JPH04147601A - 電子部品の電極構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、金属有機物ペーストを用いて形成した導電性
薄膜をベースにした電子部品の電極構造に関するもので
ある。

〈従来の技術〉 近年、電子部品の小型化、高密度化、底コスト化の要求
が需要者側から益々強くなっている。この要求に応する
べく、底コストでしがも電気的信頼性の高いＡｕ、Ａｕ
／Ｐｔ等の金属有機物ペーストを用いて電子部品の電極
部を形成する技術が本発明者によって既に提案されてい
る（特願平１−１９７９３６．特願平２−１１７４４６
）。

この電極部には、チップ抵抗器のベース電極部や、或は
ハイブリッドＩＣや抵抗ネットワークを構成する場合、
隣接する回路を互いに接続するための取出し電極部等が
上げられる。これら各電極部を他の導体部と接続する場
合には、 （１）前記金属有機物ペーストを用いて形成した電極部
に、同じ材料による金属有機物ペーストによって導体部
を形成し、前記電極部と導体部とを直接接合する構造。

（２）金属有機物ペーストを用いて形成した電極部をＡ
ｇ／Ｐｃｔなどの厚膜導体ペーストで覆った後。

６００℃〜８５０”Ｃの高温で焼成して厚膜導体を形成
し、この厚膜導体と前記導体部とを接合する構造。

等がある。

〈発明が解決しようとする課題〉 しかし、従来のように前記電極部と導体部とを接合し、
Ｓ　ｎ　／　Ｐ　ｂ　／　Ａ　ｇ系のハンダ槽（２５０
℃）に約１０秒間浸漬した場合、前記（１）の電極構造
では、金属有機物ペーストを焼成し形成した導電性薄膜
にハンダが濡れず、しかもハンダくわれを生じて前記導
電性薄膜が前記槽中のハンダに溶解してしまう。また、
前記（２）の電極構造では、前記厚膜導体上にハンダが
濡れるものの、９５％以上のハンダ濡れ性を確保できな
いという問題点があった・ 本発明は上記欠点を解決すべくなされものであり、その
目的は金属有機物ペーストを用いて形成した電極が、回
路パターン等を形成する導体部と確実に固定し得るよう
に、ハンダ濡れ性が良好で、かつ、機械的強度に優れた
電子部品の電極構造を提供することにある。

く課題を解決するための手段〉 本発明は、上記目的に鑑みてなされたものであり、その
要旨は、金属有機物ペーストを用いた電子部品の電極構
造であって、前記金属有機物ペーストを焼成し、前記電
子部品の絶縁基板上に形成する導電性薄膜と、該導電性
薄膜上に形成し、Ｃｒ、Ｎｉ又はＴｉのいずれか或はこ
れらを組み合わせた合金よりなる第１の金属膜と、Ｃｕ
。

Ｓｎ又はＰｂのいずれか或はこれらを組み合わせた合金
よりなり、前記電極構造の最上層に形成する第２の金属
膜とを有し、前記第１及び第２の金属膜を３００”Ｃ以
下の低温で形成することを特徴とする電子部品の電極構
造にある。

ここで前記金属有機物ペーストとしては、Ａｕ。

ｐｔ又はＰｄのいずれか或はこれらを組み合わせた合金
の有機化合物をペースト状にしたものが好ましい。

〈作用〉 前記第１の金属膜を形成するＣｒ、Ｎｉ又はＴｉのいず
れか或はこれらを組み合わせた合金は、前記導電性薄膜
やその下の絶縁基板との密着性及び機械的強度に優れて
いる。また、前記第２の金属膜を形成する（：ｕ、Ｓｎ
又はＰｂのいずれか或はこれらを組み合わせた合金は、
ハンダ濡れ性に優れる材質である。従って、これら第１
、第２の金属膜は、前記金属有機物ペーストを焼成し形
成した導電性薄膜を保護し、機械的強度やハンダ濡れ性
などを高めるように作用する。

