JPH06346096A - フッ素化アルコール系洗浄剤 - Google Patents
フッ素化アルコール系洗浄剤Info
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- JPH06346096A JPH06346096A JP13127693A JP13127693A JPH06346096A JP H06346096 A JPH06346096 A JP H06346096A JP 13127693 A JP13127693 A JP 13127693A JP 13127693 A JP13127693 A JP 13127693A JP H06346096 A JPH06346096 A JP H06346096A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning
- hexafluoropropan
- trifluoromethyl
- cleaning agent
- substrate
- Prior art date
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/50—Solvents
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 不燃性で、消費エネルギーが少なく、かつ、
洗浄能力が高く、特に蒸気洗浄乾燥法に適用した場合、
洗浄乾燥時間を短縮でき、しかも、オゾン層破壊や地球
温暖化などの地球環境に与える影響が極めて小さい洗浄
剤を提供する。 【構成】 １，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプ
ロパン−２−オール、１，１，１，３，３，４，４，４
−オクタフルオロブタン−２−オール、２−トリフルオ
ロメチル−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプ
ロパン−２−オール又は２−トリフルオロメチル−１，
１，１−トリフルオロプロパン−２−オールの少なくと
もいずれか１種を使用するフッ素化アルコール系洗浄
剤。
洗浄能力が高く、特に蒸気洗浄乾燥法に適用した場合、
洗浄乾燥時間を短縮でき、しかも、オゾン層破壊や地球
温暖化などの地球環境に与える影響が極めて小さい洗浄
剤を提供する。 【構成】 １，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプ
ロパン−２−オール、１，１，１，３，３，４，４，４
−オクタフルオロブタン−２−オール、２−トリフルオ
ロメチル−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプ
ロパン−２−オール又は２−トリフルオロメチル−１，
１，１−トリフルオロプロパン−２−オールの少なくと
もいずれか１種を使用するフッ素化アルコール系洗浄
剤。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は洗浄剤に関し、特に、半
導体製造工程で使用される基板等の洗浄に有効な洗浄剤
に関する。
導体製造工程で使用される基板等の洗浄に有効な洗浄剤
に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣやＬＳＩ等の半導体の製造に用いら
れるウエハー等の基板、フォトリソグラフィー工程で使
用されるマスクやレチクル及びその前駆体としての石英
基板等の基板、ペリクルを製造する際に使用されるガラ
ス基板、さらには、光ディスクの製造に用いるスタンパ
ーの製造に使用される基板等は、その性質上極めてきれ
いに洗浄されている必要がある。
れるウエハー等の基板、フォトリソグラフィー工程で使
用されるマスクやレチクル及びその前駆体としての石英
基板等の基板、ペリクルを製造する際に使用されるガラ
ス基板、さらには、光ディスクの製造に用いるスタンパ
ーの製造に使用される基板等は、その性質上極めてきれ
いに洗浄されている必要がある。
【０００３】このような基板の洗浄方法としては、従
来、超音波洗浄、ブラシ等によるこすり洗い又は硫酸−
過酸化水素水，水酸化アンモニウム−過酸化水素水等に
よる酸化洗浄等で大部分の汚れを除去した後、イソプロ
パノール、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロパ
ノール又はフロン等の洗浄溶媒蒸気中に基板を置き、基
板表面で蒸気を凝縮させて表面を洗い流し、基板の温度
が蒸気温度と等しくなった時点で乾燥状態となる蒸気洗
浄乾燥法が広く用いられている。
来、超音波洗浄、ブラシ等によるこすり洗い又は硫酸−
過酸化水素水，水酸化アンモニウム−過酸化水素水等に
よる酸化洗浄等で大部分の汚れを除去した後、イソプロ
パノール、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロパ
ノール又はフロン等の洗浄溶媒蒸気中に基板を置き、基
板表面で蒸気を凝縮させて表面を洗い流し、基板の温度
が蒸気温度と等しくなった時点で乾燥状態となる蒸気洗
浄乾燥法が広く用いられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
洗浄乾燥法でイソプロパノールを用いた場合、イソプロ
パノールは可燃性であるため、洗浄工程中に火災，爆発
等の事故が発生しやすいという問題点がある。また、イ
ソプロパノール及び２，２，３，３，３−ペンタフルオ
ロプロパノールはその沸点が高く、エネルギー効率が悪
いという欠点がある。さらに、従来使用されてきたクロ
ロフルオロカーボンは大気中に放出された場合に、成層
圏のオゾン層を破壊し、その結果地球上の生態系に悪影
響を及ぼすことが指摘され、従来のこれらのフロンは生
産及び使用規制が実施されている。
洗浄乾燥法でイソプロパノールを用いた場合、イソプロ
パノールは可燃性であるため、洗浄工程中に火災，爆発
等の事故が発生しやすいという問題点がある。また、イ
ソプロパノール及び２，２，３，３，３−ペンタフルオ
ロプロパノールはその沸点が高く、エネルギー効率が悪
いという欠点がある。さらに、従来使用されてきたクロ
ロフルオロカーボンは大気中に放出された場合に、成層
圏のオゾン層を破壊し、その結果地球上の生態系に悪影
響を及ぼすことが指摘され、従来のこれらのフロンは生
産及び使用規制が実施されている。
【０００５】本発明は、以上の問題点に鑑みてなされた
ものであり、その目的は、火災や爆発等の事故を防止
し、消費エネルギーが少なく、しかも、地球上の生態系
に悪影響を及ぼさないような洗浄剤を提供することにあ
る。
ものであり、その目的は、火災や爆発等の事故を防止
し、消費エネルギーが少なく、しかも、地球上の生態系
に悪影響を及ぼさないような洗浄剤を提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記の如
き技術の現状に鑑み検討を重ねた結果、１，１，１，
３，３，３−ヘキサフルオロプロパン−２−オール、
１，１，１，３，３，４，４，４−オクタフルオロブタ
ン−２−オール、２−トリフルオロメチル−１，１，
１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン−２−オー
ル、２−トリフルオロメチル−１，１，１−トリフルオ
ロプロパン−２−オールが、不燃性で、かつ塩素原子を
含まないためオゾン層を破壊せず、大気寿命が短いため
地球温暖化への寄与を小さくすることができ、さらに、
低沸点であることから消費エネルギーの少ない極めて優
れた洗浄剤となることを見いだし、本発明を完成するに
至ったものである。
き技術の現状に鑑み検討を重ねた結果、１，１，１，
３，３，３−ヘキサフルオロプロパン−２−オール、
１，１，１，３，３，４，４，４−オクタフルオロブタ
ン−２−オール、２−トリフルオロメチル−１，１，
１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン−２−オー
ル、２−トリフルオロメチル−１，１，１−トリフルオ
ロプロパン−２−オールが、不燃性で、かつ塩素原子を
含まないためオゾン層を破壊せず、大気寿命が短いため
地球温暖化への寄与を小さくすることができ、さらに、
低沸点であることから消費エネルギーの少ない極めて優
れた洗浄剤となることを見いだし、本発明を完成するに
至ったものである。
【０００７】すなわち、本発明は、１，１，１，３，
３，３−ヘキサフルオロプロパン−２−オール、１，
１，１，３，３，４，４，４−オクタフルオロブタン−
２−オール、２−トリフルオロメチル−１，１，１，
３，３，３−ヘキサフルオロプロパン−２−オール又は
２−トリフルオロメチル−１，１，１−トリフルオロプ
