JPH0416012B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0416012B2 JPH0416012B2 JP26913885A JP26913885A JPH0416012B2 JP H0416012 B2 JPH0416012 B2 JP H0416012B2 JP 26913885 A JP26913885 A JP 26913885A JP 26913885 A JP26913885 A JP 26913885A JP H0416012 B2 JPH0416012 B2 JP H0416012B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- solution
- nozzle
- etching solution
- acid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Weting (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体ウエハ上またはフオトマスク
ブランク等上に各種パターンを形成する際等に用
いられるフオトマスクの作成工程上におけるパタ
ーン形成方法に関し、特に、透光性基板上にクロ
ムを含有する被エツチング材の薄膜を形成した各
種基板の、上記薄膜のエツチングに関する。
ブランク等上に各種パターンを形成する際等に用
いられるフオトマスクの作成工程上におけるパタ
ーン形成方法に関し、特に、透光性基板上にクロ
ムを含有する被エツチング材の薄膜を形成した各
種基板の、上記薄膜のエツチングに関する。
フオトマスクブランクのクロム膜のエツチング
法には、水溶液を用いる湿式エツチング法とガス
を用いる乾式エツチング法とがある。歴史が浅
く、エツチング条件が確立されていない乾式エツ
チング法に対し、湿式エツチング法は、歴史が古
く、エツチング条件が確立されているために多く
用いられ、特に、エツチング液を吹付けるスプレ
ー式が一般的である。その場合エツチング液、つ
まりクロム膜エツチング用の水溶液としては、硝
酸第２セリウムアンモン塩、過塩素酸および水を
混合したものが知られており、このエツチング液
を噴出させた後、エツチング液噴出用ノズルの洗
浄を兼ねて、純水を同じノズルから噴出させるリ
ンス工程が行なわれる。
法には、水溶液を用いる湿式エツチング法とガス
を用いる乾式エツチング法とがある。歴史が浅
く、エツチング条件が確立されていない乾式エツ
チング法に対し、湿式エツチング法は、歴史が古
く、エツチング条件が確立されているために多く
用いられ、特に、エツチング液を吹付けるスプレ
ー式が一般的である。その場合エツチング液、つ
まりクロム膜エツチング用の水溶液としては、硝
酸第２セリウムアンモン塩、過塩素酸および水を
混合したものが知られており、このエツチング液
を噴出させた後、エツチング液噴出用ノズルの洗
浄を兼ねて、純水を同じノズルから噴出させるリ
ンス工程が行なわれる。
上述した従来の方法において、エツチング自体
は、硝酸第２セリウムアンモン塩のような錯塩を
酸等によりイオン化させてなる（イオン化された
ものを錯体という）エツチング液とクロムとの酸
化還元反応によりクロムを溶解させることによつ
て行なわれる。このエツチング後、ノズル内にエ
ツチング液が残り、それが乾燥して錯塩を生じな
いようにするため、上述したようにリンス液を用
いてノズルを洗浄するのであるが、しかし、従来
リンス液として用いられている純水のPHではエツ
チング液中の第２セリウムアンモン錯塩を完全に
イオン化する能力はなく、洗浄後も錯塩が結晶化
しやすい状態にあつた。また、一度結晶化した塩
をイオン化することはできず、このような塩は以
後のエツチング工程時にエツチング液とともにス
プレーされエツチング液噴出圧相当のエネルギー
（例えば１〜２Kg／cm2）で被処理基板上のレジス
ト面へ衝突する。塩の当つたレジスト面はえぐら
れ、その部分からエツチング液がしみ込んでピン
ホールのような白欠陥を発生し、所望のパターン
が得られない原因となる。
は、硝酸第２セリウムアンモン塩のような錯塩を
酸等によりイオン化させてなる（イオン化された
ものを錯体という）エツチング液とクロムとの酸
化還元反応によりクロムを溶解させることによつ
て行なわれる。このエツチング後、ノズル内にエ
ツチング液が残り、それが乾燥して錯塩を生じな
いようにするため、上述したようにリンス液を用
いてノズルを洗浄するのであるが、しかし、従来
リンス液として用いられている純水のPHではエツ
チング液中の第２セリウムアンモン錯塩を完全に
イオン化する能力はなく、洗浄後も錯塩が結晶化
しやすい状態にあつた。また、一度結晶化した塩
をイオン化することはできず、このような塩は以
後のエツチング工程時にエツチング液とともにス
プレーされエツチング液噴出圧相当のエネルギー
（例えば１〜２Kg／cm2）で被処理基板上のレジス
ト面へ衝突する。塩の当つたレジスト面はえぐら
れ、その部分からエツチング液がしみ込んでピン
ホールのような白欠陥を発生し、所望のパターン
が得られない原因となる。
本発明は、少なくともエツチング工程後に、エ
ツチング液を噴出させた噴出口から、当該エツチ
ング液を構成する錯塩をイオン化する酸を含む酸
