JPH04137407A - 導電性酸化物 - Google Patents
導電性酸化物Info
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- JPH04137407A JPH04137407A JP2259417A JP25941790A JPH04137407A JP H04137407 A JPH04137407 A JP H04137407A JP 2259417 A JP2259417 A JP 2259417A JP 25941790 A JP25941790 A JP 25941790A JP H04137407 A JPH04137407 A JP H04137407A
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- Japan
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- powder
- element selected
- conductive oxide
- type
- perovskite structure
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【発明の目的コ
（産業上の利用分野）
本発明は、バナジウムを含有する導電性酸化物に関する
。
。
（従来の技術）
近年、銅を含むペロブスカイト構造の酸化物が、高い臨
界温度を示す超電導体となることが分って以来、各所で
銅を含む酸化物超電導体の研究が活発に行われている。
界温度を示す超電導体となることが分って以来、各所で
銅を含む酸化物超電導体の研究が活発に行われている。
このような銅を含む酸化物か高い臨界温度を示す理由に
ついては、まだ完全には明らかにはされていないが、銅
と酸素とが形成する２次元面とＣｕ”のもつ大きさ］／
２のスピンとが、超電導機構と密接に関係しているのも
のと推測されている。
ついては、まだ完全には明らかにはされていないが、銅
と酸素とが形成する２次元面とＣｕ”のもつ大きさ］／
２のスピンとが、超電導機構と密接に関係しているのも
のと推測されている。
一方、バナジウムを含む酸化物のうちいくつかのものは
、高い導電性を示すことか知られており、各種電極材料
や配線材料としての応用が期待されていると共に、■４
“もＣｕ２＋と同様に大きさ１／２のスピンをもつため
、上記した銅を含む酸化物が超電導性を示す理由に基づ
くと、バナジウムを含む酸化物も超電導体となる可能性
があることからも実用化が期待されている。
、高い導電性を示すことか知られており、各種電極材料
や配線材料としての応用が期待されていると共に、■４
“もＣｕ２＋と同様に大きさ１／２のスピンをもつため
、上記した銅を含む酸化物が超電導性を示す理由に基づ
くと、バナジウムを含む酸化物も超電導体となる可能性
があることからも実用化が期待されている。
このようなバナジウムを含む酸化物としては、ＶＯ２、
Ｖ２Ｏ３、マグネリ相Ｖｎ Ｏ２，−１（ｎ≧３）等が
、金属−絶縁体転移およびそれに伴う磁気転移を示す典
型的な物質として知られている。しかし、上記した各酸
化バナジウムにおいては、バナジウムと酸素とは２次元
面を形成せず、また超電導性も示さない。
Ｖ２Ｏ３、マグネリ相Ｖｎ Ｏ２，−１（ｎ≧３）等が
、金属−絶縁体転移およびそれに伴う磁気転移を示す典
型的な物質として知られている。しかし、上記した各酸
化バナジウムにおいては、バナジウムと酸素とは２次元
面を形成せず、また超電導性も示さない。
一方、バナジウムと酸素とか２次元面を形成する酸化物
として、Ｓｒｎ＋ｌ Ｖａ ０３ｎ＋Ｉ−Ｊ （式
中、ｎは１または２の数を示す）で表される酸化物が最
近見出だされており、上述したような理由から興味ある
特性を示すことが期待されている。しかし、上記組成の
バナジウムを含む酸化物は、室温における電気抵抗が１
０−２Ω（至）以上あり、このままでは電極材料や配線
材料等としては利用できず、また金属−絶縁体転移や磁
気転移、超電導転移も見出だされていない。
として、Ｓｒｎ＋ｌ Ｖａ ０３ｎ＋Ｉ−Ｊ （式
中、ｎは１または２の数を示す）で表される酸化物が最
近見出だされており、上述したような理由から興味ある
特性を示すことが期待されている。しかし、上記組成の
バナジウムを含む酸化物は、室温における電気抵抗が１
