JPH04146625A - バンプ電極の形成方法 - Google Patents

バンプ電極の形成方法

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JPH04146625A JP2271346A JP27134690A JPH04146625A JP H04146625 A JPH04146625 A JP H04146625A JP 2271346 A JP2271346 A JP 2271346A JP 27134690 A JP27134690 A JP 27134690A JP H04146625 A JPH04146625 A JP H04146625A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はＩＣチップなどのバンプ電極の形成方法に関す
るものである。
従来の技術 近年、半導体装置の実装方法については、多ピン化、薄
型化、微細化が進んできている。これに対応する技術と
して、いわゆるメツキバンプ電極を用いるものがある。
しがしメツキバンプ電極の形成には複雑なメツキ工程が
必要であるばかりでなく、形成できるバンプ電極の高さ
にも限界があった。
最近、これに代わるものとして、スタッドバンプ法と称
される技術が提唱されている（特開昭６３−３０４５８
７）。以下、この技術の概要を図面を参照しなから説明
する。
第４図は従来のスタッドバンプ法によるバンプ電極形成
方法を示す工程断面図である。同図において、１はキャ
ピラリー　２はワイヤー、３はボール、４はＩＣチップ
、５は電極パッド、６は底部、７は頂部である。
まず、第４図（ａ）に示すようにキャピラリー１の先端
から導出されたワイヤー２の先端に電気トーチなどでボ
ールを形成する。次に第４図（ｂ）に示すように、ボー
ル３をキャピラリー１によって、ＩＣチップ４の電極パ
ッド５に圧着し、底部６を形成する。次に第４図（Ｃ）
〜第４図（ｄ）に示すように、底部６とつながっている
ワイヤー２をキャピラリー１の孔に通した状態でキャピ
ラリー１をループ状に移動させて、第４図（ｅ）に示す
ように底部６の上部に頂部７を形成する。ついでキャピ
ラリー１の先端でワイヤー２を切断すれば、バンプ電極
が完成する。
発明が解決しようとする課題 上記従来の方法で形成されたバンプ電極は第５図に示す
ように、底部６の肩の部分が平坦であるため、折り返さ
れて圧着されたワイヤーのテールの保持力が弱く、ワイ
ヤーのテールを圧着した後、ワイヤーを切断するための
キャピラリーの動きによって、ワイヤーのテールが底部
６から離脱することがあった。ワイヤーのテールが底部
６から離脱すると頂部７が所望の形状にならず、そのバ
ンプ電極は形状不良となり、修正ができないので、その
ＩＣチップも不良とせざるを得な（なる。
課題を解決するための手段 上記課題を解決するために本発明のバンプ電極の形成方
法では、キャピラリー先端の送出口から外部に導出され
たワイヤーの先端にボールを形成する工程と、前記ボー
ルを基板上の電極に圧着する工程と、同工程を経て前記
ボールの一部に形成された凹状部の方向に前記ワイヤー
を折り返し前記凹状部に前記ワイヤーの一部を圧着する
工程を含むことを特徴としている。
作用 以上の形成方法によれば、折り返されたワイヤーの一部
がボールに形成された凹状部に圧着されるので、ワイヤ
ーが従来に比べてより強固に保持され、ワイヤーが離脱
する恐れがな（なり、バンプ電極の形状不良が発生しな
（なる。
実施例 本発明によるバンプ電極の形成方法の一例を第１図を参
照して説明する。同図において、１１はキャピラリー、
２はワイヤー、３はボール、４はＩＣチップ、５は電極
パッド、１６は底部、７は頂部、８は凹状部である。
まず、第１図（ａ）に示すようにキャピラリー１１の送
出口から導出されたワイヤー２の先端に電気トーチなど
でボール３を形成する。キャピラリー１１はたとえばセ
ラミック製や人エルビー製のもので、その先端にはワイ
ヤー送出口のまわりに環状の凸部を設けである。ワイヤ
ー２の材料としては、たとえば、２０μｍ〜３０μｍの
直径の金（Ａｕ）線を用いればよい。第１図（ｂ）に示
すようにボール３をキャピラリー１１によってＩＣチッ
プ４上の電極パッド５に圧着し底部１６を形成する。こ
のとき底部１６の上面には、キャピラリー１１の先端の
凸部によって環状の凹状部８が形成される。次に第１図
（Ｃ）〜第１図（ｅ）に示すように、キャピラリー１１
をループ状に移動させ、ワイヤー２を底部１６の凹状部
８に向かって折り返し、ワイヤー２の一部を底部１６の
凹状部８に圧着する。その後、さらにキャピラリー１１
を移動させて圧着部からさらに延びるワイヤーを切断す
れば、バンプ電極の形成が完了する。
以上の方法で形成されたバンプ電極の断面図を第２図に
示す。底部１６の上面に環状に形成された凹状部８の一
部に、頂部７を形成するワイヤーのテールが圧着されて
いる。このような形状にすることにより、ワイヤーのテ
ールと底部１６の圧着面積が増大し、圧着強度が向上す
