JPH0414930Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0414930Y2 JPH0414930Y2 JP5763886U JP5763886U JPH0414930Y2 JP H0414930 Y2 JPH0414930 Y2 JP H0414930Y2 JP 5763886 U JP5763886 U JP 5763886U JP 5763886 U JP5763886 U JP 5763886U JP H0414930 Y2 JPH0414930 Y2 JP H0414930Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- etch
- package
- semiconductor package
- plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 32
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 16
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 5
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 5
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- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
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Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この考案は半導体のオープナー装置に関するも
のである。
のである。
従来、半導体（Ｉ・Ｃ）の不良解析時又は品質
チエツクを行なう際に、半導体のパツケージに溶
解液、例えば加熱した熱硫酸を当ててチツプを露
出させる手段がとられている。
チエツクを行なう際に、半導体のパツケージに溶
解液、例えば加熱した熱硫酸を当ててチツプを露
出させる手段がとられている。
半導体のパツケージはオープナー装置のエツチ
プレートに載置セツトされ、噴射ノズルより噴射
された溶解液が前記パツケージに当たる構造とな
つている。
プレートに載置セツトされ、噴射ノズルより噴射
された溶解液が前記パツケージに当たる構造とな
つている。
かかる装置において、半導体のパツケージを載
置セツトするエツチプレートのセツト部は半導体
のパツケージの形状と対応する形状に形成され、
正しく位置決めされると共にシールされる。これ
により、下方から、噴射された溶解液が四周に飛
散しないようになる。
置セツトするエツチプレートのセツト部は半導体
のパツケージの形状と対応する形状に形成され、
正しく位置決めされると共にシールされる。これ
により、下方から、噴射された溶解液が四周に飛
散しないようになる。
この場合、半導体のパツケージの形状が異なる
とエツチプレートのセツト部は対応が図れなくな
り、噴射時にシール洩れを起こす不具合いが発生
する。半導体のパツケージは、機能及び使用目的
に応じて各種形状のものが作られるようになつて
いる。このため、各種半導体のパツケージに対応
させるためには、例えばオープナー装置を複数用
意することが考えられるが、大きな設備投資が必
要となり、コスト面において望ましくない。
とエツチプレートのセツト部は対応が図れなくな
り、噴射時にシール洩れを起こす不具合いが発生
する。半導体のパツケージは、機能及び使用目的
に応じて各種形状のものが作られるようになつて
いる。このため、各種半導体のパツケージに対応
させるためには、例えばオープナー装置を複数用
意することが考えられるが、大きな設備投資が必
要となり、コスト面において望ましくない。
そこで、この考案は各種半導体のパツケージに
対応が図れる汎用性を備えた半導体のオープナー
装置を提供することを目的としている。
対応が図れる汎用性を備えた半導体のオープナー
装置を提供することを目的としている。
前記目的を達成するために、この考案にあつて
は、エツチブロツクに載置セツトされた半導体の
パツケージに噴射ノズルより溶解液を噴射してチ
ツプを露出させるオープナー装置において、前記
エツチブロツクにセツト部を備えたエツチブロツ
クカバーを装着し、該カバーのセツト部に、半導
体のパツケージの形状と対応可能なパツケージ位
置決め部を備えたエツチプレートを着脱自在に装
着支持してある。
は、エツチブロツクに載置セツトされた半導体の
パツケージに噴射ノズルより溶解液を噴射してチ
ツプを露出させるオープナー装置において、前記
エツチブロツクにセツト部を備えたエツチブロツ
クカバーを装着し、該カバーのセツト部に、半導
体のパツケージの形状と対応可能なパツケージ位
置決め部を備えたエツチプレートを着脱自在に装
着支持してある。
かかるオープナー装置において、半導体のパツ
ケージをパツケージ位置決め部にセツトすること
で正しく位置決め載置される。
ケージをパツケージ位置決め部にセツトすること
で正しく位置決め載置される。