０−２Ω（至）以上あり、このままでは電極材料や配線
材料等としては利用できず、また金属−絶縁体転移や磁
気転移、超電導転移も見出だされていない。
（発明が解決しようとする課題）
バナジウムを含む酸化物は、銅を含む酸化物と比べて軽
量であること等から、応用上非常に有望な材料として期
待されている。特に上記Ｓｒｅ＋ＩＶａ ０３ｔｒ＋
□−６で表される酸化物は、バナジウムと酸素が２次元
面を形成するため、銅を含む酸化物との類推から超電導
になる可能性があり、その応用が期待されているが、こ
の物質の室温における電気伝導度は、上述したように
１００Ω−１国−１以下とあまり高くなく、また金属−
絶縁体転移や磁気転移、超電導転移等も見付かっておら
ず、このままでは実用上有用とは言いがたい。
量であること等から、応用上非常に有望な材料として期
待されている。特に上記Ｓｒｅ＋ＩＶａ ０３ｔｒ＋
□−６で表される酸化物は、バナジウムと酸素が２次元
面を形成するため、銅を含む酸化物との類推から超電導
になる可能性があり、その応用が期待されているが、こ
の物質の室温における電気伝導度は、上述したように
１００Ω−１国−１以下とあまり高くなく、また金属−
絶縁体転移や磁気転移、超電導転移等も見付かっておら
ず、このままでは実用上有用とは言いがたい。
本発明は、このような課題に対処するためになされたも
のであり、バナジウムと酸素との２次元面を有すると共
に、導電性に優れ、かつ超電導を含めた電気・磁気特性
を大幅かつ容易に制御可能としたバナジウムを含む導電
性酸化物を提供することを目的とするものである。
のであり、バナジウムと酸素との２次元面を有すると共
に、導電性に優れ、かつ超電導を含めた電気・磁気特性
を大幅かつ容易に制御可能としたバナジウムを含む導電
性酸化物を提供することを目的とするものである。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
本発明における第１の導電性酸化物は、Ｂ１％ＴＩおよ
びＰｂから選ばれた少なくとも １種の元素と、Ａ２元
素（ＡＥはＢａ、 ＣａおよびＳｒから選ばれた少なく
とも １種の元素を示す）およびＲＥ元素（ＲＥはＬａ
。
びＰｂから選ばれた少なくとも １種の元素と、Ａ２元
素（ＡＥはＢａ、 ＣａおよびＳｒから選ばれた少なく
とも １種の元素を示す）およびＲＥ元素（ＲＥはＬａ
。
Ｃｅｓ Ｐｒ５ＮｄＳ３１％ Ｅｕｓ ｃｄ、 ｒｂ、
Ｄｙｓ ＨｏおよびＥｒから選ばれた少なくとも １
種の元素を示す）と、■とを構成成分とし、層状ペロブ
スカイト構造を有することを特徴とするものである。
Ｄｙｓ ＨｏおよびＥｒから選ばれた少なくとも １
種の元素を示す）と、■とを構成成分とし、層状ペロブ
スカイト構造を有することを特徴とするものである。
また、第２の導電性酸化物は、８４、Ｔｌ、Ｐｂおよび
希土類元素から選ばれた少なくとも １種の元素と、Ａ
２元素（ＡＥはＢａ、 ＣａおよびＳｒから選ばれた少
なくとも １種の元素を示す）およびへ元素（＾は１−
＋５ＮａＳＫ １ＲｂおよびＣｓから選ばれた少なくと
も１種の元素を示す）と、■とを構成成分とし、層状ペ
ロブスカイト構造を有することを特徴とするものである
。
希土類元素から選ばれた少なくとも １種の元素と、Ａ
２元素（ＡＥはＢａ、 ＣａおよびＳｒから選ばれた少
なくとも １種の元素を示す）およびへ元素（＾は１−
＋５ＮａＳＫ １ＲｂおよびＣｓから選ばれた少なくと
も１種の元素を示す）と、■とを構成成分とし、層状ペ
ロブスカイト構造を有することを特徴とするものである
。
さらに、第３の導電性酸化物は、Ｂ１、Ｔｌ、Ｐｂおよ
び希土類元素から選ばれた少なくとも １種の元素と、
Ａ２元素（ＡＥはＢａ、 ＣａおよびＳｒから選ばれた
少なくとも １種の元素を示す）と、■および河元素（
ＭはＴｉｓ Ｃｒ１ＡｌおよびＹから選ばれた少なくと
も １種の元素を示す）とを構成成分とし、層状ペロブ
スカイト構造を有することを特徴とするものである。
び希土類元素から選ばれた少なくとも １種の元素と、
Ａ２元素（ＡＥはＢａ、 ＣａおよびＳｒから選ばれた
少なくとも １種の元素を示す）と、■および河元素（
ＭはＴｉｓ Ｃｒ１ＡｌおよびＹから選ばれた少なくと
も １種の元素を示す）とを構成成分とし、層状ペロブ
スカイト構造を有することを特徴とするものである。
またさらに、第４の導電性酸化物は、ＢＩＳＴｌ。
