JPH04108655A - 磁器組成物 - Google Patents
磁器組成物Info
- Publication number
- JPH04108655A JPH04108655A JP2224419A JP22441990A JPH04108655A JP H04108655 A JPH04108655 A JP H04108655A JP 2224419 A JP2224419 A JP 2224419A JP 22441990 A JP22441990 A JP 22441990A JP H04108655 A JPH04108655 A JP H04108655A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- composition
- lead
- compsn
- dielectric constant
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 34
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 title abstract description 7
- 229910001422 barium ion Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 229910001427 strontium ion Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- FKSZLDCMQZJMFN-UHFFFAOYSA-N [Mg].[Pb] Chemical compound [Mg].[Pb] FKSZLDCMQZJMFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N dioxido(oxo)titanium;lead(2+) Chemical compound [Pb+2].[O-][Ti]([O-])=O NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- HEPLMSKRHVKCAQ-UHFFFAOYSA-N lead nickel Chemical compound [Ni].[Pb] HEPLMSKRHVKCAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- PWYYWQHXAPXYMF-UHFFFAOYSA-N strontium(2+) Chemical compound [Sr+2] PWYYWQHXAPXYMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 claims description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 abstract description 16
- 229910003781 PbTiO3 Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 10
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 9
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XDFCIPNJCBUZJN-UHFFFAOYSA-N barium(2+) Chemical compound [Ba+2] XDFCIPNJCBUZJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-NJFSPNSNSA-N hydroxyformaldehyde Chemical compound O[14CH]=O BDAGIHXWWSANSR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 2
