JPH0412621B2 - - Google Patents
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- JPH0412621B2 JPH0412621B2 JP59055709A JP5570984A JPH0412621B2 JP H0412621 B2 JPH0412621 B2 JP H0412621B2 JP 59055709 A JP59055709 A JP 59055709A JP 5570984 A JP5570984 A JP 5570984A JP H0412621 B2 JPH0412621 B2 JP H0412621B2
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Description
〔発明の利用分野〕
本発明は、半導体用高耐食高硬度ボール付アル
ミニウム合金ワイヤに係り、特に、半導体素子上
の配線膜に高いボンデイング強度で接続すること
ができる半導体用高耐食高硬度ボール付アルミニ
ウム合金ワイヤに関する。 〔発明の背景〕 従来、半導体素子上に形成されたAl蒸着膜か
らなる配線膜と外部リードとの接続はAu細線が
用いられ、そのボールボンデイング法による熱圧
着又は超音波接合が行われている。近年、Au線
の代りに安価なAl細線を使用する検討が行われ
ている。しかし、エポキシ樹脂等の合成樹脂によ
つて封止される半導体装置では、Al細線に腐食
が生じることが問題となり、半導体用耐食Al細
線の検討が行われている。耐食Al細線としては、
Al−Au、Al−Pd合金およびAl−Ni合金が知ら
れている。 しかしながら、これらのアルミニウム合金ワイ
ヤは、Au線に比べてボールボンデイング強度が
低いという欠点がある。さらに、ワイヤの先端に
形成するボールが軟いため、ボールボンデイング
する際に、ボールがつぶれ過ぎてパツドのはみ出
しを生ずる。そのため、はみ出したパツドが周辺
のAl配線膜と接触して破壊させ、断線不良を起
すという問題があつた。 〔発明の目的〕 本発明の目的は、耐食性を低めることなくボー
ルボンデイング強度のすぐれたボール付アルミニ
ウム合金ワイヤを提供することにある。 〔発明の概要〕 本発明は、レジンモールド半導体用コネクタワ
イヤとして開発した耐食アルミニウム合金であつ
て、耐食性と、高いボンデイング強度を備えた
Au線代替材として非常に有効であるアルミニウ
ム合金ワイヤである。 本発明者らは、耐食アルミニウム合金のボンデ
イング強度について詳しく検討した結果、ボンデ
イング強度はボール硬さに依存していることを見
い出した。 第１図は、直径50μｍのAu線におけるボール硬
さとせん断強度との関係を示す線図である。ボー
ルのひずみは0.5〜0.9がよいことが経験的に知ら
れている。このボールのひずみは次の式から求め
られる。 ボールのひずみ＝2ln（D1／D0） …… なお、D0はボンデイング前のボール径、D1は
ボンデイング後のボール径である。 Au線のボールのひずみが0.6で、せん断強度を
140ｇ以上にするには、ボールの硬さは30Hv以上
必要である。 すなわち、耐食アルミ合金のボール硬さを増加
すれば、ボールボンデイング強度を向上すること
ができることがわかつた。 そこで、発明者らは耐食アルミ合金ワイヤの耐
食性を損うことなくボール硬度を増すためには固
溶体強化が有効と考え、Alに対して溶解度を有
するCu、Mg、Ti及びZrの添加効果について検討
した。その結果、これらの元素の添加はボール硬
度を増すのに極めて有効であることがわかつた。 ボール形成はワイヤ先端をアーク放電又は火花
放電等の加熱溶解によつてボールを短時間で形成
させるため、合金元素が固溶すると結晶格子がひ
ずみ、そのために転位の運動を妨害して硬化する
ものと考えられる。合金元素の固溶の影響として
見のがせないものに加工硬化能が大きくなること
である。本発明のAl合金は極細線として用いる
ため、特に塑性加工性の高いことが重要となる。
