JPH04125956A - 半導体集積回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体集積回路のパッケージに関するもの
である。

〔従来の技術〕

第３図に従来の表面実装型半導体集積回路を赤外線を照
射することによりプリント基板に実装する（以下、赤外
線リフローと呼ぶ）際の図であ石＠図において、１１１
は表面実装型のパッケージの半導体集積回路、（２）は
半導体集積回路＋１１のプラスチックでできているモー
ルド部分、１３１は半導体集積回路＋１１の端子リード
、１４）はプリント基板、＋５１１’ｔプリント基板の
マウントパラ）″。

（６）は赤外線である。第４図は、第３図のリード端子
部分ｔ、拡大したときの図で、＋７１Ｈ半出である。

次に表面実装型半導体集積回路を赤外線リフローにより
半田付けをする方法について説明する。まず、プリント
基板のマウントパッド・５）にあらかじめ半田をつけて
おき、半導体集積回路をマウントパッド上に乗せ、赤外
４！を照射する。

その際、リード端子（３）に、赤外線により熱が発生し
、その熱により半田が融解し、半田とリードが融着し、
赤外線を停止した後、温度が冷却後固定され、半田付け
が完了する。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来の赤外線り７０−は以上のように行われていたので
、赤外線はパッケージのモールド部分（２）にも照射さ
れ、リード端子部分１３１のみならず、モールド部分も
赤外線により発熱する。このため、モールド部分１２１
のプラスチックが湿気を含んでいるような場合１．モー
ルド部分１２）が破損する場合があるという問題があっ
た。

この発明に上記のような問題を解消するためになされた
もので、赤外線の照射によりモールド部分（２）が発熱
しないようにすることを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

この発明による表面実装型半導体集積回路のモールド部
分は赤外４１１反射して、熱を吸収しないようにしたも
のである。

〔作用〕

この発明による表面実装型半導体集積回路の表面部分け
、赤外線を反射する◎ 〔実施例〕 以下、この発明の一実施例を図において説明する。第１
図はこの発明を用いて赤外線リフロー？行うときの図で
あり、図において、（８）はこの発明による表面実装型
半導体集積回路、（９）は半導体集積回路（９）表面に
つけられた反射率の高い物質（この実施列では、アルミ
ニウム等の反射率の高い金属を蒸着したものとする）で
ある。

第２図は、第１図のリード端子部分を拡大したときの図
である。

次にこの発明の実施例の作用について説明する。半田付
けを、赤外線リフローにより行う方法は、従来例と同じ
であるが、この発明の場合、赤外線が、半導体集積回路
（８）表面に蒸着された反射率の高い金属により反射さ
れ、モールド部分（２）に赤外線が当たらないので、モ
ールド部分１りはほとんど発熱しなくなる。

なお、上記実施例では、半導体集積回路表面上に、反射
率の高い物質をつけたが、モールド自体を反射率の高い
物質で作る、あるいはモールドを反射率の高い色にすれ
ば、同様の効果が得られる。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明によれば、半導体集積回路表面
に反射率の高い物質をつけたので、モールド部分の発熱
を少なくすることができ。

赤外線リフローによる半田付けの際のモールド部分のプ
ラスチックの破損を少なくすることが４゜ できる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明を赤外線リフローでプリント基板に半
田付けするときの図で、第２図は第１図のリード端子部
分？拡大した図である〇第８図は赤外線リフローによる
半田付は全従来の半導体集積回路で行ったときの図で、
第４図は第３図のリード端子部分の拡大図である。 図において（９）は半導体集積回路表面に蒸着へれた反
射率の高い金属である。 なお図中、同−符号汀同一又は相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　表面実装形パツケージにおいて、少なくともパツケー
   ジ上面の光学的な反射率を、端子リード部分の反射率よ
   りも高めたことを特徴とするモールド封止型半導体集積
   回路。