- RVPVRDXYQKGNMQ-UHFFFAOYSA-N lead(2+) Chemical compound [Pb+2] RVPVRDXYQKGNMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 229910000018 strontium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N calcium titanate Chemical compound [Ca+2].[O-][Ti]([O-])=O AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000004513 sizing Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten trioxide Chemical compound O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は磁器組成物に関し、特に誘電率、絶縁抵抗が高
く、誘電損失が小さく、かつ１０５０ ’Ｃ以下の温度
で焼結可能な磁器組成物に関するものである。
く、誘電損失が小さく、かつ１０５０ ’Ｃ以下の温度
で焼結可能な磁器組成物に関するものである。
［従来の技術］
従来、高誘電率系磁器組成物として、チタン酸バリウム
［ＢａＴｊ０３］系がよく知られており、チタン酸カル
シウム［ＣａＴ ｉ ０３ ］ 、チタン酸鉛［ＰｂＴ
ｉＯ３］などを添加、置換することにより、温度特性の
改善を図っているが、焼結温度が１３００℃以上の高温
であるため積層セラミックコンデンサに使用した場合、
内部電極には白金。
［ＢａＴｊ０３］系がよく知られており、チタン酸カル
シウム［ＣａＴ ｉ ０３ ］ 、チタン酸鉛［ＰｂＴ
ｉＯ３］などを添加、置換することにより、温度特性の
改善を図っているが、焼結温度が１３００℃以上の高温
であるため積層セラミックコンデンサに使用した場合、
内部電極には白金。
パラジウム等の高価な貴金属しか利用できなかった。
［発明が解決しようとする課題］
従来の材料で温度変化率の小さい材料を実現した場合、
得られる誘電率はせいぜい２０００程度にすぎず、コン
デンサ用の材料としては小さすぎる。
得られる誘電率はせいぜい２０００程度にすぎず、コン
デンサ用の材料としては小さすぎる。
近年、低温で焼結し、かつ誘電率が高い材料として鉛系
複合ペロブスカイト化合物が報告されている。その中で
、特開昭５８−１６１９７２号公報において、マグネシ
ウム・タングステン酸鉛［Ｐｂ（ＭＣ１１／２ Ｗ１／
２ ＞ ０３コ、チタン酸鉛［ＰｂＴｉＯ３］およびニ
ッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｎ ｉ １／３ Ｎ ｂ２
／３ ） ０３ ］からなる３成分組成物は、誘電率を
１００００以上と高くすることが可能であることが報告
されている。しかしこの３成分系では誘電率の温度変化
が比較的大きいという問題点がある。
複合ペロブスカイト化合物が報告されている。その中で
、特開昭５８−１６１９７２号公報において、マグネシ
ウム・タングステン酸鉛［Ｐｂ（ＭＣ１１／２ Ｗ１／
２ ＞ ０３コ、チタン酸鉛［ＰｂＴｉＯ３］およびニ
ッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｎ ｉ １／３ Ｎ ｂ２
／３ ） ０３ ］からなる３成分組成物は、誘電率を
１００００以上と高くすることが可能であることが報告
されている。しかしこの３成分系では誘電率の温度変化
が比較的大きいという問題点がある。
さらに鉛系複合ペロブスカイト化合物を用いた誘電体材
料は酸化鉛の蒸気圧が高いため焼成雰囲気に大きく影響
を受けるという問題点がある。そのため、積層セラミッ
クコンデンサの焼成においても焼成雰囲気を制御しなけ
れば安定した特性が得られない。
料は酸化鉛の蒸気圧が高いため焼成雰囲気に大きく影響
を受けるという問題点がある。そのため、積層セラミッ
クコンデンサの焼成においても焼成雰囲気を制御しなけ
れば安定した特性が得られない。
本発明の目的は、上記の組成物の誘電率の温度特性を改
善し、かつ焼成雰囲気に対する安定性が高い磁器組成物
を提供することにある。
善し、かつ焼成雰囲気に対する安定性が高い磁器組成物
を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
本発明は、マグネシウム・タングステン酸鉛［Ｐｂ （
ＭＣ１１／２ Ｗ１／２ ） ０３ ］ 、チタンＷ１
