JPH0391251A - チツプオンボード形ハイブリッドｉｃ用銅パターン基板 - Google Patents
チツプオンボード形ハイブリッドｉｃ用銅パターン基板Info
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- JPH0391251A JPH0391251A JP1224582A JP22458289A JPH0391251A JP H0391251 A JPH0391251 A JP H0391251A JP 1224582 A JP1224582 A JP 1224582A JP 22458289 A JP22458289 A JP 22458289A JP H0391251 A JPH0391251 A JP H0391251A
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- JP
- Japan
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- gold
- copper pattern
- board
- bonded
- wire
- Prior art date
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07531—Techniques
- H10W72/07532—Compression bonding, e.g. thermocompression bonding
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/07531—Techniques
- H10W72/07532—Compression bonding, e.g. thermocompression bonding
- H10W72/07533—Ultrasonic bonding, e.g. thermosonic bonding
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/533—Cross-sectional shape
- H10W72/534—Cross-sectional shape being rectangular
-
- H—ELECTRICITY
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
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- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、ハイブリッドＩＣ用の基板に関し、特にチ
ップオンボード形ハイブリッドＩＣ用銅厚膜基板に関す
るものである。
ップオンボード形ハイブリッドＩＣ用銅厚膜基板に関す
るものである。
［従来の技術］
近年、各方面にＩＣが使用されている。このＩＣも市販
のものが使用できる場合は問題ないが、特殊な用途のＩ
Ｃは市販されていないので必要に応じて製造することに
なる。大量生産用には半導体ＩＣを製造することが望ま
しいが、生産量が少なく、繰り返し生産を行うものの場
合には半導体ＩＣよりもハイブリッドＩＣの方が適して
いる。
のものが使用できる場合は問題ないが、特殊な用途のＩ
Ｃは市販されていないので必要に応じて製造することに
なる。大量生産用には半導体ＩＣを製造することが望ま
しいが、生産量が少なく、繰り返し生産を行うものの場
合には半導体ＩＣよりもハイブリッドＩＣの方が適して
いる。
ハイブリッドＩＣを製造するには部品を基板に搭載し、
その搭載部品の電極と基板のパターンとを金ワイヤ等を
用いボンディングすることによって必要な回路を構成し
ている。この場合、基板のパターンには電気抵抗の小さ
い銅パターンのが適している。
その搭載部品の電極と基板のパターンとを金ワイヤ等を
用いボンディングすることによって必要な回路を構成し
ている。この場合、基板のパターンには電気抵抗の小さ
い銅パターンのが適している。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら熱圧着法または熱超音波法によるボンディ
ングのためにはボンダビリティを向上させるために基板
全体あるいはパターン部を高温に加熱する必要があるが
、このことによって銅パターンが酸化してしまい、ボン
ブイフグ性能が悪かった。このことを解決するには窒素
雰囲気中でボンディングを行えば良いが設備費が膨大な
ものになり、少量生産には適さない。他の方法として銅
パターンのボンディング部分に金めつきをすることが考
えられる。しかし、電解または無電解のいずれのめっき
をするにしても、セラミックからなるＩＣの基板はピン
ホールが多数あるので、そのピンホールにめっきを行う
ための薬品がしみこみ、経年変化によってその薬品が表
面に浮き出し製品の信頼性を低下させたり、パターンが
剥離したりする。さらに、電解めっきの場合は電極を取
り付けなければならないが、微細なパターンにめっき用
の電極を取り付けるのは困難である。また、あらかじめ
金、銀等の厚膜によりゼンディング用のばつとを設けて
おき、これに接続する銅厚膜パターンを比較的低温（６
００℃前後〉の窒素雰囲気で焼成して形成するための低
温用銅厚膜材料も開発されているが、その場合は電気抵
抗（比抵抗〉が高くなり、高周波用のものに適用した場
合、Ｑが低下して、高性能のものが得られないいう課題
があった。
ングのためにはボンダビリティを向上させるために基板
全体あるいはパターン部を高温に加熱する必要があるが
、このことによって銅パターンが酸化してしまい、ボン
ブイフグ性能が悪かった。このことを解決するには窒素
雰囲気中でボンディングを行えば良いが設備費が膨大な
ものになり、少量生産には適さない。他の方法として銅
パターンのボンディング部分に金めつきをすることが考
えられる。しかし、電解または無電解のいずれのめっき
をするにしても、セラミックからなるＩＣの基板はピン
ホールが多数あるので、そのピンホールにめっきを行う
ための薬品がしみこみ、経年変化によってその薬品が表
面に浮き出し製品の信頼性を低下させたり、パターンが
剥離したりする。さらに、電解めっきの場合は電極を取
