JPH04127957A - 物品表面の清浄化方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、物品表面の清浄化方法に関し、さらに詳しく
は、プリント配線基板のはんだ付けに使用されるロジン
フラックスの洗浄に特に適した清浄化方法に関する。本
発明方法は、さらにまた、油類、ワックス類、グリース
類、油脂性研磨剤などの汚染物質の洗浄除去にも、有用
である。

従来技術とその問題点 プリント配線基板に対するＩＣ部品およびその他の部品
類の装着は、ハンダ付けによって行なわれており、ハン
ダ付は性の改善のために、フラックスが使用されている
。

フラックスは、ロジン系フラックスと非ロジン系或いは
水溶性フラックスとに大別される。これらの中、ロジン
系フラックスは、電子工業分野でプリント配線基板に対
するＩＣ部品およびその他の部品類の装着に広く使用さ
れている。ハンダ付は後にロジン系フラックスが残存し
ている場合には、配線基板の抵抗が低下して、回路破壊
の原因などとなるので、好ましくない。

従って、ロジンフラックスの洗浄除去は、ｌ。

１．１−トリクロロエタン、トリクロロエチレン、ジク
ロロエタンなどの塩化炭化水素、トリクロロトリフルオ
ロエタン（フロン１１３）、ジクロロテトラフルオロエ
タンなどの塩化フッ化炭化水素、これらの混合物或いは
これらと他の有機溶剤との共沸混合物などを使用して行
なわれてきた。

特に、フロン１１３は、不燃性且つ低毒性で、化学的安
定性にも優れており、金属、プラスチックス、エラスト
マーなとの部品を装着したプリント配線基板を浸食せず
、汚染物質のみを選択的に除去するという優れた性質を
有しているため、広く利用されてきた。

また、水溶性フラックスの洗浄除去には、一部で水も使
用されている。

発明が解決しようとする課題 しかしながら、近年、大気中に放出されたある種の塩化
フッ化炭化水素（フロン）、塩化炭化水素などが、成層
圏のオゾン層を破壊し、その結果、人類を含む地球上の
生態系に重大な悪影響を及ぼすことが指摘されており、
オゾン層破壊の可能性の高い塩化フッ化炭化水素、塩化
炭化水素など使用および生産が制限されるに至っている
。

一方、水による水溶性フラックスの洗浄除去においては
、水の表面張力か大きいために、微細な部分の洗浄が不
十分となったり、洗浄除去後に物品の表面に残留した水
を乾燥する際に“シミ”が残り、電気的なトラブルの原
因となることがしばしばある。また、洗浄除去に使用す
る水の精製処理或いは使用後の廃水処理などに高価な設
備を必要とするので、水によるフラックスの洗浄除去は
、あまり広くは行なわれていない。

テルペンアルコールは、ロジンフラックスの溶剤として
は公知である（特開昭５８−６６３２３号）が、ハンダ
付は後のフラックス洗浄剤としては使用されてはいない
。これは、粘度が高いこと、沸点か２００℃以上である
ことなどから、フラックス洗浄後に、テルペンアルコー
ルか物品表面に残留して、その除去が極めて困難である
などの理由によるものである。例えば、テルペンアルコ
ールは、水に不溶性であるため、水ですすいでその除去
を行なうことは、できない。

課題を解決するための手段 本発明者は、上記の如き技術の現状に鑑みて研究を重ね
た結果、テルペンアルコールによる洗浄と低級アルコー
ルによるすすぎとを併用する場合には、従来技術の問題
点が大幅に軽減乃至実質的に解消されることを見出した
。

すなわち、本発明は、下記の物品表面の清浄化方法を提
供するものである： ■汚染物質が付着した物品にテルペンアルコールを接触
させて汚染物質を溶解除去した後、物品を低級アルコー
ルによりすすぐことを特徴とする物品表面の清浄化方法
。

■低級アルコールが、炭素数１〜４の脂肪族アルコール
である上記項（１）に記載の物品表面の清浄化方法。

本発明で使用するテルペンアルコールとしては、天然お
よび合成のものがあり、より具体的には、下記のものが
例示される。

（ａ）鎖状テルペンアルコール； ＊リナロール（Ｃ１ｏＨ＋ｓＯ）　、沸点−１９７〜１
９９°Ｃ ＊ケラニオール（Ｃ１ｏＨ１８０）、沸点＝２２９〜３
０９Ｃ 本シトロネロール（ＣＩＯＨ２００）　、沸点−２２５
２２６°Ｃ （ｂ）単環式テルペンアルコール； ＊α−テルピネオール（Ｃ１ｏＨ＋ｓＯ）　、沸点＝２
１７〜２１８℃ ＊β−テルピネオール（Ｃ１ｏＨ１８０）、沸点＝２０
９〜２１０°Ｃ ＊γ−テルピネオール（Ｃ１ｏＨ１ａＯ）＊メントール
（Ｃ１ｏＨ１８０）、沸点−２１６℃＊シネオール（Ｃ
１ｏＨ１８０）、沸点＝１７６℃これらのテルペンアル
コールは、単独で若しくは２種以上の混合物として使用
することができる。