ロパン−２−オールの少なくともいずれか１種を使用す
ることを特徴とするフッ素化アルコール系洗浄剤であ
る。
３，３−ヘキサフルオロプロパン−２−オール、１，
１，１，３，３，４，４，４−オクタフルオロブタン−
２−オール、２−トリフルオロメチル−１，１，１，
３，３，３−ヘキサフルオロプロパン−２−オール又は
２−トリフルオロメチル−１，１，１−トリフルオロプ
ロパン−２−オールの少なくともいずれか１種を使用す
ることを特徴とするフッ素化アルコール系洗浄剤であ
る。
【０００８】以下、本発明をさらに詳細に説明する。本
発明の洗浄剤として使用する１，１，１，３，３，３−
ヘキサフルオロプロパン−２−オール［分子式：ＣＦ3
ＣＨ（ＯＨ）ＣＦ3 ］、１，１，１，３，３，４，４，
４−オクタフルオロブタン−２−オール［分子式：ＣＦ
3 ＣＨ（ＯＨ）ＣＦ2 ＣＦ3 ］、２−トリフルオロメチ
ル−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン
−２−オール［分子式：（ＣＦ3 ）3 ＣＯＨ］、２−ト
リフルオロメチル−１，１，１−トリフルオロプロパン
−２−オール［分子式：（ＣＦ3 ）2 （ＣＨ3 ）ＣＯ
Ｈ］は、それぞれ表１に示す物性値を有し、いずれも不
燃性であり、洗浄乾燥工程での火災、爆発等の危険がな
い。
発明の洗浄剤として使用する１，１，１，３，３，３−
ヘキサフルオロプロパン−２−オール［分子式：ＣＦ3
ＣＨ（ＯＨ）ＣＦ3 ］、１，１，１，３，３，４，４，
４−オクタフルオロブタン−２−オール［分子式：ＣＦ
3 ＣＨ（ＯＨ）ＣＦ2 ＣＦ3 ］、２−トリフルオロメチ
ル−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン
−２−オール［分子式：（ＣＦ3 ）3 ＣＯＨ］、２−ト
リフルオロメチル−１，１，１−トリフルオロプロパン
−２−オール［分子式：（ＣＦ3 ）2 （ＣＨ3 ）ＣＯ
Ｈ］は、それぞれ表１に示す物性値を有し、いずれも不
燃性であり、洗浄乾燥工程での火災、爆発等の危険がな
い。
【０００９】
【表１】
【００１０】なお、比較のためフロン１１３［ＣＦＣ−
１１３］、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロパ
ノール［分子式：ＣＦ3 ＣＦ2 ＣＨ2 ＯＨ］及びイソプ
ロパノールの対応する物性値を表１にあわせて示す。
１１３］、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロパ
ノール［分子式：ＣＦ3 ＣＦ2 ＣＨ2 ＯＨ］及びイソプ
ロパノールの対応する物性値を表１にあわせて示す。
【００１１】本発明の洗浄剤として使用する１，１，
１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン−２−オー
ル、１，１，１，３，３，４，４，４−オクタフルオロ
ブタン−２−オール、２−トリフルオロメチル−１，
１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン−２−オ
ール、２−トリフルオロメチル−１，１，１−トリフル
オロプロパン−２−オールは、それぞれ単独で使用して
も又はこれらの混合物として使用してもよい。混合して
使用する際の混合比は、混合する物質によっても異なり
特に限定するものではないが、製造法に起因する経済性
を考慮して混合することが好ましく、例えば、２種類の
混合物の場合には１：５〜５：１があげられる。なお、
回収再利用等の経済性の面からは、単独で用いることが
特に好ましい。
１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン−２−オー
ル、１，１，１，３，３，４，４，４−オクタフルオロ
ブタン−２−オール、２−トリフルオロメチル−１，
１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン−２−オ
ール、２−トリフルオロメチル−１，１，１−トリフル
オロプロパン−２−オールは、それぞれ単独で使用して
も又はこれらの混合物として使用してもよい。混合して
使用する際の混合比は、混合する物質によっても異なり
特に限定するものではないが、製造法に起因する経済性
を考慮して混合することが好ましく、例えば、２種類の
混合物の場合には１：５〜５：１があげられる。なお、
