JPH04170308A - 過酸化水素の精製方法 - Google Patents
過酸化水素の精製方法Info
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- JPH04170308A JPH04170308A JP2400725A JP40072590A JPH04170308A JP H04170308 A JPH04170308 A JP H04170308A JP 2400725 A JP2400725 A JP 2400725A JP 40072590 A JP40072590 A JP 40072590A JP H04170308 A JPH04170308 A JP H04170308A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B15/00—Peroxides; Peroxyhydrates; Peroxyacids or salts thereof; Superoxides; Ozonides
- C01B15/01—Hydrogen peroxide
- C01B15/013—Separation; Purification; Concentration
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
[0001]
本発明は、過酸化水素の精製方法、より具体的には、電
子工業において洗浄剤としての使用に好適な、最高品質
の過酸化水素を製造することができる方法に関する。 [0002]
子工業において洗浄剤としての使用に好適な、最高品質
の過酸化水素を製造することができる方法に関する。 [0002]
おそらく、電子工業において現時点で経、験する最も共
通な問題は、チップやウェハのような微細回路デバイス
の製造の間の汚染の影響である。これらのデバイスがよ
り複雑、かつ寸法において小さくなるにつれて、汚染物
質の存在に対する感度がより問題になり、製品の許容品
質が達成できない程度にまで、このような汚染物質(固
体粒子の形態)は、回路をオープン又はショートさせ、
フォトリングラフィの再現性に影響を与え、電気特性を
変化させることがあり、これらの電子デバイスの結晶構
造を損傷する可能性さえある。 [0003] 汚染物質の影響を除去するか、又は少なくとも許容でき
る限界まで低減するために、進められてきた明白な工程
のひとつは、電子デバイス自体の洗浄及びこのような洗
浄工程において用いられる洗浄媒体に関する改良にある
。いくつかの例においては、電子デバイスから汚染物質
を除去するにあたって(例えばウェハ洗浄工程において
)用いられる、洗浄媒体に利用される1つ又は複数の添
加剤を洗浄又は精製するために、非常に手の込んだ工程
をとらなければならない。 [0004] 電子工業に供給される化学物質中の汚染イオンの存在は
、現在、プロセスのために超純粋な試薬を強く要求する
ユーザーにとっては重大な関心事である。半導体装置材
料学会は、ppbレベルを非常に低減した標準を設定し
ているが、より一層の低減が主張されている。 [0005] 最もよく証明された洗浄方法でさえ、いまだに汚染は起
こっている。この分野において知られているように、ウ
ェハ洗浄工程は、液相及び気相化学技術だけでなく、ス
クラビング、加圧された液体ジェット、超音波のような
物理的手段を含んでいる。試験され評価されてきた多く
の洗浄方法のうち、最も効果的な操作は洗浄剤として過
酸化水素を利用している。過酸化水素は現在ウェハなど
を洗浄するための最も効果的な洗浄剤であると考えられ
ているけれども、この試薬の現在の製造は電子工業に高
品質の製品を製造することを可能にする程度に十分な純
度を有する試薬を提供できるまでには至っていない。 [0006] 電子工業における過酸化水素の使用は、毎年10〜20
%成長すると予想されている。現在の製品は、数年光の
半導体製造業者のニーズに対して受は入れられないと予
