JPH0416430Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この考案は半導体のオープナー装置の半導体位
置決め装置に関するものである。

〔従来の技術〕

従来、半導体（I.C）の不良解析時又は品質チ
エツクを行なう際に、半導体のパツケージに溶解
液、例えば加熱した熱硫酸を当ててチツプを露出
させる手段がとられている。

半導体のパツケージはオープナー装置のエツチ
プレートに載置セツトされ、噴射ノズルより噴射
された溶解液が前記パツケージに当たる構造とな
つている。

〔考案が解決しようとする問題点〕

かかる装置において、エツチプレート上に載置
セツトされた半導体は設定された部位に正確に開
封されるために、噴射ノズルより溶解液が噴射さ
れる作動時において、エツチプレート上に正しく
位置決めされる必要がある。

このために、半導体をカバーする開閉蓋の裏面
に、開閉蓋の閉時において半導体を押える板ばね
が設けられている。

板ばねは、円弧状に形成され一端は固着され、
他端は自由端となつている。したがつて開閉蓋の
閉時において、板ばねの裏面が半導体に接触する
と接触時の作用で自由端側が動き、そのばね圧で
半導体を押えるものであるが、板ばねの自由端側
が移動する時、接触状態にある半導体も一緒に動
いてしまい、位置がずれる恐れがある。半導体の
位置がずれると噴射によつて開封される位置に狂
いが生じる問題があつた。

そこで、この考案は半導体の位置決めが確実に
行なえるようにしたオープナー装置の半導体位置
決め装置を提供することにある。

〔問題を解決するための手段〕 前記目的を達成するためにこの考案にあつて
は、エツチプレートに載置セツトされた半導体の
パツケージに噴射ノズルより溶解液を噴射してチ
ツプを露出させるオープナー装置において、前記
半導体をカバーする開閉可能な開閉蓋を設け、該
開閉蓋の裏面に、開閉蓋の閉時において半導体の
パツケージをエツチプレート側へ押圧する押圧部
材を設け、該押圧部材の押圧時に半導体の動きを
拘束するストツパーを前記エツチプレートに設け
てある。

〔作用〕

かかるオープナー装置において、半導体をエツ
チプレートに載置セツト後、開閉蓋を閉めると、
該開閉蓋の裏面の押圧部材は半導体のパツケージ
を押圧する。この押圧時において半導体はストツ
パーによつて動きが拘束され、半導体の位置ずれ
は発生しない。

〔実施例〕

以下、第１図乃至第４図の図面を参照しながら
この考案の一実施例を詳細に説明する。

図中１はオープナー装置３の機体を示してい
る。機体１内には半導体開口部５のほかに硫酸を
貯蔵する貯蔵タンク部７と該タンク部７より送ら
れてくる硫酸を約250℃まで加熱する予熱ヒータ
部９と、前記半導体開口部５で仕事を終えた熱硫
酸を約100℃まで冷却フアンで冷却する排液冷却
部１１と、その排液を一時貯留する排液タンク部
１３とが配置されている。

半導体開口部５は、エツチブロツク１５と該ブ
ロツク１５の下位に配置されたケーシング１７
と、該ケーシング１７内に配置されたポンプ装置
１９とからなつている。

ケーシング１７は磁力を透し、かつ耐熱耐酸性
の材質で形成され硫酸が所定量溜られる貯留槽と
からなつている。ケーシング１７には予熱ヒータ
部９を介して貯蔵タンク部７へ続く取入口２３と
排液冷却部１１を介して排液貯留タンク部１３へ
続く取出口２５が設けられている。

取入口２３から送り込まれるケーシング１７内
の硫酸はヒータ（図示していない）によつて約
290℃に高められる。なお、ヒータの電源部は温
度センサ（図示省略）によつて硫酸が約290℃に
なるよう管理制御される。

ケーシング１７の底部下位には駆動モータ２７
の出力軸２９に回転磁石３１が装着支持されてい
る。そして、前記磁石３１と対向し、かつ、ケー
シング１７内には磁石３３ａが埋設された羽根車
３３が配置されている。