回収再利用等の経済性の面からは、単独で用いることが
特に好ましい。
【００１２】本発明の洗浄剤の洗浄対象となる被洗浄物
としては、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプ
ロパン−２−オール、１，１，１，３，３，４，４，４
−オクタフルオロブタン−２−オール、２−トリフルオ
ロメチル−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプ
ロパン−２−オール、２−トリフルオロメチル−１，
１，１−トリフルオロプロパン−２−オールに対して安
定なものからなるものであれば特に限定するものではな
いが、特に基板の洗浄に適している。基板としては、例
えば、ガラス、石英又はこれらの表面にクロム等を蒸着
させて被膜を形成したもの、樹脂又はこれらの上に回路
パターン等を有しているもの等をあげることができる。
このような被洗浄物としては具体的には、半導体の製造
に用いられるウエハー等の基板、フォトリソグラフィー
工程で使用されるマスクやレチクル及びその前駆体とし
ての石英基板、ペリクルを製造する際に使用されるガラ
ス基板並びに光ディスクの製造に用いるスタンパーの製
造に使用される基板等をあげることができる。
としては、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプ
ロパン−２−オール、１，１，１，３，３，４，４，４
−オクタフルオロブタン−２−オール、２−トリフルオ
ロメチル−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプ
ロパン−２−オール、２−トリフルオロメチル−１，
１，１−トリフルオロプロパン−２−オールに対して安
定なものからなるものであれば特に限定するものではな
いが、特に基板の洗浄に適している。基板としては、例
えば、ガラス、石英又はこれらの表面にクロム等を蒸着
させて被膜を形成したもの、樹脂又はこれらの上に回路
パターン等を有しているもの等をあげることができる。
このような被洗浄物としては具体的には、半導体の製造
に用いられるウエハー等の基板、フォトリソグラフィー
工程で使用されるマスクやレチクル及びその前駆体とし
ての石英基板、ペリクルを製造する際に使用されるガラ
ス基板並びに光ディスクの製造に用いるスタンパーの製
造に使用される基板等をあげることができる。
【００１３】本発明の洗浄剤による洗浄方法は特に限定
するものではなく、洗浄剤中に被洗浄物を浸漬したり、
被洗浄物に洗浄剤をスプレーしたりする方法などによる
こともできるが、特に蒸気洗浄が好ましい。蒸気洗浄法
は洗浄剤の蒸気中に被洗浄物を入れて被洗浄物表面を洗
浄した後乾燥させる。
するものではなく、洗浄剤中に被洗浄物を浸漬したり、
被洗浄物に洗浄剤をスプレーしたりする方法などによる
こともできるが、特に蒸気洗浄が好ましい。蒸気洗浄法
は洗浄剤の蒸気中に被洗浄物を入れて被洗浄物表面を洗
浄した後乾燥させる。
【００１４】その具体的な方法としては、従来法と同様
に、洗剤水溶液や超純水中に被洗浄物を浸して超音波振
動で被洗浄物に付着している異物を除去する方法、洗剤
水溶液や超純水を用いてＰＶＡ発泡体等のブラシでこす
り洗いする方法又は硫酸−過酸化水素水，水酸化アンモ
ニウム−過酸化水素水等の溶液中に被洗浄物を浸して酸
化反応で有機物を除去する方法等の前処理法により大部
分の汚れを除去した後、本発明の１，１，１，３，３，
３−ヘキサフルオロプロパン−２−オール、１，１，
１，３，３，４，４，４−オクタフルオロブタン−２−
オール、２−トリフルオロメチル−１，１，１，３，
３，３−ヘキサフルオロプロパン−２−オール、２−ト
リフルオロメチル−１，１，１−トリフルオロプロパン
−２−オールの少なくともいずれか１種で表されるフッ
素化アルコールからなる洗浄剤の蒸気中に被洗浄物を置
き被洗浄物表面で蒸気を凝縮させて被洗浄物表面を洗い
流し、被洗浄物の温度が蒸気の温度と等しくなった時点
で乾燥状態となり、洗浄乾燥を終わる。このような方法
を採用した場合、洗浄乾燥された基板表面には洗浄剤は
残留しない。また、洗浄後の乾燥にかかる時間も短く、
短時間で乾燥することができる。
に、洗剤水溶液や超純水中に被洗浄物を浸して超音波振
動で被洗浄物に付着している異物を除去する方法、洗剤
水溶液や超純水を用いてＰＶＡ発泡体等のブラシでこす