想されている。過酸化水素を精製する従来の方法は、異
なる温度と時間の洗浄工程を組み合わせた、試薬と各種
等級の活性炭との処理を含んでいる。しかしこれらの試
薬の前処理は、それ自体、最終の過酸化水素製品中の汚
染物質の増加の原因であった。 [0007] 1984年12月19日付けの東ドイツ特許DD 21
6,701において、炭酸アンモニウムで処理された活
性炭を用いるフッ化水素酸を精製するための特有の方法
が開示されている。 [0008]
通な問題は、チップやウェハのような微細回路デバイス
の製造の間の汚染の影響である。これらのデバイスがよ
り複雑、かつ寸法において小さくなるにつれて、汚染物
質の存在に対する感度がより問題になり、製品の許容品
質が達成できない程度にまで、このような汚染物質(固
体粒子の形態)は、回路をオープン又はショートさせ、
フォトリングラフィの再現性に影響を与え、電気特性を
変化させることがあり、これらの電子デバイスの結晶構
造を損傷する可能性さえある。 [0003] 汚染物質の影響を除去するか、又は少なくとも許容でき
る限界まで低減するために、進められてきた明白な工程
のひとつは、電子デバイス自体の洗浄及びこのような洗
浄工程において用いられる洗浄媒体に関する改良にある
。いくつかの例においては、電子デバイスから汚染物質
を除去するにあたって(例えばウェハ洗浄工程において
)用いられる、洗浄媒体に利用される1つ又は複数の添
加剤を洗浄又は精製するために、非常に手の込んだ工程
をとらなければならない。 [0004] 電子工業に供給される化学物質中の汚染イオンの存在は
、現在、プロセスのために超純粋な試薬を強く要求する
ユーザーにとっては重大な関心事である。半導体装置材
料学会は、ppbレベルを非常に低減した標準を設定し
ているが、より一層の低減が主張されている。 [0005] 最もよく証明された洗浄方法でさえ、いまだに汚染は起
こっている。この分野において知られているように、ウ
ェハ洗浄工程は、液相及び気相化学技術だけでなく、ス
クラビング、加圧された液体ジェット、超音波のような
物理的手段を含んでいる。試験され評価されてきた多く
の洗浄方法のうち、最も効果的な操作は洗浄剤として過
酸化水素を利用している。過酸化水素は現在ウェハなど
を洗浄するための最も効果的な洗浄剤であると考えられ
ているけれども、この試薬の現在の製造は電子工業に高
品質の製品を製造することを可能にする程度に十分な純
度を有する試薬を提供できるまでには至っていない。 [0006] 電子工業における過酸化水素の使用は、毎年10〜20
%成長すると予想されている。現在の製品は、数年光の
半導体製造業者のニーズに対して受は入れられないと予
想されている。過酸化水素を精製する従来の方法は、異
なる温度と時間の洗浄工程を組み合わせた、試薬と各種
等級の活性炭との処理を含んでいる。しかしこれらの試
薬の前処理は、それ自体、最終の過酸化水素製品中の汚
染物質の増加の原因であった。 [0007] 1984年12月19日付けの東ドイツ特許DD 21
6,701において、炭酸アンモニウムで処理された活
性炭を用いるフッ化水素酸を精製するための特有の方法
が開示されている。 [0008]
したがって、最高水準の電子部品のための洗浄剤として
使用するのに適した、最高品質の過酸化水素を製造する
ことが、本発明の主要な目的である。 [0009] 本発明の他の目的は、全炭素の除去及びカチオンの低減
に有効であり、カリ過酸化水素と安定に共存する活性炭
を製造することである。 [0010] 本発明の更に他の目的は、最終の過酸化水素製品中の汚
染物質をそれほど増加させない、活性炭の前処理試薬を
選択することである。 [0011] 本発明の付加的な目的は、その性能が未処理の活性炭よ
りも優れている、処理された活性炭を製造することであ
る。 [0012]
使用するのに適した、最高品質の過酸化水素を製造する
ことが、本発明の主要な目的である。 [0009] 本発明の他の目的は、全炭素の除去及びカチオンの低減
に有効であり、カリ過酸化水素と安定に共存する活性炭