また、前記第１．第２の金属膜を、３００℃以下の低温
で形成することにより、最下層の前記導電性薄膜との間
において、相互の反応拡散はほとんど生じないように作
用する。

〈実施例〉 本発明に係る電子部品の電極構造のうち、ハイブリッド
ＩＣや抵抗ネットワークを構成する際の取出し電極の電
極構造Ａについて、第１図に基づいて工程順に説明する
。

先ず、アルミナセラミックス製の絶縁基板ｌ。

上に、回路パターンを構成する導電性薄膜１２を形成す
る。この導電性薄膜１２は、金属有機物として金を含有
した金レジネートペーストをスクリーン印刷法或はフォ
ト・エツチング法によりパターン化し、８５０℃程度の
高温で焼成し形成する。

次に導電性薄膜１２に、両端部が重なるように所定位置
に厚膜素子としての抵抗体１３を形成する。この抵抗体
１３は、ＲｕＯ２系、Ｐｂ２Ｒｕ、Ｏ，、、系等の抵抗
ペーストをスクリーン印刷法によりパターン印刷し、８
５０℃程度で焼成する。さらに、このように形成した抵
抗体１３の上を覆うように、ガラスコート１４を施して
厚膜素子を保護する。

また、導電性薄膜１２の上に１両端部が重なるように薄
膜素子としての薄膜抵抗１５を形成する。

この薄膜抵抗１５は、蒸着法やスパッタ法等の従来の薄
膜作成方法により形成し、フォトエツチング法等により
パターン化して形成する。

次に、抵抗ネットワーク等を構成する際に、隣接する回
路を互いに接続するための取出し電極を形成する。取出
し電極の形成に当っては、まず、導電性薄膜１２の所定
箇所に、該導電性薄膜１２及び絶縁基板１０との密着性
に優れ、かつ機械的強度にも優れるＣｒによる第１の金
属膜１６をスパッタ法或は蒸着法によって形成する。な
お、形成時の温度は９０℃〜３００℃程度である。さら
に、この第１の金属膜１６をエツチング法或はリフト・
オフ法によりパターン化する。ついで、パターン化した
第１の金属膜１６の上に、ハンダ濡れ性に優れるＣｕに
よる第２の金属膜１７をスパッタ法或は蒸着法等によっ
て形成する。この形成時の温度け、９０℃〜３００’Ｃ
程度である。

なお、前記第１の金属膜１６は、Ｃｒの他、Ｎｉ又はＴ
ｉ或はこれらを組み合わせた合金によって形成すること
ができ、また、前記第２の金属膜１７は、Ｃｕの他、Ｓ
ｎ又はＰｂ或はこれらを組み合わせた合金によって形成
することができる。

また５本発明に係る電子部品の電極構造のうち、チップ
抵抗器におけるベース電極の電極構造Ｂについて、第２
図を基に工程順に説明する。

まず、絶縁基板としてのセラミックス製のチップ基板２
０上の両端部に、周知のフォト・エツチング法或はスク
リーン印刷法等により金属有機物材料として金を含有し
た金レジネートペーストをパターン印刷し、８５０℃程
度の高温で焼成して一対のベース電極２１を形成する０
次に、前記−対のベース電極２１に、両端部が重なるよ
うにＲｕ系ペーストをスクリーン印刷法により印刷し、
８５０℃程度で焼成して抵抗膜２２を形成する。

次に、ベース電極２１上に、該ベース電極２１及びチッ
プ基板２０との密着性に優れ、かつ機械的強度にも優れ
るＮｉによる第１の金属膜２４を無電解メツキ法によっ
て形成する。この形成時の温度は、６０℃〜９５℃程度
である。このように。

ベース電極２１を第１の金属膜２４で被覆することによ
り、トリミングを行う際の測定用プローブとベース電極
２１との電気的コンタクトが改善されると共に、金を含
有するベース電極、２１の摩耗性が弱いという欠点を補
うことができる。

