JPH0413769B2 - - Google Patents
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- JPH0413769B2 JPH0413769B2 JP56150919A JP15091981A JPH0413769B2 JP H0413769 B2 JPH0413769 B2 JP H0413769B2 JP 56150919 A JP56150919 A JP 56150919A JP 15091981 A JP15091981 A JP 15091981A JP H0413769 B2 JPH0413769 B2 JP H0413769B2
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- Japan
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- substrate
- evaporation source
- vapor
- incident
- oxygen gas
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁気テープ、磁気フイルムその他の
磁気記録体の製造装置に関する。
磁気記録体の製造装置に関する。
従来、この種装置として、真空ポンプに連なる
排気口と酸素ガス源に連なる給気口を備えた真空
処理室内の下方にコバルト系の金属磁性材料の蒸
発源を設け、該蒸発源の上方に斜め下方に傾斜し
て走行する合成樹脂フイルムその他の非磁性材料
のサブストレートを配置し、高具空酸素雰囲気に
調整した該真空処理室内で該蒸発源の蒸気を斜め
に走行するサブストレートの面に斜めに入射させ
て該面に磁性の被膜を形成する装置が知られてお
り、この装置を使用することにより、高い保磁力
を有する磁気記録体を製造することができる。
排気口と酸素ガス源に連なる給気口を備えた真空
処理室内の下方にコバルト系の金属磁性材料の蒸
発源を設け、該蒸発源の上方に斜め下方に傾斜し
て走行する合成樹脂フイルムその他の非磁性材料
のサブストレートを配置し、高具空酸素雰囲気に
調整した該真空処理室内で該蒸発源の蒸気を斜め
に走行するサブストレートの面に斜めに入射させ
て該面に磁性の被膜を形成する装置が知られてお
り、この装置を使用することにより、高い保磁力
を有する磁気記録体を製造することができる。
この従来の装置において、酸素ガス源に連なる
給気口はノズルで形成され、単に蒸発源からの蒸
気に酸素を充分混合させることを目的として、蒸
発源の近傍に配置するを一般とするもので、製造
される磁気記録体の保磁力との関係においてノズ
ルの配置及び酸素の流れる方向に特別の配慮をし
た磁気記録体の製造装置は存在しなかつた。
給気口はノズルで形成され、単に蒸発源からの蒸
気に酸素を充分混合させることを目的として、蒸
発源の近傍に配置するを一般とするもので、製造
される磁気記録体の保磁力との関係においてノズ
ルの配置及び酸素の流れる方向に特別の配慮をし
た磁気記録体の製造装置は存在しなかつた。
しかし乍ら、発明者の実験によれば、該ノズル
の配置及び酸素の流れる方向が極めて重要であ
り、それ如何によつては、より一層高い保磁力を
有する磁気記録体を得ることができることが確認
された。
の配置及び酸素の流れる方向が極めて重要であ
り、それ如何によつては、より一層高い保磁力を
有する磁気記録体を得ることができることが確認
された。
本発明は、かかる考察に基づいてなされたもの
で、真空ポンプに連なる排気口と酸素ガス源に連
なる給気口を備えた真空処理室内の下方にコバル
ト系の金属磁性材料の蒸発源を設け、該蒸発源の
上方に斜め下方に傾斜して走行する合成樹脂フイ
ルムその他の非磁性材料のサブストレートを配置
し、高真空酸素雰囲気に調整した該真空処理室内
で該蒸発源の蒸気を斜めに走行するサブストレー
トの面に斜めに入射させて該面に磁性の被膜を形
成する装置に於いて、該給気口を、該蒸発源の蒸
気がサブストレートの面へ低入射角で入射する側
から高入射角で入射する側に向かつて酸素ガスを
噴出するように該サブストレートへの蒸着領域の
後方に設置したことを特徴とする。
で、真空ポンプに連なる排気口と酸素ガス源に連
なる給気口を備えた真空処理室内の下方にコバル
ト系の金属磁性材料の蒸発源を設け、該蒸発源の
上方に斜め下方に傾斜して走行する合成樹脂フイ