鉛［ＰｂＴ ｉ ０３ ］ ；１３よびニッケル・ニオ
ブ！ｌ鉛［Ｐｂ （Ｎ ｉ １／３ Ｎｂ２／３ ＞
０３ ］からなる３成分組成物を［Ｐ ｂ （Ｍｇ１／
２ Ｗ１７２ ） ０３ ］ ｘ［ＰｂＴｉＯ３コ、
［Ｐｂ （Ｎ ｉ １／３ Ｎｂ ２７３ ）０３
］ （ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０ ＞ と表現シタと
き、以下の組成点、 （ｘ＝ ０．８９３． ｙ＝ Ｑ、２９７． ｚ＝ ０
．０１ ＞−ａ（ｘ＝ ０．４９５． ｙ＝ ０．４９
５． ｚ＝ ０．０１戸−ｂ（ｘ＝ ０．１９５． ｙ
＝ ０．４５５． ｚ＝ ０．３５ ）−ｃ（ｘ＝ ０
．１０ 、 ｙ＝ ０．４０ 、 ｚ＝ ０．５０ ＞
−ｄ（ｘ＝ ０．０６ 、 ｙ＝ ０．２４ 、 ｚ＝
０．７０ ） ・ｅを結ぶ線上、およびこの５点に囲
まれる組成範囲内にある主成分組成物において、鉛イオ
ン（Ｐｂ２＋）をバリウムイオン（Ｂａ２＋）、ストロ
ンチウムイオン（Ｓｒ”）のうち少なくとも１種類のイ
オンで０．５〜３０ｍｏ １％置換したことを特徴とす
る磁器組成物である。
ＭＣ１１／２ Ｗ１／２ ） ０３ ］ 、チタンＷ１
鉛［ＰｂＴ ｉ ０３ ］ ；１３よびニッケル・ニオ
ブ！ｌ鉛［Ｐｂ （Ｎ ｉ １／３ Ｎｂ２／３ ＞
０３ ］からなる３成分組成物を［Ｐ ｂ （Ｍｇ１／
２ Ｗ１７２ ） ０３ ］ ｘ［ＰｂＴｉＯ３コ、
［Ｐｂ （Ｎ ｉ １／３ Ｎｂ ２７３ ）０３
］ （ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０ ＞ と表現シタと
き、以下の組成点、 （ｘ＝ ０．８９３． ｙ＝ Ｑ、２９７． ｚ＝ ０
．０１ ＞−ａ（ｘ＝ ０．４９５． ｙ＝ ０．４９
５． ｚ＝ ０．０１戸−ｂ（ｘ＝ ０．１９５． ｙ
＝ ０．４５５． ｚ＝ ０．３５ ）−ｃ（ｘ＝ ０
．１０ 、 ｙ＝ ０．４０ 、 ｚ＝ ０．５０ ＞
−ｄ（ｘ＝ ０．０６ 、 ｙ＝ ０．２４ 、 ｚ＝
０．７０ ） ・ｅを結ぶ線上、およびこの５点に囲
まれる組成範囲内にある主成分組成物において、鉛イオ
ン（Ｐｂ２＋）をバリウムイオン（Ｂａ２＋）、ストロ
ンチウムイオン（Ｓｒ”）のうち少なくとも１種類のイ
オンで０．５〜３０ｍｏ １％置換したことを特徴とす
る磁器組成物である。
本発明における主成分組成範囲を表す３成分組成図は第
１図で示される。図中、（ａ）〜（ｅ）は各組成点を表
し、本発明に含まれる組成範囲は図の斜線で示す範囲、
およびその境界線上である。
１図で示される。図中、（ａ）〜（ｅ）は各組成点を表
し、本発明に含まれる組成範囲は図の斜線で示す範囲、
およびその境界線上である。
［実施例］
以下、本発明の実施例について詳細に説明する。
実施例１〜２０．比較例１〜１０
出発原料として酸化鉛（ＰｂＯ） 、酸化タングステン
（ＷＯ３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化ニオブ
（Ｎｂ２０５ ） 、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化チ
タン（Ｔｉ０２）、炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ３）
および炭酸バリウム＜ＢａＣＯ３）を使用し、第１表に
示した配合比となるように各々秤量した。
（ＷＯ３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化ニオブ
（Ｎｂ２０５ ） 、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化チ
タン（Ｔｉ０２）、炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ３）
および炭酸バリウム＜ＢａＣＯ３）を使用し、第１表に
示した配合比となるように各々秤量した。
次に秤量した各材料をボールミル中で湿式混合したのち
、８００〜８５０℃で仮焼を行い、この粉末をボールミ
ルで粉砕し、濾過、乾燥後、有機バインダを入れて整粒
後プレスし、直径約１６１！１Ｉ１１、厚ざ約２ｍの円
板２枚と、直径約１６！ＩＩ！！Ｉ、厚さ約１０ＩＭ４
の円柱を作製した。
、８００〜８５０℃で仮焼を行い、この粉末をボールミ
