JPH04129263A - 半導体素子のトリミング方法 - Google Patents
半導体素子のトリミング方法Info
- Publication number
- JPH04129263A JPH04129263A JP2251095A JP25109590A JPH04129263A JP H04129263 A JPH04129263 A JP H04129263A JP 2251095 A JP2251095 A JP 2251095A JP 25109590 A JP25109590 A JP 25109590A JP H04129263 A JPH04129263 A JP H04129263A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thick film
- resistor
- trimming
- laser
- voltage value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ハイブリッドＩＣのレーザートリミング方法
に関するものである。
に関するものである。
第２図は、従来のハイブリッドＩＣのレーザートリミン
グ方法を示す平面図である０図において、１はハイブリ
ッドＩＣの厚膜基板、２は前記厚膜基板１上にボンディ
ングされたＩＣチップ、３は前記厚膜基板１上に形成さ
れたトリミング用の厚膜抵抗である。
グ方法を示す平面図である０図において、１はハイブリ
ッドＩＣの厚膜基板、２は前記厚膜基板１上にボンディ
ングされたＩＣチップ、３は前記厚膜基板１上に形成さ
れたトリミング用の厚膜抵抗である。
次に動作について説明する。始めにハイブリッドＩＣを
動作状態としておき、調整箇所の電圧値をモニターしつ
つ、前記厚膜抵抗３をレーザーにより少しだけ焼き切る
。これにより、厚膜抵抗３の抵抗値が増大し、調整箇所
の電圧値が変化する。
動作状態としておき、調整箇所の電圧値をモニターしつ
つ、前記厚膜抵抗３をレーザーにより少しだけ焼き切る
。これにより、厚膜抵抗３の抵抗値が増大し、調整箇所
の電圧値が変化する。
次にレーザーの熱により、前記厚膜基板１上の前記ＩＣ
チップ２が熱せられ特性に変動が起こるのを防ぐため厚
膜基板１の熱が下がり、ＩＣチップ２の特性の安定する
のを待って再び前記厚膜抵抗３を焼き切る１以上の動作
を繰り返し行い、調整箇所の電圧値が目標値になるとト
リミング終了とする。
チップ２が熱せられ特性に変動が起こるのを防ぐため厚
膜基板１の熱が下がり、ＩＣチップ２の特性の安定する
のを待って再び前記厚膜抵抗３を焼き切る１以上の動作
を繰り返し行い、調整箇所の電圧値が目標値になるとト
リミング終了とする。
従来のレーザートリミング方法では、上記の様に少しト
リミングを行ってから、ハイブリッドＩＣの温度が下が
るのを待って再び少しトリミングを行うという方法をと
るため、非常に時間がかかっていた。
リミングを行ってから、ハイブリッドＩＣの温度が下が
るのを待って再び少しトリミングを行うという方法をと
るため、非常に時間がかかっていた。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、ハイブリッドＩＣの温度が安定ブるまでの
待ち時間を減少させることを目的とする。
れたもので、ハイブリッドＩＣの温度が安定ブるまでの
待ち時間を減少させることを目的とする。
この発明に係るハイブリッドＩＣのレーザートリミング
方法は、同一のトリミング抵抗を２つに分けて厚膜基板
の両端に配置し、交互にレーザートリミングを行うよう
にしたものである。
方法は、同一のトリミング抵抗を２つに分けて厚膜基板
の両端に配置し、交互にレーザートリミングを行うよう
にしたものである。
上記のように構成されたハイブリッドＩＣのレーザート
リミング方法においては、片方の抵抗をトリミングした
後、放熱させている間にもう片方の抵抗を切ることがで
き、従って従来の方法に比べて待ち時間が少なくなり、
短い時間でレーザートリミングが行える。
リミング方法においては、片方の抵抗をトリミングした
後、放熱させている間にもう片方の抵抗を切ることがで
き、従って従来の方法に比べて待ち時間が少なくなり、
短い時間でレーザートリミングが行える。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図は本発明におけるハイブリッドＩＣのレーザートリミ
ング方法を示す平面図であり、３ａ。
図は本発明におけるハイブリッドＩＣのレーザートリミ
ング方法を示す平面図であり、３ａ。
３ｂは厚膜基板１上の両端部に形成された２個分割のト
リミング用の厚膜抵抗である。