したがつて硬化元素であるCu、Mg、Ti、Zrの量
が多いと塑性加工性が著しく悪化し細線加工が困
難になり、しかも耐食性も悪くなる。ボール硬さ
（Hv）30以上と良い塑性加工性を得るにはCu、
Mg、Zr、Tiの量を１種又は２種以上の総量で
0.3〜３重量％がよい。0.3％以下では、ボールの
硬さが不足し、高いボンデイング強度が得られな
い反面、３重量％を越えると、アルミニウム基地
中に単体又は常温時効により化合物が析出し、塑
性加工性を著しく劣化し極細線加工ができない。
従つて、良好な塑性加工性、十分なボール硬さお
よび耐食性を得るには、Cu、Mg、Ti、およびZr
の群から選ばれた１種又は２種以上の総量は、
0.5〜2.0重量％の範囲が最適である。 本発明は、さらに耐食性を改善するため、アル
ミニウムに対して実質的に溶解度を有しない貴の
第２元素として、Au、NiおよびPdの群から選ば
れた１種又は２種以上であつて、総量で0.1〜５
重量％含有されている。0.1重量％以下では、腐
食を防止する効果が少ない一方、５重量％を越え
ると、アルミ基地中に不均一に分散し、かえつて
耐食性の向上が得られないばかりでなく、塑性加
工が困難になるので、0.1〜５重量％の添加が必
要であつて、特に高い耐食性と良好な塑性加工性
を得るには、総量で0.1〜３重量％の範囲が好ま
しい。 なお、高い耐食性と良好な塑性加工性及び十分
なボンデイング強度を得るためのボール硬さを確
保するためには第２元素と第３元素の総量を0.5
〜６重量％の範囲とするのが最適である。 本発明のアルミニウム合金ワイヤはそれ自身の
不動態化とこれを促進する元素を含むので、硬化
元素と合せて強い不動態皮膜を形成し、すぐれた
耐食性を有しボンデイング強度はAu線と同程度
が確保でき、信頼性の高いアルミニウムボールボ
ンデイングが得られる。 本発明のアルミニウム合金からなり先端にボー
ルを形成した極細線は、そのボールを半導体素子
上に形成された配線膜に固相接合し、他端を外部
リード端子に固相接合するボールボンデイング用
ワイヤに最適である。極細線の直径は合金の種類
によつても異なるが20〜100μｍが好ましく、特
に直径30〜70μｍが好ましい。この中で比抵抗等
を考慮してワイヤ径が選定される。 ワイヤは前述のような合金元素を含むので、焼
純されたものがよい。焼鈍温度は加工歪の除去が
行なえる温度以上で再結晶温度以下の温度がよ
い。特にボールボンデイング等の取扱時に塑性変
形しない程度に軟かくするには、最終冷間加工後
に100〜350℃で焼鈍され、焼なまし状態で室温の
伸びが60％以下であることを特徴とするボールボ
ンデイング用ワイヤにある。これによつてワイヤ
全体が軟かくなり、局部的な変形がなく断線等の
問題が解消される。 ワイヤは前述のように非常に細径で軟かいので
これを保護するため半導体素子とワイヤ及び外部
端子の一部を合成樹脂又はセラミツクスで被うこ
とが行われる。合成樹脂は注型（キヤステイン
グ）又は成形（モールド）し硬化させ、セラミツ
クスは通常の方法でキヤツプシール接合される。 〔発明の実施例〕 純度99.999％の純Alおよび純度99.9〜99.99％の
Au、Ni、Pdを用いて各元素の含有量を０、0.5、
１、２、５、10重量％の二元合金を溶製すると共
に、各２元合金に純度99.9％のCCu、Mg、Tiお
よびZrをそれぞれ単独に０、２、0.5、１、３、
５重量％を添加した３元合金を溶製した。この溶
製に際しては、Ar雰囲気中の水冷銅鋳型でアー
ク溶解し、次いで、合金を均一に固溶させるた
め、580℃×24hrソーキング処理を施した後急冷
し、室温でスエージング後、580℃×2Hrの焼鈍
と線引を繰り返すことによつて直径30μｍと50μ
ｍのワイヤを製造した。なお、合金元素の総量が
10重量％以上を含む合金はスエージング加工及び
線引加工が、これより少ないものに比べ困難であ
つた。合金元素の総量が８重量％以下の合金の塑
性加工性は良好で線引加工が容易であつた。 以上のように製造した各ワイヤを不活性ガス中
