JPH0416435Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この考案はオープナー装置の半導体保持装置に
関するものである。

〔従来の技術〕

従来、半導体（I.C）の不良解析時又は品質チ
エツクを行なう際に、半導体のパツケージに溶解
液、例えば加熱した熱硫酸を当ててチツプを露出
させる手段がとられている。

半導体のパツケージはオープナー装置のエツチ
プレートに載置セツトされ、噴射ノズルより噴射
された溶解液が前記パツケージに当たる構造とな
つている。

〔考案が解決しようとする問題点〕

かかる装置において、エツチプレート上に載置
セツトされた半導体は設定された部位に正確に開
封されるために、噴射ノズルより溶解液が噴射さ
れる作動時において、エツチプレート上に正しく
位置決めされる必要がある。

また、パツケージを溶解する溶解液には一般に
加熱された熱硫酸を用いる所からパツケージ開封
時の管理に気をつける必要があるため、半導体は
ホルダによつて正しい位置に位置決めされた状態
で保持されている。

ところが、半導体は例えばSOP（スモール・ア
ウトラインパツケージ）・FP（フラツトパツケー
ジ）・PLCC（プラスチツクリード付チツプキヤリ
ヤ）等があり、パツケージ本体の形状がそれぞれ
異なつている。このために、各半導体のパツケー
ジに対応するホルダをいくつも準備しなければな
らず、それらを管理する管理工数が大変面倒であ
ることと、コスト性の面において望しくなかつ
た。

そこで、この考案は各種の半導体に対応できる
オープナー装置の半導体保持装置を提供すること
を目的としている。

［問題点を解決するための手段］ 前記目的を達成するために、この考案にあつて
は、エツチプレートに載置セツトされると共にホ
ルダによつて保持される半導体のパツケージに溶
解液を噴射してチツプを露出させるオープナー装
置において、前記ホルダ内に前記半導体を吸着保
持する磁石と、該ホルダに設けられた操作部によ
つて作動制御されると共に磁石の吸着保持を解除
する吸着解除手段とを備えている。

［作用］ かかる半導体保持装置において、半導体は磁石
によつて保持される結果、各種形状に関係なく半
導体の保持が可能となる。

一方、操作部の作動制御により吸着解除手段が
働き磁石に吸着された半導体は吸着保持が解除さ
れるようになる。

〔実施例〕

以下、第１図乃至第７図の図面を参照しながら
この考案の一実施例を詳細に説明する。

図中１はオープナー装置３の機体を示してい
る。機体１内には半導体開口部５のほかに硫酸を
貯蔵する貯蔵タンク部７と該タンク部７より送ら
れてくる硫酸を約250℃まで加熱する予熱ヒータ
部９と、前記半導体開口部５で仕事を終えた熱硫
酸を約100℃まで冷却フアンで冷却する排液冷却
部１１と、その排液を一時貯留する排液貯留タン
ク部１３とが配置されている。

半導体開口部５は、エツチブロツク１５と該ブ
ロツク１５の下位に配置されたケーシング１７
と、該ケーシング１７内に配置されたポンプ装置
１９とからなつている。

ケーシング１７は磁力を透し、かつ耐熱耐酸性
の材質で形成され硫酸が所定量溜られる貯留槽と
なつている。ケーシング１７には予熱ヒータ部９
を介して貯蔵タンク部７へ続く取入口２３と排液
冷却部１１を介して排液貯留タンク部１３へ続く
取出口２５が設けられている。

取入口２３から送り込まれるケーシング１７内
の硫酸はヒータ（図示していない）によつて約
290℃に高められる。なお、ヒータの電源部は温
度センサ（図示省略）によつて硫酸が約290℃に
なるよう管理制御される。

ポンプ装置１９は、ケーシング１７の底部下位
は駆動モータ２７が設けられ、該モータ２７の出
力軸２９に回転磁石３１が装着支持されている。
そして、前記磁石３１と対向し、かつ、ケーシン
グ１７内には磁石３３ａが埋設された羽根車３３
が配置されている。

羽根車３３は回転磁石３１の磁力によつて回転
すると共に、耐熱耐酸性の合成樹脂の材質で形成
されている。

羽根車３３の本体上方は円錐部３７となつてい
て下方には中央部の凸部３９より放射方向に翼板
４１が設けられている。

翼板４１は回転時において案内ケース３５の底
部に設けられた取入口（図示していない）より取
入れられた硫酸を上方へ送り出す形状となつてい
る。案内ケース３５は磁力を透す材質で羽根車３
３に沿う形状となつており、先端の噴射ノズル４
３は前記エツチブロツク１５の下位に臨んでい
る。

噴射ノズル４３の先端が臨む前記エツチブロツ
ク１５には貫通孔４５が設けられると共に該ブロ
ツク４５にはエツチブロツクカバー４７が固着さ
れている。

エツチブロツクカバー４７の上面にはエツチプ
レート４９が脱着自在に装着されている。

エツチプレート４９は円板状に形成され、前記
エツチブロツクカバー４７の開口（図示していな
い）と対応する位置に半導体Ｗのパツケージをセ
ツトするセツト部５１が設けられている。

一方、機体３にはヒンジ５３を支点として開閉
可能な開閉蓋５５が設けられると共に、閉時にお
いて半導体開口部５をカバーするようになつてい
る。

開閉蓋５５の裏面には、該開閉蓋５５の閉時に
半導体Ｗを保持したホルダ６１を押圧する押圧部
材５７が設けられている。押圧部材５７は板ばね
により下向きに張り出す円弧状に形成され一端は
開閉蓋５５に固定され、他端は自由端となつてい
る。

