JPH04144249A - 半導体素子測定方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は半導体素子の測定方法に関するものである。

［従来の技術］ 従来の半導体素子の外部入出力端子の電気的接続を検査
する際の測定方法のフローチャートを第４図に、測定回
路の回路図を第５図に示す。

第４図において、■の領域は人手処理を、Ｈの領域は測
定装置による流れを示す。また第５図において、（ＩＡ
）〜（ＩＥ）は半導体素子の外部入出力端子、（２）は
測定系の中点、（７）は測定条件及び計測を行う部分、
（８）は制御部、（９）及び（ｌＯ）は測定系の切換部
で、（９）は開放、（１０）は接続状態にあることを示
す。

次に動作について説明する。第４図において、ステップ
Ａの検査条件・端子を記述したリストに基づき、測定装
置の持つ測定系に合致した方法を連の手順として作成す
る（ステップＢ）。

この作成した手順を検査装置の制御部か認識可能なテー
クにフォーマット変換する（ステップＧ）。この後、検
査装置は与えられた手順に従い端子の測定を実行する。

この際、途中の測定結果で不良判定をした場合は以降の
測定を中止して処理を行う（ステップＪ）が、不良のな
い場合は総ての被測定端子の測定が完了するまで繰り返
す。

次に第５図において、制御部（８）により、測定端子（
ＩＡ）に電流を印加し、発生電圧を測定する。

この時、他の外部入出力端子は切換部（９）でスイッチ
（６）で設定された電圧が与えられている。

切換部（ｌＯ）を測定端子（ＩＡ）及び内部素子領域の
回路が正常に接続されている場合、Ｘ”点（２）にはス
イッチ（６）で設定された電圧と異なる電位か現れ、こ
わを比較器（７）で判定しＧＯとなる。もし隣接する端
子（ＩＢ）との接続かあった場合、比較器（７）にはス
イッチ（６）の設定電圧が印加され不良と判定される（
ステップＩ）。

以上の測定及判定を測定すべき端子（ＩＡ）〜（ＩＥ）
を順次切換部（９）　（１０）を制御し繰り返し実行す
る。

［発明か解決しようとする課題］ 従来の半導体素子測定方法は以上のように構成されてい
たので、被測定対象の端子を順次切換え°−（測定しな
ければならず、また測定に必要とする時間も被測定対象
の増加に比例して増加することになり、また、測定系を
複数設けて同時に複数の端子の測定を可能としだ測定装
置の場合は、検査を正確に行うため被測定端子の物理的
相対位置に留意することか必要であり、場合によっては
誤った検査結果に至る等の問題点がありだ。

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、被測定端子の数に無関係に高速に、また同時
に複数端子の検査を誤った判定を行うことなく実現でき
る半導体素子測定方法を得ることを目的とする。

［課題を解決するだめの手段］ この発明に係る半導体素子測定方法は、被測定素子の物
理的位置データをもとに同時に測定可能な外部入出力端
子と、それ以外の端子に対する検査条件の設定を実施す
る検査装置の制御データを生成するものである。

［作用］ この発明における半導体素子測定方法は、ソフトウェア
処理により被測定端子の物理位置データにもとづき、同
時測定可能な外部入出力端子と、それ以外の端子に分類
し、それぞわの測定実行に検査装置で必要とされる制御
データを自動的に生成しまた装置に適合したデータ型式
に変換する。

［実施例コ 以下、この発明の一実施例を図について説明する。

第１図はこの発明の一実施例であるデータ生成手順を示
すフローチャート、第２図はこの発明の実施例である測
定回路の回路図、第３図は第２図にもとつく生成データ
を示す動作波形図である。

第１図において、　（Ｉ）は人手処理部、　（ＩＩ）は
ソフト処理部、　（Ｉ［Ｉ）は測定装置での処理部を示
す。

また第２図において、（３）は入力回路の制御スイッチ
、（４）は入力回路、（５）は出力電圧比較器、（６）
は電流負荷回路、（６ａ）は基準電圧を設定する電源て
、外部入出力端子（１［１）〜（ＩＤ）にも外部入出力
端子（１Ａ）と同一の測定系が接続される（第２図では
省略）。