で200〜400℃×1hr加熱による焼なまし処理を施
したものについて、ワイヤ先端にボールを形成
し、各合金についても10個のビツカース硬さを測
定した。 第２図はアーク放電によりワイヤ先端にボール
を形成する装置を示す断面図である。 この装置は、密封チヤンバー１内にＷ電極２と
キヤピラリ３とが離間して列設されており、この
キヤピラリ３にワイヤ４が支持され、Ｗ電極２と
ワイヤ４との間に電源が接続されている。 放電は、真空排気後、７体積％のH2を含むAr
ガス雰囲気中で電圧1000V、電流１〜10Aで放電
時間はＷ電極２の移動速度及びパルスの周波数に
よつてコントロールした。ボール５は表面に光沢
があり、真球に近い良好な形状のものが得られ
た。 第３図〜第５図は各アルミニウム合金ワイヤに
おけるボール硬さ（Hv）と添加元素（％）との
関係を示す線図である。 これらの図から明らかなように、耐食アルミニ
ウム合金にCu、Mg、Zr及びTiの添加はボール硬
度の増加に有効であることが判明した。しかし、
これらの元素の添加量が0.2重量％以下では硬化
が不十分でHv：30以上を得るには0.3重量％以上
を添加する必要がある。特にCu、Mgの添加がボ
ールの高硬度化に有効であることが確認できた。
なお、前記合金元素を複合添加しても前記と同じ
効果が得られる。 第１０図は、各アルミニウム合金ワイヤにおけ
るボールの硬さとせん断強度の関係を示す。第１
０図によれば、上記関係を示す曲線は、第１図に
示すAuに関するものとほぼ同一線上にあり、せ
ん断強度はボールの硬さにより一義的に決まるこ
とがわかる。 実施例 ２ 実施例１で製作した直径30μｍのワイヤをAr雰
囲気中で150〜350℃、１時間加熱して焼なました
ものについて、120℃、２気圧の水蒸気中で200時
間放置するプレシヤクツカーテスト（PCT）試
験し、ワイヤ自身の腐食性を測定した。試験後、
走査型電子顕微鏡によりワイヤ表面の状態を観察
した。第６図に観察結果の一例を示す。第６図ａ
は粒界から優先的に腐食が進行して著しく腐食さ
れている場合である。これに対し本発明合金は第
６図ｂに示すAl−1Pd−2Cu合金と同じくほとん
ど腐食されていないことが観察された。 第１表はボール硬さと耐食性に及ぼす添加元素
の影響を示す線図である。耐食アルミ合金にCu、
Mg、TiおよびZrを添加しても耐食性は同等ある
いは耐食性が改善される傾向にあり、これらの硬
化元素を添加しても耐食性を悪化させないことが
わかる。さらに、ボール硬さと耐食性の評価から
Cu、Mgの添加がすぐれていることが確認でき
た。
ミニウム合金ワイヤに係り、特に、半導体素子上
の配線膜に高いボンデイング強度で接続すること
ができる半導体用高耐食高硬度ボール付アルミニ
ウム合金ワイヤに関する。 〔発明の背景〕 従来、半導体素子上に形成されたAl蒸着膜か
らなる配線膜と外部リードとの接続はAu細線が
用いられ、そのボールボンデイング法による熱圧
着又は超音波接合が行われている。近年、Au線
の代りに安価なAl細線を使用する検討が行われ
ている。しかし、エポキシ樹脂等の合成樹脂によ
つて封止される半導体装置では、Al細線に腐食
が生じることが問題となり、半導体用耐食Al細
線の検討が行われている。耐食Al細線としては、
Al−Au、Al−Pd合金およびAl−Ni合金が知ら
れている。 しかしながら、これらのアルミニウム合金ワイ
ヤは、Au線に比べてボールボンデイング強度が
低いという欠点がある。さらに、ワイヤの先端に
形成するボールが軟いため、ボールボンデイング
する際に、ボールがつぶれ過ぎてパツドのはみ出
しを生ずる。そのため、はみ出したパツドが周辺
のAl配線膜と接触して破壊させ、断線不良を起
すという問題があつた。 〔発明の目的〕 本発明の目的は、耐食性を低めることなくボー
ルボンデイング強度のすぐれたボール付アルミニ
ウム合金ワイヤを提供することにある。 〔発明の概要〕 本発明は、レジンモールド半導体用コネクタワ
イヤとして開発した耐食アルミニウム合金であつ