次に、半導体のパツケージが異なる場合には、
該パツケージと同一形状の位置決め部を備えたエ
ツチプレートをエツチブロツクカバーのセツト部
に装着する。これより、エツチプレートの交換
で、各種半導体のパツケージに対して対応が図れ
るようになる。
該パツケージと同一形状の位置決め部を備えたエ
ツチプレートをエツチブロツクカバーのセツト部
に装着する。これより、エツチプレートの交換
で、各種半導体のパツケージに対して対応が図れ
るようになる。
以下、第１図乃至第１０図の図面を参照しなが
らこの考案の一実施例を詳細に説明する。
らこの考案の一実施例を詳細に説明する。
図中１はオープナー装置３の機体を示してい
る。機体１内には半導体開口部５のほかに硫酸を
貯蔵する貯蔵タンク部７と該タンク部７より送ら
れくる硫酸を約250℃まで加熱する予熱ヒータ部
９と、前記半導体開口部５で仕事を終えた熱硫酸
を約100℃まで冷却フアンで冷却する排液冷却部
１１と、その排液を一時貯留する排液タンク部１
３とが配置されている。
る。機体１内には半導体開口部５のほかに硫酸を
貯蔵する貯蔵タンク部７と該タンク部７より送ら
れくる硫酸を約250℃まで加熱する予熱ヒータ部
９と、前記半導体開口部５で仕事を終えた熱硫酸
を約100℃まで冷却フアンで冷却する排液冷却部
１１と、その排液を一時貯留する排液タンク部１
３とが配置されている。
半導体開口部５は、エツチブロツク１５と該ブ
ロツク１５の下位に配置されたケーシング１７
と、該ケーシング１７内に配置されたポンプ装置
１９とからなつている。
ロツク１５の下位に配置されたケーシング１７
と、該ケーシング１７内に配置されたポンプ装置
１９とからなつている。
ケーシング１７は磁力を透し、かつ耐熱耐酸性
の材質で形成され硫酸が所定量溜られる貯留槽と
なつている。ケーシング１７には予熱ヒータ部９
を介して硫酸貯留槽７は続く取入口２３と排液冷
却部１１を介して排液貯留タンク部１３へ続く取
出口２５が設けられている。
の材質で形成され硫酸が所定量溜られる貯留槽と
なつている。ケーシング１７には予熱ヒータ部９
を介して硫酸貯留槽７は続く取入口２３と排液冷
却部１１を介して排液貯留タンク部１３へ続く取
出口２５が設けられている。
取入口２３から送り込まれるケーシング１７内
の硫酸はヒータ（図示していない）によつて約
290℃に高められる。なお、ヒータの電源部は温
度センサ（図示省略）によつて硫酸が約290℃に
なるよう管理制御される。
の硫酸はヒータ（図示していない）によつて約
290℃に高められる。なお、ヒータの電源部は温
度センサ（図示省略）によつて硫酸が約290℃に
なるよう管理制御される。
ケーシング１７の底部下位には駆動モータ２７
の出力軸２９に回転磁石３１が装着支持されてい
る。そして、前記磁石３１と対向し、かつ、ケー
シング１７内には磁石３３ａが埋設された羽根車
３３が配置されている。
の出力軸２９に回転磁石３１が装着支持されてい
る。そして、前記磁石３１と対向し、かつ、ケー
シング１７内には磁石３３ａが埋設された羽根車
３３が配置されている。
羽根車３３は回転磁石３１の磁力によつて回転
すると共に、耐熱耐酸性の合成樹脂の材質で形成
されている。
すると共に、耐熱耐酸性の合成樹脂の材質で形成
されている。
羽根車３３の本体上方は円錐部３７となつてい
て下方に中央部の凸部３９より放射方向に翼板４
１が設けられている。
て下方に中央部の凸部３９より放射方向に翼板４
１が設けられている。
翼板４１は回転時において案内ケース３５の底
部に設けられた取入口（図示していない）より取
入れられた硫酸を上方へ送り出す形状となつてい
る。案内ケース３５は磁力を透す材質で羽根車３
３に沿う形状となつており、先端の噴射ノズル４
３は前記エツチブロツク１５の下位に望んでい
る。
部に設けられた取入口（図示していない）より取
入れられた硫酸を上方へ送り出す形状となつてい
る。案内ケース３５は磁力を透す材質で羽根車３
３に沿う形状となつており、先端の噴射ノズル４
３は前記エツチブロツク１５の下位に望んでい
る。
噴射ノズル４３の先端が望む前記エツチブロツ
ク１５には貫通孔４５が設けられると共に該ブロ
ツク４５にはエツチブロツクカバー４７が固着さ
れている。
ク１５には貫通孔４５が設けられると共に該ブロ
ツク４５にはエツチブロツクカバー４７が固着さ
れている。
エツチブロツクカバー４７の上面にはリング状
のセツト部４９が形成されると共に中央部は前記
貫通孔４５と対応する開口５１が設けられてい
る。
のセツト部４９が形成されると共に中央部は前記
貫通孔４５と対応する開口５１が設けられてい
る。
エツチブロツクカバー４７のセツト部４９には
別体に形成されたエツチプレート５３が脱着自在
に装着されている。
別体に形成されたエツチプレート５３が脱着自在
に装着されている。
エツチプレート５３は円板状に形成され、前記
エツチブロツクカバー４７の開口５１と対応する
位置に半導体のパツケージと同形状のパツケージ
位置決め部５５が設けられている。
エツチブロツクカバー４７の開口５１と対応する
位置に半導体のパツケージと同形状のパツケージ
位置決め部５５が設けられている。
エツチプレート５３は複数用意され各エツチプ
レート５３のパツケージ位置決め部５５は、各種
半導体のパツケージの形状と対応する形状となつ