り洗いする方法又は硫酸−過酸化水素水，水酸化アンモ
ニウム−過酸化水素水等の溶液中に被洗浄物を浸して酸
化反応で有機物を除去する方法等の前処理法により大部
分の汚れを除去した後、本発明の１，１，１，３，３，
３−ヘキサフルオロプロパン−２−オール、１，１，
１，３，３，４，４，４−オクタフルオロブタン−２−
オール、２−トリフルオロメチル−１，１，１，３，
３，３−ヘキサフルオロプロパン−２−オール、２−ト
リフルオロメチル−１，１，１−トリフルオロプロパン
−２−オールの少なくともいずれか１種で表されるフッ
素化アルコールからなる洗浄剤の蒸気中に被洗浄物を置
き被洗浄物表面で蒸気を凝縮させて被洗浄物表面を洗い
流し、被洗浄物の温度が蒸気の温度と等しくなった時点
で乾燥状態となり、洗浄乾燥を終わる。このような方法
を採用した場合、洗浄乾燥された基板表面には洗浄剤は
残留しない。また、洗浄後の乾燥にかかる時間も短く、
短時間で乾燥することができる。
【００１５】
【実施例】以下、実施例を用いて本発明を説明するが、
本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００１６】（実施例１〜４）レチクル用のガラス基板
について硫酸洗浄（１２０℃、５分）を行い、水洗（３
分）した後、さらに超音波洗浄（３分）を行った。この
予備洗浄の後、洗浄剤として表１に示す１，１，１，
３，３，３−ヘキサフルオロプロパン−２−オール（実
施例１）、１，１，１，３，３，４，４，４−オクタフ
ルオロブタン−２−オール（実施例２）、２−トリフル
オロメチル−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ
プロパン−２−オール（実施例３）、２−トリフルオロ
メチル−１，１，１−トリフルオロプロパン−２−オー
ル（実４例４）を用いて、蒸気乾燥法により基板の洗浄
乾燥を行い目視により観察した。その結果を表２に示
す。
について硫酸洗浄（１２０℃、５分）を行い、水洗（３
分）した後、さらに超音波洗浄（３分）を行った。この
予備洗浄の後、洗浄剤として表１に示す１，１，１，
３，３，３−ヘキサフルオロプロパン−２−オール（実
施例１）、１，１，１，３，３，４，４，４−オクタフ
ルオロブタン−２−オール（実施例２）、２−トリフル
オロメチル−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ
プロパン−２−オール（実施例３）、２−トリフルオロ
メチル−１，１，１−トリフルオロプロパン−２−オー
ル（実４例４）を用いて、蒸気乾燥法により基板の洗浄
乾燥を行い目視により観察した。その結果を表２に示
す。
【００１７】（実施例５）洗浄剤として１，１，１，
３，３，４，４，４−オクタフルオロブタン−２−オー
ル（６０重量％）と２−トリフルオロメチル−１，１，
１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン−２−オール
（４０重量％）からなる混合物を用いた以外は実施例１
と同様にして行った。その結果を表２にあわせて示す。
３，３，４，４，４−オクタフルオロブタン−２−オー
ル（６０重量％）と２−トリフルオロメチル−１，１，
１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン−２−オール
（４０重量％）からなる混合物を用いた以外は実施例１
と同様にして行った。その結果を表２にあわせて示す。
【００１８】（実施例６）洗浄剤として１，１，１，
３，３，３−ヘキサフルオロプロパン−２−オール（７
０重量％）と２−トリフルオロメチル−１，１，１，
３，３，３−ヘキサフルオロプロパン−２−オール（３
０重量％）からなる混合物を用いた以外は実施例１と同
様にして行った。その結果を表２にあわせて示す。
３，３，３−ヘキサフルオロプロパン−２−オール（７
０重量％）と２−トリフルオロメチル−１，１，１，
３，３，３−ヘキサフルオロプロパン−２−オール（３
０重量％）からなる混合物を用いた以外は実施例１と同
様にして行った。その結果を表２にあわせて示す。
【００１９】（参考例）洗浄剤としてイソプロパノール
を用いた以外は実施例１と同様にして行った。その結果
を表２にあわせて示す。但し、このイソプロパノールは
可燃性であるため、火災，爆発等の危険性がある。
を用いた以外は実施例１と同様にして行った。その結果