ルムその他の非磁性材料のサブストレートを配置
し、高真空酸素雰囲気に調整した該真空処理室内
で該蒸発源の蒸気を斜めに走行するサブストレー
トの面に斜めに入射させて該面に磁性の被膜を形
成する装置に於いて、該給気口を、該蒸発源の蒸
気がサブストレートの面へ低入射角で入射する側
から高入射角で入射する側に向かつて酸素ガスを
噴出するように該サブストレートへの蒸着領域の
後方に設置したことを特徴とする。
本発明の実施例を別紙図面に付き説明すると、
第１図は、斜め蒸着による磁気記録体の製造装置
を示し、図面で符号１は側方に真空ポンプ７に連
なる排気口６を備えた真空処理室、２は該真空処
理室１の下方に設けた蒸発源、３は該蒸発源２の
上方を斜め下方に傾斜して走行するサブストレー
ト３である。
第１図は、斜め蒸着による磁気記録体の製造装置
を示し、図面で符号１は側方に真空ポンプ７に連
なる排気口６を備えた真空処理室、２は該真空処
理室１の下方に設けた蒸発源、３は該蒸発源２の
上方を斜め下方に傾斜して走行するサブストレー
ト３である。
該サブストレート３は、上方の送出用の巻枠８
からその下方の円筒状のキヤン９を介して上方の
巻取用の巻枠１０との間に張設された合成樹脂フ
イルム等の非磁性材料の長尺物で構成され、送出
用の巻枠８とキヤン９との間に於いて斜め下上向
きに走行する。
からその下方の円筒状のキヤン９を介して上方の
巻取用の巻枠１０との間に張設された合成樹脂フ
イルム等の非磁性材料の長尺物で構成され、送出
用の巻枠８とキヤン９との間に於いて斜め下上向
きに走行する。
また、該蒸発源２は、るつぼ１１内に用意した
コバルト系の金属磁性材料１２を電子銃からの電
子ビームを照射する形式のもので構成し、該蒸発
源３から発生する該金属磁性材料１２の蒸気がそ
の上方のサブストレート３の面へ蒸着領域１５に
於いて斜めに入射して付着し、該面上に金属磁性
材料１２の被膜が形成されるようにした。該金属
磁性材料１２の蒸気がサブストレート３の面へ斜
めに入射すると、形成される被膜内に斜めにのび
る柱状晶を生じ、これによつて該被膜が優れた保
磁力を持つに至ることは、既に知られた事象であ
る。
コバルト系の金属磁性材料１２を電子銃からの電
子ビームを照射する形式のもので構成し、該蒸発
源３から発生する該金属磁性材料１２の蒸気がそ
の上方のサブストレート３の面へ蒸着領域１５に
於いて斜めに入射して付着し、該面上に金属磁性
材料１２の被膜が形成されるようにした。該金属
磁性材料１２の蒸気がサブストレート３の面へ斜
めに入射すると、形成される被膜内に斜めにのび
る柱状晶を生じ、これによつて該被膜が優れた保
磁力を持つに至ることは、既に知られた事象であ
る。
更に、該真空処理室１は、外部の酸素ガス源４
に連なる給気口５を備え、該真空処理室１内を排
気口６からの真空排気と該給気口５からの酸素導
入とで高真空酸素雰囲気に調整する。
に連なる給気口５を備え、該真空処理室１内を排
気口６からの真空排気と該給気口５からの酸素導
入とで高真空酸素雰囲気に調整する。
以上の構成は従来の磁気記録体の製造装置も備
えるところであるが、本発明に於ては、本発明者
の識見に基づき、該給気口５を、該蒸発源２の蒸
気がサブストレート３の面へ低入射角で入射する
側から高入射角で入射する側に向かつて酸素ガス
を噴出するように該サブストレート３への蒸着領
域１５の後方に設置するようにした。
えるところであるが、本発明に於ては、本発明者
の識見に基づき、該給気口５を、該蒸発源２の蒸
気がサブストレート３の面へ低入射角で入射する
側から高入射角で入射する側に向かつて酸素ガス
を噴出するように該サブストレート３への蒸着領
域１５の後方に設置するようにした。
これを更に説明するに、該サブストレート３の
面への被膜の形成は、該サブストレート３の走行
方向の前方にキヤン９と多少の〓間を存して設け
た防着板１４の位置から、蒸発源２の上方を通り
過ぎたその走行方向の後方の位置までの蒸着領域
１５に於いて行われ、その蒸着領域１５の前方、
即ち該防着板１４寄りの位置では蒸発源２からの
蒸気は高い入射角で入射し、蒸着領域１５の後
方、即ち蒸発源２を過ぎた位置では該蒸気は低い
入射角するようになる。該給気口５は、ノズル状
の形状を有し、蒸着領域１５の後方に設置され、
第１図示の場合、真空処理室１の底部中央から立
設した筒状の酸素流路１３の先端の一側をサブス
トレート３の走行方向と逆方向に向けてキヤン９
