JPH03227041A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

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JPH03227041A
JPH03227041A JP2023481A JP2348190A JPH03227041A JP H03227041 A JPH03227041 A JP H03227041A JP 2023481 A JP2023481 A JP 2023481A JP 2348190 A JP2348190 A JP 2348190A JP H03227041 A JPH03227041 A JP H03227041A
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JP
Japan
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semiconductor element
resin
internal
semiconductor device
thin metal
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Pending
Application number
JP2023481A
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English (en)
Inventor
Kenji Ooyanai
賢治 大谷内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPH03227041A publication Critical patent/JPH03227041A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、樹脂封止型半導体装置の構造に関する。
〔従来の技術〕
従来、半導体素子搭載部のないリードフレームを用いた
樹脂封止型半導体装置は次のようになっていた。すなわ
ち半導体素子と半導体素子搭載部のないリードフレーム
の内部リードは、２５〜３０Ｊｉｍの金属細線のみで接
続されており、金属細線によってのみ半導体素子は保持
され、さらに半導体素子及び内部リードを封止用樹脂に
より封止する構造となっていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の樹脂封止型半導体装置では、半導体素子
を保持するのが、半導体素子と半導体素子搭載部のない
リードフレームの内部リードを接続する同一の太さの２
５〜３０μｍ中の金属細線のみであるため、半導体素子
及びリードフレームの内部リードを封止用樹脂により封
止する際、半導体素子は樹脂に流され易く、金属細線が
引張られて切断したり、あるいは半導体素子の上部角の
部分に金属細線が触れ、電気的に短絡してしまうなどの
欠点がある。また、金属細線が引張られた対辺では、金
属細線がたるみ、金属細線どうし、あるいは金属細線と
この金属細線と絶縁されているべき内部リードが短絡し
てしまうという欠点がある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、半導体素子搭載部のないリードフレームを用
いた樹脂封止型半導体装置において、半導体素子搭載部
のないリードフレームの内部リードの一部のリードが、
他のリードより長く、しかもその先端が上または下ある
いは上下に突起した構造であるという特徴を有している
。
〔実施例〕
次に、本発明につき図面を参照して説明する。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施例を説明す
る平面図とＡ−Ａ’断面図である。半導体素子１は、図
に示すように半導体素子１上の電極６を介して半導体素
子搭載部のないリードフレーム２の内部リード２′と金
属細線３により接続されており、また他の内部リード２
′より長く、先端の上下に突起のある内部リード４は半
導体素子１から０．１〜０．５ｍｍの場所に位置してい
る。
このような構造にすることにより、封止用樹脂５により
封止する際に半導体素子１が封止用樹脂５により力を受
は移動しても、内部リード４によって保持されるため、
金属細線３が変形することを防止することかで−きる。
なお、上記実施例では内部リード４の先端の上下に突起
を設けた場合について説明したが、上または下だけでも
同様の効果がある。
第２図（ａ）、（ｂ）は、本発明の第２の実施例の平面
図とＡ−Ａ’断面図である。半導体素子１は、図に示す
ように半導体素子１上の電極６を介して半導体素子搭載
部のないリードフレーム２の内部リード２′と金属細線
３で接続されている。また他の内部リード２′より長く
先端の上下に突起のある内部リード４は半導体素子１の
方向の面に絶縁層７を設けた構造となっており、半導体
素子１から０．１〜０．５ｍｍの距離に位置している。
この実施例では内部リード４に半導体素子１が直接接す
ることがないため、内部リード４が使用できない、ある
いは内部リード４は半導体素子１と同電位でなければな
らない等の制約を排することができるという利点がある
。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、半導体素子搭載部のない
リードフレームの内部リードの一部を他の内部リードよ
り長くし、その先端の上または下あるいは上下に突起を
設け、半導体素子を保持することにより、封止用樹脂に
て封止する際、半導体素子が封止用樹脂によって流され
ることを防止し、しかも金属細線が引張られ、切断した
り、あるいは、半導体素子上部角の部分に金属細線が触
れ、電気的に短絡したりあるいは金属細線どうしあるい
は金属細線と絶縁されているべき内部リードが短絡して
しまうことを防止できる効果カイある。また、内部リー
ドの上下に突起を設けることにより、封止の際多少半導
体素子が上下方向に移動しても、上記の効果は損われる
ことはな藝）。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ＞、（ｂ）は、本発明の第１の実施例の平面
図とＡ−Ａ’断面図、第２図（ａ）（ｂ）は、本発明の
第２の実施例の平面図とＡ−Ａ′断面図である。 １・・・半導体素子、２・・・半導体素子搭載部のない
リードフレーム、２′・・・内部リード、３・・・金属
細線、４・・・先端に突起のある内部リード、５・・・
封止用樹脂、６・・・電極、７・・・絶縁層。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　半導体素子搭載部のないリードフレームを用いた樹脂
    封止型半導体装置において、半導体素子搭載部のないリ
    ードフレームの内部リードの一部のリードが他のリード
    より長くしかもその先端が上または下あるいは上下に突
    起した構造であることを特徴とする樹脂封止型半導体装
    置。
JP2023481A 1990-01-31 1990-01-31 樹脂封止型半導体装置 Pending JPH03227041A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2023481A JPH03227041A (ja) 1990-01-31 1990-01-31 樹脂封止型半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2023481A JPH03227041A (ja) 1990-01-31 1990-01-31 樹脂封止型半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH03227041A true JPH03227041A (ja) 1991-10-08

Family

ID=12111720

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023481A Pending JPH03227041A (ja) 1990-01-31 1990-01-31 樹脂封止型半導体装置

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JP (1) JPH03227041A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10146307A1 (de) * 2001-09-19 2003-05-08 Infineon Technologies Ag Verfahren zur optischen Kontrolle von Halbleiterbauelementgehäusen, Verfahren zur Herstellung des Halbleiterbauelements sowie entsprechendes Halbleiterbauelement

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10146307A1 (de) * 2001-09-19 2003-05-08 Infineon Technologies Ag Verfahren zur optischen Kontrolle von Halbleiterbauelementgehäusen, Verfahren zur Herstellung des Halbleiterbauelements sowie entsprechendes Halbleiterbauelement

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