ルで粉砕し、濾過、乾燥後、有機バインダを入れて整粒
後プレスし、直径約１６１！１Ｉ１１、厚ざ約２ｍの円
板２枚と、直径約１６！ＩＩ！！Ｉ、厚さ約１０ＩＭ４
の円柱を作製した。
次に本発明の組成範囲の試料については９５０〜１０５
０℃の温度で１時間焼成を行った。焼成した円板の上下
面に６００℃で銀電極を焼付け、デジタルＬＣＲメータ
で周波数１ ｋＨｚ、電圧１Ｖｒ、ｔＳ、室温で容量
と誘電損失を測定し、誘電率および温度に対する誘電率
の変化率を求めた。
０℃の温度で１時間焼成を行った。焼成した円板の上下
面に６００℃で銀電極を焼付け、デジタルＬＣＲメータ
で周波数１ ｋＨｚ、電圧１Ｖｒ、ｔＳ、室温で容量
と誘電損失を測定し、誘電率および温度に対する誘電率
の変化率を求めた。
このようにして得られた磁器の主成分［Ｐｂ（Ｍｇ１／
２ Ｗ１７２ ） Ｏａ ］ ［ＰｂＴ ｉ Ｏａ
］。
２ Ｗ１７２ ） Ｏａ ］ ［ＰｂＴ ｉ Ｏａ
］。
×
［Ｐｂ （Ｎ ｉ １７３ Ｎ ｂ２／３ ） ０３
］ ２の配合比Ｘ。
］ ２の配合比Ｘ。
ｙ、ｚおよびＳｒ”、Ｂａ２＋（７）置換量と、室温に
おける誘電率（ε）、誘電損失（ｔａｎδ）および−３
０℃、８５℃における誘電率の変化率（２０℃における
誘電率を基準）を第１表に示す。
おける誘電率（ε）、誘電損失（ｔａｎδ）および−３
０℃、８５℃における誘電率の変化率（２０℃における
誘電率を基準）を第１表に示す。
第１表からも明らかなように、［Ｐｂ
（Ｍｇ１／２Ｗ１／２）０３］ ［ＰｂＴｉＯ３］−
［Ｐｂ （Ｎ ｉ１／３ Ｎｂ２／３ ＞０３］ ３成
分系組成物において、Ｐｂ をＳｒ２＋、Ｂａ２節う
ち少な２＋ くとも１種類のイオンで０．５〜３０ｍｏ １％置換し
た本発明の磁器組成物は、高い誘電率を保持し、かつ誘
電率の温度による変化が小さく、ＥＩＡ規格のＹ５Ｔ特
性を満足することが可能である。さらに本発明の磁器組
成物は１０５０°Ｃ以下の低い温度で焼結できるため、
積層セラミックコンデンサの内部電極に安価な銀・パラ
ジウム合金を用いることができる。
［Ｐｂ （Ｎ ｉ１／３ Ｎｂ２／３ ＞０３］ ３成
分系組成物において、Ｐｂ をＳｒ２＋、Ｂａ２節う
ち少な２＋ くとも１種類のイオンで０．５〜３０ｍｏ １％置換し
た本発明の磁器組成物は、高い誘電率を保持し、かつ誘
電率の温度による変化が小さく、ＥＩＡ規格のＹ５Ｔ特
性を満足することが可能である。さらに本発明の磁器組
成物は１０５０°Ｃ以下の低い温度で焼結できるため、
積層セラミックコンデンサの内部電極に安価な銀・パラ
ジウム合金を用いることができる。
（以下余白）
実施例２１
Ｅ Ｐ ｂ （Ｍ Ｑ １／２ Ｗ１／２ ）
０３ コ。 ［ＰｂＴ ｉ０３ コｙ ［Ｐ ｂ
（Ｎ １１７３ Ｎｂ２７３ ＞０３ ］Ｚ
という組成式で表される主組成において、ｘ＝０．
３゜ｙ＝０．４ 、 ｚ＝０．３としてＰｂ２＋をＳ
ｒ２＋Ｔ １５ｍｏ１％置換した組成物を選択し、実施
例１〜２０て示した方法で誘電体粉末を合成した。得ら
れた誘電体粉末を有機溶媒中に分散させ、有機バインダ
と混練してスラリーを作製し、スラリーを通常のドクタ
ーブレード法を用いて成膜した。さらに通常のスクリー
ン印刷法で内部電極ペーストを印刷し、打ち抜いた後、
積層、熱プレスを行って得た積層体を所定の形状で切断
してコンデンサのグリンチップを作製した。グリーンチ
ップを所定の温度サイクルで脱バインダを行った後、所
定の方法で焼成を行った。
０３ コ。 ［ＰｂＴ ｉ０３ コｙ ［Ｐ ｂ
（Ｎ １１７３ Ｎｂ２７３ ＞０３ ］Ｚ
という組成式で表される主組成において、ｘ＝０．
３゜ｙ＝０．４ 、 ｚ＝０．３としてＰｂ２＋をＳ
ｒ２＋Ｔ １５ｍｏ１％置換した組成物を選択し、実施
例１〜２０て示した方法で誘電体粉末を合成した。得ら
れた誘電体粉末を有機溶媒中に分散させ、有機バインダ
と混練してスラリーを作製し、スラリーを通常のドクタ
ーブレード法を用いて成膜した。さらに通常のスクリー
ン印刷法で内部電極ペーストを印刷し、打ち抜いた後、
積層、熱プレスを行って得た積層体を所定の形状で切断
してコンデンサのグリンチップを作製した。グリーンチ
ップを所定の温度サイクルで脱バインダを行った後、所
定の方法で焼成を行った。
この時の焼成方法の模式図を第２図に示す。第２図（ａ
）は、マグネシアセッター４上に５０個のコンデンサグ