に沿つて延ばし、その先端のサブストレート３と
の間の開口で該給気口５を形成するものとし、か
くて斜めに蒸気が入射して被膜形成中のサブスト
レート３の面に沿い低入射角で入射する側から高
入射角で入射する側へ向けて酸素ガスを噴出し、
高入射角側の位置よりも低入射角の位置のサブス
トレート３の面に多量の酸素ガスが供給されるよ
うにした。蒸気のサブストレート３への入射角
は、図示のキヤン９を用いてサブストレート３に
傾斜を与える場合には40°〜90°程度、図示してな
いプレートを用いる場合には60°〜80°程度にな
る。
面への被膜の形成は、該サブストレート３の走行
方向の前方にキヤン９と多少の〓間を存して設け
た防着板１４の位置から、蒸発源２の上方を通り
過ぎたその走行方向の後方の位置までの蒸着領域
１５に於いて行われ、その蒸着領域１５の前方、
即ち該防着板１４寄りの位置では蒸発源２からの
蒸気は高い入射角で入射し、蒸着領域１５の後
方、即ち蒸発源２を過ぎた位置では該蒸気は低い
入射角するようになる。該給気口５は、ノズル状
の形状を有し、蒸着領域１５の後方に設置され、
第１図示の場合、真空処理室１の底部中央から立
設した筒状の酸素流路１３の先端の一側をサブス
トレート３の走行方向と逆方向に向けてキヤン９
に沿つて延ばし、その先端のサブストレート３と
の間の開口で該給気口５を形成するものとし、か
くて斜めに蒸気が入射して被膜形成中のサブスト
レート３の面に沿い低入射角で入射する側から高
入射角で入射する側へ向けて酸素ガスを噴出し、
高入射角側の位置よりも低入射角の位置のサブス
トレート３の面に多量の酸素ガスが供給されるよ
うにした。蒸気のサブストレート３への入射角
は、図示のキヤン９を用いてサブストレート３に
傾斜を与える場合には40°〜90°程度、図示してな
いプレートを用いる場合には60°〜80°程度にな
る。
本発明の装置により磁気記録体を製造する場
合、真空処理室１内を真空ポンプ７により１×
10-6Torr以下の高真空に排気し、巻枠８からキ
ヤン９で冷却しながら巻取用の巻枠１０へと例え
ばポリエステルフイルムからなるサブストレート
３を走行させ、酸素ガスを給気口５から噴出させ
ながら蒸発源２からの蒸気をサブストレート３の
面に斜めに入射させてそこにコバルト系金属磁性
材料１２の被膜を形成が行われ、これにより得ら
れる磁気記録体は、従来の単に真空処理室に酸素
ガスを蒸気に混合させるために蒸発源の近傍に給
気口を配置したものや、真空処理室１内に単に設
けたにすぎない装置で得られる磁気記録体に比
べ、保磁力の優れたものが得られる。
合、真空処理室１内を真空ポンプ７により１×
10-6Torr以下の高真空に排気し、巻枠８からキ
ヤン９で冷却しながら巻取用の巻枠１０へと例え
ばポリエステルフイルムからなるサブストレート
３を走行させ、酸素ガスを給気口５から噴出させ
ながら蒸発源２からの蒸気をサブストレート３の
面に斜めに入射させてそこにコバルト系金属磁性
材料１２の被膜を形成が行われ、これにより得ら
れる磁気記録体は、従来の単に真空処理室に酸素
ガスを蒸気に混合させるために蒸発源の近傍に給
気口を配置したものや、真空処理室１内に単に設
けたにすぎない装置で得られる磁気記録体に比
べ、保磁力の優れたものが得られる。
これを更に発明者の実験、即ち、第２図示のよ
うな本発明の構成を有する斜め蒸着の磁気記録体
の製造装置を用意し、酸素ガスをノズル５ａから
噴出させるようにし、図示のＡ〜Ｈで示す如く真
空処理室１内の８箇所に順次移動させ、各箇所に
於いて酸素分圧を変化させながらサブストレート
３に形成されるコバルト系金属磁性材料１２の被
膜の保磁力について測定した場合について説明す
ると、次の通りである。尚、同図の符号は、第１
図のものに対応する部材には同一の符号が付され
ている。
うな本発明の構成を有する斜め蒸着の磁気記録体
の製造装置を用意し、酸素ガスをノズル５ａから
噴出させるようにし、図示のＡ〜Ｈで示す如く真
空処理室１内の８箇所に順次移動させ、各箇所に
於いて酸素分圧を変化させながらサブストレート
３に形成されるコバルト系金属磁性材料１２の被
膜の保磁力について測定した場合について説明す
ると、次の通りである。尚、同図の符号は、第１
図のものに対応する部材には同一の符号が付され
ている。
先ず、真空ポンプにより真空処理室１内を１×
10-6Torr以下の高真空まで排気し、巻枠８から
キヤン９で冷却しながら巻取用の巻枠１０へと例
