JPH0412402A - 極細導体および極細エナメル線 - Google Patents
極細導体および極細エナメル線Info
- Publication number
- JPH0412402A JPH0412402A JP11452590A JP11452590A JPH0412402A JP H0412402 A JPH0412402 A JP H0412402A JP 11452590 A JP11452590 A JP 11452590A JP 11452590 A JP11452590 A JP 11452590A JP H0412402 A JPH0412402 A JP H0412402A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor
- extremely thin
- purity
- wire
- oxygen
- Prior art date
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- Pending
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は、高品位の信号伝送を行う導体に関し、特に、
磁気記録続出用磁気ヘットのコイルなとに用いられる極
細導体および極細エナメル線に関する。
磁気記録続出用磁気ヘットのコイルなとに用いられる極
細導体および極細エナメル線に関する。
従来の技術」
従来、コンピュータの磁気ディスク装置の磁気ヘット用
コイルに用L)られるエナメル線として、一般の電気銅
あるいは無酸素銅からなる導体部に、絶縁層を設けに構
造の極細エナメル線か用L)られている。ここで前記導
体部としては、直径50〜55μm程度のものか用いら
れ、絶縁層としては、厚さ3〜5μm程度のボリウレタ
ノなとの樹脂力らなるものか用いられている。まr二、
特にデノタル信号続出用の導体なとにおいては、高品位
の信号伝送か必要であり、導体部の導電率も十分に高く
なくてはならない関係から、ifj記導体部として高純
度のCuを使用することもなされている。
コイルに用L)られるエナメル線として、一般の電気銅
あるいは無酸素銅からなる導体部に、絶縁層を設けに構
造の極細エナメル線か用L)られている。ここで前記導
体部としては、直径50〜55μm程度のものか用いら
れ、絶縁層としては、厚さ3〜5μm程度のボリウレタ
ノなとの樹脂力らなるものか用いられている。まr二、
特にデノタル信号続出用の導体なとにおいては、高品位
の信号伝送か必要であり、導体部の導電率も十分に高く
なくてはならない関係から、ifj記導体部として高純
度のCuを使用することもなされている。
「発明が解決しようとする課題」
しかしながら、最近の磁気ディスク装置の小型化に伴い
、磁気ヘット自体も小型化か要求されてきているので、
磁気ヘット用のエナメル線も極細化することが要求され
ている。
、磁気ヘット自体も小型化か要求されてきているので、
磁気ヘット用のエナメル線も極細化することが要求され
ている。
具体的サイズとしては、現用の導体径50μm程度に対
して20〜30μm程度のものか求められている。
して20〜30μm程度のものか求められている。
ところが、導体径を50μmから30μmにすると、当
然のことながら導体の引張強度が低下する問題がある。
然のことながら導体の引張強度が低下する問題がある。
ここで例えば、導体径を50μmから30μmに変更す
ると、引張強度は半分以下に低下することが知られてい
る。
ると、引張強度は半分以下に低下することが知られてい
る。
従って、従来の線径では問題にならなかった伸線時、メ
ッキ処理時、絶縁被覆時、磁気ヘッドへの接続時などの
加工工程において、導体が断線し易くなる問題が生じて
いる。
ッキ処理時、絶縁被覆時、磁気ヘッドへの接続時などの
加工工程において、導体が断線し易くなる問題が生じて
いる。
なお、磁気ヘッドに対するエナメル線の巻線加工方法は
、従来の顕微鏡下での低速手巻き加工から自動巻線機械
による高速巻線加工に移行しつつあるので、前述のよう
に導体径が小さくなった場合、自動巻線機械による巻線
加工の際に、エナメル線が異常に延びて導体抵抗か増加
したり、場合によっては断線する問題を生じている。更
に、導体径が小さくなった場合、磁気ヘッドのアッセン
ブリ加工時に、エナメル線の端末を引き回してホンディ
ングする工程で断線する問題もあった。
、従来の顕微鏡下での低速手巻き加工から自動巻線機械