て、耐食性と、高いボンデイング強度を備えた
Au線代替材として非常に有効であるアルミニウ
ム合金ワイヤである。 本発明者らは、耐食アルミニウム合金のボンデ
イング強度について詳しく検討した結果、ボンデ
イング強度はボール硬さに依存していることを見
い出した。 第１図は、直径50μｍのAu線におけるボール硬
さとせん断強度との関係を示す線図である。ボー
ルのひずみは0.5〜0.9がよいことが経験的に知ら
れている。このボールのひずみは次の式から求め
られる。 ボールのひずみ＝2ln（D1／D0） …… なお、D0はボンデイング前のボール径、D1は
ボンデイング後のボール径である。 Au線のボールのひずみが0.6で、せん断強度を
140ｇ以上にするには、ボールの硬さは30Hv以上
必要である。 すなわち、耐食アルミ合金のボール硬さを増加
すれば、ボールボンデイング強度を向上すること
ができることがわかつた。 そこで、発明者らは耐食アルミ合金ワイヤの耐
食性を損うことなくボール硬度を増すためには固
溶体強化が有効と考え、Alに対して溶解度を有
するCu、Mg、Ti及びZrの添加効果について検討
した。その結果、これらの元素の添加はボール硬
度を増すのに極めて有効であることがわかつた。 ボール形成はワイヤ先端をアーク放電又は火花
放電等の加熱溶解によつてボールを短時間で形成
させるため、合金元素が固溶すると結晶格子がひ
ずみ、そのために転位の運動を妨害して硬化する
ものと考えられる。合金元素の固溶の影響として
見のがせないものに加工硬化能が大きくなること
である。本発明のAl合金は極細線として用いる
ため、特に塑性加工性の高いことが重要となる。
したがつて硬化元素であるCu、Mg、Ti、Zrの量
が多いと塑性加工性が著しく悪化し細線加工が困
難になり、しかも耐食性も悪くなる。ボール硬さ
（Hv）30以上と良い塑性加工性を得るにはCu、
Mg、Zr、Tiの量を１種又は２種以上の総量で
0.3〜３重量％がよい。0.3％以下では、ボールの
硬さが不足し、高いボンデイング強度が得られな
い反面、３重量％を越えると、アルミニウム基地
中に単体又は常温時効により化合物が析出し、塑
性加工性を著しく劣化し極細線加工ができない。
従つて、良好な塑性加工性、十分なボール硬さお
よび耐食性を得るには、Cu、Mg、Ti、およびZr
の群から選ばれた１種又は２種以上の総量は、
0.5〜2.0重量％の範囲が最適である。 本発明は、さらに耐食性を改善するため、アル
ミニウムに対して実質的に溶解度を有しない貴の
第２元素として、Au、NiおよびPdの群から選ば
れた１種又は２種以上であつて、総量で0.1〜５
重量％含有されている。0.1重量％以下では、腐
食を防止する効果が少ない一方、５重量％を越え
ると、アルミ基地中に不均一に分散し、かえつて
耐食性の向上が得られないばかりでなく、塑性加
工が困難になるので、0.1〜５重量％の添加が必
要であつて、特に高い耐食性と良好な塑性加工性
を得るには、総量で0.1〜３重量％の範囲が好ま
しい。 なお、高い耐食性と良好な塑性加工性及び十分
なボンデイング強度を得るためのボール硬さを確
保するためには第２元素と第３元素の総量を0.5
〜６重量％の範囲とするのが最適である。 本発明のアルミニウム合金ワイヤはそれ自身の
不動態化とこれを促進する元素を含むので、硬化
元素と合せて強い不動態皮膜を形成し、すぐれた
耐食性を有しボンデイング強度はAu線と同程度
が確保でき、信頼性の高いアルミニウムボールボ
ンデイングが得られる。 本発明のアルミニウム合金からなり先端にボー
ルを形成した極細線は、そのボールを半導体素子
上に形成された配線膜に固相接合し、他端を外部
リード端子に固相接合するボールボンデイング用
ワイヤに最適である。極細線の直径は合金の種類
によつても異なるが20〜100μｍが好ましく、特
に直径30〜70μｍが好ましい。この中で比抵抗等
を考慮してワイヤ径が選定される。 ワイヤは前述のような合金元素を含むので、焼
純されたものがよい。焼鈍温度は加工歪の除去が