り付けなければならないが、微細なパターンにめっき用
の電極を取り付けるのは困難である。また、あらかじめ
金、銀等の厚膜によりゼンディング用のばつとを設けて
おき、これに接続する銅厚膜パターンを比較的低温（６
００℃前後〉の窒素雰囲気で焼成して形成するための低
温用銅厚膜材料も開発されているが、その場合は電気抵
抗（比抵抗〉が高くなり、高周波用のものに適用した場
合、Ｑが低下して、高性能のものが得られないいう課題
があった。
［課題を解決するための手段］
このような課題を解決するためにこの発明は、銅パター
ンのうちボンディングが行われる部分に金パッドを溶接
するようにしたものである。
ンのうちボンディングが行われる部分に金パッドを溶接
するようにしたものである。
［作用］
溶接された金パッドに接続線がボンディングされるので
基板全体またはパターン部を高温に加熱しても被ボンデ
インク部分が酸化されない。
基板全体またはパターン部を高温に加熱しても被ボンデ
インク部分が酸化されない。
［実施例］
図はこの発明の一実施例を示す平面図であり、１はセラ
ミック基板１０に接着等によって固定された搭載部品、
２は厚膜印刷によって形成された銅パターンであり、銅
パターン２のうち搭載部品２の電極と接続するための金
ワイヤ３がボンディングされる部分には金リボンあるい
は金−銅拡散を抑制するために裏面にニッケルメタライ
ズした金リボン等（本願ではこれらを総称して金リボン
と称する〉からなる金パッド４が周知のパラレル・ギャ
ップ溶接等の手法で溶接される。その後、セラミック基
板１０は図示しないし−タ等で１００℃〜２００℃に加
熱され、ボンディングワイヤ３が搭載部品の電極にボン
ディングされ、そのボンゲインクワイ□ヤ３の他端が金
バッド４にボンディングされる。このとき金パッド４は
高温にっているが、金は酸化しないので、支障なく溶接
が行える。
ミック基板１０に接着等によって固定された搭載部品、
２は厚膜印刷によって形成された銅パターンであり、銅
パターン２のうち搭載部品２の電極と接続するための金
ワイヤ３がボンディングされる部分には金リボンあるい
は金−銅拡散を抑制するために裏面にニッケルメタライ
ズした金リボン等（本願ではこれらを総称して金リボン
と称する〉からなる金パッド４が周知のパラレル・ギャ
ップ溶接等の手法で溶接される。その後、セラミック基
板１０は図示しないし−タ等で１００℃〜２００℃に加
熱され、ボンディングワイヤ３が搭載部品の電極にボン
ディングされ、そのボンゲインクワイ□ヤ３の他端が金
バッド４にボンディングされる。このとき金パッド４は
高温にっているが、金は酸化しないので、支障なく溶接
が行える。
以上の説明は厚膜基板について行ったが、薄膜基板につ
いても同様に行える。
いても同様に行える。
［発明の効果］
以上説明したようにこの発明は、銅パターンのうち搭載
部品から伸びる金ワイヤがボンディングされる部分に金
パッドを溶接し、その金パッドに金ワイヤをボンディン
グするようにしたので、経済性および電気性能の点から
銅パターンを使用した基板を使用しても、−殻内な熱圧
着法または熱超音波法によるボンディングによって確実
な接続が行えるという効果を有する。
部品から伸びる金ワイヤがボンディングされる部分に金
パッドを溶接し、その金パッドに金ワイヤをボンディン
グするようにしたので、経済性および電気性能の点から
銅パターンを使用した基板を使用しても、−殻内な熱圧
着法または熱超音波法によるボンディングによって確実
な接続が行えるという効果を有する。
図はこの発明の一実施例を示す平面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 銅パターンにハイブリッドＩＣ用素子の電極をボンディ
ングするチップオンボード形ハイブリッドＩＣ用銅パタ
ーン基板において、 銅パターンのうち搭載部品から伸びるボンディングワイ
ヤがボンディングされる部分に金パッドを溶接すること
を特徴とするチップオンボード形ハイブリッドＩＣ用銅
パターン基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1224582A JPH0391251A (ja) | 1989-09-01 | 1989-09-01 | チツプオンボード形ハイブリッドｉｃ用銅パターン基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1224582A JPH0391251A (ja) | 1989-09-01 | 1989-09-01 | チツプオンボード形ハイブリッドｉｃ用銅パターン基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0391251A true JPH0391251A (ja) | 1991-04-16 |
Family
ID=16815994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1224582A Pending JPH0391251A (ja) | 1989-09-01 | 1989-09-01 | チツプオンボード形ハイブリッドｉｃ用銅パターン基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0391251A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5827353A (ja) * | 1981-08-11 | 1983-02-18 | Toshiba Corp | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
-
1989
- 1989-09-01 JP JP1224582A patent/JPH0391251A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5827353A (ja) * | 1981-08-11 | 1983-02-18 | Toshiba Corp | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
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