えばポリエステルフイルムからなるサブストレー
ト３を走行させ、酸素ガスを給気口５から噴出さ
せながら蒸発源２からCo−30％Ni合金の蒸気を
サブストレート３の面に斜めに入射させてそこに
Co−Niの磁性材料１２の被膜の形成を行ない、
該蒸気の入射角を防着板１４を用いて制限し、そ
の入射角は真空処理室１内に酸素ガスを供給しな
い斜め蒸着の装置の入射角60°〜90°に比して低入
射角となるようにした。その実験条件は下記の通
りである。
10-6Torr以下の高真空まで排気し、巻枠８から
キヤン９で冷却しながら巻取用の巻枠１０へと例
えばポリエステルフイルムからなるサブストレー
ト３を走行させ、酸素ガスを給気口５から噴出さ
せながら蒸発源２からCo−30％Ni合金の蒸気を
サブストレート３の面に斜めに入射させてそこに
Co−Niの磁性材料１２の被膜の形成を行ない、
該蒸気の入射角を防着板１４を用いて制限し、そ
の入射角は真空処理室１内に酸素ガスを供給しな
い斜め蒸着の装置の入射角60°〜90°に比して低入
射角となるようにした。その実験条件は下記の通
りである。
蒸発源の材料 Co−30％Ni合金
ノズル５ａの内径 ８mm
酸素分圧の調整手段 酸素ガス供給経路に介設し
たバリアブルリークバルブ ポリエステルフイルムに対するCo−30％Ni合金
の入射角度 42°〜90° 電子ビームの出力 7Kw 膜 厚 1000オングストローム この実験の結果は、第３図示の如くであり、ノ
ズルの位置及び酸素ガスの流れる方向により、磁
気記録対の保磁力が大きく影響し、変化すること
がわかる。即ち、蒸発源２の近傍のＣ，Ｄ，Ｅの
位置にノズル５ａを配置した従来式のものや、
Ｆ，Ｇ，Ｈの位置に配置したものは、本発明の構
成に従い配置したＡ，Ｂの位置の場合に比べて保
磁力が低く、換言すれば、本発明の構成に基づく
Ａ，Ｂ位置の場合、従来の場合よりも２倍程度の
大きい保磁力が得られた。
たバリアブルリークバルブ ポリエステルフイルムに対するCo−30％Ni合金
の入射角度 42°〜90° 電子ビームの出力 7Kw 膜 厚 1000オングストローム この実験の結果は、第３図示の如くであり、ノ
ズルの位置及び酸素ガスの流れる方向により、磁
気記録対の保磁力が大きく影響し、変化すること
がわかる。即ち、蒸発源２の近傍のＣ，Ｄ，Ｅの
位置にノズル５ａを配置した従来式のものや、
Ｆ，Ｇ，Ｈの位置に配置したものは、本発明の構
成に従い配置したＡ，Ｂの位置の場合に比べて保
磁力が低く、換言すれば、本発明の構成に基づく
Ａ，Ｂ位置の場合、従来の場合よりも２倍程度の
大きい保磁力が得られた。
Ａ，Ｂの配置が保磁力に影響を及ぼす構成上の
条件は、サブストレート３の面へ低入射角で入射
する側から高入射角で入射する側に向かつて酸素
ガスを噴出するように蒸着領域１５の後方にノズ
ル５ａを設置したことであり、この条件により保
磁力が向上する理由は明確ではないが、次の現象
に基づくものと考えられる。即ち、ポリエステル
フイルムのサブストレート３を斜め下向きに走行
させる斜め蒸着法の場合、該サブストレート３に
は蒸気の高入射角位置で核生成が起こり、該サブ
ストレート３の走行と共に蒸気の低入射角側で蒸
着が進むが、第４図示の如く蒸着粒子は最初に発
生する核の方向に規制を受けながら成長する。従
つて、保磁力の高低は、最初に発生する核の方
向、密度、結晶配向、結晶構造等により大きく影
響されるものと考えられている。第４図に見られ
るように、サブストレート３に接している側は粒
子の密度が小さく且つ粒子の径も小さいが、サブ
ストレート３から遠ざかるに従い粒子の径が大き
くなり、蒸着膜の表面側においては、相隣る粒子
が互いに接触するようになる。酸素ガスを導入し
ながら蒸着を行うと、保磁力が高くなる原因は、
これらの粒子間に酸素原子が介入し、蒸着粒子の
互いの接触を防止しているためと考えられる。従
つて、最も酸素ガスを必要とする蒸着過程は蒸着
膜の表面側が形成されるとき即ち蒸気の低入射角
の位置においてである。
条件は、サブストレート３の面へ低入射角で入射
する側から高入射角で入射する側に向かつて酸素
ガスを噴出するように蒸着領域１５の後方にノズ
ル５ａを設置したことであり、この条件により保
磁力が向上する理由は明確ではないが、次の現象
に基づくものと考えられる。即ち、ポリエステル
フイルムのサブストレート３を斜め下向きに走行
させる斜め蒸着法の場合、該サブストレート３に