による高速巻線加工に移行しつつあるので、前述のよう
に導体径が小さくなった場合、自動巻線機械による巻線
加工の際に、エナメル線が異常に延びて導体抵抗か増加
したり、場合によっては断線する問題を生じている。更
に、導体径が小さくなった場合、磁気ヘッドのアッセン
ブリ加工時に、エナメル線の端末を引き回してホンディ
ングする工程で断線する問題もあった。
本発明は前記課題を解決するためになされたもので、破
断強度が高く、製造工程における断線のおそれを少なく
てきるとともに、高品位な信号伝送を行うことかでき、
ボンディングも容易な極細導体および極細エナメル線を
提供することを目的とする。
断強度が高く、製造工程における断線のおそれを少なく
てきるとともに、高品位な信号伝送を行うことかでき、
ボンディングも容易な極細導体および極細エナメル線を
提供することを目的とする。
「課題を解決するための手段」
請求項1に記載した発明は前記課題を解決するために、
純度99.99%以上のCuに0.03〜0.5重量%
のAgを添加してなる無酸素銅からなる導体部と、この
導体部に被覆された金メッキ層とを具備してなるもので
ある。
純度99.99%以上のCuに0.03〜0.5重量%
のAgを添加してなる無酸素銅からなる導体部と、この
導体部に被覆された金メッキ層とを具備してなるもので
ある。
請求項2に記載した発明は前記課題を解決するために、
請求項1に記載の金メッキ層の厚さを1〜4μmにした
ものである。
請求項1に記載の金メッキ層の厚さを1〜4μmにした
ものである。
請求項3に記載した発明は請求項1または請求項2に記
載の導体に絶縁被覆を施してなるものである。
載の導体に絶縁被覆を施してなるものである。
「 作゛用 」
Agを含む高純度のCu合金から導体部を構成するため
に、導体抵抗が低く、高品位な信号伝送がなされる。A
gの含有量が特別な量に限定されているので、導体強度
の向上効果か十分に発揮されると同時にAg添加による
コストの上昇が抑えられる。更に、特別な厚さの金メッ
キ層が被覆されているので、ボンディング時に適切な接
着力か得られると同時に金メッキ層の形成によるコスト
の上昇が抑えられる。
に、導体抵抗が低く、高品位な信号伝送がなされる。A
gの含有量が特別な量に限定されているので、導体強度
の向上効果か十分に発揮されると同時にAg添加による
コストの上昇が抑えられる。更に、特別な厚さの金メッ
キ層が被覆されているので、ボンディング時に適切な接
着力か得られると同時に金メッキ層の形成によるコスト
の上昇が抑えられる。
以下に本発明を更に詳細に説明する。
第1図は本発明の極細導体の一実施例を示すもので、こ
の例の極細導体lは、純度99.99%以上の高純度の
無酸素銅に0.03〜0.5重量%のAgを添加してな
るCu合金からなる導体部2と、この導体部2の外周面
を被覆して設けられた厚さ1〜4μmの金メッキ層3と
から構成されている。
の例の極細導体lは、純度99.99%以上の高純度の
無酸素銅に0.03〜0.5重量%のAgを添加してな
るCu合金からなる導体部2と、この導体部2の外周面
を被覆して設けられた厚さ1〜4μmの金メッキ層3と
から構成されている。
前記導体部2の直径は、極細導体lが適用される磁気ヘ
ッドの小型軽量化に合わせて極細化されるので、40μ
m以下であることが好ましい。また、極細導体lは、磁
気ヘッドなどの磁気装置に用いられることから、導体部
2に含まれる不純物として、Fe、Ni、Coなどの磁
性元素は極力避けるへきである。従って前記磁性元素の
含有量を10ppm以下とすることが好ましい。
ッドの小型軽量化に合わせて極細化されるので、40μ
m以下であることが好ましい。また、極細導体lは、磁
気ヘッドなどの磁気装置に用いられることから、導体部
2に含まれる不純物として、Fe、Ni、Coなどの磁
性元素は極力避けるへきである。従って前記磁性元素の
含有量を10ppm以下とすることが好ましい。
前記導体部2を構成するCu合金において、無酸素銅の
純度を9999%以上としたのは、それ未満ては導体抵
抗か大きくなって、高品位伝送に支障を来したり、軟化
温度か高くなる問題を生しるためである。また、無酸素
銅の酸素含有量は、重量比で30ppm以下であり、3
0ppmを越えるようでは、酸化物が生成するために、
極細径に伸線加工する際に断線しやすくなる。Agの添
加量を003〜05重量%にしたのは、003重量%未
満では引張り強度の向上効果がなく、0.5重量%を越
えると導体抵抗が大きくなるとともにコストも高くなる
ので好ましくない。金メッキ層3の厚さを1〜4μmと