リミング用の厚膜抵抗である。
尚、従来例と同一部分については同一符号で表し説明を
省略する。
省略する。
次に動作について説明する。始めにハイブリッドＩＣを
動作状態としておき、調整箇所の電圧値をモニターしつ
つ、一方の厚膜抵抗３ａをレーザーにより少しだけ焼き
切る。これにより、厚膜抵抗３ａの抵抗値が増大し、調
Ｍｍ所の電圧値が変化する。このときレーザーの熱によ
り、厚膜基板１が熱せられるが、厚膜抵抗３ａ付近の放
熱を行っている間に、今度は他方の厚膜抵抗３ｂをレー
ザーにより少しだけ焼き切る。これより、厚膜抵抗３ｂ
の抵抗値が増大し、調整箇所の電圧値がさらに変化する
。また、厚膜抵抗３ｂ付近の放熱を行っている間に、次
は厚膜抵抗３ａをレーザーにより少しだけ焼き切る。上
記の動作を交互に繰り返し行うことにより、調整箇所の
電圧値が目標値になるとトリミング終了とする。
動作状態としておき、調整箇所の電圧値をモニターしつ
つ、一方の厚膜抵抗３ａをレーザーにより少しだけ焼き
切る。これにより、厚膜抵抗３ａの抵抗値が増大し、調
Ｍｍ所の電圧値が変化する。このときレーザーの熱によ
り、厚膜基板１が熱せられるが、厚膜抵抗３ａ付近の放
熱を行っている間に、今度は他方の厚膜抵抗３ｂをレー
ザーにより少しだけ焼き切る。これより、厚膜抵抗３ｂ
の抵抗値が増大し、調整箇所の電圧値がさらに変化する
。また、厚膜抵抗３ｂ付近の放熱を行っている間に、次
は厚膜抵抗３ａをレーザーにより少しだけ焼き切る。上
記の動作を交互に繰り返し行うことにより、調整箇所の
電圧値が目標値になるとトリミング終了とする。
以上のようにこの発明によれば、トリミング抵抗を２つ
に分け、交互にトリミングするようにしなので、レーザ
ーにより厚膜抵抗を焼き切る間に余分な待ち時間を挿入
しなくても良く、トリミング時間を短縮することができ
る効果がある。
に分け、交互にトリミングするようにしなので、レーザ
ーにより厚膜抵抗を焼き切る間に余分な待ち時間を挿入
しなくても良く、トリミング時間を短縮することができ
る効果がある。
第１図はこの発明の一実施例によるハイブリッドＩＣの
レーザートリミング方法を示す平面図、第２図は従来の
ハイブリッドのレーザートリミング方法を示す平面図で
ある。 図中、１は厚膜基板、２はＩＣ５３ａ、３ｂは厚膜抵抗
である。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
レーザートリミング方法を示す平面図、第２図は従来の
ハイブリッドのレーザートリミング方法を示す平面図で
ある。 図中、１は厚膜基板、２はＩＣ５３ａ、３ｂは厚膜抵抗
である。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- ハイブリッドＩＣをレーザートリミングする方法にお
いて、トリミングを行う厚膜抵抗を２つにわけて厚膜基
板上に焼き付け、この２つの抵抗を交互にカットするこ
とを特徴とする半導体素子のトリミング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2251095A JPH04129263A (ja) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | 半導体素子のトリミング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2251095A JPH04129263A (ja) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | 半導体素子のトリミング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04129263A true JPH04129263A (ja) | 1992-04-30 |
Family
ID=17217573
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2251095A Pending JPH04129263A (ja) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | 半導体素子のトリミング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04129263A (ja) |
-
1990
- 1990-09-19 JP JP2251095A patent/JPH04129263A/ja active Pending
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