行なえる温度以上で再結晶温度以下の温度がよ
い。特にボールボンデイング等の取扱時に塑性変
形しない程度に軟かくするには、最終冷間加工後
に100〜350℃で焼鈍され、焼なまし状態で室温の
伸びが60％以下であることを特徴とするボールボ
ンデイング用ワイヤにある。これによつてワイヤ
全体が軟かくなり、局部的な変形がなく断線等の
問題が解消される。 ワイヤは前述のように非常に細径で軟かいので
これを保護するため半導体素子とワイヤ及び外部
端子の一部を合成樹脂又はセラミツクスで被うこ
とが行われる。合成樹脂は注型（キヤステイン
グ）又は成形（モールド）し硬化させ、セラミツ
クスは通常の方法でキヤツプシール接合される。 〔発明の実施例〕 純度99.999％の純Alおよび純度99.9〜99.99％の
Au、Ni、Pdを用いて各元素の含有量を０、0.5、
１、２、５、10重量％の二元合金を溶製すると共
に、各２元合金に純度99.9％のCCu、Mg、Tiお
よびZrをそれぞれ単独に０、２、0.5、１、３、
５重量％を添加した３元合金を溶製した。この溶
製に際しては、Ar雰囲気中の水冷銅鋳型でアー
ク溶解し、次いで、合金を均一に固溶させるた
め、580℃×24hrソーキング処理を施した後急冷
し、室温でスエージング後、580℃×2Hrの焼鈍
と線引を繰り返すことによつて直径30μｍと50μ
ｍのワイヤを製造した。なお、合金元素の総量が
10重量％以上を含む合金はスエージング加工及び
線引加工が、これより少ないものに比べ困難であ
つた。合金元素の総量が８重量％以下の合金の塑
性加工性は良好で線引加工が容易であつた。 以上のように製造した各ワイヤを不活性ガス中
で200〜400℃×1hr加熱による焼なまし処理を施
したものについて、ワイヤ先端にボールを形成
し、各合金についても10個のビツカース硬さを測
定した。 第２図はアーク放電によりワイヤ先端にボール
を形成する装置を示す断面図である。 この装置は、密封チヤンバー１内にＷ電極２と
キヤピラリ３とが離間して列設されており、この
キヤピラリ３にワイヤ４が支持され、Ｗ電極２と
ワイヤ４との間に電源が接続されている。 放電は、真空排気後、７体積％のH2を含むAr
ガス雰囲気中で電圧1000V、電流１〜10Aで放電
時間はＷ電極２の移動速度及びパルスの周波数に
よつてコントロールした。ボール５は表面に光沢
があり、真球に近い良好な形状のものが得られ
た。 第３図〜第５図は各アルミニウム合金ワイヤに
おけるボール硬さ（Hv）と添加元素（％）との
関係を示す線図である。 これらの図から明らかなように、耐食アルミニ
ウム合金にCu、Mg、Zr及びTiの添加はボール硬
度の増加に有効であることが判明した。しかし、
これらの元素の添加量が0.2重量％以下では硬化
が不十分でHv：30以上を得るには0.3重量％以上
を添加する必要がある。特にCu、Mgの添加がボ
ールの高硬度化に有効であることが確認できた。
なお、前記合金元素を複合添加しても前記と同じ
効果が得られる。 第１０図は、各アルミニウム合金ワイヤにおけ
るボールの硬さとせん断強度の関係を示す。第１
０図によれば、上記関係を示す曲線は、第１図に
示すAuに関するものとほぼ同一線上にあり、せ
ん断強度はボールの硬さにより一義的に決まるこ
とがわかる。 実施例 ２ 実施例１で製作した直径30μｍのワイヤをAr雰
囲気中で150〜350℃、１時間加熱して焼なました
ものについて、120℃、２気圧の水蒸気中で200時
間放置するプレシヤクツカーテスト（PCT）試
験し、ワイヤ自身の腐食性を測定した。試験後、
走査型電子顕微鏡によりワイヤ表面の状態を観察
した。第６図に観察結果の一例を示す。第６図ａ
は粒界から優先的に腐食が進行して著しく腐食さ
れている場合である。これに対し本発明合金は第
６図ｂに示すAl−1Pd−2Cu合金と同じくほとん
ど腐食されていないことが観察された。 第１表はボール硬さと耐食性に及ぼす添加元素
の影響を示す線図である。耐食アルミ合金にCu、
Mg、TiおよびZrを添加しても耐食性は同等ある