Ｐｂおよび希土類元素から選ばれた少なくとも １種の
元素と、Ａ２元素（ＡＥはＢａ、 ＣａおよびＳｒから
選ばれた少なくとも １種の元素を示す）と、■と、Ｘ
元素（ＸはＦ、 ＣｌおよびＳから選ばれた少なくとも
１種の元素を示す）とを構成成分とし、層状ペロブス
カイト構造を有することを特徴とするものである。
元素と、Ａ２元素（ＡＥはＢａ、 ＣａおよびＳｒから
選ばれた少なくとも １種の元素を示す）と、■と、Ｘ
元素（ＸはＦ、 ＣｌおよびＳから選ばれた少なくとも
１種の元素を示す）とを構成成分とし、層状ペロブス
カイト構造を有することを特徴とするものである。
本発明の導電性酸化物の具体的な組成例は、以下に示す
通りである。
通りである。
第１の導電性酸化物の具体例としては、化学式０式％（
１） （式中、ＤはＢ１、Ｔｌ、Ｐｂおよび希土類元素から選
ばれた少なくとも １種の元素を示し、ｎは正の整数を
、ａはＯ＜ ａ≦０．５を満足する数を示す。δは酸
素欠損を表し、製造条件等により変動するものである。
１） （式中、ＤはＢ１、Ｔｌ、Ｐｂおよび希土類元素から選
ばれた少なくとも １種の元素を示し、ｎは正の整数を
、ａはＯ＜ ａ≦０．５を満足する数を示す。δは酸
素欠損を表し、製造条件等により変動するものである。
以下同じ）
て実質的に表されるものが挙げられる。上記（１）式お
よびｌ）式におけるａの値が０では効果がなく、０．５
より大きいと半導体となる。
よびｌ）式におけるａの値が０では効果がなく、０．５
より大きいと半導体となる。
第２の導電性酸化物の具体例としては、化学式〇２
（ＡＥＩ−れ） ａｌｌ Ｖｎ ０３ｎや、−５・
・・（ＩＩＩ）Ｄ（＾Ｅ １− Ａｂ ） ａｌｌ
Ｖａ ０３ｎ＋３−６ ・・・（ＩＶ）（式中
、ｂはｏ＜ ｂ≦０．３を満足する数を示す）で実質
的に表されるものが挙げられる。上記（ＩＩＩ）式およ
び（ＴＶ）式における ｂの値が０では効果がなく、０
．３より大きいと半導体となる。
（ＡＥＩ−れ） ａｌｌ Ｖｎ ０３ｎや、−５・
・・（ＩＩＩ）Ｄ（＾Ｅ １− Ａｂ ） ａｌｌ
Ｖａ ０３ｎ＋３−６ ・・・（ＩＶ）（式中
、ｂはｏ＜ ｂ≦０．３を満足する数を示す）で実質
的に表されるものが挙げられる。上記（ＩＩＩ）式およ
び（ＴＶ）式における ｂの値が０では効果がなく、０
．３より大きいと半導体となる。
第３の導電性酸化物の具体例としては、化学式０式％（
） （式中、Ｃは０＜ ｃ≦０．３を満足する数を示す）で
実質的に表されるものが挙げられる。上記（Ｖ）式およ
び（Ｖｌ）式におけるＣの値が０では効果がなく、０．
３より大きいと半導体となる。
） （式中、Ｃは０＜ ｃ≦０．３を満足する数を示す）で
実質的に表されるものが挙げられる。上記（Ｖ）式およ
び（Ｖｌ）式におけるＣの値が０では効果がなく、０．
３より大きいと半導体となる。
第４の導電性酸化物の具体例としては、化学式０式％（
［） （式中、ｄはＯ＜ ｄ≦０．３を満足する数を示す）で
実質的に表されるものが挙げられる。上記（■）式およ
び（■）式におけるｄの値が０では効果がなく、０．３
より大きいと半導体となる。
［） （式中、ｄはＯ＜ ｄ≦０．３を満足する数を示す）で
実質的に表されるものが挙げられる。上記（■）式およ
び（■）式におけるｄの値が０では効果がなく、０．３
より大きいと半導体となる。
上記（１，）弐〜（■）式におけるｎは正の整数を表し
、特に限定されるものではないが、製造上ｎは１．２．
３種度が実用的である。なお、酸素数は使用元素等によ
って変動する。
、特に限定されるものではないが、製造上ｎは１．２．
３種度が実用的である。なお、酸素数は使用元素等によ
って変動する。
また、ａ、 ｂ、 ｃおよびｄで表されるＲＥ、
Ａ。
Ａ。
阿またはＸによる置換量を０からその上限値まで変化さ
せるにつれて、ｎ＝１では室温において反強磁性相関を
もつ半導体的伝導から金属的伝導へと移行し、ｎ＝２．
３では室温において金属的伝導を示し、その伝導度は置
換量の増加と共に急激に増大する。また上記各式におい
て、ｎが１の場合にはに２ ＮＩＦ４構造、ｎが２の
場合にはＳｒ３ Ｔｉ２ ０７構造というように、それ
ぞれ層状ペロブスカイト構造をとるものである。
せるにつれて、ｎ＝１では室温において反強磁性相関を
もつ半導体的伝導から金属的伝導へと移行し、ｎ＝２．
３では室温において金属的伝導を示し、その伝導度は置
換量の増加と共に急激に増大する。また上記各式におい