性液を噴出させる工程を設けたものである。
ツチング液を噴出させた噴出口から、当該エツチ
ング液を構成する錯塩をイオン化する酸を含む酸
性液を噴出させる工程を設けたものである。
酸性液の作用によりエツチング液中の錯塩はイ
オン化した状態を保ち、噴出口内で結晶化し、そ
の結晶が噴出されてレジスト膜を傷めるようなこ
とにはならない。
オン化した状態を保ち、噴出口内で結晶化し、そ
の結晶が噴出されてレジスト膜を傷めるようなこ
とにはならない。
まず、石英ガラスからなる５インチ×５インチ
×0.09インチの透光性基板上に、被エツチング材
としてクロムをスパツタ法により800Åの膜厚に
被着し、フオトマスクブランクを作成した。
×0.09インチの透光性基板上に、被エツチング材
としてクロムをスパツタ法により800Åの膜厚に
被着し、フオトマスクブランクを作成した。
このクロム膜上にスピンコート法により電子線
ネガレジスト（例えばCMS−EX（SS）（東洋曹
達社製））を膜厚6000Åに塗布し、クリンオーブ
ンで120℃30分間のプレベークを行なつた後、電
子線描画装置により露光した。次に、専用現像液
によつてレジスト膜を現像し、レジストパターン
を形成した。
ネガレジスト（例えばCMS−EX（SS）（東洋曹
達社製））を膜厚6000Åに塗布し、クリンオーブ
ンで120℃30分間のプレベークを行なつた後、電
子線描画装置により露光した。次に、専用現像液
によつてレジスト膜を現像し、レジストパターン
を形成した。
このレジストパターンをマスクとし、スプレー
エツチングによりクロム膜をエツチングした。エ
ツチング液は、165ｇ硝酸第２セリウムアンモン
塩＋42ml過塩素酸＋純水で、噴出圧は２Kg／cm2で
行なつた。
エツチングによりクロム膜をエツチングした。エ
ツチング液は、165ｇ硝酸第２セリウムアンモン
塩＋42ml過塩素酸＋純水で、噴出圧は２Kg／cm2で
行なつた。
次に、エツチング液中に含まれる酸、つまり過
塩素酸を含んだ水溶液を、エツチング液を噴出さ
せたと同一のノズルから同一噴出圧で噴出させ
て、ノズルの洗浄を行なう。上記水溶液として
は、50wt％濃度の過塩素酸と純水とを20対100の
容量比で混合したものを用いた。その後、別のノ
ズルから純水を噴出させ、基板のリンスを行なつ
た。
塩素酸を含んだ水溶液を、エツチング液を噴出さ
せたと同一のノズルから同一噴出圧で噴出させ
て、ノズルの洗浄を行なう。上記水溶液として
は、50wt％濃度の過塩素酸と純水とを20対100の
容量比で混合したものを用いた。その後、別のノ
ズルから純水を噴出させ、基板のリンスを行なつ
た。
上述したと同様のエツチング液を用い、従来の
工程により、つまり、エツチング液→純水リンス
の流れで行なつたところ、常に、10μｍ程度の大
きさの白欠陥が２〜３個／枚程度の割合で発生し
たが、本実施例の酸性液によるノズルの洗浄工程
を加えた流れで行なつたところ、そのような欠陥
は全く見られなかつた。なお、上記酸性液の濃度
は、上述した例に限らず、50wt％過塩素酸と純
水の容積比で10対100ないし40対100の範囲では同
様の効果が得られた。
工程により、つまり、エツチング液→純水リンス
の流れで行なつたところ、常に、10μｍ程度の大
きさの白欠陥が２〜３個／枚程度の割合で発生し
たが、本実施例の酸性液によるノズルの洗浄工程
を加えた流れで行なつたところ、そのような欠陥
は全く見られなかつた。なお、上記酸性液の濃度
は、上述した例に限らず、50wt％過塩素酸と純
水の容積比で10対100ないし40対100の範囲では同
様の効果が得られた。
また、エツチング液および酸性液噴出用ノズル
とその後の純水噴出用ノズルとを別にしたが、同
一ノズルで純水リンスも行なつてもよいことはい
うまでもない。また、エツチング液の噴出と酸性
液の噴出とは必らずしも連続して行なう必要はな
い。換言すれば、酸性液によるノズルの洗浄と、
被処理基板のリンス処理とを分離し、例えばエツ
チング液噴出後、別のノズルを用いて被処理基板
を純水リンスしている間に、エツチング液の噴出
用のノズルから酸性液を噴出させてノズルの洗浄
を行なつてもよい。
とその後の純水噴出用ノズルとを別にしたが、同
一ノズルで純水リンスも行なつてもよいことはい
うまでもない。また、エツチング液の噴出と酸性
液の噴出とは必らずしも連続して行なう必要はな
い。換言すれば、酸性液によるノズルの洗浄と、
被処理基板のリンス処理とを分離し、例えばエツ
チング液噴出後、別のノズルを用いて被処理基板
を純水リンスしている間に、エツチング液の噴出
用のノズルから酸性液を噴出させてノズルの洗浄
を行なつてもよい。
上述した実施例では、エツチング液噴出後にの
み同一ノズルから酸性液を噴出させる例について
説明したが、エツチング液噴出前にも酸性液を噴
出させるようにしてもよい。これにより、その前
の被処理基板に関するエツチング後の酸性液の噴
出で除去し切れなかつた錯塩があつた場合にもこ
れを除去することができるし、また、レジスト面
に当該酸性液を付与することによりレジスト表面
層を固化させ、万が一結晶化した錯塩が噴出され
て衝突した場合でも表面の損傷を防ぐ効果も有す
る。
み同一ノズルから酸性液を噴出させる例について
説明したが、エツチング液噴出前にも酸性液を噴
出させるようにしてもよい。これにより、その前