いは耐食性が改善される傾向にあり、これらの硬
化元素を添加しても耐食性を悪化させないことが
わかる。さらに、ボール硬さと耐食性の評価から
Cu、Mgの添加がすぐれていることが確認でき
た。
【表】
実施例 ３
実施例１で製作した直径50μｍのAl−1PdAl−
1Pd−2Cu、Al−1Au、Al−1Au−1Mg、Al−
0.5Ni、Al−0.5Ni−2Mg合金ワイヤを用いてN2
中で350℃、１時間焼なまし処理を施したものに
ついて第２図に示す方法でワイヤ先端にボールを
形成し、半導体素子上に設けたAl配線膜にボー
ルボンデイングを行なつた。その後、テンシヨン
ゲージを用いてせん断強度を測定した。せん断強
度の測定結果は第２表に示す通りである。
1Pd−2Cu、Al−1Au、Al−1Au−1Mg、Al−
0.5Ni、Al−0.5Ni−2Mg合金ワイヤを用いてN2
中で350℃、１時間焼なまし処理を施したものに
ついて第２図に示す方法でワイヤ先端にボールを
形成し、半導体素子上に設けたAl配線膜にボー
ルボンデイングを行なつた。その後、テンシヨン
ゲージを用いてせん断強度を測定した。せん断強
度の測定結果は第２表に示す通りである。
以上の説明から明らかなように、本発明によれ
ば、高いボンデイング強度と高い耐食性が得ら
れ、特に、レジンモールド型半導体装置のボール
ボンデイング用ワイヤとして優れた効果を発揮す
る。
ば、高いボンデイング強度と高い耐食性が得ら
れ、特に、レジンモールド型半導体装置のボール
ボンデイング用ワイヤとして優れた効果を発揮す
る。
第１図はAu細線のボール硬さとせん断強度と
の関係を示す線図、第２図はアーク放電によるボ
ール形成装置の一例を示す概略説明図、第３図〜
第５図はボール硬さに及ぼす添加元素量との関係
を示す線図、第６図Ａ，ＢはPCT試験後のワイ
ヤの外観図、第７図は代表的なレジンモールド型
半導体装置の断面図、第８図はボールボンデイン
グされた状態を示す半導体装置の部分断面図、第
９図はワイヤ焼鈍温度と硬さとの関係を示す線
図、第１０図は各アルミニウム合金ワイヤのボー
ルの硬さとせん断強度の関係を示す線図である。 １……密閉チヤンバー、２……Ｗ電極、３……
キヤピラリー、４……ワイヤ、５……ボール、６
……Al蒸着膜、７……Si素子、８……Agメツキ
層、９……リードフレーム。
の関係を示す線図、第２図はアーク放電によるボ
ール形成装置の一例を示す概略説明図、第３図〜
第５図はボール硬さに及ぼす添加元素量との関係
を示す線図、第６図Ａ，ＢはPCT試験後のワイ
ヤの外観図、第７図は代表的なレジンモールド型
半導体装置の断面図、第８図はボールボンデイン
グされた状態を示す半導体装置の部分断面図、第
９図はワイヤ焼鈍温度と硬さとの関係を示す線
図、第１０図は各アルミニウム合金ワイヤのボー
ルの硬さとせん断強度の関係を示す線図である。 １……密閉チヤンバー、２……Ｗ電極、３……
キヤピラリー、４……ワイヤ、５……ボール、６
……Al蒸着膜、７……Si素子、８……Agメツキ
層、９……リードフレーム。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体素子上にボールボンデイング法により
接続されるアルミニウム合金ワイヤにおいて、ア
ルミニウムを主成分とし、アルミニウムに対して
実質的に溶解度を有しない貴の第２元素と、アル
ミニウム基地に実質的に固溶する第３元素を含
み、先端に溶融して形成され常温における硬さが
Hv30以上のボールを有することを特徴とする半
導体用高耐食高硬度ボール付アルミニウム合金ワ
イヤ。 ２ 特許請求の範囲第１項において、貴の第２元
素はAu、Ni、Pdの群から選ばれる１種又は２種
以上であり、第３元素はCu、Mg、Ti、Zrの群か
ら選ばれる元素を含有することを特徴とする半導
体用高耐食高硬度ボール付アルミニウム合金ワイ
ヤ。 ３ 特許請求の範囲第１項および第２項におい
て、貴の第２元素は、トータル重量比で0.1〜５
％を含有し、第３元素はトータル重量比で0.3〜