を製造することである。 [0010] 本発明の更に他の目的は、最終の過酸化水素製品中の汚
染物質をそれほど増加させない、活性炭の前処理試薬を
選択することである。 [0011] 本発明の付加的な目的は、その性能が未処理の活性炭よ
りも優れている、処理された活性炭を製造することであ
る。 [0012]
本発明は、除去することができる不純物の量を最大にし
、不純物の逆流を最小にする新規な手法で前処理された
活性炭を利用することにより、電子部品の洗浄のための
過酸化水素を調製する現在の方法に存在する欠陥を克服
するために工夫された。本発明を実施するにあたっては
、活性炭を脱イオン水中でスラリー化し10%スラリー
を作る。炭酸アンモニウム(NH4)2CO3か、又は
エチレンジアミン四酸酸ジアンモニウム塩(NH4)2
EDTAからの適当なアンモニウムイオンが加えられ、
活性炭に対して約0.5.1.0.3.0重量%の処理
がなされる。活性炭は雰囲気温度で約30分間撹拌され
る。次に、この材料はろ過され、115℃で約10分間
乾燥される。次に、処理された活性炭は精製されるべき
過酸化水素と接触される。この混合物は数分間撹拌され
、ろ過され、ろ液は精製された過酸化水素として使用す
るために取り出される。−層の純度が望まれる場合には
、取り出された過酸化水素は使用の前に蒸留される。 [0013] 過酸化水素は種々の方法で製造することができるが、非
常に高品質の材料を製造するという望ましい目標を達成
するには、アントラキノン法が好ましい。高級な過酸化
水素を製造するこの方法の工程は、水素化酸化、抽出、
溶媒スクラビング、セットリング、カチオン樹脂処理、
活性炭処理、カチオン樹脂処理、蒸留、吸着、及び希釈
を含む。最初のカチオン樹脂処理後の生成物は、電子工
業グレードの過酸化水素に対するキーバラメータのひと
つ、すなわち全炭素の一因となる種々の有機種を除けば
、非常に純粋な生成物である。本発明は、これらの化合
物を除去するための活性炭の添加及び使用を意図してい
る。 [0014] 過酸化水素を製造する方法において活性炭を用いるため
には、活性炭は全炭素除去及び最終製品の純度に効果的
であるだけでなく、温度上昇及び過酸化水素の分解速度
に関して許容できるものでなげればならない。最終製品
の純度に関して活性炭はそれが過酸化水素と接触した後
の過酸化水素に対して無視できない金属イオンの一因と
なっていたことがわかっている。 [0015]
、不純物の逆流を最小にする新規な手法で前処理された
活性炭を利用することにより、電子部品の洗浄のための
過酸化水素を調製する現在の方法に存在する欠陥を克服
するために工夫された。本発明を実施するにあたっては
、活性炭を脱イオン水中でスラリー化し10%スラリー
を作る。炭酸アンモニウム(NH4)2CO3か、又は
エチレンジアミン四酸酸ジアンモニウム塩(NH4)2
EDTAからの適当なアンモニウムイオンが加えられ、
活性炭に対して約0.5.1.0.3.0重量%の処理
がなされる。活性炭は雰囲気温度で約30分間撹拌され
る。次に、この材料はろ過され、115℃で約10分間
乾燥される。次に、処理された活性炭は精製されるべき
過酸化水素と接触される。この混合物は数分間撹拌され
、ろ過され、ろ液は精製された過酸化水素として使用す
るために取り出される。−層の純度が望まれる場合には
、取り出された過酸化水素は使用の前に蒸留される。 [0013] 過酸化水素は種々の方法で製造することができるが、非
常に高品質の材料を製造するという望ましい目標を達成
するには、アントラキノン法が好ましい。高級な過酸化
水素を製造するこの方法の工程は、水素化酸化、抽出、
溶媒スクラビング、セットリング、カチオン樹脂処理、
活性炭処理、カチオン樹脂処理、蒸留、吸着、及び希釈
を含む。最初のカチオン樹脂処理後の生成物は、電子工
業グレードの過酸化水素に対するキーバラメータのひと
つ、すなわち全炭素の一因となる種々の有機種を除けば
、非常に純粋な生成物である。本発明は、これらの化合