リーンチップ５を載せ、下蓋１、枠２および上蓋３より
なるマグネシア匣鉢中で密閉雰囲気で焼成する方法を示
したもので、方法１とする。第２図（ｂ）は、マグネシ
アセッター４上に１５０個のチップ５を載せ、方＠１と
同様に焼成する方法を示したもので、方法２とする。第
２図（Ｃ）は、マグネシアセッター４にジルコン酸鉛（
ＰｂＺＩ”０３）の粉末を敷き、その上に５０個のチッ
プ５を載せて開放雰囲気で焼成する方法を示したもので
、方法３とする。
）は、マグネシアセッター４上に５０個のコンデンサグ
リーンチップ５を載せ、下蓋１、枠２および上蓋３より
なるマグネシア匣鉢中で密閉雰囲気で焼成する方法を示
したもので、方法１とする。第２図（ｂ）は、マグネシ
アセッター４上に１５０個のチップ５を載せ、方＠１と
同様に焼成する方法を示したもので、方法２とする。第
２図（Ｃ）は、マグネシアセッター４にジルコン酸鉛（
ＰｂＺＩ”０３）の粉末を敷き、その上に５０個のチッ
プ５を載せて開放雰囲気で焼成する方法を示したもので
、方法３とする。
得られた各焼結体に銀ペーストで外部電極を形成し、一
定の焼成プロフィールで焼付けを行った。
定の焼成プロフィールで焼付けを行った。
以上のようにして作製した積層セラミックコンデンサの
電気的特性を実施例１〜２０で示した方法で測定した。
電気的特性を実施例１〜２０で示した方法で測定した。
その結果を第２表に示す。
比較例１１
［Ｐｂ （Ｍｇ１／２ Ｗｌ／２ ） ０３］Ｘ ［Ｐ
ｂＴ １０３ コｙ ［Ｐｂ （Ｎ １１ ／３
Ｎｂ２７３ ＞０３ ］Ｚ という組成式で表
される主組成において、ｘ＝０．３゜ｙ＝０．４ 、
ｚ＝０．３としてＰｂ２＋の置換を行わない組成物を用
いて実施例２１で示した方法でグリーンチップを作製し
、次いで実施例２１と同様の方法て焼成を行い、電気的
特性を測定して、実施例２１で測定した特性と併せて第
２表に示した。
ｂＴ １０３ コｙ ［Ｐｂ （Ｎ １１ ／３
Ｎｂ２７３ ＞０３ ］Ｚ という組成式で表
される主組成において、ｘ＝０．３゜ｙ＝０．４ 、
ｚ＝０．３としてＰｂ２＋の置換を行わない組成物を用
いて実施例２１で示した方法でグリーンチップを作製し
、次いで実施例２１と同様の方法て焼成を行い、電気的
特性を測定して、実施例２１で測定した特性と併せて第
２表に示した。
第２表に示したように、実施例２１で焼成した積層セラ
ミックコンデンサの電気的特性は、コンデンサの焼成数
量、焼成方法によらずほとんど差がないのに対して、比
較例１１で焼成した積層セラミックコンデンサの電気的
特性は、焼成数量、焼成方法に大きく影響を受ける。
ミックコンデンサの電気的特性は、コンデンサの焼成数
量、焼成方法によらずほとんど差がないのに対して、比
較例１１で焼成した積層セラミックコンデンサの電気的
特性は、焼成数量、焼成方法に大きく影響を受ける。
なあ、本発明の主成分の範囲外ではキュリー点が著しく
高温側、あるいは低温側にかたよるため、誘電率が低く
実用的でない。またＳｒ２＋あるいはＢａ”ｏ置換量が
３０ｍｏ １％を超えると焼成温度が１１００℃以上に
なり、内部電極に安価な銀・パラジウム合金を用いるこ
とができない。したがって、本発明の磁器組成物の範囲
は前述のように限定される。
高温側、あるいは低温側にかたよるため、誘電率が低く
実用的でない。またＳｒ２＋あるいはＢａ”ｏ置換量が
３０ｍｏ １％を超えると焼成温度が１１００℃以上に
なり、内部電極に安価な銀・パラジウム合金を用いるこ
とができない。したがって、本発明の磁器組成物の範囲
は前述のように限定される。
（以下余白）
第２表
［発明の効果］
本発明の磁器組成物は、誘電率が高く、温度による誘電
率の変化も小さい。また良好な誘電損失の値を持ち、低
い温度で焼結が可能である。したがって温度特性の優れ
た積層セラミックコンデンサを製造することが可能であ
り、かつコンデンサの内部電極に安価な銀・パラジウム
を用いることができる。
率の変化も小さい。また良好な誘電損失の値を持ち、低
い温度で焼結が可能である。したがって温度特性の優れ
た積層セラミックコンデンサを製造することが可能であ
り、かつコンデンサの内部電極に安価な銀・パラジウム
を用いることができる。
また、本発明の磁器組成物を用いて作製した積層セラミ
ックコンデンサは焼成雰囲気、焼成方法に対して安定し