第３図は外部入出力端子（ＩＡ）の測定系の入力回路切
換スイッチ（３）、入力回路（４）、出力電圧比較回路
（５）への人力＜　（２）　ｘ’点の電位）及び比較判
定回路（７）での電圧比較の実行／無視のデータそれぞ
れをパターンとして示したものて、パターン■は外部入
出力端子（ＩＡ）　、　（ＩＧ）　、パターン■は外部
入出力端子（ｊ８）　、　（ＩＣ）の測定実施のための
検査時間を示す。

次に動作について説明する。第１図において検査条件リ
スト（ステップＡ）から被測定端子の指定（ステップＢ
）を行い、また測定手順の作成も実施する（ステップＣ
）。一方、ソフトウェア領域（■）゛てはステップＢで
与えられた端子リストについて、あらかしめ準備されて
いる端子レイアウトデータ（ステップＤ）にもとついて
、測定端子の分類を実行する（ステップＥ）。本実施例
では分類の条件として隣接しない端子という条件が与え
られている。次に分類した端子のグループに対し、測定
外部入出力端子に設定する条件（設定電圧、比較判定実
行のデータｅｔｃ）及び非測定外部入出力端子に設定す
る条件を第３図に示すパターンデータとして生成する。

生成したデータは測定装置に認識可能なデータにフォー
マット変換し、測定装置に入力する。

測定装置では与えられた条件設定を行い測定及び判定を
実行する。次に測定装置での動作を第２図、第３図を用
いて説明する。

第２図でニゲループの外部入出力端子（ＩＡ）　。

（ＩＣ）を測定する場合、非測定外部入出力端子となる
（ＩＢ）　、　（ＩＤ）端子は、入力回路切換スイッチ
（３）が“ＯＮ”となり、入力回路（４）のデータに設
定される。従って端子（１Ｂ）　、　（１０）の中点電
位（２）はともに入力回路（４）のデータとなる。−力
測定端子（ＩＡ）　、　（ＩＣ）は入力回路切換スイッ
チ（３）が“ＯＦＦ”となり、入力回路（４）のデータ
は中点電位（２）に伝えられず、逆に電流源（６）にあ
らかじめ設定された電流が印加される。この時、端子（
ＩＡ）　、　（ＩＣ）が正常に内部回路と接続されてい
る場合は内部回路の特性に応じた電位が、また開放状態
の時は電流源（６）の基準電位（６ａ）が、隣接する端
子ＣＩＢ）　、　（ｔＤ）と短絡している場合には、入
力回路（４）のデータか中点（２）の電位として電圧比
較回路（５）を通して比較判定回路（７）に入力される
。比較判定回路（７）は比較実施０Ｎ１０ＦＦのデータ
により判定を実施し接続状態の検査か可能となる。

次に■グループの検査を士グループと同様の手順を用い
て実施する。従って、本実施例では測定端子の分類条件
が隣接しない端子という条件のため第３図のパターンエ
、パターンＨの２パターンの実行で被測定端子リストの
総ての検査が可能となる。また被測定端子の端子数に測
定回数がよらないことは明白である。

なお、上記実施例では半導体素子の外部入出力端子の検
査方法の場合について説明したが、累［を封入したパッ
ケージリート検査や、基板接続コネクタの検査でもよく
、上記実施例と同様の効果が得られる。

［発明の効果］ 以上のようにこの発明によれば、半導体素子の測定方法
をソフトウェア処理により、素子の物理的位置情報を用
いて検査データを生成する様に構成したので、処理が高
速に確度の高い測定が可能となり、また処理が高速化さ
れることにより半・ダ体素子の検査コストの低減効果も
得ることかでなるなどの効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例である半導体素子の測定手
順の生成フローを示すフローチャート、第２図は第１図
により得られたデータにもとづき検査を実行する測定回
路の回路図、第３図は測定回路のデータを示す波形図、
第４図は従来の測定手順を示すフローチャート、第５図
は第４図にもとづく測定回路の回路図である。図におい
て、（１）は外部入出力端子、（２）は測定系の中点（
Ｘ）　、　　（３）は入力回路切換スイッチ、（４）は
入力回路、（５）は電圧比較回路、（６）は測定条件設
定用電流　（圧）源、（７）は比較・判定回路、（８）
は測定系制御部を示す。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　半導体素子の外部入出力端子と前記半導体素子の電気
   的特性を検査する検査装置との電気的接続を検査する測
   定方法において、前記半導体素子の外部入出力端子の物
   理的位置情報をもとに検査装置を制御する検査手順を生
   成することを特徴とする半導体素子測定方法。