また、テルペンアルコールには、その重量の１０％を超
えない範囲で、テルペン炭化水素、有機溶媒、防腐剤、
安定化剤などを添加しても良い。テルペン炭化水素また
は有機溶媒を添加する場合には、粘度低下、凝固点降下
などの効果が達成される。

本発明方法でテルペンアルコールによる洗浄後にすすぎ
液として使用する低級アルコールとしては、下記のもの
が例示される。

＊メタノール（ＣＨ３０Ｈ）　、沸点＝６５℃＊エタノ
−）、Ｌ／（ＣＨ３ＣＨ２０Ｈ）　、沸点＝７８°Ｃ＊
ｎ−プロパツール（ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２０Ｈ）　、沸点
＝９７℃ ＊イソプロパツール［（ＣＨ３）　２　ＣＨＯＨ）コ、
沸点＝８２９Ｃ ＊５ｅｃ−ブタノール［Ｃ２Ｈｓ　ＣＨ（ＯＨ）　ＣＨ
３コ、沸点＝１００°Ｃ ＊ｔｅｒｔ−ブタノール［（ＣＨ３）　３　ＣＯＨ）　
、沸点−８３９Ｃ ＊イソブタノール［（ＣＨ３）　３　Ｃ１（Ｃ８２０Ｈ
］　、沸点工１０８°に れらの低級アルコールは、単独で若しくは２種以上の混
合物として使用することができる。

また、低級アルコールには、その重量の１０％を超えな
い範囲で、水、他の有機溶媒、安定化剤などを添加して
も良い。水または有機溶媒を添加する場合には、すすぎ
性の向上などの効果が達成される。

本発明方法により、各種の汚染物質の洗浄除去を行なう
場合には、まず汚染物質が付着した物品にテルペンアル
コールを接触させる。物品とテルペンアルコールとの接
触は、特に制限されず、物品をテルペンアルコール中に
浸漬する方法、物品にテルペンアルコールをスプレー式
に吹き付ける方法などの任意の手段により、行なうこと
ができる。物品との接触時のテルペンアルコールの温度
は、室温から引火点未満の温度範囲内とすることができ
るが、汚染物質の除去促進のためには、５０〜８０℃程
度に加温することが好ましい。また、浸漬による処理に
際しては、汚染物質の溶解除去を促進するために、超音
波振動、攪拌、ブラッシングなどの機械力の付与などの
手段を併用しても良い。物品とテルペンアルコールとの
接触は、汚染物質が所望の程度まで除去されるに必要な
時間とすれば良い。

次いで、テルペンアルコールとの接触による洗浄を終え
た物品を低級アルコールと接触させて、すすぎを行なう
。物品と低級アルコールとの接触方法も、特に制限され
ず、物品を低級アルコール中に浸漬する方法、物品に低
級アルコールをスプレー式に吹き付ける方法、物品を低
級アルコールの蒸気により洗浄する方法などにより、行
なうことができる。また、すすぎ効果を高めるためには
、同一のすすぎ方法を繰り返し行なったり、異なるすす
ぎ方法を組み合わせて行なっても良い。特に、浸漬方法
または吹き付は方法と蒸気洗浄とを組み合わせる場合に
は、すすぎ効果を高め、乾燥を促進するのみならず、す
すぎ液の再生および再使用が行なえるので、すすぎ液量
の大幅な削減および洗浄工程の著しい簡素化が達成され
、さらに安定した洗浄品質の物品が得られる。すすぎ時
の温度および時間は、汚染物質の種類、汚染の程度、テ
ルペンアルコールによる洗浄の程度、すすぎに使用する
低級アルコールの種類、すすぎ方法などにより異なるが
、通常室温乃至８０℃程度で１５秒乃至３分間程度であ
る。

本発明による清浄化方法は、プリント基板のはんだ付け
に使用されるロジンワックスの除去、接着テープの残留
物の除去などに特に優れた効果を発揮する。本発明の洗
浄剤組成物は、さらに油類、ワックス類、グリース類、
油脂性研磨剤などの各種の他の汚染物質の洗浄除去にも
、優れた効果を発揮する。

発明の効果 本発明方法によれば、下記のような効果が達成される。

（１）使用する洗浄液およびすすぎ液は、塩素原子を含
まないので、環境汚染或いはオゾン層の破壊などのいわ
ゆる環境問題を引起こすことなく、各種物品の洗浄を行
なうことができる。

