JPH0415301U - - Google Patents

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JPH0415301U
JPH0415301U JP5448190U JP5448190U JPH0415301U JP H0415301 U JPH0415301 U JP H0415301U JP 5448190 U JP5448190 U JP 5448190U JP 5448190 U JP5448190 U JP 5448190U JP H0415301 U JPH0415301 U JP H0415301U
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JP
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line
bias
applying
semiconductor element
bias voltage
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JP5448190U
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  • Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
  • Waveguides (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第１図はこの考案のスイツチドライン形移相器
の一実施例を示す斜視図、第２図はこの考案の他
の実施例を示す斜視図、第３図は従来のスイツチ
ドライン形移相器の一例を示す斜視図である。 第１図、第３図において、１は半導体基板、２
は地導体、３はＲＦスイツチ、４は入出力線路、
５はＦＥＴ、５ａはゲート電極、５ｂはソース電
極、５ｃはドレイン電極、６はインダクタ用線路
、７は分布定数バイアス回路、７ａは高インピー
ダンス線路、７ｂは低インピーダンス線路、７ｃ
はバイアス端子、８は基準線路、９は遅延線路、
１０はゲート接続線路である。また第２図におい
て７は集中定数バイアス回路、７ａは抵抗、７ｂ
はキヤパシタ、７ｃはバイアス端子、７ｄは接地
端子である。なお、図中同一符号は同一または相
当部分を示す。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 誘電体基板上にストリツプ線路により構成され
    る入出力線路と、入出力線路の接点に配置される
    半導体素子と、上記半導体素子の電極にバイアス
    電圧もしくはバイアス電流を印加するための、ス
    トリツプ線路により構成されるバイアス回路から
    なる２個のＲＦスイツチの、出力部分をストリツ
    プ線路により構成される基準線路と遅延線路によ
    り接続したスイツチドライン形移相器において、
    ２個の半導体素子のバイアス電圧もしくはバイア
    ス電流を印加する電極を導電性の線路で接続し、
    半導体素子の電極にバイアス電圧もしくはバイア
    ス電流を印加するためのバイアス回路の数を半減
    させたことを特徴とするスイツチドライン形移相
    器。
JP5448190U 1990-05-24 1990-05-24 Pending JPH0415301U (ja)

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JP5448190U JPH0415301U (ja) 1990-05-24 1990-05-24

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JPH0415301U true JPH0415301U (ja) 1992-02-07

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