JPH04162467A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPH04162467A
JPH04162467A JP2286102A JP28610290A JPH04162467A JP H04162467 A JPH04162467 A JP H04162467A JP 2286102 A JP2286102 A JP 2286102A JP 28610290 A JP28610290 A JP 28610290A JP H04162467 A JPH04162467 A JP H04162467A
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JP
Japan
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semiconductor device
external electrode
ceramic
semiconductor element
electrode pins
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Pending
Application number
JP2286102A
Other languages
English (en)
Inventor
Masato Ujiie
氏家　正人
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Publication of JPH04162467A publication Critical patent/JPH04162467A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • H10W72/874—On different surfaces
    • H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置に関し、特に低熱抵抗型半導体装置
の構造に関する。
〔従来の技術〕
従来の低熱抵抗型半導体装置は、第３図に示すように、
中央部に半導体素子１を固着材２て固定したセラミック
ケース３と、半導体素子１とセラミックケース３に備え
られた外部電極ピン７とを電気的に接続する金属！ｌｌ
Ｉ線６と、半導体素子１を覆うセラミックキャップ４と
、気密封止を行なうための封止ガラス５とを備えている
。ここで、低熱抵抗型半導体装置は、基板に実装後、表
面上を０〜５ｍ毎秒の風を流し使用するため、半導体素
子１は、熱放散性を考えてセラミックケース３に下向き
に固定されている。従って、セラミックキャップ４も外
部電極ピン７と同じ向きに備えである。
〔発明が解決しようとする課題〕
このような従来の低熱抵抗型半導体装置では、半導体素
子］を気密封止するために、セラミックキャ・ソア４を
封止ガラス５で封止する封止幅が必要なため、外部電極
ピン７の取付面積を減少させてしまう。このため、標準
ビン数の決められた半導体装置では、半導体素子１の大
きさを制限しなけれはならない。また、半導体素子１を
大きくすると、半導体装置の外形が大きくなってしまう
という欠点があった。
本発明の目的は、前記欠点を解決し、多数の外部電極ピ
ンが設けられるようにした半導体装置を提供することに
ある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の構成は、絶縁性ケースの底部に凹部分を設け、
前記凹部分に半導体素子を固着し、前記底部に外部電極
ピンを配列してなる半導体装置において、前記外部電極
ピンが貫通ずる穴を有しかつ前記底部を一様に覆う絶縁
性キャンプを固着したことを特徴とする。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の半導体装；この断面図
である。
第１図において、本実施例の半導体装置は、セラミック
ケース３の底面に、セラミックキャ・ツブ４が、封止カ
ラス５て封止されている。
セラミ・ツクを積層し成形したセラミ・ソクグース３の
中央に半導体素子１か搭載され、金属細線６は半導体素
子１上の電極パッド（図示せず）とセラミックケース３
上の内部電極（図示せず）とを電気的に接続している。
セラミックキャップ４には、セラミックケース３の外部
電極ピン７の位置に対応するように貫通孔４ａが設けで
ある。また、封止ガラス５をセラミックキャップ４に印
刷しておけば、セラミックケース３とセラミックキャッ
プ４とを封止すると貫通孔４ａは、外部電極ピン７と封
止ガラス５とでふさがれるため、気密性は保たれる。
本実施例では、外部電極ピン内側の封止幅を少なくでき
るため、同一半導体装置外型でより多くの外部電極ピン
が設けられる利点がある、第２図は本発明の第２の実施
例の半導体装置を示す断面図である６ 第２図において、本実施例は、第１図の第１の実施例と
異なる部分のみを説明する。
本実施例のセラミックキャップ４の厚さは、外部電極ピ
ン７の長さよりも若干小さくしである。
本実施例では、セラミックキャップ４を外部電極ピン７
がわずかに露出するように、厚くすることで、輸送や実
装時の取扱いによる外部電極ピン７の曲りを防止できる
という利点と、搭載半導体素子１の大型化または電極ピ
ン７数を増加できる、利点とを合わせ持っている。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明は、セラミックキャップに
外部電極ピン位置に対応するように貫通孔を設けたこと
によって、搭載できる半導体素子の大型化が計かれ、更
に電極ピン数を増加でき、特に外部電極ピンがわずかに
露出するようなセラミンクキャ・ツブの厚さにした場合
、外部電極ピン曲り不良をも除去できるという効果含有
する。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の第１の実施例の低熱抵抗型半導体装置
の断面図、第２図は本発明の第２の実施例の低熱抵抗型
半導体装置の断面図、第３図は従来技術の低熱抵抗型半
導体装置の断面図である。 ］・・・半導体素子、２・・・固着材、３・・・セラミ
ックケース、４・・・セラミックキャップ、４ａ・・・
貫通孔、５・・・封止ガラス、６・・・金属細線、７・
・・外部電極ピン。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　絶縁性ケースの底部に凹部分を設け、前記凹部分に半
    導体素子を固着し、前記底部に外部電極ピンを配列して
    なる半導体装置において、前記外部電極ピンが貫通する
    穴を有しかつ前記底部を一様に覆う絶縁性キャップを固
    着したことを特徴とする半導体装置。
JP2286102A 1990-10-24 1990-10-24 半導体装置 Pending JPH04162467A (ja)

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JP2286102A JPH04162467A (ja) 1990-10-24 1990-10-24 半導体装置

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JPH04162467A true JPH04162467A (ja) 1992-06-05

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JP (1) JPH04162467A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101802988A (zh) * 2007-05-18 2010-08-11 格罗方德半导体公司 具有接脚稳定层的芯片封装件

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101802988A (zh) * 2007-05-18 2010-08-11 格罗方德半导体公司 具有接脚稳定层的芯片封装件

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