JPH04105339A - テープキャリアのリード構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 半導体チップを回路基板に搭載する際に用いる、テープ
キャリアに係わり、特にテープキャリアのリード構造に
関し、 バンプ形成用基板上のバンプとテープキャリアのリード
、半導体チップの電極とテープキャリアのリードのそれ
ぞれの位置合わせが容易であり、且つリードと半導体チ
ップとの接着強度が強いテープキャリアのリード構造を
、提供することを目的とし、 インナリード部がサポートフィルム部の各辺にそれぞれ
直交するよう所望数のリードを配列し、チップ用ホール
内に突出したインナリード頭部に、バンプ形成用基板に
配列形成したバンプを転写し、該バンプを介して、該イ
ンナリード頭部と半導体チップの電極とをボンディング
するテープキャリアにおいて、短径寸法が前記バンプの
直径よりも大きいほぼ楕円形に、前記インナリード頭部
が形成され、該短径部の両側に対向して設けた一対の欠
切により、頭部の中央部に、該バンプの直径よりも小さ
い狭小帯が形成された構成とする。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、半導体チップを回路基板に搭載する際に用い
る、テープキャリアに係わり、特にテープキャリアのリ
ード構造に関する。

ＩＣ特にＬＳＩ等の半導体部品の多ピン化に伴い、半導
体チップの電極を、テープキャリアのリードの先端部に
ボンデングして、半導体チップをテープキャリアに組み
込み、このテープキャリアのリードを回路基板のパター
ンにボンデング接続するという、半導体チップの搭載手
段が、自動実装化が容易であるので近年広く使用されて
いる。

〔従来の技術〕

第２図はこのようなテープキャリアの平面図である。

第２図において、２は、半導体チップ１を連続して配設
するテープキャリアである。

テープキャリア２はテープ工程において、接着剤付き樹
脂フィルム（例えばポリイミド系樹脂フィルム）３を帯
状に切断し、スプロケット孔７とチップ用ホール４をパ
ンチングする。そしてさらにチップ用ホール４の外側に
枠形のサポートフィルム部５ができるように、４つの梯
形のアウタホール６をパンチングしている。

その後、裏面に金めつき等した銅箔をラミネートして、
リソグラフィ手段により、放射状のリード群を配列形成
して、リード群のそれぞれのリードＩＯを、Ｘ軸或いは
Ｙ軸に平行する直線状のインナリード部と放射線状に拡
開した中央部と、Ｘ軸或いはＹ軸に平行する直線状のア
ウタリード部１２とからなり、インナリード頭部１１が
チップ用ホール４内に各辺に直交して突出し、それぞれ
のアウタホール６に架橋する細長い短冊形の所望数のリ
ード１０よりなるリード群を配列形成している。

なお、樹脂フィルムをパンチングすることなく、裏面に
金めつき等した銅箔をラミネートし、銅箔をエツチング
して、先ず放射状のリード群を配列形成した後に、樹脂
フィルム３をエツチングして、チップ用ホール４と、ア
ウタホール６を設けたものもある。

次に組立工程で、半導体チップｌを下方からチップ用ホ
ール４内に挿入し、半導体チップｌの電極を対応するリ
ード１０のインナリード頭部■ｌに位置合わせし、バン
プを介してリード１０と電極とををボンデングしている
。

このように、半導体チップｌをテープキャリア２にフェ
ースアップにボンディング後、アウタホール６を通過す
る角形の切断ラインに沿って、それぞれのり−ドｌＯの
アウタリード部■２、及び樹脂フィルム３を切断して、
テープキャリア２を樹脂フィルム３から切り離している
。