さらに１周知の方法でトリミングを行い所望の抵抗値に
調節し、この後に行うメツキ処理時における抵抗膜２２
の保護及び種々の使用環境に耐え得るためのオーバーコ
ート膜２３を公知の方法で形成する。

次に、チップ基板２０の両端面に端面電極２６及び裏面
電極２７を形成した後、前記第１の金属膜２４及び各電
極２６．２７の上に、ハンダ濡れ性に優れるＳｎ／Ｐｂ
合金による第２の金属膜２５を電気メツキ法、無電解メ
ツキ法或は蒸着法等によって形成する。この形成時の温
度は、電気メツキ法では２０℃〜６０℃程度、無電解メ
ツキ法では、６０℃〜９５℃程度、蒸着法では９０℃〜
３００℃程度である。

なお、前記第１の金属膜２４は、前記第１の金属膜１６
は、Ｎｉの他、Ｃｒ又はＴｉ或はこれらの合金によて形
成することができ、また、前記第２の金属膜２５は、Ｓ
　ｎ　／　Ｐ　ｂ合金の他、Ｃｕ。

Ｓｎ又はＰｂ或はこれらの合金によって形成することが
できる。

また、本実施例では、第１の金属膜と第２の金属膜とを
連続して積層させたが、この第１の金属膜と第２の金属
膜との間に、他の金属膜を介在させても、本発明と同様
な作用効果を発揮するものである。

く効果〉 本発明に係る電子部品の電極構造によれば、前記導電性
薄膜の上に形成するＣｒ、Ｎｉ又はＴｉのいずれか或は
これらを組み合わせた合金による第１の金属膜は、前記
導電性薄膜やその下の絶縁基板との密着性及び機械的強
度に優れており、また、Ｃｕ、Ｓｎ又はＰｂのいずれか
或はこれらを組み合わせた合金による前記第２の金属膜
は、ハンダ濡れ性に優れた材質である。従って、これら
第１、第２の金属膜は、前記金属有機物ペーストを焼成
し形成した導電性薄膜を保護し；機械的強度やハンダ濡
れ性などを高めることができる。また、前記第１、及び
第２の金属膜は、３００℃以下の低温で形成するので、
最下層の前記導電性薄膜との間において、相互の反応拡
散はほとんど生じないため、所望の電気的特性を確実に
得ることができ、電気的信頼性の高い電子部品の電極構
造を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明に係る電極構造を取出し電極に適用し
た例を示す回路基板の断面図、第２図は、本発明に係る
電極構造をチップ抵抗器のベース電極に適用した例を示
すチップ抵抗器の断面図である。 Ａ・・取出し電極の電極構造、１ｏ・・絶縁基板、１２
・・導電性薄膜、１６・・第１の金属膜、１７・・第２
の金属膜、Ｂ・・ベース電極の電極構造、２０・・チッ
プ基板（絶縁基板）、２１・・ベース電極（導電性薄膜
）、２４・・第１の金属膜、２５・・第２の金属膜。 特許出願人　　三菱鉱業セメント株式会社同　　　釜屋
電機株式会社

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　金属有機物ペーストを用いた電子部品の電極構造であ
   って、 前記金属有機物ペーストを焼成し、前記電子部品の絶縁
   基板上に形成する導電性薄膜と、該導電性薄膜上に形成
   し、Ｃｒ、Ｎｉ又はＴｉのいずれか或はこれらを組み合
   わせた合金よりなる第１の金属膜と、Ｃｕ、Ｓｎ又はＰ
   ｂのいずれか或はこれらを組み合わせた合金よりなり、
   前記電極構造の最上層に形成する第２の金属膜とを有し
   、前記第１及び第２の金属膜を３００℃以下の低温で形
   成することを特徴とする電子部品の電極構造。