ている。
レート５３のパツケージ位置決め部５５は、各種
半導体のパツケージの形状と対応する形状となつ
ている。
なお、５７はヒンジ５９を支点として開閉可能
なカバーを示しており。内側に半導体を押えるホ
ルダー６１が設けられている。
なカバーを示しており。内側に半導体を押えるホ
ルダー６１が設けられている。
このように構成されたオープナー装置におい
て、エツチプレート５３のパツケージ位置決め部
５５に半導体のパツケージをセツトし噴射ノズル
４３より溶解液を噴射することで半導体のパツケ
ージは溶解しチツプが露出するようになる。
て、エツチプレート５３のパツケージ位置決め部
５５に半導体のパツケージをセツトし噴射ノズル
４３より溶解液を噴射することで半導体のパツケ
ージは溶解しチツプが露出するようになる。
次に、半導体のパツケージが異なる場合には、
先に使用したエツチプレート５３を取外し、新た
なエツチプレート５３をセツト部４９に装着セツ
トすることで異なる半導体のパツケージに対して
対応が図れる。この場合、半導体のパツケージは
正しく位置決めされるためシール洩れは起きな
い。またオープナー装置はプレート５３は各種用
意するだけで済むようになる。
先に使用したエツチプレート５３を取外し、新た
なエツチプレート５３をセツト部４９に装着セツ
トすることで異なる半導体のパツケージに対して
対応が図れる。この場合、半導体のパツケージは
正しく位置決めされるためシール洩れは起きな
い。またオープナー装置はプレート５３は各種用
意するだけで済むようになる。
以上説明したように、この考案の半導体のオー
プナー装置によれば、エツチプレートを各種用意
するだけで各種の半導体のパツケージに対応が図
れる。しかも確実にパツケージの位置決めができ
るため、シール洩れは置きない。
プナー装置によれば、エツチプレートを各種用意
するだけで各種の半導体のパツケージに対応が図
れる。しかも確実にパツケージの位置決めができ
るため、シール洩れは置きない。
第１図はこの考案を実施した半導体のオープナ
ー装置の要部の一部断側面図、第２図はエツチブ
ロツクカバーの平面図、第３図は第２図の−
線断面図、第４図は同上の底面図、第５図はエツ
チプレートの平面図、第６図は５図の−線断
面図、第７図は別のエツチプレートの平面図、第
８図は第７図の−線断面図、第９図は全体の
概要一部切断面図、第１０図は同上の概要平面図
である。 主要な図面符号の説明、１５……エツチブロツ
ク、４３……噴射ノズル、４７……エツチブロツ
クカバー、４９……セツト部、５３……エツチプ
レート。
ー装置の要部の一部断側面図、第２図はエツチブ
ロツクカバーの平面図、第３図は第２図の−
線断面図、第４図は同上の底面図、第５図はエツ
チプレートの平面図、第６図は５図の−線断
面図、第７図は別のエツチプレートの平面図、第
８図は第７図の−線断面図、第９図は全体の
概要一部切断面図、第１０図は同上の概要平面図
である。 主要な図面符号の説明、１５……エツチブロツ
ク、４３……噴射ノズル、４７……エツチブロツ
クカバー、４９……セツト部、５３……エツチプ
レート。
Claims (1)
- エツチブロツクに載置セツトされた半導体のパ
ツケージに噴射ノズルより溶解液を噴射してチツ
プを露出させるオープナー装置において、前記エ
ツチブロツクにセツト部を備えたエツチブロツク
カバーを装着し、該カバーのセツト部に、半導体
のパツケージの形状と対応可能なパツケージ位置
決め部を備えたエツチプレートを着脱自在に装着
支持したことを特徴とする半導体のオープナー装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5763886U JPH0414930Y2 (ja) | 1986-04-18 | 1986-04-18 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5763886U JPH0414930Y2 (ja) | 1986-04-18 | 1986-04-18 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62170630U JPS62170630U (ja) | 1987-10-29 |
| JPH0414930Y2 true JPH0414930Y2 (ja) | 1992-04-03 |
Family
ID=30887531
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5763886U Expired JPH0414930Y2 (ja) | 1986-04-18 | 1986-04-18 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0414930Y2 (ja) |
-
1986
- 1986-04-18 JP JP5763886U patent/JPH0414930Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62170630U (ja) | 1987-10-29 |
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