て、ｎが１の場合にはに２ ＮＩＦ４構造、ｎが２の
場合にはＳｒ３ Ｔｉ２ ０７構造というように、それ
ぞれ層状ペロブスカイト構造をとるものである。
また、ａＳｂ、 ｃおよびｄで表されるＲＥ、 Ａ
。
。
ＮまたはＸによる置換量は、それぞれ上記範囲内であれ
ば本発明の効果が得られるが、例えば（１）式および（
ｎ）式においてはａを０．０５〜０．３の範囲、（ＩＩ
Ｉ）式および（ＩＶ）式においてはｂを０．０５〜０．
２の範囲、（Ｖ）式および（Ｖｌ）式においてはＣを０
．０３〜０．１の範囲、（■）式および（■）式におい
てはｄを０．０２〜１．０の範囲とすることによって、
超電導性を付与することができる。
ば本発明の効果が得られるが、例えば（１）式および（
ｎ）式においてはａを０．０５〜０．３の範囲、（ＩＩ
Ｉ）式および（ＩＶ）式においてはｂを０．０５〜０．
２の範囲、（Ｖ）式および（Ｖｌ）式においてはＣを０
．０３〜０．１の範囲、（■）式および（■）式におい
てはｄを０．０２〜１．０の範囲とすることによって、
超電導性を付与することができる。
本発明の導電性酸化物は、例えば以下に示す製造方法に
より得ることかできる。
より得ることかできる。
まず、Ｂ１、Ｓｒ、 Ｖ 、 Ｌａ、 Ｒｂ、 Ｔｉ、
Ｃｒ、 Ｐ等の目的とする導電性酸化物の構成元素
を、所定のモル比で十分に混合して原料組成物を調整す
る。混合の際にはＢｉ２Ｏ３，５ｒＣＯｑ 、Ｌａ２０
３ 、Ｒｂ２Ｃ０１、Ｖ２Ｏ３、Ｔｉ２Ｏ３等の酸化物
や炭酸塩等を出発原料として用いることができる。また
Ｘ元素を使用する際には、ＳｒＦ ２のような酸化物の
構成金属元素のＸ化物を用いることができる。上述した
ような各出発原料は、基本的には上記各式のいずれかの
原子比を満足するように混合するが、製造条件等との関
係で１０％程度ずれていても差支えない。
Ｃｒ、 Ｐ等の目的とする導電性酸化物の構成元素
を、所定のモル比で十分に混合して原料組成物を調整す
る。混合の際にはＢｉ２Ｏ３，５ｒＣＯｑ 、Ｌａ２０
３ 、Ｒｂ２Ｃ０１、Ｖ２Ｏ３、Ｔｉ２Ｏ３等の酸化物
や炭酸塩等を出発原料として用いることができる。また
Ｘ元素を使用する際には、ＳｒＦ ２のような酸化物の
構成金属元素のＸ化物を用いることができる。上述した
ような各出発原料は、基本的には上記各式のいずれかの
原子比を満足するように混合するが、製造条件等との関
係で１０％程度ずれていても差支えない。
次いで、上記原料組成物に対して、不活性ガス雰囲気中
や還元性雰囲気中にて８００℃〜１６００℃、好ましく
は８００℃〜１２００℃程度の温度で熱処理を施し、目
的とする酸化物を合成する。
や還元性雰囲気中にて８００℃〜１６００℃、好ましく
は８００℃〜１２００℃程度の温度で熱処理を施し、目
的とする酸化物を合成する。
また、導電性酸化物の均一化のために、上記熱処理によ
って合成した試料の粉砕と、還元性雰囲気中における
９（ｌ［１℃〜１２Ｑｏ℃テノＩｏ〜２ｏｏ時間の熱処
理とを繰返し行ってもよい。
って合成した試料の粉砕と、還元性雰囲気中における
９（ｌ［１℃〜１２Ｑｏ℃テノＩｏ〜２ｏｏ時間の熱処
理とを繰返し行ってもよい。
（作 用）
本発明の導電性酸化物においては、Ａ２元素の一部を上
記ＲＥ元素や上記へ元素で置換することにより、さらに
はＯの一部を上記Ｘ元素で置換することにより、電子ド
ープもしくはホールドープを行っている。また、Ｖの一
部を上記Ｎ元素で置換することにより、金属的導電性を
付与している。
記ＲＥ元素や上記へ元素で置換することにより、さらに
はＯの一部を上記Ｘ元素で置換することにより、電子ド
ープもしくはホールドープを行っている。また、Ｖの一
部を上記Ｎ元素で置換することにより、金属的導電性を
付与している。
Ｖの酸化物におけるＣｒ等の添加は、Ｖ２Ｏ３における
金属−絶縁体転移にも見られるように、系の電子構造を
変化させることが知られている。これらにより、系のキ
ャリア濃度が増加し、導電性の向上が図れる。さらには
超電導性を付与することが可能となる。これは、Ｓ ｒ
ａ＋＋ Ｖｎ Ｏ３ｎ＋１−ａで表される酸化物で
は、バナジウムの価数は＋４と考えられ、この時バナジ
ウムは大きさ１／２のスピンをもち、このスピンの寄与
により、ｎが１の際に反強磁性が観測されていることか
らも推測される。
金属−絶縁体転移にも見られるように、系の電子構造を
変化させることが知られている。これらにより、系のキ