羽根車３３は回転磁石３１の磁力によつて回転
すると共に、耐熱耐酸性の合成樹脂の材質で形成
されている。

羽根車３３の本体上方は円錐部３７となつてい
て下方には中央部の凸部３９より放射方向に翼板
４１が設けられている。

翼板４１は回転時において案内ケース３５の底
部に設けられた取入口（図示していない）より取
入れられた硫酸を上方へ送り出す形状となつてい
る。案内ケース３５は磁力を透す材質で羽根車３
３に沿う形状となつており、先端の噴射ノズル４
３は前記エツチブロツク１５の下位に臨んでい
る。

噴射ノズル４３の先端が臨む前記エツチブロツ
ク１５には貫通孔４５が設けられると共に該ブロ
ツク４５にはエツチブロツクカバー４７が固着さ
れている。

エツチブロツクカバー４７の上面にはエツチプ
レート４９が脱着自在に装着されている。

エツチプレート４９は円板状に形成され、前記
エツチブロツクカバー４７の開口（図示していな
い）と対応する位置に半導体Ｗのパツケージをセ
ツトするセツト部５１が設けられている。

一方、機体３にはヒンジ５３を支点として開閉
可能な開閉蓋５５が設けられると共に、閉時にお
いて半導体Ｗをカバーするようになつている。

開閉蓋５５の裏面には、該開閉蓋５５の閉時に
半導体Ｗを押圧する押圧部材５７が設けられてい
る。押圧部材５７は板ばねにより下向きに張り出
す円弧状に形成され一端は開閉蓋５５に固定さ
れ、他端は自由端５７ａとなつている。

また、押圧部材５７の自由端５７ａ側で前記エ
ツチプレート４９にはストツパー５９が設けられ
ると共にセツト部５１の近接部位に設けられてい
る。

なお、６１は半導体Ｗを押えるホルダーを示し
ており、押圧部材５７とは別体に形成されてい
る。

このように構成されたオープナー装置におい
て、半導体Ｗをエツチプレート４９にセツトする
には、開閉蓋５５を開とする。次に、エツチプレ
ート４９のセツト部５１に半導体Ｗをセツトした
後、半導体Ｗに半導体押え用のホルダー６１を組
付ける。次に開閉蓋５５を閉める。この開閉蓋５
５の閉時に、押圧部材５７はホルダー６１と接触
して変形し、その変形した量だけ自由端５７ａ側
は第１図矢印方向へ移動する。この時、ホルダー
６１は移動方向への作用が働くが、この作用はス
トツパー５９によつて動きが阻止される。この結
果、半導体Ｗの位置ずれは起こらず正しい位置に
確保される。なお、第４図に示す如く半導体Ｗを
外した時にセツト部５１を閉塞し該セツト部５１
から上昇する硫酸の蒸気を阻止する回動可能な中
栓６３を設けた場合には、該栓６３とストツパー
５９とでホルダー６１を両サイドから拘束するこ
とでより確実な半導体Ｗの位置決めが可能とな
る。

また、ストツパー５９は、ホルダー６１を介し
て半導体Ｗを拘束する実施例となつているが、半
導体Ｗを直接拘束する手段としてもよい。

また、押圧部材５７は板ばねに限定されるもの
でなく、コイルばね、あるいはゴム等の弾性力の
ある部材であつても可能である。

〔考案の効果〕

以上、説明したようにこの考案のオープナー装
置によれば開閉蓋の閉時に、ストツパーによつて
半導体の動きを拘束するため、セツト位置のずれ
は発生せず半導体を確実に位置決めできる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの考案を実施したオープナー装置の
一部断面図、第２図はエツチプレートの斜視図、
第３図は第１図の概要平面図、第４図はホルダー
をストツパーと中栓で拘束した断面図である。 主要な符号の説明、４３……噴射ノズル、４９
……エツチプレート、５５……開閉蓋、５７……
押圧部材、５９……ストツパー。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. エツチプレートに載置セツトされた半導体のパ
   ツケージに噴射ノズルより溶解液を噴射してチツ
   プを露出させるオープナー装置において、前記半
   導体をカバーする開閉可能な開閉蓋を設け、該開
   閉蓋の裏面に、開閉蓋の閉時において半導体のパ
   ツケージをエツチプレート側へ押圧する押圧部材
   を設け、該押圧部材の押圧時に半導体の動きを拘
   束するストツパーを前記エツチプレートに設けた
   ことを特徴とするオープナー装置の半導体位置決
   め装置。