た特性を得ることができ、量産時の焼成工程の管理が容
易になる。
ックコンデンサは焼成雰囲気、焼成方法に対して安定し
た特性を得ることができ、量産時の焼成工程の管理が容
易になる。
第１図は本発明の主成分組成範囲を示す３成分組成図、
第２図は実施例および比較例で用いた焼成方法を説明す
るための説明図である。 １・・・マグネシア匣鉢の下蓋 ２・・・マグネシア匣鉢の枠 ３・・・マグネシア匣鉢の上蓋 ４・・・マグネジアセツタ ５・・・コンデンサグリーンチップ
第２図は実施例および比較例で用いた焼成方法を説明す
るための説明図である。 １・・・マグネシア匣鉢の下蓋 ２・・・マグネシア匣鉢の枠 ３・・・マグネシア匣鉢の上蓋 ４・・・マグネジアセツタ ５・・・コンデンサグリーンチップ
Claims (1)
- （１）マグネシウム・タングステン酸鉛［Ｐｂ（Ｍｇ＿
１＿／＿２Ｗ＿１＿／＿２）Ｏ＿３］、チタン酸鉛［Ｐ
ｂＴｉＯ＿３］およびニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｎ
ｉ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿３］からなる３
成分組成物を［Ｐｂ（Ｍｇ＿１＿／＿２Ｗ＿１＿／＿２
１／２）Ｏ＿３］＿ｘ［ＰｂＴｉＯ＿３］＿ｙ［Ｐｂ（
Ｎｉ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿３］＿ｚ（た
だしｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）と表現したとき、以下の組成
点、 （ｘ＝０．６９３，ｙ＝０．２９７，ｚ＝０．０１）（
ｘ＝０．４９５，ｙ＝０．４９５，ｚ＝０．０１）（ｘ
＝０．１９５，ｙ＝０．４５５，ｚ＝０．３５）（ｘ＝
０．１０，ｙ＝０．４０，ｚ＝０．５０）（ｘ＝０．０
６，ｙ＝０．２４，ｚ＝０．７０）を結ぶ線上、および
この５点に囲まれる組成範囲内にある主成分組成物にお
いて、鉛イオン（Ｐｂ＾２＾＋）をバリウムイオン（Ｂ
ａ＾２＾＋）、ストロンチウムイオン（Ｓｒ＾２＾＋）
のうち少なくとも１種類のイオンで０．５〜３０ｍｏｌ
％置換したことを特徴とする磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2224419A JPH0645498B2 (ja) | 1990-08-28 | 1990-08-28 | 磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2224419A JPH0645498B2 (ja) | 1990-08-28 | 1990-08-28 | 磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04108655A true JPH04108655A (ja) | 1992-04-09 |
| JPH0645498B2 JPH0645498B2 (ja) | 1994-06-15 |
Family
ID=16813485
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2224419A Expired - Fee Related JPH0645498B2 (ja) | 1990-08-28 | 1990-08-28 | 磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0645498B2 (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58161972A (ja) * | 1982-03-17 | 1983-09-26 | 日本電気株式会社 | 磁器組成物 |
| JPS6226705A (ja) * | 1985-07-29 | 1987-02-04 | 株式会社東芝 | 高誘電率磁器組成物 |
| JPS643045A (en) * | 1987-06-24 | 1989-01-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Dielectric porcelain composition |