を表２にあわせて示す。但し、このイソプロパノールは
可燃性であるため、火災，爆発等の危険性がある。
【００２０】（比較例）洗浄剤として２，２，３，３，
３−ペンタフルオロプロパノールを用いた以外は実施例
１と同様にして行った。その結果を表２にあわせて示
す。
３−ペンタフルオロプロパノールを用いた以外は実施例
１と同様にして行った。その結果を表２にあわせて示
す。
【００２１】
【表２】
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば不
燃性のフッ素化アルコールを使用するので、従来の方法
においてイソプロパノールを洗浄溶媒として用いた場合
に問題となる火災や爆発の危険を回避でき、また、２，
２，３，３，３−ペンタフルオロプロパノールよりいず
れも低沸点であることから、消費エネルギーが少なく、
かつ短時間で乾燥することができ、さらに従来の方法と
同等又はそれ以上の洗浄乾燥性で被洗浄物の洗浄乾燥を
行うことができる効果を有するものである。
燃性のフッ素化アルコールを使用するので、従来の方法
においてイソプロパノールを洗浄溶媒として用いた場合
に問題となる火災や爆発の危険を回避でき、また、２，
２，３，３，３−ペンタフルオロプロパノールよりいず
れも低沸点であることから、消費エネルギーが少なく、
かつ短時間で乾燥することができ、さらに従来の方法と
同等又はそれ以上の洗浄乾燥性で被洗浄物の洗浄乾燥を
行うことができる効果を有するものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 000002200 セントラル硝子株式会社 山口県宇部市大字沖宇部5253番地 (71)出願人 000000044 旭硝子株式会社 東京都千代田区丸の内２丁目１番２号 (74)上記４名の代理人 弁理士 箕浦 清 (72)発明者 関屋 章 茨城県つくば市東１丁目１番地 工業技術 院物質工学工業技術研究所内 (72)発明者 高橋 満 東京都文京区本郷２−40−17 本郷若井ビ ル 財団法人地球環境産業技術研究機構内 (72)発明者 後藤 嘉彦 東京都文京区本郷２−40−17 本郷若井ビ ル 財団法人地球環境産業技術研究機構内 (72)発明者 須賀 淳雄 東京都文京区本郷２−40−17 本郷若井ビ ル 財団法人地球環境産業技術研究機構内
Claims (1)
- 【請求項１】 １，１，１，３，３，３−ヘキサフルオ
ロプロパン−２−オール、１，１，１，３，３，４，
４，４−オクタフルオロブタン−２−オール、２−トリ
フルオロメチル−１，１，１，３，３，３−ヘキサフル
オロプロパン−２−オール又は２−トリフルオロメチル
−１，１，１−トリフルオロプロパン−２−オールの少
なくともいずれか１種を使用することを特徴とするフッ
素化アルコール系洗浄剤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13127693A JP2651652B2 (ja) | 1993-05-07 | 1993-05-07 | フッ素化アルコール系洗浄剤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13127693A JP2651652B2 (ja) | 1993-05-07 | 1993-05-07 | フッ素化アルコール系洗浄剤 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06346096A true JPH06346096A (ja) | 1994-12-20 |
| JP2651652B2 JP2651652B2 (ja) | 1997-09-10 |
Family
ID=15054156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13127693A Expired - Lifetime JP2651652B2 (ja) | 1993-05-07 | 1993-05-07 | フッ素化アルコール系洗浄剤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2651652B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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