ホルダ６１のホルダケース６３は下方が解放さ
れた閉断面ボツクス状に形成されると共にホルダ
ケース６３内には水平部６５ａと垂直部６５ｂと
から成るＬ型鉄板６５とＬ型鉄板６５の水平部６
５ａに固着された永久磁石６７が設けられてい
る。

Ｌ型鉄板６７の水平部６５ａはビス６９によつ
て支軸７１に固定支持されている。支軸７１は左
右の軸受７３，７３によつて回転自在に両端支持
され、一端はホルダケース６３から外方へ突出
し、突出した軸端部には操作部７５となる操作レ
バー７５ｂが装着されている。

支軸７１は前記操作レバー７５ｂを操作するこ
とで約90度回転可能となつており、この回転角度
は前記垂直部６５ｂに固着された補助鉄板６５ｃ
が一対のストツパー部材７７，７７に当接するこ
とで位置決めされる。これにより、磁石６７の磁
石面６７ａと前記垂直部６５ｂの補助鉄板６５ｃ
とがホルダケース６３の底部に配置された吸着基
板７９に対して交互に切換わるようになる。

吸着基板７９は磁石を透す材質で形成されると
共にアウタブラケツト８１に固着され、アウタブ
ラケツト８１はホルダケース６３に固着P.Pされ
たインナブラケツト８３に対して上下動自在に支
持されている。

即ち、アウタブラケツト８１には前記インナブ
ラケツト８３を貫通した左右のロツド８５，８７
が立上り、一方のロツド８５はガイド用として機
能している。一方、他方のロツド８７の上端に
は、ワツシヤ８９が設けられ、ワツシヤ８９と前
記インナブラケツト８３との間にばね９１が介装
されている。

したがつて、アウタブラケツト８１は前記ばね
９１によつてインナブラケツト８３に支持された
支持構造となつており、ばね８１の圧縮する範囲
内において上下動が可能となる。

なお、硫酸を前記噴射するポンプ装置１９はア
ウタブラケツト８１に接続されたコード線９３か
らの微弱電流によつて半導体Ｗのパツケージが開
封されると、硫酸を介してチツプ端子TPを介し
て図外の検出センサに電流が流れ、その検出セン
サからの検出信号によつてオフに制御されるよう
になつている。

このように構成された半導体保持装置において
操作部７５の操作レバー７５ａによつて磁石６７
の磁石面６７ａを吸着基板７９側へ回転させた
り、また、Ｌ型鉄板６５の垂直部６５ｂを吸着基
板７９側へ回転させられるようになる。

したがつて、半導体開口部５のセツト部５１に
セツトした半導体Ｗの上にホルダ６１を置き、開
閉蓋５５を閉じることで半導体Ｗはホルダ６１に
よつて位置決めされた状態で保持される。次にパ
ツケージの開封後、開閉蓋５５を開き、操作レバ
ー７５ａによつて磁石６７の磁石面６７ｂ側を吸
着基板７９側へ回転させることで半導体Ｗのチツ
プ端子TPは、吸着基板７９に吸着保持される。
したがつて、硫酸が付着した半導体Ｗの保持が可
能となり、各種形状に関係なく半導体Ｗの保持が
行なえるようになる。次に、ホルダ６１から半導
体Ｗを離すには操作部７５の操作レバー７５ｂに
よつてＬ型鉄板６５の垂直部６５ｂを吸着基板７
９側へ回転させることで、磁力が遮断され、半導
体Ｗの吸着解除が行なえるようになる。この時、
磁石６７の磁石面６７ａは第５図に示す如く一方
のストツパー部材７７側と対向し合うため吸着基
板７９に対する確実な磁気シールドが行えるよう
になり、半導体Ｗは確実に吸着基板７９から離れ
るようになる。

なお、この実施例では、吸着解除手段にＬ型鉄
板６５を用いたが、操作部７５によつて磁石６７
の磁石面６７ａを吸着基板７９に対して進退する
ようにしてもよく、あるいは、磁石６７の磁石面
６７ａと吸着基板７９との間に磁気シールド材が
進退するようにする等の手段を適用することも可
能である。

［考案の効果］ 以上、説明したように、この考案の半導体保持
装置によれば、磁石によつて各種形状の半導体の
種類に関係なく半導体を確実に保持することがで
きる。また、操作部によつて簡単に半導体を取外
すことができるようになる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの考案の半導体保持装置の断面図、
第２図は同上の正面図、第３図は同上の側面図、
第４図は第１図の−線断面図、第５図は動作
図、第６図はオープナー装置の一部切断した全体
図、第７図は同上の平面図である。 主要な図面符号の説明、４９……エツチプレー
ト、６１……ホルダ、６５……吸着解除手段、６
７……磁石、Ｗ……半導体。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. エツチプレートに載置セツトされると共にホル
   ダによつて保持される半導体のパツケージに溶解
   液を噴射してチツプを露出させるオープナー装置
   において、前記ホルダ内に前記半導体を吸着保持
   する磁石と、該ホルダに設けられた操作部によつ
   て作動制御されると共に磁石の吸着保持を解除す
   る吸着解除手段とを備えたことを特徴とするオー
   プナー装置の半導体保持装置。