（２）洗浄工程およびすすぎ工程のいずれにおいても、
水の使用を必須としないので、工程および設備が簡素化
される。すなわち、水の精製処理および使用後の廃水処
理を必要としないので、これらに必要とされる多くの設
備およびその用地、運転費などが不要である。

また、水を使用する場合に必要な熱風乾燥、高周波加熱
などの付着水の乾燥処理工程も不必要となる。

（３）すすぎ処理に使用する低級アルコールは、沸点か
比較的低いので、蒸留による汚染物質の分離除去が容易
であり、再生による繰り返し使用が可能である。したか
って、すすぎ液の使用量か、大幅に削減される。

（４）従来塩化フッ化炭化水素、塩化炭化水素などを使
用していた洗浄設備では、設備の大きな改造を行なうこ
となく、洗浄液をテルペンアルコールに代え、すすぎ液
を低級アルコールに代えるだけで良い。

（５）すすぎ液として使用する低級アルコールは、可燃
性なので、蒸気洗浄を行なう場合には、設備を高価な防
爆構造とする必要があるが、低級アルコールか比較的安
価なので、ランニングコストが低下する。したがって、
全体としては、コスト高とはならない。

（６）テルペンアルコールおよび低級アルコールは、と
もに化学的安定性に優れ、またテルペンアルコールは、
金属、プラスチックス、エラストマーなとの各種材料へ
の影響が少ないので、これらの材料を複合して含む被洗
浄物をそのまま洗浄することかできる。

実施例 以下に実施例および比較例を示し、本発明の特徴とする
ところをより一層明確にする。

実施例１〜２および比較例１〜２ １０ｃｍＸ１０ｃｍのプリント基板にロジン系フラック
ス（商標“ＡＧＦ−２００Ｊ”、アサヒ化学研究所（製
））を噴流塗布し、予備乾燥した後、自動ハンダ付は装
置により２６０℃でハンダ付けを行ない、試験片とした
。

次いで、下記第１表に示す条件下に洗浄剤およびすすぎ
液を使用して、試験片の洗浄およびすすぎを行ない、ロ
ジン系フラックスに対する除去効果を判定した。

部 １表 実施例 比較例 洗浄 （浸漬） ａ−テルピネオール ６０°Ｃ１３０秒 α−テルピネオール ６０℃、３０秒 すすぎ■ エタノール浸漬 ５０℃、３０秒 インプロパツール浸漬 ５０℃、３０秒 α−テルビ不オ〜ル ａ−テルピネオール 浸漬 ６０℃、３０秒 インプロパツール浸漬　　　インプロパツール浸漬超音
波印加　５０℃、３０秒 ５０℃、３０秒 ６０°０１３０秒 すすぎ■ エタノール浸漬 ５０℃、３０秒 インプロパツール 蒸気、３０秒 α−テルピネオール 浸漬 ６０℃、３０秒 なし 洗浄およびすザぎ処理後の試験片の外観およびイオン性
残渣の量を第２表に示す。なお、イオン性残渣の量（μ
ｇ−ＮａＣ１／Ｃｄの当量単位で示す）は、固有抵抗測
定器（商標“オメガメータ、ケンコーインダストリー（
株）製：検出感度＝０．４．ｃｚｇ−Ｎａｃ１／ｃＪ）
により測定した。

第２表 外　観　　　　　イオン性残渣 （μｇ・ＮａＣ１／Ｃｌ１ｌ） 実施例 比較例 表面清浄 表面清浄 未乾燥 白色残渣 ０．４以下 ０．４以下 １゜ ２゜ 第２表に示す結果から、本発明方法の優れたロジン系フ
ラックスの除去効果が明らかである。

実施例３〜４および比較例３〜４ ５ｃｍＸ５ｃｍの１００メツシユ金網にプレス工作油（
商標“ＰＧ−３０８０”、日本工作油（株）製）を塗布
し、試験片とした。

次いで、上記第１表に示す条件下に洗浄剤およびすすぎ
液を使用して、試験片の洗浄およびすすぎを行ない、工
作油に対する除去効果を判定した。

処理後の試験片の外観および脱脂洗浄率を第３表に示す
。脱脂洗浄率は、工作油を塗布した試験片の処理前後の
重合測定に基いて算出した。

第３表 外　観　　　　脱脂洗浄率 （％） 実施例 比較例 表面清浄　　　９９．９９ 表面清浄　　　９９．９９ 未乾燥 表面清浄 ６０゜ ９９゜ 第３表に示す結果から、 本発明方法は、 油汚れ の除去にも優れた効果を発揮することが明らかである。

（以 上）

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）汚染物質が付着した物品にテルペンアルコールを
   接触させて汚染物質を溶解除去した後、物品を低級アル
   コールによりすすぐことを特徴とする物品表面の清浄化
   方法。
2. （２）低級アルコールが、炭素数１〜４の脂肪族アルコ
   ールである請求項（１）に記載の物品表面の清浄化方法
   。