の被処理基板に関するエツチング後の酸性液の噴
出で除去し切れなかつた錯塩があつた場合にもこ
れを除去することができるし、また、レジスト面
に当該酸性液を付与することによりレジスト表面
層を固化させ、万が一結晶化した錯塩が噴出され
て衝突した場合でも表面の損傷を防ぐ効果も有す
る。
なお、パターン形成する遮光膜、つまり被エツ
チング材としては、クロム膜の他に、その硼化
物、酸化物、窒化物、炭化物、珪化物もしくはこ
れらの混合物（例えば窒化炭化物）を単層または
複層に形成したもの、さらには膜厚方向に連続的
に組成を変化させて形成したものであつてもよ
い。
チング材としては、クロム膜の他に、その硼化
物、酸化物、窒化物、炭化物、珪化物もしくはこ
れらの混合物（例えば窒化炭化物）を単層または
複層に形成したもの、さらには膜厚方向に連続的
に組成を変化させて形成したものであつてもよ
い。
また、エツチング用ノズルの洗浄に用いる酸性
液は、エツチング液を構成する錯塩をイオン化す
る酸を含むものであればよく、具体的には当該エ
ツチング液自体の構成に用いられる酸を利用する
ことができる。例えば、上述したように硝酸第２
セリウムアンモンに対しては過塩素酸の他酢酸、
硝酸等であり、また他の錯塩に対しては、同様の
酸の他に、他の適当な酸を用いてもよい。
液は、エツチング液を構成する錯塩をイオン化す
る酸を含むものであればよく、具体的には当該エ
ツチング液自体の構成に用いられる酸を利用する
ことができる。例えば、上述したように硝酸第２
セリウムアンモンに対しては過塩素酸の他酢酸、
硝酸等であり、また他の錯塩に対しては、同様の
酸の他に、他の適当な酸を用いてもよい。
以上説明したように、本発明によれば、エツチ
ング後、エツチング液噴出用の噴出口から当該エ
ツチング液を構成する錯塩をイオン化する酸を含
む酸性液を噴出させるようにしたことにより、エ
ツチング工程において生ずる上記錯塩によるレジ
スト面の損傷に起因する白欠陥の発生を防ぐこと
ができ、フオトマスク作製上、無修正マスク歩留
りが向上する。
ング後、エツチング液噴出用の噴出口から当該エ
ツチング液を構成する錯塩をイオン化する酸を含
む酸性液を噴出させるようにしたことにより、エ
ツチング工程において生ずる上記錯塩によるレジ
スト面の損傷に起因する白欠陥の発生を防ぐこと
ができ、フオトマスク作製上、無修正マスク歩留
りが向上する。
Claims (1)
- １ クロムを含有する被エツチング材上にレジス
ト膜を塗布する工程と、このレジスト膜を選択露
光し、現像してレジストパターンを形成する工程
と、このレジストパターンをマスクとし、エツチ
ング液を吹付けるスプレー法により前記被エツチ
ング材をエツチングする工程とを含むパターン形
成方法において、少なくともエツチング工程後
に、前記エツチング液を噴出させた噴出口から、
当該エツチング液を構成する錯塩をイオン化する
酸を含む酸性液を噴出させる工程を有することを
特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60269138A JPS62128529A (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60269138A JPS62128529A (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | パタ−ン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62128529A JPS62128529A (ja) | 1987-06-10 |
| JPH0416012B2 true JPH0416012B2 (ja) | 1992-03-19 |
Family
ID=17468217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60269138A Granted JPS62128529A (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62128529A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04310705A (ja) * | 1991-04-10 | 1992-11-02 | Masao Moriyama | プラスチックペレットの製造装置 |
| JP4488322B2 (ja) * | 2000-01-26 | 2010-06-23 | 大日本印刷株式会社 | フォトマスク製造用スピン処理装置 |
| JP6969904B2 (ja) * | 2017-05-30 | 2021-11-24 | 株式会社エスケーエレクトロニクス | フォトマスクのウェットエッチング方法及びウェットエッチング装置 |
-
1985
- 1985-11-29 JP JP60269138A patent/JPS62128529A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62128529A (ja) | 1987-06-10 |
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