ところで、金のバンプを介してインナリード頭部１１と
半導体チップ１のアルミニウム電極とをボンディングす
るのに、バンプ形成用基板の表面に配列形成したバンプ
を、テープキャリアのインナリード頭部１１に転写し、
その後、電極に位置合わせし加熱・加圧して、リード１
０と半導体チップの電極とをボンディングする方法と、
バンプを半導体チップｌの電極上に形成し、その後、テ
ープキャリア２のインナリード頭部１１をバンプに位置
合わせして、加熱・加圧してリードＩＯと半導体チップ
の電極とをボンディングする方法との両者があるが、今
日では前者の転写方法がより広く採用されている。

前者のバンプの転写工程を第３図に示す。

第３図（ｂ）に図示したように、例えば直径か８０μｍ
程度の円柱状の合材のバンプ２０は、バンプ形成用基板
（耐熱性ガラス等）２１の全表面に形成した白金膜上に
、リソグラフィ手段により剥離容易に配列形成されてい
る。

そして、第３図（ａ）に示すテープキャリア２のインナ
リード頭部ｔｉを、上述のバンプ２０に位置合わせし、
加熱（約４００℃）・加圧（１リードあたり２０ｇ〜４
０ｇの加圧力）して、第３図（Ｃ）に図示したように、
バンプ２０をバンプ形成用基板２１から剥離してリード
１０側に転写（以下−次接合と称する）する。

次に、転写したインナリード頭部１１上のバンプ２０と
、半導体チップｌ上のアルミニウム電極とをそれぞれ位
置合わせし、ボンディングツールを用いて加熱・加圧し
て、第３図（ｄｌに図示したように、バンプ２０と半導
体チップ１の電極とを接合している。（以下二次接合と
称する） ところで従来のテープキャリアのリードは、第４図また
は第５図に示すような構造である。

第４図において、サポートフィルム部５に固着配列した
それぞれのリード１０−１は、幅か６０μｍ〜７０μｍ
で、バンプ２０の直径よりも小さい。

インナリード頭部１１−１がチップ用ホール４内に各辺
に直交して突出し、インナリード頭部１１にバンプ２０
が一次接合されている。

このような細幅のインナリード頭部１１−１を有するも
のは、−次接合時に、バンプ２０に圧力が付与されると
バンプ２０が押し拡げられて、インナリード頭部１１−
１の側縁に持ち上がるように付着するので、付着強度が
強く、また二次接合においでも、電極との接着強度が強
いという長所がある。

第５図に図示したり一４ド１Ｏ−２は、幅が６０μｍ〜
７０μｍで、その先端に短径寸法が、バンプ２０の直径
（（８０μｍ）よりも大きい（約１００μＩ）の楕円形
のインナリード頭部１１−２が形成されたものである。

このような、幅広の頭部を有するリード１Ｏ−２は、−
次接合時に、インナリード頭部１１−２と電極との位置
合わせが容易であるという長所がある。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら上記従来例の前者、即ち細幅のインナリー
ド頭部のリードは、インナリード頭部が高精度に所定に
配列していない、或いはバンブ形成用基板にバンプが高
精度に配列しない時には、−次接合時のバンプとインナ
リード頭部との位置合わせ作業が困難であるという問題
点がある。

一方、後者、即ち楕円形のインナリード頭部を有するも
のは、−次接合時及び二次接合時に十分に大きい力がバ
ンプ２０に付与されず、接着強度が劣るという問題点が
ある。

また、後者はバンプがインナリード頭部の陰になってい
るので、二次接合時の位置合わせが難しいという問題点
がある。

本発明はこのような点に鑑みて創作されたもので、バン
ブ形成用基板上のバンプとテープキャリアのリード、半
導体チップの電極とテープキャリアのリードのそれぞれ
の位置合わせが容易であり、且つリードと半導体チップ
との接着強度が強いテープキャリアのリード構造を、提
供することを目的としている。