は蒸気の高入射角位置で核生成が起こり、該サブ
ストレート３の走行と共に蒸気の低入射角側で蒸
着が進むが、第４図示の如く蒸着粒子は最初に発
生する核の方向に規制を受けながら成長する。従
つて、保磁力の高低は、最初に発生する核の方
向、密度、結晶配向、結晶構造等により大きく影
響されるものと考えられている。第４図に見られ
るように、サブストレート３に接している側は粒
子の密度が小さく且つ粒子の径も小さいが、サブ
ストレート３から遠ざかるに従い粒子の径が大き
くなり、蒸着膜の表面側においては、相隣る粒子
が互いに接触するようになる。酸素ガスを導入し
ながら蒸着を行うと、保磁力が高くなる原因は、
これらの粒子間に酸素原子が介入し、蒸着粒子の
互いの接触を防止しているためと考えられる。従
つて、最も酸素ガスを必要とする蒸着過程は蒸着
膜の表面側が形成されるとき即ち蒸気の低入射角
の位置においてである。
ところが、従来の場合は、サブストレート３に
対する酸素原子の入射頻度が蒸気の高入射角の位
置と低入射角の位置とでそれ程変わらず、一方、
蒸気のサブストレート３に対する入射頻度は、実
際上、蒸発源２とサブストレート３との距離が小
さい低入射角の位置において著しく大きい。従つ
て、蒸着膜はサブストレート３側で蒸気粒子に対
する酸素原子の割合が大きくなり、保磁力が高く
ならないものと思われる。特に、ノズル５ａをＦ
の位置に配置した場合は、核発生の際、酸素原子
の割合が著しく大きく、蒸気粒子が酸化物になつ
てしまい、有効な核にならないため、ノズル５ａ
をＦ以外の場所に配置した場合に比べて、保磁力
が低くなるものと考えられる。
対する酸素原子の入射頻度が蒸気の高入射角の位
置と低入射角の位置とでそれ程変わらず、一方、
蒸気のサブストレート３に対する入射頻度は、実
際上、蒸発源２とサブストレート３との距離が小
さい低入射角の位置において著しく大きい。従つ
て、蒸着膜はサブストレート３側で蒸気粒子に対
する酸素原子の割合が大きくなり、保磁力が高く
ならないものと思われる。特に、ノズル５ａをＦ
の位置に配置した場合は、核発生の際、酸素原子
の割合が著しく大きく、蒸気粒子が酸化物になつ
てしまい、有効な核にならないため、ノズル５ａ
をＦ以外の場所に配置した場合に比べて、保磁力
が低くなるものと考えられる。
以上のことから、酸素ガスの真空処理室１内へ
の導入は、蒸気の低入射角側で多くし、蒸気原子
と酸素原子との割合を低入射角側と高入射角側と
で略等しくすることのできる本発明の構成に従つ
たＡ或いはＢの位置にノズル５ａを配置すること
が望ましいことがわかる。
の導入は、蒸気の低入射角側で多くし、蒸気原子
と酸素原子との割合を低入射角側と高入射角側と
で略等しくすることのできる本発明の構成に従つ
たＡ或いはＢの位置にノズル５ａを配置すること
が望ましいことがわかる。
斜め蒸着型の磁気記録体として、ポリエステル
フイルムのサブストレートの面上に磁性金属層と
Al、Ti、Mo等の非磁性材料の層とを交互に積層
して記録再生特性を向上させている磁気記録体が
知られているが、この場合には、第５図示の如く
磁性金属の蒸発源２と非磁性材料の蒸発源１７と
の間に給気口５を配置し、非磁性材料に酸素ガス
が吸着されないようにする必要がある。
フイルムのサブストレートの面上に磁性金属層と
Al、Ti、Mo等の非磁性材料の層とを交互に積層
して記録再生特性を向上させている磁気記録体が
知られているが、この場合には、第５図示の如く
磁性金属の蒸発源２と非磁性材料の蒸発源１７と
の間に給気口５を配置し、非磁性材料に酸素ガス
が吸着されないようにする必要がある。
このように本発明によるときは、斜め蒸着の磁
気記録体の製造装置の酸素ガスの給気口を、該蒸
発源の蒸気がサブストレートの面へ低入射角で入
射する側から高入射角で入射する側に向かつて酸
素ガスを噴出するように該サブストレートへの蒸
着領域の後方に設置したので、保磁力が優れた斜
め蒸着型の磁気記録体を製造することができる等
の効果がある。
気記録体の製造装置の酸素ガスの給気口を、該蒸
発源の蒸気がサブストレートの面へ低入射角で入
射する側から高入射角で入射する側に向かつて酸
素ガスを噴出するように該サブストレートへの蒸
着領域の後方に設置したので、保磁力が優れた斜
め蒸着型の磁気記録体を製造することができる等
の効果がある。
第１図は本発明の製造装置の実施例の截断側面
図、第２図は実験装置の截断側面図、第３図は保
