支持体上にシリ
   コン原子とゲルマニウム原子とを母体とする非晶
   質材料で構成され光導電性を示す第１の非晶質層
   と、シリコン原子と炭素原子とを母体とする非晶
   質材料で構成された第２の非晶質層と、を前記支
   持体側より順に有し、前記第１の層領域中におけ
   るゲルマニウム原子の分布濃度が前記支持体側よ
   り該支持体側とは反対の側に向かつて減少し、且
   つ、前記第１の非晶質には周期律表第族及び第
   族に属する原子から選ばれる原子と酸素原子と
   が含有されている事を特徴とする光導電部材。 ２ 前記第１の非晶質層に水素原子が含有されて
   いる特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。 ３ 前記水素原子の含有量が0.01〜40atomic％で
   ある特許請求の範囲第２項に記載の光導電部材。 ４ 前記第１の非晶質層にはハロゲン原子が含有
   されている特許請求の範囲第１項に記載の光導電
   部材。 ５ 前記ハロゲン原子の含有量が0.01〜40atomic
   ％である特許請求の範囲第４項に記載の光導電部
   材。 ６ 前記第１の非晶質層に水素原子とハロゲン原
   子とが含有されている特許請求の範囲第１項に記
   載の光導電部材。 ７ 前記水素原子と前記ハロゲン原子の含有量の
   和が0.01〜40atomic％である特許請求の範囲第６
   項に記載の光導電部材。 ８ 前記ハロゲン原子はフツ素、塩素から選ばれ
   る特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。 ９ 前記周期律表第族に属する原子がＢ、Ga
   から選ばれる特許請求の範囲第１項に記載の光導
   電部材。 １０ 前記周期律表第族に属する原子がＰ、
   Asから選ばれる特許請求の範囲第１項に記載の
   光導電部材。 １１ 前記周期律表第族及び第族に属する原
   子が0.001〜５×10⁴atomic ppm含有される特許
   請求の範囲第１項に記載の光導電部材。 １２ 前記周期律表第族及び第族に属する原
   子は、前記第１の非晶質層の支持体側に偏在して
   いる特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。 １３ 前記第１の層領域中に含有されるゲルマニ
   ウム原子の量が１〜9.5×10⁵atomic ppmである
   特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。 １４ 前記第１の非晶質の層厚が１〜100μであ
   る特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。 １５ 前記酸素原子の分布濃度が前記非晶質層の
   層厚方向に不均一に分布している特許請求の範囲
   第１項に記載の光導電部材。 １６ 前記酸素原子の分布濃度は前記支持体側に
   高い特許請求の範囲第１５項に記載の光導電部
   材。 １７ 前記酸素原子の含有量が0.001〜50atomic
   ％である特許請求の範囲第１項に記載の光導電部
   材。 １８ 前記酸素原子の分布濃度の最大値が
   500atomic ppm以上である特許請求の範囲第１
   ６項に記載の光導電部材。 １９ 前記第２の非晶質層の層厚は0.003〜30μで
   ある特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。 ２０ 前記第２の非晶質層には水素原子が含有さ
   れている特許請求の範囲第１項に記載の光導電部
   材。 ２１ 前記水素原子の含有量は１〜40atomic％
   である特許請求の範囲第２０項に記載の光導電部
   材。 ２２ 前記第２の非晶質層には水素原子及びハロ
   ゲン原子が含有されている特許請求の範囲第１項
   に記載の光導電部材。 ２３ 前記水素原子の含有量は19atomic％であ
   り、ハロゲン原子の含有量は１〜20atomic％で
   ある特許請求の範囲第２２項に記載の光導電部
   材。 ２４ 前記炭素原子の含有量は１×10^-3〜
   90atomic％である特許請求の範囲第１項に記載
   の光導電部材。