〔課題を解決するための手段〕

上記の目的を達成するために本発明は、第１図に例示し
たように、樹脂フィルム３に半導体チップｌを収容する
角形のチップ用ホール４と、チップ用ホール４を囲む枠
形のサポートフィルム部５を設け、インナリード部がサ
ポートフィルム部の各辺にそれぞれ直交するよう所望数
のリード５０を配列し、チップ用ホール４内に突出した
インナリード頭部５１に、バンプ形成用基板に配列形成
したバンプ２０を転写し、バンプ２０を介して半導体チ
ップＩの電極とり−ド５０とを、ボンディングするテー
プキャリアにおいて、 インナリード頭部５１の形状を、短径寸法がバンプ２０
の直径よりも大きいほぼ楕円形に形成し、さらに短径部
の両側に対向して一対の欠切５１ａを設けて、頭部の中
央部に、バンプ２０の直径よりも小さい狭小帯Ｂを形成
した構成とする。

〔作用〕

本発明によれば、インナリード頭部５１は、バンプ２０
の直径よりも大きい楕円形である。

したがって、バンプのバンプ形成用基板上の配置及びイ
ンナリード頭部５１の形成配置の精度が多少低くても、
バンプ２０の転写時、即ち一次接合時の位置合わせが容
易である。

また、インナリード頭部５１の中央部には、バンプ２０
の直径よりも小さい狭小帯Ｂを設けである。

したがって、二次接合時にテープキャリアの上方からハ
ンプ２０を視認し得るので、二次接合時の位置合わせが
容易である。

また、バンプ２０が付着する一部分が、その直径よりも
小さい狭小帯Ｂとなっており、−次接合時及び二次接合
時のいずれの場合においても、インナリード頭部５【を
介してハンプ２０に単位面積あたり大きな圧力が付与さ
れる。

よって、−次接合時には、バンプ２０が押し拡げられて
、狭小帯Ｂの両側円に持ち上がるように付着し、また、
二次接合時には、バンプ２０が強い力で電極に押圧する
ので、インナリード頭部５Ｉとバンプ２０、バンプ２０
と電極との接着強度が強い。

〔実施例〕

以下図を参照しながら、本発明を具体的に説明する。な
お、全図を通じて同一符号は同一対象物を示す。

第１図は本発明の実施例の図で、（ａ）は平面図、（ｂ
ｌは要部詳細図である。

第１図において、テープキャリアの帯状の樹脂フィルム
３には、チップ用ホール４と、チップ用ホール４の外側
に枠形のサポートフィルム部５ができるように、４つの
梯形のアウタホール６とを配列形成しである。

そして、インナリード部がサポートフィルム部５の各辺
に直交し、インナリード頭部５１がチップ用ホール４側
に突出するよう、細長い短冊形（リード幅が６０μｍ前
後）の所望数のリード５０を、サポートフィルム部５の
下面に密着させて配列形成しである。

なお、第１図においてはり−ド５０は、直線状に図示し
であるが、実際の形状は第２図に図示したように、サポ
ートフィルム部５に密着した部分が放射状に拡開してい
る。

それぞれのリード５０は、アウタリード部５２がアウタ
ホール６を架橋し、その先端部が樹脂フィルム３に固着
し、インナリード頭部５１がチップ用ホール４側に突出
している。

なお、これらのリード５０の下面には、金めつきを施し
である。

リード５０のインナリード頭部５Ｉは、短径寸法が、バ
ンプ２０の直径（（８０μｍ）よりも大きい（約１００
μｍ）の楕円形で、その短径部の両側に対向して一対の
欠切５１ａをエツチング形成したものである。欠切５１
ａを設けたことによりこのインナリード頭部５１の中央
部には、バンプ２０の直径よりも小さい狭小帯Ｂ（幅か
６５μｍ程度）が形成されている。

一方、直径が８０μｍ程度の円柱状の金よりなるバンプ
２０をバンプ形成用基板に剥離容易に配列形成する。

そして、リード５０のインナリード頭部５１を、バンプ
形成用基板上のバンプ２０に位置合わせし、加熱（約４
００℃）・加圧（ｌリードあたり２０ｇ〜４０ｇの加圧
力）して、バンプ２０をバンプ形成用基板から剥離して
リード５０に転写している。

