JPH04144987A - セラミックスのメタライズ方法 - Google Patents
セラミックスのメタライズ方法Info
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- JPH04144987A JPH04144987A JP26845790A JP26845790A JPH04144987A JP H04144987 A JPH04144987 A JP H04144987A JP 26845790 A JP26845790 A JP 26845790A JP 26845790 A JP26845790 A JP 26845790A JP H04144987 A JPH04144987 A JP H04144987A
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 5
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 5
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011104 metalized film Substances 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 8
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052575 non-oxide ceramic Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000011225 non-oxide ceramic Substances 0.000 abstract description 2
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、磁界中でも使用できるセラミックスのメタラ
イズ方法に関するものである。
イズ方法に関するものである。
[従来の技術]
セラミックスのメタライズ方法としては、セラミックス
の表面にモリブデンやタングステン等の高融点金属を焼
きつけたのち、ニッケルメッキを施す方法が知られてい
る。
の表面にモリブデンやタングステン等の高融点金属を焼
きつけたのち、ニッケルメッキを施す方法が知られてい
る。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、この方法で得られるメタライズ被膜には
、磁性材料であるニッケルが含まれているため、磁界が
作用する部位では使用できない欠点があった。
、磁性材料であるニッケルが含まれているため、磁界が
作用する部位では使用できない欠点があった。
[課題を解決するための手段]
本発明は、このような欠点のないメタライズ方法であっ
て、その要旨は、チタン、ジルコニウム、ガリウムおよ
びインジウムのうちの1種以上の金属粉とアルミニウム
粉とを有機溶媒に分散させた懸濁液をセラミックスの表
面に塗布し、乾燥後、真空中または非酸化雰囲気中で焼
結し、その固溶体のメタライズ被膜を形成させることを
特徴とするセラミックスのメタライズ方法にある。
て、その要旨は、チタン、ジルコニウム、ガリウムおよ
びインジウムのうちの1種以上の金属粉とアルミニウム
粉とを有機溶媒に分散させた懸濁液をセラミックスの表
面に塗布し、乾燥後、真空中または非酸化雰囲気中で焼
結し、その固溶体のメタライズ被膜を形成させることを
特徴とするセラミックスのメタライズ方法にある。
本発明に用いられるセラミックスとしては、アルミナな
どの酸化物セラミックスまたはサイアロンなどの非酸化
物セラミックスが挙げられる。
どの酸化物セラミックスまたはサイアロンなどの非酸化
物セラミックスが挙げられる。
チタン、ジルコニウム、ガリウムおよびインジウムのう
ちの1種以上の金属粉とアルミニウム粉とを有機溶媒、
例えば速乾性である酢酸ブチルに分散させ、両者混合の
懸濁液をつくる。上記金属粉のうち、チタンは活性金属
としてセラミックスのメタライズ強度を特に向上させる
作用がある。
ちの1種以上の金属粉とアルミニウム粉とを有機溶媒、
例えば速乾性である酢酸ブチルに分散させ、両者混合の
懸濁液をつくる。上記金属粉のうち、チタンは活性金属
としてセラミックスのメタライズ強度を特に向上させる
作用がある。
アルミニウム粉に対する上記金属粉の割合が多いと、焼
結の際にセラミックスへの濡れが無くなり、被膜ができ
ない。この点を考慮すれば、上記金属粉が5〜20重量
%、アルミニウム粉が95〜80重量%の割合が適当で
ある。
結の際にセラミックスへの濡れが無くなり、被膜ができ
ない。この点を考慮すれば、上記金属粉が5〜20重量
%、アルミニウム粉が95〜80重量%の割合が適当で
ある。
この懸濁液をセラミックスの表面に塗布し、乾燥後、真
空中または非酸化雰囲気で焼結する。焼結温度が高すぎ
ると、塗布物が流失して被膜ができないので、通常、6
30〜850°Cで10分程度加熱すれば、セラミック
スの表面にその固溶体の被覆が形成され、セラミックス
と強固に結合したメタライズ被膜を得ることができる。
空中または非酸化雰囲気で焼結する。焼結温度が高すぎ
ると、塗布物が流失して被膜ができないので、通常、6
30〜850°Cで10分程度加熱すれば、セラミック
スの表面にその固溶体の被覆が形成され、セラミックス
と強固に結合したメタライズ被膜を得ることができる。
[実施例]
実施例1〜8
チタン、ジルコニウム、ガリウムおよびインジウムの金
属粉とアルミニウム粉とを、表1に示す割合で、100
gの酢酸ブチルに分散させた懸濁液をつくり、アルミナ
セラミックス(純度99.5%、日本セラチック社製)
、サイアロンセラミックス(日本セラチック社製)また
は窒化珪素セラミックス(ASN−2、日本セラチック
社製)にこの懸濁液を筆塗布し、乾燥後、真空中680
”Cで10分間加熱し焼結させた。
属粉とアルミニウム粉とを、表1に示す割合で、100
gの酢酸ブチルに分散させた懸濁液をつくり、アルミナ
セラミックス(純度99.5%、日本セラチック社製)
、サイアロンセラミックス(日本セラチック社製)また
は窒化珪素セラミックス(ASN−2、日本セラチック
社製)にこの懸濁液を筆塗布し、乾燥後、真空中680
”Cで10分間加熱し焼結させた。
その結果、いずれの場合も、セラミックスの表面に強固
に結合した固溶体のメタライズ被膜が得られた。このメ
タライズを施したセラミックスを磁界に置いたが、磁性
は認められなかった。
に結合した固溶体のメタライズ被膜が得られた。このメ
タライズを施したセラミックスを磁界に置いたが、磁性
は認められなかった。
[発明の効果J
本発明の方法によれば、磁性材料を使用せずに、セラミ
ックスの表面にメタライズ被膜を形成させることができ
るので、磁界中での信号線路に使用することができる。
ックスの表面にメタライズ被膜を形成させることができ
るので、磁界中での信号線路に使用することができる。
Claims (1)
- (1)チタン、ジルコニウム、ガリウムおよびインジウ
ムのうちの1種以上の金属粉とアルミニウム粉とを有機
溶媒に分散させた懸濁液をセラミックスの表面に塗布し
、乾燥後、真空中または非酸化雰囲気中で焼結し、その
固溶体のメタライズ被膜を形成させることを特徴とする
セラミックスのメタライズ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26845790A JPH04144987A (ja) | 1990-10-08 | 1990-10-08 | セラミックスのメタライズ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26845790A JPH04144987A (ja) | 1990-10-08 | 1990-10-08 | セラミックスのメタライズ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04144987A true JPH04144987A (ja) | 1992-05-19 |
Family
ID=17458775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26845790A Pending JPH04144987A (ja) | 1990-10-08 | 1990-10-08 | セラミックスのメタライズ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04144987A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113501725A (zh) * | 2021-07-21 | 2021-10-15 | 江苏富乐德半导体科技有限公司 | 一种覆铝陶瓷绝缘衬板的制备方法 |
| CN113511915A (zh) * | 2021-04-06 | 2021-10-19 | 上海富乐华半导体科技有限公司 | 一种陶瓷覆铝衬板的制备方法 |
-
1990
- 1990-10-08 JP JP26845790A patent/JPH04144987A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113511915A (zh) * | 2021-04-06 | 2021-10-19 | 上海富乐华半导体科技有限公司 | 一种陶瓷覆铝衬板的制备方法 |
| CN113501725A (zh) * | 2021-07-21 | 2021-10-15 | 江苏富乐德半导体科技有限公司 | 一种覆铝陶瓷绝缘衬板的制备方法 |
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