磁力特性の比較線図、第４図は斜め蒸着法により
得られる磁気記録体の原理の説明図、第５図は本
発明の応用例の截断側面図である。 １……真空処理室、２……蒸発源、３……サブ
ストレート、４……酸素ガス源、５……給気口、
１５……蒸着領域。
図、第２図は実験装置の截断側面図、第３図は保
磁力特性の比較線図、第４図は斜め蒸着法により
得られる磁気記録体の原理の説明図、第５図は本
発明の応用例の截断側面図である。 １……真空処理室、２……蒸発源、３……サブ
ストレート、４……酸素ガス源、５……給気口、
１５……蒸着領域。
Claims (1)
- １ 真空ポンプに連なる排気口と酸素ガス源に連
なる給気口を備えた真空処理室内の下方にコバル
ト系の金属磁性材料の蒸発源を設け、該蒸発源の
上方に斜め下方に傾斜して走行する合成樹脂フイ
ルムその他の非磁性材料のサブストレートを配置
し、高真空酸素雰囲気に調整した該真空処理室内
で該蒸発源の蒸気を斜めに走行するサブストレー
トの面に斜めに入射させて該面に磁性の被膜を形
成する装置に於いて、該給気口を、該蒸発源の蒸
気がサブストレートの面へ低入射角で入射する側
から高入射角で入射する側に向かつて酸素ガスを
噴出するように該サブストレートへの蒸着領域の
後方に設置したことを特徴とする磁気記録体の製
造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15091981A JPS5853027A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | 磁気記録体の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15091981A JPS5853027A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | 磁気記録体の製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5853027A JPS5853027A (ja) | 1983-03-29 |
| JPH0413769B2 true JPH0413769B2 (ja) | 1992-03-10 |
Family
ID=15507264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15091981A Granted JPS5853027A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | 磁気記録体の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5853027A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6080137A (ja) * | 1983-10-07 | 1985-05-08 | Ulvac Corp | 垂直磁気記録体の製造装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5419199A (en) * | 1977-07-12 | 1979-02-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic recording medium porcess |
| JPS5634148A (en) * | 1979-08-25 | 1981-04-06 | Hitachi Maxell Ltd | Manufacture of magnetic recording medium |
| JPS5638812A (en) * | 1979-09-05 | 1981-04-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of corrosion resistive magnetic thin film |
-
1981
- 1981-09-24 JP JP15091981A patent/JPS5853027A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5853027A (ja) | 1983-03-29 |
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