上述のように、インナリード頭部５１の外形かバンプ２
０の直径よりも大きいので、バンプ２０のバンプ形成用
基板上の配置及びインナリード頭部５１の形成配置の精
度が多少低くても、バンプ２０の転写時の位置合わせが
容易である。

また、インナリード頭部５１の中央部には、バンプ２０
の直径よりも小さい狭小帯Ｂを設けであるので、リード
５０が押圧されると、リード５０よりも軟らバンプ２０
が押し拡げられて、狭小帯Ｂの両側円に持ち上がるよう
に付着する。したがって、バンプ２０とリード５０との
接着強度が強い。

バンプ２０をリート５０に転写した後に、インナリード
頭部５１上のバンプ２０と、半導体チップ１上のアルミ
ニウム電極とをそれぞれ位置合わせし、ボンデインクツ
ールを用いて加熱・加圧して、バンプ２０を介して、リ
ード５０と半導体チップ１の電極とを接合している。

上述のようにバンプ２０の周縁の一部がインナリード頭
部５Ｉの狭小帯Ｂの両側にはみ出しているので、この二
次接合時にテープキャリアの上方がらバンプ２０を視認
することができる。

したがって二次接合時の、バンプ２ｏと半導体チップ１
の電極との位置合わせもまた容易である。

また、二次接合時においても、インナリード頭部５１の
狭小帯Ｂを介してハンプ２０が押圧されるので、バンプ
２０が強い力で電極に押圧される。よって、バンプ２０
と電極との接着強度が強い。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、テープキャリアのリード
のインナリード頭部を、バンプよりも大きい楕円形とし
、且つその中央部にバンプよりも小さい狭小帯を設けた
ことにより、バンプ形成用基板上のバンプのリードへ転
写時及びリードと半導体チップの電極とのポンディング
時の、位置合わせが容易であるという効果を奏する。

また、バンプを介してボンディングされるリードと半導
体チップとの接着強度が強いという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例の図で、 （ａ）は平面図、 （ｂ）は要部詳細図、 第２図はテープキャリアの平面図、 第３図の（ａ）、　ｆｂｌ、　（Ｃ）、　（ｄ）はハン
プの転写工程を示す図、 第４図は従来例の平面図、 第５図は他の従来例の平面図である。 図において、 ■は半導体チップ、 ２はテープキャリア、 ３は樹脂フィルム、 ４はチップ用ホール、 ５はサポートフィルム部、 ６はアウタホール、 １０、１０−１．１０−２．５０はリード、１１、１１
−１．１１−２．５１はインナリード頭部、１２、１２
−１．５２はアウタリード部、２０はバンプ、 ５１ａは欠切、 （α） 本究明の突殉例の図 第　１　図 テープキャリアの平面図 第２図 ２テープキャリア （［１）（ｔ）’） （Ｃ） バシア転写工稈Ｙ示Ｔ図 石フロ 従来便１の平面図 躬　４　履 ｆ？ｆ）従来１列０１好甲と余丁図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　インナリード部がサポートフィルム部（５）の各辺に
   それぞれ直交するよう所望数のリード（５０）を配列し
   、チップ用ホール（４）側に突出したインナリード頭部
   （５１）に、バンプ形成用基板に配列形成したバンプ（
   ２０）を転写し、該バンプ（２０）を介して、該インナ
   リード頭部（５１）と半導体チップ（１）の電極とをボ
   ンディングするテープキャリアにおいて、短径寸法が前
   記バンプ（２０）の直径よりも大きいほぼ楕円形に、前
   記インナリード頭部（５１）が形成され、 該短径部の両側に対向して設けた一対の欠切（５１ａ）
   により、該インナリード頭部（５１）の中央部に、該バ
   ンプ（２０）の直径よりも小さい狭小帯（Ｂ）、が形成
   されたことを特徴とするテープキャリアのリード構造。