３％を含有することを特徴とする半導体用高耐食
高硬度ボール付アルミニウム合金ワイヤ。 ４ 貴の第２元素と第３元素の含有総量が0.5〜
６重量％であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項〜第３項のいずれかに記載の半導体用高耐
食高硬度ボール付アルミニウム合金ワイヤ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59055709A JPS60198851A (ja) | 1984-03-23 | 1984-03-23 | 半導体用高耐食高硬度ボール付アルミニウム合金ワイヤ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59055709A JPS60198851A (ja) | 1984-03-23 | 1984-03-23 | 半導体用高耐食高硬度ボール付アルミニウム合金ワイヤ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60198851A JPS60198851A (ja) | 1985-10-08 |
| JPH0412621B2 true JPH0412621B2 (ja) | 1992-03-05 |
Family
ID=13006406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59055709A Granted JPS60198851A (ja) | 1984-03-23 | 1984-03-23 | 半導体用高耐食高硬度ボール付アルミニウム合金ワイヤ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60198851A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011089808A1 (en) | 2010-01-20 | 2011-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP5680138B2 (ja) * | 2013-05-15 | 2015-03-04 | 田中電子工業株式会社 | 耐食性アルミニウム合金ボンディングワイヤ |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5812720A (ja) * | 1982-06-16 | 1983-01-24 | Mitsubishi Plastics Ind Ltd | 金属管のライニング方法 |
| JPS5961939A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-09 | Tanaka Denshi Kogyo Kk | 半導体素子のボンデイング用Ａｌ線 |
| JPS6095954A (ja) * | 1983-10-31 | 1985-05-29 | Tanaka Denshi Kogyo Kk | 半導体素子のボンデイング用Ａｌ線 |
| JPS6095955A (ja) * | 1983-10-31 | 1985-05-29 | Tanaka Denshi Kogyo Kk | 半導体素子のボンデイング用Ａｌ線 |
| JPS6095950A (ja) * | 1983-10-31 | 1985-05-29 | Tanaka Denshi Kogyo Kk | 半導体素子のボンデイング用Ａｌ線 |
-
1984
- 1984-03-23 JP JP59055709A patent/JPS60198851A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60198851A (ja) | 1985-10-08 |
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