ャリア濃度が増加し、導電性の向上が図れる。さらには
超電導性を付与することが可能となる。これは、Ｓ ｒ
ａ＋＋ Ｖｎ Ｏ３ｎ＋１−ａで表される酸化物で
は、バナジウムの価数は＋４と考えられ、この時バナジ
ウムは大きさ１／２のスピンをもち、このスピンの寄与
により、ｎが１の際に反強磁性が観測されていることか
らも推測される。
（実施例）
以下、本発明の実施例について説明する。
実施例ｌ
Ｂｉ２Ｏ３粉末、ＳｒＣＯ３粉末、Ｌａ２Ｏ３粉末およ
びＶ２Ｏ３粉末を、原子比でＢｉ：Ｓｒ：Ｌａ：Ｖ＝２
：１．８二〇、２：ｌとなるように所定量計量し、充分
に混合した後、この混合粉に水素気流中にて１１００℃
×２４時間の条件で熱処理を施し、Ｂｉｚ Ｓｒ＋、ｓ
Ｌａｏ２Ｖ０８−６で表される試料を合成した。
びＶ２Ｏ３粉末を、原子比でＢｉ：Ｓｒ：Ｌａ：Ｖ＝２
：１．８二〇、２：ｌとなるように所定量計量し、充分
に混合した後、この混合粉に水素気流中にて１１００℃
×２４時間の条件で熱処理を施し、Ｂｉｚ Ｓｒ＋、ｓ
Ｌａｏ２Ｖ０８−６で表される試料を合成した。
このようにして得た上記試料の電気抵抗および磁化率の
測定を行った。電気抵抗は、室温で１０−４Ω（１）で
、温度の低下と共に減少し、低温で急激に減少して約１
２にで消失した。また、磁化率測定では、低温で反磁性
を示した。
測定を行った。電気抵抗は、室温で１０−４Ω（１）で
、温度の低下と共に減少し、低温で急激に減少して約１
２にで消失した。また、磁化率測定では、低温で反磁性
を示した。
実施例２
Ｂｉ２０３粉末、５ｒＣ０３粉末、Ｌａ２Ｏ３粉末およ
びＶｚＯ３粉末を、原子比でＢｊ：Ｓｒ：Ｌａ：Ｖ−２
：２．７：０．３：２となるように所定量計量し、充分
に混合した後、この混合粉に水素気流中にて１１００℃
×２４時間の条件で熱処理を施し、Ｂｊ２Ｓｒ２．７Ｌ
ａｏ、ｉ Ｖ２Ｏｌｌ−１で表される試料を合成した
。
びＶｚＯ３粉末を、原子比でＢｊ：Ｓｒ：Ｌａ：Ｖ−２
：２．７：０．３：２となるように所定量計量し、充分
に混合した後、この混合粉に水素気流中にて１１００℃
×２４時間の条件で熱処理を施し、Ｂｊ２Ｓｒ２．７Ｌ
ａｏ、ｉ Ｖ２Ｏｌｌ−１で表される試料を合成した
。
この試料についても実施例１と同様な測定を行ったとこ
ろ、電気抵抗は２Ｘ ｔｏ−’Ωｃｍ（室温）を示し、
低温で急激に減少して約８にで消失した。磁化率も同様
に低温で負の値を示した。
ろ、電気抵抗は２Ｘ ｔｏ−’Ωｃｍ（室温）を示し、
低温で急激に減少して約８にで消失した。磁化率も同様
に低温で負の値を示した。
実施例３
Ｂｉ２０３粉末、ＳｒＣＯ３粉末、Ｖ２Ｏ３粉末および
Ｃｒ２Ｏ、粉末を、原子比テＢｉ：Ｓｒ：ｖ：Ｃｒ−２
＋２：０．９５：０．０５となるように所定量計量し、
充分に混合した後、この混合粉に水素気流中にて１１５
０”Ｃｘ２４時間の条件で熱処理を施し、Ｂｉ２５ｒ２
Ｖ。、。
Ｃｒ２Ｏ、粉末を、原子比テＢｉ：Ｓｒ：ｖ：Ｃｒ−２
＋２：０．９５：０．０５となるように所定量計量し、
充分に混合した後、この混合粉に水素気流中にて１１５
０”Ｃｘ２４時間の条件で熱処理を施し、Ｂｉ２５ｒ２
Ｖ。、。
Ｃｒｏ。ｓ ０ｓ−ａで表される試料を合成した。
この試料についても、実施例１と同様な測定を行ったと
ころ、電気抵抗はｉｏ−’Ωａｍ（室温）を示し、低温
で急激に減少して約６にで消失した。磁化率も同様に低
温で負の値を示した。
ころ、電気抵抗はｉｏ−’Ωａｍ（室温）を示し、低温
で急激に減少して約６にで消失した。磁化率も同様に低
温で負の値を示した。
実施例４
Ｂｉ２０３粉末、ＳｒＣＯ３粉末、Ｖ２Ｏ３粉末および
Ｃｒ２Ｏ３粉末を、原子比で旧二Ｓｒ：Ｖ：Ｃｒ−２＋
３：１．９＝０．１となるように所定量計量し、充分に
混合した後、この混合粉に水素気流中にて１２００’Ｃ
Ｘ ２４時間の条件で熱処理を施し、Ｂ１２５ｒ３Ｖ１
．ｅ Ｃｒ。
Ｃｒ２Ｏ３粉末を、原子比で旧二Ｓｒ：Ｖ：Ｃｒ−２＋
３：１．９＝０．１となるように所定量計量し、充分に
混合した後、この混合粉に水素気流中にて１２００’Ｃ
Ｘ ２４時間の条件で熱処理を施し、Ｂ１２５ｒ３Ｖ１
．ｅ Ｃｒ。
０１Ｈ−ａで表される試料を合成した。
この試料についても、実施例１と同様な測定を行ったと
ころ、電気抵抗は２Ｘ １０−’Ωｃｎ＋（室温）を示
し、低温で急激に減少して約１０にで消失した。
ころ、電気抵抗は２Ｘ １０−’Ωｃｎ＋（室温）を示
し、低温で急激に減少して約１０にで消失した。