| JPH029753A (ja) * | 1988-06-27 | 1990-01-12 | Tdk Corp | 高誘電率セラミックス組成物 |
| JPH0264055A (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-05 | Toshiba Corp | 高誘電率磁器組成物及びセラミックコンデンサ |
-
1990
- 1990-08-28 JP JP2224419A patent/JPH0645498B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58161972A (ja) * | 1982-03-17 | 1983-09-26 | 日本電気株式会社 | 磁器組成物 |
| JPS6226705A (ja) * | 1985-07-29 | 1987-02-04 | 株式会社東芝 | 高誘電率磁器組成物 |
| JPS643045A (en) * | 1987-06-24 | 1989-01-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Dielectric porcelain composition |
| JPH029753A (ja) * | 1988-06-27 | 1990-01-12 | Tdk Corp | 高誘電率セラミックス組成物 |
| JPH0264055A (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-05 | Toshiba Corp | 高誘電率磁器組成物及びセラミックコンデンサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0645498B2 (ja) | 1994-06-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4073846A (en) | Reduction-reoxidation type semiconducting ceramic capacitor | |
| US5861350A (en) | Dielectric ceramic composition | |
| JP2677037B2 (ja) | 磁器組成物 | |
| JPH09255424A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| KR0160310B1 (ko) | 자기 조성물 | |
| JPS6121183B2 (ja) | ||
| KR0165557B1 (ko) | 자기 조성물 | |
| JPH0645498B2 (ja) | 磁器組成物 | |
| JPH03223149A (ja) | 磁器組成物 | |
| JP2621823B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS6217806B2 (ja) | ||
| JP2692667B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH08268757A (ja) | 磁器組成物 | |
| JPH05279110A (ja) | 磁器組成物 | |
| JP2924469B2 (ja) | 磁器組成物 | |
| JPS61203506A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JPH05238805A (ja) | 磁器組成物 | |
| JPH05211008A (ja) | 磁器組成物 | |
| JPH04243952A (ja) | 磁器組成物 | |
| JPH0449504B2 (ja) | ||
| JPH0764634B2 (ja) | 積層コンデンサ用磁器組成物の製造方法 | |
| JPH0582342B2 (ja) | ||
| JPS5849662A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JPS6312325B2 (ja) | ||
| JPH08337469A (ja) | 誘電体磁器組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |