JPH041526B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は信号圧縮器と信号伸長器とを備えた雑
音低減装置に関する。

従来から、ある特定な通信系あるいは特定な記
録・再生系のＳ／Ｎ比を改善するため、その系に
信号圧縮器と信号伸長器とを備えた雑音低減装置
を用いることが知られている。

特に信号圧縮器の回路構成部品と信号伸長器の
回路構成部品とを共通に使用し、モードスイツチ
の切換えによつて信号圧縮器の機能と信号伸長器
の機能とを切換えることが可能な雑音低減装置が
ソサイテイ・オブ・エレクトロニツク・アンド・
ラジオ・テクニシアン誌 第８巻 1974年５月／
６月号によつて提案されている。

第１図は、この切換可能型信号圧縮器／信号伸
長器の回路ブロツク図を示している。この種の切
換可能型信号圧縮器／信号伸長器は、ドルビーＢ
型ノイズ・リダクシヨン・システムとして当業者
間で周知のものである（ドルビーという言葉は、
ドルビー研究所の登録商標である）。

このドルビーＢ型ノイズ・リダクシヨン・シス
テムを信号圧縮器に切換えることによつて、この
システムはエンコーダとなる。信号圧縮器（エン
コーダ）は入力信号が録音テープに記録される前
に、この入力信号のダイナミツクレンジを圧縮す
る。このシステムは信号伸長器に切換ることによ
つて、このシステムはデコーダとなる。信号伸長
器（デコーダ）は入力信号に対するダイナミツク
レンジの直線性をもとに戻す。記録／再生プロセ
ス中に導入される雑音は相当に減少され、従つて
信号圧縮器−信号伸長器の組合せは雑音低減装置
として作用する。

ドルビーＢ型ノイズ・リダクシヨン・システム
では、通例200Hzの周波数値よりも高い信号成分
に対して信号圧縮／信号伸長の動作が行なわれ
る。

次に第１図の回路ブロツクを参照して、周知の
エンコーダ／デコーダについて詳細に説明する。

第１図に示した雑音低減装置は入力端子T₁と
出力端子T₂との間のメイン・パスl_nと、エンコ
ーダ／デコーダ切換えのためのモードスイツチ
SWと出力端子T₂との間のサイド・チエインl_Sと
を有する。

メイン・パスl_n上には結合回路１０、反転器１
１が配置されている。

サイド・チエインl_S上には可変フイルタ１２、
信号増幅器１３、制御増幅器１４、整流器・平滑
回路１５、オーバーシユート・サプレツサ１６が
配置されている。

モードスイツチSWが端子T₃に接続されている
場合は、この回路ブロツクはエンコーダとなる。
メイン・パスl_n上の結合回路１０と反転器１１と
は線形増幅を実行する。

可変フイルタ１２は、整流器・平滑回路１５に
よつて発生される制御信号S_Cに応じて200Hz以上
の周波数の信号成分に対する伝達量を変化させ
る。より詳しく説明すると可変フイルタ１２、信
号増幅器１３、制御増幅器１４、整流器・平滑回
路１５のループによつて、モードスイツチSWの
共通端子T₅における入力信号のレベルが低下す
ると可変フイルタ１２よりの伝達量が増加する。
故に、入力信号レベルの低下に従つてサイド・パ
スl_S上の200Hz以上の周波数の信号成分は増加す
る。

回路ブロツクがエンコーダに構成されている場
合は、サイド・チエインl_S上の信号はメイン・パ
スl_n上の信号に加算される。従つて、第２図の振
幅−周波数特性に示すように200Hz以上の信号成
分は信号レベルの低下に従つて次第に大きな振幅
値をもつようになる。

一方、モードスイツチSWが端子T₄に接続され
ている場合は、この回路ブロツクはデコータとな
る。メイン・パスl_n上の反転器１１は信号反転器
として構成されておりモードスイツチSWの共通
端子T₅にはこの反転器１１の出力信号が印加さ
れるので、サイド・チエインl_S上には入力端子T₁
に印加された入力信号と反対位相の信号が供給さ
れるようになる。従つて、サイド・チエインl_S上
信号はメンイン・パスl_n上の信号から減算さるの
で、デコーダの出力信号の振幅−周波数特性にお
いては200Hz以上の信号成分は信号レベルの低下
に従つて次第に小さな振幅値を有するようにな
る。

オーバーシユート・サプレツサ１６は、可変フ
イルタ１２に印加される端子間電圧の振幅値を制
限する。もしこのオーバーシユート・サプレツサ
１６が配置されていないと、高レベルの過渡信号
には不所望な変化が生じる。

従来より公知のドルビーＢ型ノイズ・リダクシ
ヨン・システムの整流器・平滑回路１５は直列接
続された第１ダイオードと第２ダイオードを含
み、第１ダイオードはその順方向電圧が約0.3V
のゲルマニウム・ダイオードによつて構成され、
第２ダイオードはその順方向電圧が約0.7Vのシ
リコン・ダイオードによつて構成されている。

一方、シリコン・モノリシツク半導体集積回路
（以下ICという）に構成されたドルビーＢ型ノイ
ズ・リダクシヨン・システムも公知であるが、
IC化されたシステムの整流器・平滑回路内の第
１ダイオードと第２ダイオードとはIC内部のシ
リコン・トランジスタによつて構成されている。
IC内部のシリコン・トランジスタの順方向電圧
は約0.7Vであるため、IC化された公知のドルビ
ーＢ型ノイズ・リダクシヨン・システムはそのエ
ンコード・デコード特性がドルビーの標準エンコ
ード・デコード特性より逸脱するという欠点を有
する。

従つて、本願発明の目的とするところはシリコ
ン半導体集積回路に構成されるとともにドルビー
標準エンコード・デコード特性よりの誤差の小さ
い雑音低減装置を提供することにある。

以下、図面を参照して本発明を具体的に説明す
る。

第３図は本発明の一実施例による切換可能型信
号圧縮器／信号伸長器の回路ブロツクを示し、破
線IC内の部品はシリコン・モノリシツク半導体
集積回路内部に構成されている。丸で囲まれた数
字は、集積回路の端子番号を示している。

入力端子T₁と出力端子T₂との間のメイン・パ
スl_n上には結合回路１０、反転器１１が配置され
ている。入力端子T₁は入力結合容量C₁を介して
１番端子に接続され、１番端子は結合回路１０の
一方の入力端子とモードスイツチとして構成され
たスイツチング増幅器SWのＲサイドの非反転入
力端子とに接続されている。一方、スイツチン
グ増幅器SWのＰサイドの非反転入力端子は反
転器１１の出力端子に接続され、スイツチング増
幅器SWの出力端子はその反転入力端子に接続
されるとともに３番端子に接続されている。

３番端子と５番端子との間には容量C₄、C₅が
直列接続されるとともに、容量C₄、C₅の共通接
続点は抵抗R₁₀₁を介して４番端子に接続され、容
量C₅には抵抗R₁₀₂が並列に接続されている。

４番端子は容量C₃によつて交流的に接地され、
４番端子と５番端子との間には可変インピーダン
ス１２ａがIC内部で接続されている。

かくして、容量C₄、C₅、抵抗R₁₀₁，R₁₀₂、可変
インピーダンス１２ａは可変フイルタ１２を構成
する。

一方、基準電圧発生器１７は４番端子に直流基
準電圧V_REFを発生する。

信号増幅器１３はいわゆる演算増幅器の形態に
構成され、非反転入力端子、反転入力端子、
出力端子を有している。この非反転入力端子は
５番端子および可変インピーダンス１２ａに接続
されている。抵抗R₇，R₈から構成された負帰還
回路網が信号増幅器１３の出力端子と反転入力端
子との間に接続されることにより、この信号増
幅器１３の電圧利得が設定されている。信号増幅
器１３の出力端子の出力信号はオーバーシユー
ト・サプレツサ１６に供給される。

オーバーシユート・サプレツサ１６は抵抗R₉、
クランプ・ダイオードD₃，D₄によつて構成され、
高レベルの過渡信号による不所望な変化の発生を
防止する。

オーバーシユート・サプレツサ１６の出力信号
は結合回路１１の他方の入力端子としてのサイ
ド・パスl_Sに伝達される。

一方、制御増幅器１４はいわゆる演算増幅器の
形態に構成され、非反転入力端子、反転入力端
子、出力端子を有している。この非反転入力端
子は信号増幅器１３の出力端子に接続されてい
る。

制御増幅器１４の反転入力端子は６番端子を
介して容量C₆、C₇、抵抗R₁₀₃によつて構成され
たい周波数特性決定回路１４ａに接続されること
によつて、制御増幅器１４の出力周波数特性が決
定される。

特に限定されないが、制御増幅器１４の出力信
号はアタツク・タイム調整用の抵抗R₆（1.6KΩ）
を介して整流器・平滑回路１５に伝達される。

整流器・平滑回路１５は第１ダイオードD₁か
ら構成された整流器１５ａを含み、容量C₈、C₉、
抵抗R₁₀₄、第２ダイオードD₂から構成された平
滑回路１５ｂを含んでいる。第２ダイオードD₂
はいわゆるアタツク・タイムとリカバリ・タイム
とを適切な値に調整する。また、第１ダイオード
D₁と第２ダイオードD₂とはともにモノリシツク
半導体集積回路内のコレクタ・ベース短絡のシリ
コーン・トランジスタによつて構成され、その順
方向電圧は約0.7Vである。

一方、７番端子および８番端子は平滑回路１５
ｂの容量C₈、C₉、抵抗R₁₀₄の半導体集積回路外
部での接続のため配置されている。平滑回路１５
ｂの出力電圧は演算増幅器によつて構成されたボ
ルテージ・ホロワ１５ｃを介して抵抗R₁₀，R₁₁，
R₁₂、トランジスタQ₃，Q₄，Q₅によつて構成され
た電圧−電流変換器１５ｄに伝達される。

この電圧−電流変換器１５ｄは平滑回路１５ｂ
の出力電圧に相当した制御信号電流S_cをその出力
に発生する。制御信号電流S_cの大きさに従つて、
可変フイルタ１２の可変インピーダンス１２ａの
インピーダンス値が制御される。

可変フイルタ１２、制御増幅器１４、整流器・
平滑回路１５はモードスイツチSWの共通端子T₅
における信号レベルの低下に従つて可変インピー
ダンス１２ａのインピーダンス値を高い値に制御
するため、信号増幅器１３とオーバーシユート・
サプレツサ１６とを介してサイド・チエインl_Sに
伝達される200Hz以上の周波数の信号成分のレベ
ルが増加する。

結合回路１０はメイン・パスl_n上の信号成分と
サイド・チエインl_S上の信号成分との加算を実行
する。

９番端子に第１の制御信号Ｐ／Ｂが印加される
ことによつて第１の制御回路１８はスイツチング
増幅器SWの動作モードを制御する。すなわち、
第１の制御信号Ｐ／Ｂが第１のレベルである場合
は、第１の制御回路１８の制御によつてスイツチ
ング増幅器SWはＲサイドの非反転入力端子（す
なわち端子T₃）に印加される信号に応答しＰサ
イドの非反転入力端子（すなわち端子T₄）に印
加される信号には非応答となる。

第１の制御信号Ｐ／Ｂが第２のレベルである場
合は、第１の制御回路１８の制御によつてスイツ
チング増幅器SWはＰサイドの非反転入力端子
（すなわち端子T₄）に印加される信号に応答しＲ
サイドの非反転入力端子（すなわち端子T₃）に
印加される信号には非応答となる。

スイツチング増幅器SWが端子T₃に印加される
信号に応答する場合は、その共通端子T₅にはメ
イン・パスl_n上の信号が伝達される。この場合メ
イン・パスl_n上の信号成分とサイド・チエイン上
の信号成分とは加算されるので、この回路ブロツ
クはエンコーダとして動作する。

一方、スイツチング増幅器SWが端子T₄に印加
される信号に応答する場合は、その共通端子T₅
には反転器１１の出力信号が伝達される。この場
合、サイド・チエインl_S上の信号はメイン・パス
l_n上の信号から減算されるので、この回路ブロツ
クはデコーダとして動作する。

12番端子に第２の制御信号SIDE ON／OFFが
印加されることによつて第２の制御回路１９は可
変インピーダンス１２ａの動作モードを制御す
る。すなわち、第２の制御信号が第１のレベルで
ある場合は、可変インピーダンス１２ａのインピ
ーダンスは電圧−電流変換器１５ｄの出力によつ
て制御され、サイド・チエインl_Sは所定の動作を
実行する。

第２の制御信号が第２のレベルである場合は、
第２の制御回路１９の制御によつて可変インピー
ダンス１２ａのインピーダンスは極めて小さな値
となりサイド・チエインの動作は実質的に停止す
る。縦つて、サイド・チエインl_Sより結合回路１
０の他方の入力端子への交流信号の供給は実質的
に停止される。

10番端子には電源電圧V_CCが供給され、11番端
子は接地電位に接続されている。

さらに、本発明に従つてバイアス回路２０が特
に配置され、バイアス回路２０の抵抗R₁の両端
の電圧が0.3Vに定められている。

本発明の一実施例によるバイアス回路２０は電
流供給手段２０ａとしての定電流源、定電圧手段
２０ｂとしてのシリコン・ダイオードD₅，D₆，
D₇，D₈，D₉、エミツタ・フオロワ・トランジス
タQ₁，Q₂、抵抗R₁，R₂，R₃，R₄，R₅によつて構
成されている。

整流器・平滑回路１５の第１ダイオードD₁の
アノード及びカソードから大きな電流が流れ整流
器・平滑回路１５の整流特性が所定の特性より著
しく逸脱するのを防止するため、抵抗R₂，R₃の
抵抗値は抵抗R₁，R₄の抵抗値より十分大きな値
に設定されている 従つて、本発明の一実施例によれば抵抗R₁，
R₂，R₃，R₄，R₅はそれぞれ下記の如く設定され
ることにより、抵抗R₁の両端の電圧は約0.3Vに
設定される。

R₁…270Ω R₂…15KΩ R₃…33KΩ R₄…910Ω R₅…68Ω 一方、制御増幅器１４の交流出力信号が零の場
合、バイアス回路２０中の抵抗R₁に発生される
バイアス電圧によつて電圧−電流変換器１５ｄの
入力側のダイオードQ₃，Q₄に2μAの微小入力電
流I₄が流れる。従つて、電圧−電流交換器１５ｄ
の出力側のトランジスタQ₅に2μAの微小出力電
流I₅が流れ、可変インピーダンス１２ａのインピ
ーダンスは極めて高い値（数100KΩ）に設定さ
れる。

さらに、温度変化に対して電圧−電流変換器１
５ｄの微小入力電流I₄、微小出力電流I₅の値をほ
ぼ一定に維持することによつて、可変インピーダ
ンス１２ａのインピーダンスを温度変化に対して
ほぼ一定に維持する必要がある。

このためには、電圧−電流変換器１５ｄの入力
側の回路接続点，の電位V_A、V_Bの温度依存
性を互いに等しく設定する必要がある。

回路接続点の電位V_Aとその温度依存性
dV_A／dTはそれぞれ下記の如く求められる。

V_A＝V_BEQ3＋V_BEQ4＋R₁₁・I₄ ……(1) dV_A／dT≒dV_BEQ3／dT＋dV_BEQ4／dT ……(2) 一方、トランジスタのベース・エミツタ間電圧
の温度依存性dV_BE／dTは第４図に示す如くエミ
ツタ電流I_Eの大きさに応じて異なる。

トランジスタQ₃，Q₄には2μAの微小入力電流I₄
が流れるため、ベース・エミツタ間電圧の過度依
存性dV_BE／dTは−2.4ｍＶ／℃となり、回路接続
点の温度依存性は−4.8ｍＶ／℃となる。

回路接続点，，，，の電位V_B、V_C、
V_D、V_E、V_Fの温度依存性dV_B／dT、dV_C／dT、
dV_D／dT、dV_E／dT、dV_F／dTはそれぞれ下記
の如く求められる。

V_B＝V_C＝V_D＝V_E＝R₄／R₁＋R₄＋R₅・V_F ……(3) dV_B／dT＝dV_C／dT＝dV_D／dT＝dV_E／dT ＝R₄／R₁＋R₄＋R₅・dV_F／dT ……(4) 従つて、回路接続点，の電位の過度依存性
を互いに等しく設定するためには、回路接続点
の電位V_Fの温度依存性dV_F／dTを下記の如く設定す れば良い。

dV_F／dT＝R₁＋R₄＋R₅／R₄・dV_B／dT ＝R₁＋R₄＋R₅／R₄・dV_A／dT ＝270＋910＋68／910×（−4.8）ｍＶ／℃ ＝1248／910×（−4.8）ｍＶ／℃＝−6.58ｍＶ／℃ ……(5) 一方、制御増幅器１４より最大出力電流
I₁₄maxが抵抗R₂を介して抵抗R₁に流れ込んだ時
にトランジスタQ₁，Q₂がオフ状態となると、抵
抗R₁，R₂の共通接続点の電位は不所望に変動す
ることになる。これを防止するため、トランジス
タQ₂の直流バイアス電流I₂を制御増幅器１４の最
大出力電流I₁₄maxより大きな値に設定されてい
る。

本発明の一実施例によれば上記最大出力電流
I₁₄maxが1.0ｍＡであるので、トランジスタQ₂の
コレクタ・エミツタ経路に流れる直流バイアス電
流I₂は1.3ｍＡに設定されている。

トランジスタQ₂のエミツタ接地直流電流増幅
率h_FEは200程度の値であるので、トランジスタQ₁
のコレクタ・エミツタ経路に流れる直流バイアス
電流I₁か下記の如く求められる。

I₁＝I₂／h_FE＋１≒1.3ｍＡ／200＝6.5μA ……(6) トランジスタQ₁のエミツタに6.5μAの電流が流
れ、トランジスタQ₂のエミツタに1.3ｍＡの電流
が流れるため、第４図から理解できるようにトラ
ンジスタQ₁のベース・エミツタ間電圧の温度依
存性dV_BEQ1／dTは−1.95ｍＶ／℃となり、トラ
ンジスタQ₂のベース・エミツタ間電圧の温度依
存性dV_BEQ2／dTは−1.7ｍＶ／℃となる。

一方、シリコン・ダイオードD₅，D₆，D₇，
D₈，D₉、トランジスタQ₁，Q₂によつて定まる回
路接続点の電位V_Fと温度依存性dV_F／dTは下
記のように求められる。

V_F＝V_BED5＋V_BED6＋V_BED7＋V_BED8 ＋V_BED9−V_BEQ1−V_BEQ2 ……(7) dV_F／dT＝dV_BED5／dT＋dV_BED6／dT＋dV_BED7／dT ＋dV_BED8／dT＋dV_BED9／dT−dV_BEQ1／dT−dV_BEQ2／dT ＝dV_BED5／dT＋dV_BED6／dT＋dV_BED7／dT ＋dV_BED8／dT＋dV_BED9／dT ＋1.95ｍＶ／℃＋1.7ｍＶ／℃ ……(8) 一方、上記(5)式を満足するところのシリコン・
ダイオードD₅，D₆，D₇，D₈，D₉の温度依存性は
下記の如く求められる。

dV_BED5／dT＋dV_BED6／dT＋dV_BED7／dT＋dV_BED8／dT ＋dV_BED9／dT ＝−6.58ｍＶ／℃−1.95ｍＶ／℃−1.7ｍＶ／℃ ＝−10.23ｍＶ／℃ ……(9) 従つて、(5)式を満足するように直列接続された
５個のダイオードD₅，D₆，D₇，D₈，D₉の一個当
りの温度依存性dV_BED／dTは下記のように求めら
れる。

dV_BED／dT＝10.23／５ｍＶ／℃＝−20.46ｍＶ／℃ ……(10) 故に、本発明の一実施例によれば第４図から理
解できるように直列接続された５個のダイオード
D₅，D₆，D₇，D₈，D₉が一個当り2.046ｍＶ／℃の
温度依存性dV_BED／dTを有するように5μAの定電
流I₀が電流供給手段２０ａよりダイオードD₅，
D₆，D₇，D₈，D₉に供給されている。

以上、説明した本発明の一実施例によれば整流
器・平滑回路１５の第１ダイオードD₁のアソー
ド・カソード間がIC内部に構成されたバイアス
回路２０によつてゲルマニウム・ダイオードの順
方向電圧と等しい0.3Vによつてバイアスされて
いるため初期の目的を達成することができるだけ
ではなく、バイアス回路２０のバイアス出力電圧
の温度依存性と電圧−電流変換器１５ｄの入力側
の回路接続点Ａの温度依存性とが整合されている
ための可変インピーダンス１２ａのインピーダン
スの温度依存性を極めて小さな値に設定すること
ができる。