磁化率も同様に低温で負の値を示した。
実施例５
Ｂｉ２０３粉末、５ｒＣＯ３粉末、Ｖ２Ｏ３粉末および
ＳｒＦ２粉末を、原子比でＢｉ：Ｓｒ：Ｖ−２＋２：ｌ
となるように所定量計量し、充分に混合した後、この混
合粉に水素気流中にて１２００℃×２４時間の条件で熱
処理を施し、Ｂ１２５ｒ２ｖ ０７． ｓ−ａ Ｆｏ
、 ２で表される試料を合成した。
ＳｒＦ２粉末を、原子比でＢｉ：Ｓｒ：Ｖ−２＋２：ｌ
となるように所定量計量し、充分に混合した後、この混
合粉に水素気流中にて１２００℃×２４時間の条件で熱
処理を施し、Ｂ１２５ｒ２ｖ ０７． ｓ−ａ Ｆｏ
、 ２で表される試料を合成した。
この試料についても、実施例１と同様な測定を行ったと
ころ、電気抵抗は１０−４Ωｃｍ（室温）を示し、低温
で急激に減少して約１２にで消失した。磁化率も同様に
低温で負の値を示した。
ころ、電気抵抗は１０−４Ωｃｍ（室温）を示し、低温
で急激に減少して約１２にで消失した。磁化率も同様に
低温で負の値を示した。
実施例６
Ｂｉ２Ｓｒ３Ｖ２ ０１０．８−Ｊ Ｆｏ、２で表され
る組成を有する試料を、実施例５と同様にして合成した
。
る組成を有する試料を、実施例５と同様にして合成した
。
この試料についても、実施例１と同様な測定を行ったと
ころ、電気抵抗は２ＸｌＯ−’ΩｃＩ１１（室温）を示
し、低温で急激に減少して約１２にで消失した。
ころ、電気抵抗は２ＸｌＯ−’ΩｃＩ１１（室温）を示
し、低温で急激に減少して約１２にで消失した。
磁化率も同様に低温で負の値を示した。
実施例７
Ｂｉ２０３粉末、ＳｒＣＯ３粉末およびＶ２Ｏ３粉末を
、原子比でＢｉ ：Ｓｒ＋Ｖ−２：３：２となるように
所定量秤量し、さらにＳｒに対して１０ｍｏ１％のＲｂ
を添加した。
、原子比でＢｉ ：Ｓｒ＋Ｖ−２：３：２となるように
所定量秤量し、さらにＳｒに対して１０ｍｏ１％のＲｂ
を添加した。
次いで、この原料組成物を十分に混合した後、Ａｒ雰囲
気中にて１４００℃× ２時間の条件で熱処理を行った
。
気中にて１４００℃× ２時間の条件で熱処理を行った
。
次に、上記熱処理体を粉砕し、ＴｉＯ粉末と共に石英ア
ンプル中に真空封入し、１０５０℃、８０時間の熱処理
を行い、上記粉砕と熱処理とを繰返し行って、Ｂｉ２５
ｒ２．９ ＲｂｏｌＶ２ ０＋１−Ｊで表される試料を
合成した。
ンプル中に真空封入し、１０５０℃、８０時間の熱処理
を行い、上記粉砕と熱処理とを繰返し行って、Ｂｉ２５
ｒ２．９ ＲｂｏｌＶ２ ０＋１−Ｊで表される試料を
合成した。
得られた試料の電気抵抗を室温で測定したところ、約１
０−３Ω（２）であった。また、温度を下げながらこの
物質の電気抵抗を測ったところ、抵抗は温度にほぼ比例
して減少していき、約１０Ｋにおいて超電導体となった
。また、この温度においてマイスナー効果も確認された
。
０−３Ω（２）であった。また、温度を下げながらこの
物質の電気抵抗を測ったところ、抵抗は温度にほぼ比例
して減少していき、約１０Ｋにおいて超電導体となった
。また、この温度においてマイスナー効果も確認された
。
実施例８
Ｂｉ２０３粉末、５ｒＣ（ｈ粉末およびＶ２Ｏ３粉末を
、原子比でＢｉ：Ｓｒ：Ｖ＝２：３：２となるように所
定量秤量し、さらに Ｖに対して ５ｍｏ１％のＴｉを
Ｔｉ２０３の形で添加した。次いで、この原料組成物を
十分に混合した後、Ａｒ雰囲気中にて１４Ｈ”ＣＸ
２時間の条件で熱処理を行った。
、原子比でＢｉ：Ｓｒ：Ｖ＝２：３：２となるように所
定量秤量し、さらに Ｖに対して ５ｍｏ１％のＴｉを
Ｔｉ２０３の形で添加した。次いで、この原料組成物を
十分に混合した後、Ａｒ雰囲気中にて１４Ｈ”ＣＸ
２時間の条件で熱処理を行った。
次に、上記熱処理体を粉砕し、石英アンプル中に真空封
入し、１０５０℃、８０時間の熱処理を行い、上記粉砕
と熱処理とを繰返し行って、Ｂｉ２５ｒｔＶ＋９ｓＴＩ
ｏ、 ｏｓ Ｏ＋＋−６で表される試料を合成した。
入し、１０５０℃、８０時間の熱処理を行い、上記粉砕
と熱処理とを繰返し行って、Ｂｉ２５ｒｔＶ＋９ｓＴＩ
ｏ、 ｏｓ Ｏ＋＋−６で表される試料を合成した。
得られた試料の電気抵抗を室温で測定したところ、約１
０−３Ω（至）であった。また、温度を下げながらこの
物質の電気抵抗を測ったところ、抵抗は温度にほぼ比例
して減少していき、約１０Ｋにおいて超電導体となった
。また、この温度においてマイスナー効果も確認された
。