る。したがって、ワイヤーのテールを圧着した後のワイ
ヤー切断時にワイヤーのテールが離脱する現象が発生し
ない。また、ワイヤーのテールの圧着部は凹状部８の外
側の隆起部によって囲まれた状態になっている。この特
徴も、ワイヤーのテールの離脱を防止するのに有効に働
く。
本発明の別の実施例で形成されたバンプ電極の断面図を
第３図に示す。この実施例では底部２６の上面の一部に
のみ凹状部１８が形成され、そこにワイヤーのテールが
圧着されている。このような形状のバンプ電極を形成す
るには、キャピラリーのワイヤー送出口の周囲の一部に
凸部を設けておけばよい。この実施例によれば、凹状部
を形成すべき領域が限られているので、キャピラリーに
よって加える荷重を小さ（しても十分な深さの凹状部が
形成される。キャピラリーによって加える荷重を小さく
するとボールがつぶされる度合も少なくなり、高いバン
プ電極を形成するのに有利である。
なお、以上の実施例では、ワイヤー送出口の周囲に環状
に、あるいは部分的に凸部を設けたキャピラリーを用い
たが、従来のワイヤーボンディングに用いられる通常の
キャピラリーであっても、ボール圧着時の荷重をやや大
きくしたり、超音波印加時間を長（することによって、
バンプ電極の底部に凹状部を形成することができる。
発明の効果 以上詳しく述べたように、本発明のバンプ電極の形成方
法によれば、バンプ電極形成後のワイヤー切断時にワイ
ヤーのテールが離脱することがなく、バンプ電極形成工
程の歩留りが向上し、ひいてはＩＣチップ等の歩留りの
向上が達成される。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の形成方法を示す工程断面図、第２図、
第３図は本発明によって形成したバンプ電極の形状を示
す断面図、第４図は従来の形成方法を示す工程断面図、
第５図は従来の方法で形成したバンプ電極の形状を示す
断面図である。 ２・・・・・・ワイヤー　３・・・・・・ボール、４・
・・・・・ＩＣチップ、８，１８・・・・・・凹状部、
１１・・・・・・キャピラリー　１６．２６・・・・・
・底部。 代理人の氏名　弁理士小蝦治明　ほか２名菓 図 第 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）キャピラリー先端の送出口から外部に導出された
    ワイヤーの先端にボールを形成する工程と、前記ボール
    を基板上に電極に圧着する工程と、同工程を経て前記ボ
    ールの一部に形成された凹状部の方向に前記ワイヤーを
    折り返し前記凹状部に前記ワイヤーの一部を圧着する工
    程を含むバンプ電極の形成方法。
JP2271346A 1990-09-20 1990-10-09 バンプ電極の形成方法 Expired - Lifetime JP2574531B2 (ja)

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US07/761,717 US5172851A (en) 1990-09-20 1991-09-17 Method of forming a bump electrode and manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device
US07/937,466 US5299729A (en) 1990-09-20 1992-08-28 Method of forming a bump electrode and manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997039480A1 (en) * 1996-04-18 1997-10-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Two-step projecting bump for semiconductor chip and method for forming the same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997039480A1 (en) * 1996-04-18 1997-10-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Two-step projecting bump for semiconductor chip and method for forming the same
US6232211B1 (en) 1996-04-18 2001-05-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Two-step projecting bump for semiconductor chip and method for forming the same

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