したのは、厚さ1μm未満では磁気ヘットへのホンディ
ング接続の際に接着力が低くなったり、接着力がばらつ
いたりするので好ましくなく、厚さ4μmを越えるとコ
スト高になるので好ましくない。
純度を9999%以上としたのは、それ未満ては導体抵
抗か大きくなって、高品位伝送に支障を来したり、軟化
温度か高くなる問題を生しるためである。また、無酸素
銅の酸素含有量は、重量比で30ppm以下であり、3
0ppmを越えるようでは、酸化物が生成するために、
極細径に伸線加工する際に断線しやすくなる。Agの添
加量を003〜05重量%にしたのは、003重量%未
満では引張り強度の向上効果がなく、0.5重量%を越
えると導体抵抗が大きくなるとともにコストも高くなる
ので好ましくない。金メッキ層3の厚さを1〜4μmと
したのは、厚さ1μm未満では磁気ヘットへのホンディ
ング接続の際に接着力が低くなったり、接着力がばらつ
いたりするので好ましくなく、厚さ4μmを越えるとコ
スト高になるので好ましくない。
第1図に示す構造の極細導体lを製造する場合、導体部
2を製造するには、例えば前記組成のCu合金インゴッ
トから通常の線引方法で得ることかできるとともに、金
メッキ層3を形成するには、例えば電気メッキ法を採用
すれば良い。
2を製造するには、例えば前記組成のCu合金インゴッ
トから通常の線引方法で得ることかできるとともに、金
メッキ層3を形成するには、例えば電気メッキ法を採用
すれば良い。
第2図は本発明の極細エナメル線の一実施例を示すもの
で、この例の極細エナメル線5は、第1図に示す構造の
極細導体lの外周面に絶縁被覆層6を形成してなるもの
である。
で、この例の極細エナメル線5は、第1図に示す構造の
極細導体lの外周面に絶縁被覆層6を形成してなるもの
である。
前記絶縁被覆層6を構成する材料として例えば、ポリウ
レタン、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリ
アミドイミド、ポリエステルイミド、ポリビニルブチラ
ール、エポキシなどを例示することができる。なお、極
細エナメル線5の加工工程において、半田付けを行う場
合は、前記材料のうち、ポリウレタンを選択することか
望ましい。
レタン、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリ
アミドイミド、ポリエステルイミド、ポリビニルブチラ
ール、エポキシなどを例示することができる。なお、極
細エナメル線5の加工工程において、半田付けを行う場
合は、前記材料のうち、ポリウレタンを選択することか
望ましい。
その際にポリウレタンに必要に応じて着色できることは
勿論である。
勿論である。
ところで、第1図と第2図に記載した実施例においては
導体部2の断面形状として丸型の例について説明したか
、導体部2の断面形状は多角形状、楕円形、異形断面形
状なと、任會の断面形状でも差し支えないのは勿論であ
る。
導体部2の断面形状として丸型の例について説明したか
、導体部2の断面形状は多角形状、楕円形、異形断面形
状なと、任會の断面形状でも差し支えないのは勿論であ
る。
「実施例」
純度99.97%および純度9999%の無酸素銅を用
意し、これらの無酸素銅に、種々の割合でAgを添加し
、導体部の径か40μmと20μmの極細導体を複数製
造し、更にこれらに種々の厚さの金メッキ層を形成した
後、ポリウレタン塗料を塗布し、焼き付けし′て厚さ2
85μmの絶縁層を形成し複数の極細エナメル線試料を
得た。
意し、これらの無酸素銅に、種々の割合でAgを添加し
、導体部の径か40μmと20μmの極細導体を複数製
造し、更にこれらに種々の厚さの金メッキ層を形成した
後、ポリウレタン塗料を塗布し、焼き付けし′て厚さ2
85μmの絶縁層を形成し複数の極細エナメル線試料を
得た。
以上のように製造された各極細エナメル線試料について
、導体抵抗、引張強度を測定した。また、一部の試料に
おいては超音波ポノダーによる接着を行い、その結果か
ら接着性を評価した。これらの測定結果と評価結果を合
わせて後記する第1表に示した。
、導体抵抗、引張強度を測定した。また、一部の試料に
おいては超音波ポノダーによる接着を行い、その結果か
ら接着性を評価した。これらの測定結果と評価結果を合
わせて後記する第1表に示した。
第1表に示す結果から、本発明の極細エナメル線の試料
No1=No8は、比較例の試料No9〜Nol 3に
比べ、導体抵抗が低く、引張強度か高く、接着性も良好
であることが判明した。