０−３Ω（至）であった。また、温度を下げながらこの
物質の電気抵抗を測ったところ、抵抗は温度にほぼ比例
して減少していき、約１０Ｋにおいて超電導体となった
。また、この温度においてマイスナー効果も確認された
。
実施例９
Ｂｊ２ Ｓｒ＋ Ｖ３ ０ｚ、５−６Ｆ０．２で表さ
れる組成を有する試料を、実施例５と同様にして合成し
た。
れる組成を有する試料を、実施例５と同様にして合成し
た。
この試料についても、実施例１と同様な測定を行ったと
ころ、電気抵抗は２Ｘ １０−’Ω（至）（室温）を示
し、低温で急激に減少して約１２にで消失した。
ころ、電気抵抗は２Ｘ １０−’Ω（至）（室温）を示
し、低温で急激に減少して約１２にで消失した。
磁化率も同様に低温で負の値を示した。
実施例１０
Ｂ１２０３粉末、５ｒＣＯ３粉末およびＶ２Ｏ３粉末を
、原子比でＢｉ：Ｓｒ：Ｖ＝２：４：３となるように所
定量秤量し、さらにＳｒに対して１０ｗｏ１％のＲｈを
添加した。
、原子比でＢｉ：Ｓｒ：Ｖ＝２：４：３となるように所
定量秤量し、さらにＳｒに対して１０ｗｏ１％のＲｈを
添加した。
次いで、この原料組成物を十分に混合した後、Ａｒ雰囲
気中にて１４００℃× ２時間の条件で熱処理を行った
。
気中にて１４００℃× ２時間の条件で熱処理を行った
。
次に、上記熱処理体を粉砕し、ＴｉＯ粉末と共に石英ア
ンプル中に真空封入し、１０５０”ｃ、８０時間の熱処
理を行い、上記粉砕と熱処理とを繰返し行って、Ｂ１２
Ｓｒｉ、 ｅ Ｒｂｏ、 Ｊ Ｖ３ ０１４−Ｊで
表される試料を合成した。
ンプル中に真空封入し、１０５０”ｃ、８０時間の熱処
理を行い、上記粉砕と熱処理とを繰返し行って、Ｂ１２
Ｓｒｉ、 ｅ Ｒｂｏ、 Ｊ Ｖ３ ０１４−Ｊで
表される試料を合成した。
得られた試料の電気抵抗を室温で測定したところ、約１
０−’Ω（至）であった。また、温度を下げながらこの
物質の電気抵抗を測ったところ、抵抗は温度にほぼ比例
して減少していき、約１０Ｋにおいて超電導体となった
。また、この温度においてマイスナー効果も確認された
。
０−’Ω（至）であった。また、温度を下げながらこの
物質の電気抵抗を測ったところ、抵抗は温度にほぼ比例
して減少していき、約１０Ｋにおいて超電導体となった
。また、この温度においてマイスナー効果も確認された
。
実施例１１
Ｂｉ２０３粉末、５ｒＣ（ｈ粉末およびＶ２Ｏ３粉末を
、原子比でＢｊ 二Ｓｒ：Ｖ−２：４：３となるように
所定量秤量し、さらに Ｖに対して５ｍｏ Ｉ％のＴｉ
をＴｉ２０３の形で添加した。次いで、この原料組成物
を十分に混合した後、Ａ「雰囲気中にて１４００℃×
２時間の条件で熱処理を行った。
、原子比でＢｊ 二Ｓｒ：Ｖ−２：４：３となるように
所定量秤量し、さらに Ｖに対して５ｍｏ Ｉ％のＴｉ
をＴｉ２０３の形で添加した。次いで、この原料組成物
を十分に混合した後、Ａ「雰囲気中にて１４００℃×
２時間の条件で熱処理を行った。
次に、上記熱処理体を粉砕し、石英アンプル中に真空封
入し、１０５０℃、８０時間の熱処理を行い、上記粉砕
と熱処理とを繰返し行って、［１ｉ２Ｓｒ。
入し、１０５０℃、８０時間の熱処理を行い、上記粉砕
と熱処理とを繰返し行って、［１ｉ２Ｓｒ。
Ｖ２．９５ＴＩＯ，ｏｓ ０ｘ−ａで表される試料を合
成した。
成した。
得られた試料の電気抵抗を室温で測定したところ、約１
０−３Ω国であった。また、温度を下げながらこの物質
の電気抵抗を測ったところ、抵抗は温度にほぼ比例して
減少していき、約１０Ｋにおいて超電導体となった。ま
た、この温度においてマイスナー効果も確認された。
０−３Ω国であった。また、温度を下げながらこの物質
の電気抵抗を測ったところ、抵抗は温度にほぼ比例して
減少していき、約１０Ｋにおいて超電導体となった。ま
た、この温度においてマイスナー効果も確認された。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明による導電性酸化物は、金
属的伝導を示し、さらに低温では超電導特性を示し、産
業上有益である。
属的伝導を示し、さらに低温では超電導特性を示し、産
業上有益である。
出願人 株式会社 東芝
代理人 弁理士 須 山 佐 −
Claims (4)
- （１）Ｂｉ、ＴｌおよびＰｂから選ばれた少なくとも１
種の元素と、ＡＥ元素（ＡＥはＢａ、ＣａおよびＳｒか
ら選ばれた少なくとも１種の元素を示す）およびＲＥ元
