JPH0385636U - - Google Patents

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JPH0385636U
JPH0385636U JP1989146661U JP14666189U JPH0385636U JP H0385636 U JPH0385636 U JP H0385636U JP 1989146661 U JP1989146661 U JP 1989146661U JP 14666189 U JP14666189 U JP 14666189U JP H0385636 U JPH0385636 U JP H0385636U
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JP
Japan
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bonding
pattern
integrated circuit
circuit chip
semiconductor device
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JP1989146661U
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • H10W72/874—On different surfaces
    • H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires

Landscapes

  • Die Bonding (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は本考案を施した半導体装置の一実施例
を示す平面図、第2図は従来技術におけるダイボ
ンデイング法により実装された半導体装置の構造
を示す断面図、第3図は第2図における半導体装
置の構成を示す平面図である。 1……フイルムキヤリアテープ、2……ボンデ
イングパターン、3……金属ワイヤ、4……IC
チツプ、5……封止樹脂、6……ダイボンド剤、
7……ダイボンド用ベタパターン、8……ボンデ
イングパターン、9……ダイボンド用ベタパター
ン、10……ベタパターン用ボンデイングパター
ン。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 集積回路チツプを接続する導体パターンを
    有し、さらに、該導体パターンとして、上記集積
    回路チツプの各端子と金属ワイヤにより接続され
    るボンデイングパターンと、該ボンデイングパタ
    ーンと一体で、かつ、その終端が、上記集積回路
    チツプの接着面積とほぼ等しい面積を持つダイボ
    ンド用ベタパターンとを有し、上記集積回路チツ
    プを該ダイボンド用ベタパターン上にボンデイン
    グ接着する回路基体において、上記ダイボンド用
    ベタパターンを、上記集積回路チツプとの接着部
    分と、上記ボンデイングパターン部分とに分離し
    た構成とすることを特徴とする回路基体。 (2) 請求項1に記載の回路基体を用いた半導体
    装置において、分離された上記集積回路チツプと
    の接着部分と上記ボンデイングパターン部分とを
    、上記集積回路チツプを上記回路基体に接着する
    接着材により電気接続して構成することを特徴と
    する半導体装置。
JP1989146661U 1989-12-20 1989-12-20 Pending JPH0385636U (ja)

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