一方、本発明は上記実施例に限定されるもので
はなく種々の変形実施形態を採用することができ
る。

例えば、電流供給手段２０ａとしての定電流源
は所定の抵抗値を有する抵抗に置換されることが
できる。

モードスイツチとしてIC内部に構成されたス
イツチング増幅器は、IC外部の機械的切換スイ
ツチにされることができる。

本発明の雑音低減装置はドルビーＢ型システム
に限定されるものではなく、二つのカスケード接
続されたドルビーＢ型システムとスペクトラル・
スキユーイング回路とアンチ・サチユレーシヨン
回路とによつて構成されたドルビーＣ型システム
にも応用されることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来より公知の切換可能型信号圧縮
器／信号伸長器の回路ブロツクを示し、第２図は
第１図の回路ブロツクを信号圧縮器に構成した場
合の振幅−周波数特性を示し、第３図は本発明の
一実施例による切換可能型信号圧縮器／信号伸長
器の回路ブロツクを示し、第４図はシリコン・ト
ランジスタのベース・エミツタ間電圧もしくはシ
リコン・ダイオードの順方向電圧の温度依存性と
電流との相関特性を示す。 l_n……メイン・パス、l_S……サイド・チエイン、
１０……結合回路、１１……反転器、１２……可
変フイルタ、１３……信号増幅器、１４……制御
増幅器、１５……整流器・平滑回路、１６……オ
ーバーシユート・サプレツサ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 所定信号が入力される入力端子T₁と、 前記入力端子T₁に一方の入力端が接続された
   結合回路１０と、 前記結合回路１０に接続された反転器１１と、 前記反転器１１に接続された出力端子T₂と、 モードスイツチ手段SWによつて、前記入力端
   子T₁または前記出力端子T₂に選択的に接続され
   る可変フイルタ１２と、 前記可変フイルタ１２に接続された信号増幅器
   １３と、 前記信号増幅器１３に接続された制御増幅器１
   ４及びオーバーシユート・サプレツサ１６と、 前記制御増幅器１４に従属接続された第１シリ
   コンダイオードＤ１、第２シリコンダイオードＤ
   ２及び電圧−電流変換器１５ｄからなる整流器・
   平滑回路１５とを備え、 前記オーバーシユート・サプレツサ１６に前記
   結合回路１０の他方の入力端が接続されると共
   に、前記電圧−電流変換器１５ｄの出力によつて
   前記所定信号に対する前記可変フイルタ１２の伝
   達量を変化させるように構成された切換可能型信
   号圧縮器／信号伸長器において、 前記第１シリコンダイオードＤ１両端を、約
   0.3Vにバイアスするバイアス回路２０を具備し、 前記バイアス回路２０は定電流源２０ａと定電
   圧手段２０ｂからなる電流供給源を含み、前記定
   電流源２０ａから前記定電圧手段２０ｂに供給さ
   れる電流値I₀により、前記バイアス回路２０の出
   力電圧の温度依存性を、前記電圧−電流変換器１
   ５ｄの入力側の回路接続点Ａの温度依存性と等し
   く設定することを特徴とする切換可能型信号圧縮
   器／信号伸長器。 ２ 前記バイアス回路２０はさらに、トランジス
   タQ₁，Q₂、第１抵抗R₁、第２抵抗R₂、第３抵抗
   R₃、第４抵抗R₄を含み、前記トランジスタQ₁，
   Q₂のベースは前記定電圧手段２０ｂに接続され、
   前記トランジスタQ₁，Q₂のエミツタは前記第１
   抵抗R₁の一端に接続され、前記第１抵抗R₁の他
   端は前記第４抵抗R₄を介して基底電位に接続さ
   れ、第１抵抗R₁の前記一端は前記第２抵抗R₂を
   介して前記第１シリコンダイオードＤ１のアノー
   ドに接続され、前記第１抵抗R₁の前記他端が前
   記第３抵抗R₃を介して前記前記第１シリコンダ
   イオードＤ１のカソードに接続され、前記第２抵
   抗R₂及び前記第３抵抗R₃の抵抗値は前記第１抵
   抗R₁及び前記第４抵抗R₄の抵抗値より大きく設
   定されてなることを特徴とする特許請求の範囲第
   １項記載の切換可能型信号圧縮器／信号伸長器。 ３ 前記バイアス回路２０の前記トランジスタ
   Q₁，Q₂のコレクタ・エミツタ経路に流れる直流
   バイアス電流I₂は、前記制御増幅器１４の出力端
   子から前記第２抵抗R₂に流入する最大信号電流
   I₁₄maxよりも大きな値に設定されたことを特徴
   とする特許請求の範囲第２項記載の切換可能型信
   号圧縮器／信号伸長器。 ４ 前記電圧−電流変換器１５ｄはその入力側の
   回路接続点ＡにダイオードQ₃，Q₄を具備し、前
   記定電圧手段は直列接続された複数ダイオード
   D₅…D₉によつて構成され、前記ダイオードD₅…
   D₉に流れる電流値I₀を電圧−電流変換器１５ｄの
   入力側の回路接続点Ａの前記ダイオードQ₃，Q₄
   の温度依存性を補償する如き値に設定することに
   より、前記バイアス回路２０の出力電圧の温度依
   存性と、前記電圧−電流交換器１５ｄの入力側の
   回路接続点Ａの温度依存性とを等しくしたことを
   特徴とする特許請求の範囲第３項記載の切換可能
   型信号圧縮器／信号伸長器。