素（ＲＥはＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ
、Ｔｂ、Ｄｙ、ＨｏおよびＥｒから選ばれた少なくとも
１種の元素を示す）と、Ｖとを構成成分とし、層状ペロ
ブスカイト構造を有することを特徴とする導電性酸化物
。 - （２）Ｂｉ、Ｔｌ、Ｐｂおよび希土類元素から選ばれた
少なくとも１種の元素と、ＡＥ元素（ＡＥはＢａ、Ｃａ
およびＳｒから選ばれた少なくとも１種の元素を示す）
およびＡ元素（ＡはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、ＲｂおよびＣｓか
ら選ばれた少なくとも１種の元素を示す）と、Ｖとを構
成成分とし、層状ペロブスカイト構造を有することを特
徴とする導電性酸化物。 - （３）Ｂｉ、Ｔｌ、Ｐｂおよび希土類元素から選ばれた
少なくとも１種の元素と、ＡＥ元素（ＡＥはＢａ、Ｃａ
およびＳｒから選ばれた少なくとも１種の元素を示す）
と、ＶおよびＭ元素（ＭはＴｉ、Ｃｒ、ＡｌおよびＹか
ら選ばれた少なくとも１種の元素を示す）とを構成成分
とし、層状ペロブスカイト構造を有することを特徴とす
る導電性酸化物。 - （４）Ｂｉ、Ｔｌ、Ｐｂおよび希土類元素から選ばれた
少なくとも１種の元素と、ＡＥ元素（ＡＥはＢａ、Ｃａ
およびＳｒから選ばれた少なくとも１種の元素を示す）
と、Ｖと、Ｘ元素（ＸはＦ、ＣｌおよびＳから選ばれた
少なくとも１種の元素を示す）とを構成成分とし、層状
ペロブスカイト構造を有することを特徴とする導電性酸
化物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2259417A JPH04137407A (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | 導電性酸化物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2259417A JPH04137407A (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | 導電性酸化物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04137407A true JPH04137407A (ja) | 1992-05-12 |
Family
ID=17333819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2259417A Pending JPH04137407A (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | 導電性酸化物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04137407A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996000704A1 (en) * | 1994-06-30 | 1996-01-11 | Hitachi, Ltd. | Layered bismuth oxide ferroelectric material |
| JP2018531857A (ja) * | 2015-07-17 | 2018-11-01 | エプコス アクチエンゲゼルシャフトＥｐｃｏｓ Ａｇ | 誘電体組成物、誘電体素子、電子部品および積層電子部品 |
-
1990
- 1990-09-28 JP JP2259417A patent/JPH04137407A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996000704A1 (en) * | 1994-06-30 | 1996-01-11 | Hitachi, Ltd. | Layered bismuth oxide ferroelectric material |
| JP2018531857A (ja) * | 2015-07-17 | 2018-11-01 | エプコス アクチエンゲゼルシャフトＥｐｃｏｓ Ａｇ | 誘電体組成物、誘電体素子、電子部品および積層電子部品 |
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