No1=No8は、比較例の試料No9〜Nol 3に
比べ、導体抵抗が低く、引張強度か高く、接着性も良好
であることが判明した。
F発明の効果号
以上説明しfコように本発明は、特別な量のAgを含む
純度99.99%のCu合金から導体部を構成している
ので、導体抵抗か低く、高品位な信号伝送かできる特徴
がある。また、導体部にAgを003〜0.5重量%添
加しているので、破断強度が大きくなり、製造時の各工
程において断線することが少なくなる。更に、導体部に
金メッキ層を被覆しているので、結線の際のボンディン
グを良好な接着性で極めて容易に行うことができる。
純度99.99%のCu合金から導体部を構成している
ので、導体抵抗か低く、高品位な信号伝送かできる特徴
がある。また、導体部にAgを003〜0.5重量%添
加しているので、破断強度が大きくなり、製造時の各工
程において断線することが少なくなる。更に、導体部に
金メッキ層を被覆しているので、結線の際のボンディン
グを良好な接着性で極めて容易に行うことができる。
第1図は本発明の極細導体の一実施例を示す断面図、第
2図は本発明の極細エナメル線の一実施例を示す断面図
である。 l・・極細導体、2・・導体部、3・・金メッキ層、5
・・極細エナメル線、6・・・絶縁被覆層。
2図は本発明の極細エナメル線の一実施例を示す断面図
である。 l・・極細導体、2・・導体部、3・・金メッキ層、5
・・極細エナメル線、6・・・絶縁被覆層。
Claims (3)
- (1)純度99.99%以上のCuに0.03〜0.5
重量%のAgを添加してなる無酸素銅からなる導体部と
、この導体部に被覆された金メッキ層とを具備してなる
極細導体。 - (2)請求項1に記載の金メッキ層の厚さが1〜4μm
であることを特徴とする極細導体。 - (3)請求項1または請求項2に記載の導体に、絶縁被
覆を施してなる極細エナメル線。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11452590A JPH0412402A (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 極細導体および極細エナメル線 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11452590A JPH0412402A (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 極細導体および極細エナメル線 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0412402A true JPH0412402A (ja) | 1992-01-17 |
Family
ID=14639937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11452590A Pending JPH0412402A (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 極細導体および極細エナメル線 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0412402A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2822288A1 (fr) * | 2001-03-19 | 2002-09-20 | Astrium Gmbh | Conducteur metallique et installation cryogenique |
-
1990
- 1990-04-27 JP JP11452590A patent/JPH0412402A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2822288A1 (fr) * | 2001-03-19 | 2002-09-20 | Astrium Gmbh | Conducteur metallique et installation cryogenique |
| GB2375880A (en) * | 2001-03-19 | 2002-11-27 | Astrium Gmbh | A conductor for a cryogenic device |
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