JPH038760A - 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 - Google Patents
電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法Info
- Publication number
- JPH038760A JPH038760A JP1143722A JP14372289A JPH038760A JP H038760 A JPH038760 A JP H038760A JP 1143722 A JP1143722 A JP 1143722A JP 14372289 A JP14372289 A JP 14372289A JP H038760 A JPH038760 A JP H038760A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電気機器、電子機器で発生する異常高電圧、ノ
イズ、静電気などから機器の半導体および回路を保護す
るためのコンデンサ特性とバリスタ特性を有する電圧依
存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法
に関するものである。
イズ、静電気などから機器の半導体および回路を保護す
るためのコンデンサ特性とバリスタ特性を有する電圧依
存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法
に関するものである。
従来の技術
従来、各種の電気機器、電子機器における異常高電圧の
吸収、ノイズの除去、火花消去、静電気対策のために電
圧依存性非直線抵抗特性を有するＳｉＣバリスタや、Ｚ
ｎＯ系バリスタなどが使用されている。このようなバリ
スタの電圧−電流特性は近似的に次式のように表すこと
ができる。
吸収、ノイズの除去、火花消去、静電気対策のために電
圧依存性非直線抵抗特性を有するＳｉＣバリスタや、Ｚ
ｎＯ系バリスタなどが使用されている。このようなバリ
スタの電圧−電流特性は近似的に次式のように表すこと
ができる。
１＝（Ｖ／Ｃ）α
ここで、Ｉは電流、■は電圧、Ｃはバリスタ固有の定数
、αは電圧−電流非直線指数である。
、αは電圧−電流非直線指数である。
ＳｉＣバリスタのαは２〜７程度、ＺｎＯ系バリスタで
はαが５０にもおよぶものがある。このようなバリスタ
は比較的高い電圧の吸収には優れた性能を有しであるが
、誘電率が低（、固有の静電容量が小さいため、バリス
タ電圧以下の比較的低い電圧の吸収にはほとんど効果を
示さず、また誘電損失ｔａｎδが５〜１０％と大きい。
はαが５０にもおよぶものがある。このようなバリスタ
は比較的高い電圧の吸収には優れた性能を有しであるが
、誘電率が低（、固有の静電容量が小さいため、バリス
タ電圧以下の比較的低い電圧の吸収にはほとんど効果を
示さず、また誘電損失ｔａｎδが５〜１０％と大きい。
一方、これらの低電圧のノイズなどの除去には見かけの
誘電率が５Ｘ１０４程度で、ｔａｎδが１％前後の半導
体コンデンサが利用されている。
誘電率が５Ｘ１０４程度で、ｔａｎδが１％前後の半導
体コンデンサが利用されている。
しかし、このような半導体コンデンサはサージなどによ
りある限度以上の電圧または電流が印加されると、静電
容量が減少したり、破壊されたりしてコンデンサとして
の機能を果たさなくなったりする。
りある限度以上の電圧または電流が印加されると、静電
容量が減少したり、破壊されたりしてコンデンサとして
の機能を果たさなくなったりする。
そこで最近になって５ｒＴｉ（ｈを主成分とし、バリス
タ特性とコンデンサ特性の両方の機能を有するものが開
発され、コンピュータなどの電子機器におけるＩＣ，Ｌ
ＳＩなどの半導体素子の保護に利用されている。
タ特性とコンデンサ特性の両方の機能を有するものが開
発され、コンピュータなどの電子機器におけるＩＣ，Ｌ
ＳＩなどの半導体素子の保護に利用されている。
発明が解決しようとする課題
上記のＳｒＴｉＯ３を主成分とするバリスタとコンデン
サの両方の機能を有する素子は、ＺｎＯ系バリスタに比
べ誘電率が約１０倍と大きいが、αやサージ耐量が小さ
く、バリスタ電圧を低（すると特性が劣化しやすいとい
った欠点を有していた。
サの両方の機能を有する素子は、ＺｎＯ系バリスタに比
べ誘電率が約１０倍と大きいが、αやサージ耐量が小さ
く、バリスタ電圧を低（すると特性が劣化しやすいとい
った欠点を有していた。
そこで本発明では、誘電率が大きく、バリスタ電圧が低
く、αが大きいと共にサージ耐量が大きい電圧依存性非
直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法を提供
することを目的とするものである。
く、αが大きいと共にサージ耐量が大きい電圧依存性非
直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法を提供
することを目的とするものである。
課題を解決するための手段
上記の問題点を解決するために本発明では、Ｓ ｒ Ｉ
−ｘＣａｘＴ ｉ ０３ （０．００１８ｉｉ；Ｘ≦０
．３００） （以下第１成分と呼ぶ）を９０．０００〜
９９．９９８ｍｏｌ％、Ｎｂ２Ｏ５，Ｔａ２０ａ、ＷＯ
３，Ｄｙ２Ｏ３゜Ｙ２Ｏ３，Ｌ’ａ２Ｏ３，ＣｅＯ２，
Ｓｍ２Ｏ３，Ｐ ｒ６ｏ１１゜Ｎｄ２Ｏ３のうち少なく
とも１種類以上（以下第２成分と呼ぶ）を０．００１〜
５．０００ｍｏ １％。
−ｘＣａｘＴ ｉ ０３ （０．００１８ｉｉ；Ｘ≦０
．３００） （以下第１成分と呼ぶ）を９０．０００〜
９９．９９８ｍｏｌ％、Ｎｂ２Ｏ５，Ｔａ２０ａ、ＷＯ
３，Ｄｙ２Ｏ３゜Ｙ２Ｏ３，Ｌ’ａ２Ｏ３，ＣｅＯ２，
Ｓｍ２Ｏ３，Ｐ ｒ６ｏ１１゜Ｎｄ２Ｏ３のうち少なく
とも１種類以上（以下第２成分と呼ぶ）を０．００１〜
５．０００ｍｏ １％。
Ａ Ｉ ２０３ 、Ｓ ｂ ２０３ｒ Ｂ ａ Ｏ、Ｂ
ｅ Ｏ＊ Ｐ ｂ Ｏ。
ｅ Ｏ＊ Ｐ ｂ Ｏ。
Ｂ２Ｏ３，Ｃｒ２Ｏ３，Ｆ ｅ２Ｏ３，ＣｄＯ，に２０
゜Ｃａｂ、Ｃｏ２Ｏ３，ＣｕＯ，Ｃｕ２Ｏ，Ｌ ｉ２０
゜Ｌ ｉ Ｆ、ＭｇＯ，ＭｎＯ２，ＭｏＯ３，Ｎａ２Ｏ
。
゜Ｃａｂ、Ｃｏ２Ｏ３，ＣｕＯ，Ｃｕ２Ｏ，Ｌ ｉ２０
゜Ｌ ｉ Ｆ、ＭｇＯ，ＭｎＯ２，ＭｏＯ３，Ｎａ２Ｏ
。
ＮａＦ，ＮｉＯ，Ｒｈ２Ｏ３，５ｅ０２．Ａｇ２Ｏ。
Ｓ ｉｏ＝、Ｓ ｉＣ，Ｓｒ○、Ｔ Ｉ２Ｏ３，Ｔｈ０
２゜Ｔ ｉ ０２．Ｖ２Ｏ５，Ｂ １２Ｏ３，ＺｎＯ，
ＺｒＣｈ。
２゜Ｔ ｉ ０２．Ｖ２Ｏ５，Ｂ １２Ｏ３，ＺｎＯ，
ＺｒＣｈ。
ＳｎＯ２のうち少なくとも１種類以上（以下第３成分と
呼ぶ）を０．００１〜５．ＯＯＯｍｏ １％含有してな
る主成分１００重量部と、ＢａＴｉＯ３６０．０００〜
３２．５００ｍｏ １％，ＳｉＯ２４０、ＯＯＯ〜６７
．５００ｍｏ １％からなる混合物を１２００〜１３０
０℃で焼成してなる添加物（以下第４成分と呼ぶ）０．
００１〜１０．０００重量部とからなる電圧依存性非直
線抵抗体磁器組成物を得ることにより問題を解決しよう
とするものである。
呼ぶ）を０．００１〜５．ＯＯＯｍｏ １％含有してな
る主成分１００重量部と、ＢａＴｉＯ３６０．０００〜
３２．５００ｍｏ １％，ＳｉＯ２４０、ＯＯＯ〜６７
．５００ｍｏ １％からなる混合物を１２００〜１３０
０℃で焼成してなる添加物（以下第４成分と呼ぶ）０．
００１〜１０．０００重量部とからなる電圧依存性非直
線抵抗体磁器組成物を得ることにより問題を解決しよう
とするものである。
また、上記組成物を１１００℃以上で焼成するバリスタ
の製造方法、あるいは上記組成物を１１００℃以上で焼
成した後、還元性雰囲気中で１２００℃以上で焼成し、
その後酸化性雰囲気中で９００〜１３００℃で焼成する
バリスタの製造方法を提案するものである。
の製造方法、あるいは上記組成物を１１００℃以上で焼
成した後、還元性雰囲気中で１２００℃以上で焼成し、
その後酸化性雰囲気中で９００〜１３００℃で焼成する
バリスタの製造方法を提案するものである。
作用
上記の発明において第１成分は主たる成分であり、５ｒ
Ｔｉ０３のＳｒの一部をＣａで置換することにより、粒
界に形成される高抵抗層がサージに対して強くなる。第
２成分は主に第１成分の半導体化を促進する金属酸化物
である。また、第３成分は誘電率、α、サージ耐量の改
善に寄与するものであり、第４成分はバリスタ電圧の低
下、誘電率の改善に有効なものである。特に、第４成分
は触点が１２３０〜１２５０℃と比較的低いため、融点
前後の温度で焼成すると液相となり、その他の成分の反
応を促進すると共に粒子の成長を促進する。そのため粒
界部分に第３成分が偏析しやすくなり、粒界が高抵抗化
され易くなり、バリスタ機能およびコンデンサ機能が改
善される。また、粒成長が促進されるためバリスタ電圧
が低くなり、粒径の均一性が向上するため特性の安定性
がよくなり、特にサージｌ（量が改善されることとなる
。
Ｔｉ０３のＳｒの一部をＣａで置換することにより、粒
界に形成される高抵抗層がサージに対して強くなる。第
２成分は主に第１成分の半導体化を促進する金属酸化物
である。また、第３成分は誘電率、α、サージ耐量の改
善に寄与するものであり、第４成分はバリスタ電圧の低
下、誘電率の改善に有効なものである。特に、第４成分
は触点が１２３０〜１２５０℃と比較的低いため、融点
前後の温度で焼成すると液相となり、その他の成分の反
応を促進すると共に粒子の成長を促進する。そのため粒
界部分に第３成分が偏析しやすくなり、粒界が高抵抗化
され易くなり、バリスタ機能およびコンデンサ機能が改
善される。また、粒成長が促進されるためバリスタ電圧
が低くなり、粒径の均一性が向上するため特性の安定性
がよくなり、特にサージｌ（量が改善されることとなる
。
実施例
以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明する。
まず、ＢａＴｉＯ３，Ｓ ｉ０２を下記の第１表に示す
ように組成比を種々変えて秤量し、ボールミルなどで２
０８ ｒ混合する。次に、乾燥した後、下記の第１表に
示すように温度を種々変えて焼成し、再びボールミルな
どで２０Ｈｒ粉砕した後、乾燥し、第４成分とする。次
いで、第１成分、第２成分、第３成分、第４成分を下記
の第１表に示した組成比になるように秤量し、ボールミ
ルなどで２４Ｈｒ混合した後、乾燥し、ポリビニルアル
コールなどの有機バインダーを１０ｗｔ％添加して造粒
した後、１（ｔ／ｃｉｆ）のプレス圧力で１０φ×１ｔ
（鴫）の円板状に成形し、１０００℃で１０８ｒ焼成し
脱バインダーする。次に、第１表に示したように温度を
種々変えて４Ｈｒ焼成（第１焼成）し、その後還元性雰
囲気、例えばＮ２：Ｈ２＝９：１のガス中で温度を種々
変えて４Ｈｒ焼成（第２焼成）する。さらにその後、酸
化性雰囲気中で温度を種々変えて３Ｈｒ焼成（第３焼成
）する。
ように組成比を種々変えて秤量し、ボールミルなどで２
０８ ｒ混合する。次に、乾燥した後、下記の第１表に
示すように温度を種々変えて焼成し、再びボールミルな
どで２０Ｈｒ粉砕した後、乾燥し、第４成分とする。次
いで、第１成分、第２成分、第３成分、第４成分を下記
の第１表に示した組成比になるように秤量し、ボールミ
ルなどで２４Ｈｒ混合した後、乾燥し、ポリビニルアル
コールなどの有機バインダーを１０ｗｔ％添加して造粒
した後、１（ｔ／ｃｉｆ）のプレス圧力で１０φ×１ｔ
（鴫）の円板状に成形し、１０００℃で１０８ｒ焼成し
脱バインダーする。次に、第１表に示したように温度を
種々変えて４Ｈｒ焼成（第１焼成）し、その後還元性雰
囲気、例えばＮ２：Ｈ２＝９：１のガス中で温度を種々
変えて４Ｈｒ焼成（第２焼成）する。さらにその後、酸
化性雰囲気中で温度を種々変えて３Ｈｒ焼成（第３焼成
）する。
こうして得られた第１図、第２図に示す焼結体１の両手
面に外周を残すようにしてＡｇなどの導電性ペーストを
スクリーン印刷などにより塗布し、６００℃、５ｍ１ｎ
で焼成し、電極２，３を形成する。次に、半田などによ
りリード線を取付け、エポキシなどの樹脂を塗装する。
面に外周を残すようにしてＡｇなどの導電性ペーストを
スクリーン印刷などにより塗布し、６００℃、５ｍ１ｎ
で焼成し、電極２，３を形成する。次に、半田などによ
りリード線を取付け、エポキシなどの樹脂を塗装する。
このようにして得られた素子の特性を下記の第２表に示
す。
す。
なお、見掛は誘電率はＩＫＨｚでの静電容量から計算し
たものであり、αは α＝１／Ｌｏｇ （Ｖ＋ｏｍＡ／Ｖ＋ｍＡ）（ただし、
ＶｌｍＡ、Ｖ＋ｏｍＡは１ｍＡ、１０ｍＡの電流を流し
た時に素子の両端にかかる電圧である。）で評価した。
たものであり、αは α＝１／Ｌｏｇ （Ｖ＋ｏｍＡ／Ｖ＋ｍＡ）（ただし、
ＶｌｍＡ、Ｖ＋ｏｍＡは１ｍＡ、１０ｍＡの電流を流し
た時に素子の両端にかかる電圧である。）で評価した。
また、サージ耐量はパルス性の電流を印加した後のＶ
１ ｍ Ａの変化率が±１０％以内である時の最大のパ
ルス性電流値により評価している。
１ ｍ Ａの変化率が±１０％以内である時の最大のパ
ルス性電流値により評価している。
（以 下 余 白 ）
また、第１成分のＳ ｒ １−ｘＣａｘＴ ｉ ０３の
Ｘの範囲を規定したのは、Ｘが０．００１よりも小さい
と効果を示さず、０．３００を越えると格子欠陥が発生
しにくくなるため半導体化が促進されず、粒界にＣａか
単一相として析出するため、組織が不均一になり、Ｖ＋
ｍＡが高くなりすぎて特性が劣化するためである。さら
に、第２成分は０．００１ｍｏ １％未満では効果を示
さず、５．０００ｍｏｌ％を越えると粒界に偏析して粒
界の高抵抗化を抑制し、粒界に第２相を形成するため特
性が劣化するものである。また、第３成分は０．００１
ｍｏｌ％未満では効果を示さず、５．０００ｍｏｌ％を
越えると粒界に偏析して第２相を形成するため特性が劣
化するためである。そして、第４成分はＢａＴｉＯ３と
５ｉ０２の２成分系の相図のなかでＢａＴｉＯ３６０．
０００〜３２．５００ｍｏｌ％、Ｓ ｉ０２４０．００
０〜６７．５００ｍｏｌ％の範囲内のものは最も融点の
低い領域の物質であり、その範囲外では融点が高くなる
ものである。また、第４成分の添加量は、０．００１重
量部未満では効果を示さず、１０．０００重量部を越え
ると粒界の抵抗は高（なるが粒界の幅が厚ぐなるため、
静電容量が小さくなると共にＶｒｒｉＡが高くなり、サ
ージに対して弱くなるものである。また、第４成分の焼
成温度を規定したのは、低融点の第４成分が合成される
温度が１２００°Ｃ以上であるためである。そして、第
１焼成の温度を規定したのは、第４成分の融点が１２３
０〜１２５０℃であるため、１１００９Ｃ以上の温度で
焼成すると第４成分が液相に近い状態になって焼結が促
進されるためであり、１１００℃未満では第４成分の液
相焼結効果がないためである。また、第２焼成の温度を
規定したのは、１２００°Ｃ未満では第１焼成後の焼結
体が十分に還元されず、バリスタ特性、コンデンサ特性
共に劣化するためである。さらに、第３焼成の温度を規
定したのは、９００℃未満では粒界の高抵抗化が十分に
進まないため、Ｖ １ ｍ Ａが低（なりすぎバリスタ
特性が劣化するためであり、１３００℃を越えると静電
容量が小さくなりすぎコンデンサ特性が劣化するためで
ある。また、第１焼成の雰囲気は酸化性雰囲気でも還元
性雰囲気でも同様の効果があることを確認した。
Ｘの範囲を規定したのは、Ｘが０．００１よりも小さい
と効果を示さず、０．３００を越えると格子欠陥が発生
しにくくなるため半導体化が促進されず、粒界にＣａか
単一相として析出するため、組織が不均一になり、Ｖ＋
ｍＡが高くなりすぎて特性が劣化するためである。さら
に、第２成分は０．００１ｍｏ １％未満では効果を示
さず、５．０００ｍｏｌ％を越えると粒界に偏析して粒
界の高抵抗化を抑制し、粒界に第２相を形成するため特
性が劣化するものである。また、第３成分は０．００１
ｍｏｌ％未満では効果を示さず、５．０００ｍｏｌ％を
越えると粒界に偏析して第２相を形成するため特性が劣
化するためである。そして、第４成分はＢａＴｉＯ３と
５ｉ０２の２成分系の相図のなかでＢａＴｉＯ３６０．
０００〜３２．５００ｍｏｌ％、Ｓ ｉ０２４０．００
０〜６７．５００ｍｏｌ％の範囲内のものは最も融点の
低い領域の物質であり、その範囲外では融点が高くなる
ものである。また、第４成分の添加量は、０．００１重
量部未満では効果を示さず、１０．０００重量部を越え
ると粒界の抵抗は高（なるが粒界の幅が厚ぐなるため、
静電容量が小さくなると共にＶｒｒｉＡが高くなり、サ
ージに対して弱くなるものである。また、第４成分の焼
成温度を規定したのは、低融点の第４成分が合成される
温度が１２００°Ｃ以上であるためである。そして、第
１焼成の温度を規定したのは、第４成分の融点が１２３
０〜１２５０℃であるため、１１００９Ｃ以上の温度で
焼成すると第４成分が液相に近い状態になって焼結が促
進されるためであり、１１００℃未満では第４成分の液
相焼結効果がないためである。また、第２焼成の温度を
規定したのは、１２００°Ｃ未満では第１焼成後の焼結
体が十分に還元されず、バリスタ特性、コンデンサ特性
共に劣化するためである。さらに、第３焼成の温度を規
定したのは、９００℃未満では粒界の高抵抗化が十分に
進まないため、Ｖ １ ｍ Ａが低（なりすぎバリスタ
特性が劣化するためであり、１３００℃を越えると静電
容量が小さくなりすぎコンデンサ特性が劣化するためで
ある。また、第１焼成の雰囲気は酸化性雰囲気でも還元
性雰囲気でも同様の効果があることを確認した。
なお、第２成分としては、２種類以上を組合せて上記範
囲内の添加量で用いてもよいものである。また、第３成
分としては、上記実施例で挙げた成分以外にＳ ｂ２Ｏ
３，ＢｅＯ，ＢｅＯ，Ｂ２Ｏ３゜Ｃａｂ、Ｌ ｉ Ｆ、
Ｎａ２Ｏ，ＮａＦ、Ｒｈ２Ｏ３゜ＳｉＯ２，Ｓ ｒ Ｏ
，Ｔｈ０２． Ｔ ｉ ０２． Ｖ２Ｏ５゜Ｂｉ２Ｏ３
，Ｚｎ○、ＳｎＯ２を用いることができ、かつ第２成分
と同様に２種類以上を組み合せて上述した範囲内の添加
量で用いてもよいものである。さらに、上記実施例では
これら添加物の組合せについては一部のみ示しているが
、その他の組合せでも同様の効果が得られることが確認
された。
囲内の添加量で用いてもよいものである。また、第３成
分としては、上記実施例で挙げた成分以外にＳ ｂ２Ｏ
３，ＢｅＯ，ＢｅＯ，Ｂ２Ｏ３゜Ｃａｂ、Ｌ ｉ Ｆ、
Ｎａ２Ｏ，ＮａＦ、Ｒｈ２Ｏ３゜ＳｉＯ２，Ｓ ｒ Ｏ
，Ｔｈ０２． Ｔ ｉ ０２． Ｖ２Ｏ５゜Ｂｉ２Ｏ３
，Ｚｎ○、ＳｎＯ２を用いることができ、かつ第２成分
と同様に２種類以上を組み合せて上述した範囲内の添加
量で用いてもよいものである。さらに、上記実施例では
これら添加物の組合せについては一部のみ示しているが
、その他の組合せでも同様の効果が得られることが確認
された。
発明の効果
以上に示したように本発明によれば、粒子径が大きいた
めバリスタ電圧が低く、誘電率εおよびαが太き（、粒
子径のばらつきが小さいためサージ電流が素子に均一に
流れ、またＣａによって粒界が効果的に高抵抗化される
ため、サージ耐量が大きくなるという効果が得られる。
めバリスタ電圧が低く、誘電率εおよびαが太き（、粒
子径のばらつきが小さいためサージ電流が素子に均一に
流れ、またＣａによって粒界が効果的に高抵抗化される
ため、サージ耐量が大きくなるという効果が得られる。
第１図は本発明による素子を示す上面図、第２図は本発
明による素子を示す断面図である。 ■・・・・・・焼結体、２，３・・・・・・電極。
明による素子を示す断面図である。 ■・・・・・・焼結体、２，３・・・・・・電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）Ｓｒ＿１＿−＿ＸＣａ＿ＸＴｉＯ＿３（０．００
１≦Ｘ≦０．３００）を９０．０００〜９９．９９８ｍ
ｏｌ％，Ｎｂ＿２Ｏ＿５，Ｔａ＿２Ｏ＿５，ＷＯ＿３，
Ｄｙ＿２Ｏ＿３・Ｙ＿２Ｏ＿３，Ｌａ＿２Ｏ＿３，Ｃｅ
Ｏ＿２，Ｓｍ＿２Ｏ＿３，Ｐｒ＿６Ｏ＿１＿１，Ｎｄ＿
２Ｏ＿３のうち少なくとも１種類以上を０．００１〜５
．０００ｍｏｌ％，Ａｌ＿２Ｏ＿３，Ｓｂ＿２Ｏ＿３，
ＢａＯ，ＢｅＯ，ＰｂＯ，Ｂ＿２Ｏ＿３，Ｃｒ＿２Ｏ＿
３，Ｆｅ＿２Ｏ＿３，ＣｄＯ，Ｋ＿２Ｏ，ＣａＯ，Ｃｏ
＿２Ｏ＿３，ＣｕＯ，Ｃｕ＿２Ｏ，Ｌｉ＿２Ｏ，ＬｉＦ
，ＭｇＯ，ＭｎＯ＿２，ＭｏＯ＿３，Ｎａ＿２Ｏ，Ｎａ
Ｆ，ＮｉＯ，Ｒｈ＿２Ｏ＿３，ＳｅＯ＿２，Ａｇ＿２Ｏ
，ＳｉＯ＿２，ＳｉＣ，ＳｒＯ，Ｔｌ＿２Ｏ＿３，Ｔｈ
Ｏ＿２，ＴｉＯ＿２，Ｖ＿２Ｏ＿５，Ｂｉ＿２Ｏ＿３，
ＺｎＯ，ＺｒＯ＿２，ＳｎＯ＿２のうち少なくとも１種
類以上を０．００１〜５．０００ｍｏｌ％含有してなる
主成分１００重量部と、ＢａＴｉＯ＿３ ６０．０００〜３２．５００ｍｏｌ％，ＳｉＯ＿２４０
．０００〜６７．５００ｍｏｌ％からなる混合物を１２
００℃以上で焼成してなる添加物０．００１〜１０．０
００重量部とからなることを特徴とする電圧依存性非直
線抵抗体磁器組成物。 （２）Ｓｒ＿１＿−＿ＸＣａ＿ＸＴｉＯ＿３（０．００
１≦Ｘ≦０．３００）を９０．０００〜９９．９９８ｍ
ｏｌ％，Ｎｂ＿２Ｏ＿５，Ｔａ＿２Ｏ＿５，ＷＯ＿３，
Ｄｙ＿２Ｏ＿３，Ｙ＿２Ｏ＿３，Ｌａ＿２Ｏ＿３，Ｃｅ
Ｏ＿２，Ｓｍ＿２Ｏ＿３，Ｐｒ＿６Ｏ＿１＿１，Ｎｄ＿
２Ｏ＿３のうち少なくとも１種類以上を０．００１〜５
．０００ｍｏｌ％，Ａｌ＿２Ｏ＿３，Ｓｂ＿２Ｏ＿３，
ＢａＯ，ＢｅＯ，ＰｂＯ，Ｂ＿２Ｏ＿３，Ｃｒ＿２Ｏ＿
３，Ｆｅ＿２Ｏ＿３，ＣｄＯ，Ｋ＿２Ｏ，ＣａＯ，Ｃｏ
＿２Ｏ＿３，ＣｕＯ，Ｃｕ＿２Ｏ，Ｌｉ＿２Ｏ，ＬｉＦ
，ＭｇＯ，ＭｎＯ＿２，ＭｏＯ＿３，Ｎａ＿２Ｏ，Ｎａ
Ｆ，ＮｉＯ，Ｒｈ＿２Ｏ＿３，ＳｅＯ＿２，Ａｇ＿２Ｏ
，ＳｉＯ＿２，ＳｉＣ，ＳｒＯ，Ｔｌ＿２Ｏ＿３，Ｔｈ
Ｏ＿２，ＴｉＯ＿２，Ｖ＿２Ｏ＿５，Ｂｉ＿２Ｏ＿３，
ＺｎＯ，ＺｒＯ＿２，ＳｎＯ＿２のうち少なくとも１種
類以上を０．００１〜５．０００ｍｏｌ％含有してなる
主成分１００重量部と、ＢａＴｉＯ＿３ ６０．０００〜３２．５００ｍｏｌ％，ＳｉＯ＿２４０
．０００〜６７．５００ｍｏｌ％からなる混合物を１２
００℃以上で焼成してなる添加物０．００１〜１０．０
００重量部とからなる組成物を１１００℃以上で焼成し
たことを特徴とするバリスタの製造方法。 （３）Ｓｒ＿１＿−＿ＸＣａ＿ＸＴｉＯ＿３（０．００
１≦Ｘ≦０．３００）を９０．０００〜９９．９９８ｍ
ｏｌ％，Ｎｂ＿２Ｏ＿５，Ｔａ＿２Ｏ＿５，ＷＯ＿３，
Ｄｙ＿２Ｏ＿３，Ｙ＿２Ｏ＿３，Ｌａ＿２Ｏ＿３，Ｃｅ
Ｏ＿２，Ｓｍ＿２Ｏ＿３，Ｐｒ＿６Ｏ＿１＿１，Ｎｄ＿
２Ｏ＿３のうち少なくとも１種類以上を０．００１〜５
．０００ｍｏｌ％，Ａｌ＿２Ｏ＿３，Ｓｂ＿２Ｏ＿３，
ＢａＯ，ＢｅＯ，ＰｂＯ，Ｂ＿２Ｏ＿３，Ｃｒ＿２Ｏ＿
３，Ｆｅ＿２Ｏ＿３，ＣｄＯ，Ｋ＿２Ｏ，ＣａＯ，Ｃｏ
＿２Ｏ＿３，ＣｕＯ，Ｃｕ＿２Ｏ，Ｌｉ＿２Ｏ，ＬｉＦ
，ＭｇＯ，ＭｎＯ＿２，ＭｏＯ＿３，Ｎａ＿２Ｏ，Ｎａ
Ｆ，ＮｉＯ，Ｒｈ＿２Ｏ＿３，ＳｅＯ＿２，Ａｇ＿２Ｏ
，ＳｉＯ＿２，ＳｉＣ，ＳｒＯ，Ｔｌ＿２Ｏ＿３，Ｔｈ
Ｏ＿２，ＴｉＯ＿２，Ｖ＿２Ｏ＿５，Ｂｉ＿２Ｏ＿３，
ＺｎＯ，ＺｒＯ＿２，ＳｎＯ＿２のうち少なくとも１種
類以上を０．００１〜５．０００ｍｏｌ％含有してなる
主成分１００重量部と、ＢａＴｉＯ＿３ ６０．０００〜３２．５００ｍｏｌ％，ＳｉＯ＿２４０
．０００〜６７．５００ｍｏｌ％からなる混合物を１２
００℃以上で焼成してなる添加物０．００１〜１０．０
００重量部とからなる組成物を１１００℃以上で焼成し
た後、還元性雰囲気中で１２００℃以上で焼成し、その
後酸化性雰囲気中で９００〜１３００℃で焼成したこと
を特徴とするバリスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1143722A JP2800268B2 (ja) | 1989-06-06 | 1989-06-06 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1143722A JP2800268B2 (ja) | 1989-06-06 | 1989-06-06 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH038760A true JPH038760A (ja) | 1991-01-16 |
| JP2800268B2 JP2800268B2 (ja) | 1998-09-21 |
Family
ID=15345473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1143722A Expired - Fee Related JP2800268B2 (ja) | 1989-06-06 | 1989-06-06 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2800268B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106957172A (zh) * | 2017-03-05 | 2017-07-18 | 临沂金成电子有限公司 | 一种高介高频电子陶瓷介质材料及制备方法 |
| CN114874010A (zh) * | 2022-04-18 | 2022-08-09 | 电子科技大学 | 一种微波陶瓷材料DyVO4及其制备方法 |
| CN115385688A (zh) * | 2022-09-22 | 2022-11-25 | 昆明理工大学 | 一种锆钛酸锶钡基介电陶瓷材料及其制备方法 |
-
1989
- 1989-06-06 JP JP1143722A patent/JP2800268B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| CN115385688A (zh) * | 2022-09-22 | 2022-11-25 | 昆明理工大学 | 一种锆钛酸锶钡基介电陶瓷材料及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2800268B2 (ja) | 1998-09-21 |
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