物を除去するための活性炭の添加及び使用を意図してい
る。 [0014] 過酸化水素を製造する方法において活性炭を用いるため
には、活性炭は全炭素除去及び最終製品の純度に効果的
であるだけでなく、温度上昇及び過酸化水素の分解速度
に関して許容できるものでなげればならない。最終製品
の純度に関して活性炭はそれが過酸化水素と接触した後
の過酸化水素に対して無視できない金属イオンの一因と
なっていたことがわかっている。 [0015]
本発明を達成するためには、活性炭が十分な品質であり
、洗浄されるべき過酸化水素中に存在する汚染粒子を除
去する能力があること、及び活性炭自体又は前処理工程
で使用される洗浄剤力板それ自体で汚染粒子の一因とな
らないことを保証するために、前処理を工夫することが
必要である。 [0016] したがって、前処理方法は、全炭素除去及びカチオン低
減に有効な活性炭を製造しなければならない。前処理後
の活性炭は過酸化水素と安定に共存しなげればならず、
前処理試薬は最終の過酸化水素製品中の汚染物質をそれ
ほど増加させないようなものでなげればならない。 [0017] 活性炭を調整するための前処理工程において、活性炭は
最初の洗浄では添加物として0.5重量%の炭酸アンモ
ニウムを用いて熱洗浄される。わずか1回の洗浄が必要
ではあるけれども、追加の熱洗浄を行なう場合(各々の
熱洗浄は約20分間行われる)には改善された純度が達
成できることが理解できるであろう。硝酸塩、塩素、リ
ン酸塩及び硫酸塩のような不純物は各々の洗浄の間にか
なり減少した。不純物の除去において重要なことは、熱
洗浄の間に非常にわずかな量の不純物のみが加えられて
もよいということである。 [0018] 活性炭を前処理するにあたっては、硝酸塩の除去効率は
比較的低いことが知られている。しかし、炭酸アンモニ
ウムが、活性炭に化学的に結合した硝酸塩を除去する能
力は、他の公知の材料よりも優れていることが見出され
ている。にもかかわらず、過酸化水素と安定に共存する
全ての活性炭は性質的に有機的であるため、カルシウム
及びマグネシウムのようなある程度の不純物の一因とな
る。しかし、これらの微量の材料は、樹脂処理で除去す
ることができる。 [0019] 本発明によれば、活性炭の炭酸アンモニウム前処理は、
処理された過酸化水素中のマグネシウム、マンガン、カ
リウム、シリコン、ナトリウム、チタン、及び亜鉛のレ
ベルを低減させたことも見出されている。加えて、リン
酸塩レベルも、未処理の活性炭と比較して約273に低
減させることができる。 [0020] 過酸化水素を洗浄するのに用いられる前処理された活性
炭を調製するにあたり活性炭は脱イオン水中でスラリー
化されて10%スラリーが作られる。炭酸アンモニウム
(NH4)2C03を加え、活性炭に対して約0.5.
1又は3重量%の処理がなされる。活性炭を雰囲気温度
で約30分間撹拌し、次いでろ過し、約115℃で約5
〜10分間乾燥する。活性炭を1%スラリーとして約5
分間過酸化水素と接触する。このスラリーを0.2mu
フィルターを用いることによりろ過し、最終の生成物が
洗浄剤として用いるために取り出される。 [0021] 過酸化水素の精製における最終工程、すなわち前処理さ
れた活性炭と接触された後に得られる生成物を蒸留する
工程は、製品の純度を向上しようとするものである。 [0022] 他の実施例においては、活性炭の前処理工程でエチレン
ジアミン四酸酸ジアンモニウム塩(NH4)2EDTA
が炭酸アンモニウムの代わりに用いられる。この塩は、
接触工程において多量のマグネシウムを低減する能力を
もち、結果として炭酸アンモニウムの使用により引き起
こされる場合よりも過酸化水素の分解速度の低下をもた
らす。 [0023] 処理されろ過された後の、試薬グレードの30%過酸化
水素(特有のイオンが加えられている)の典型的な試料
を、表1 (0,5〜3.0重量%の間の処理試薬炭酸
アンモニウム(NH4)2CO3を用いている)、及び
表2(処理試薬エチレンジアミン四酸酸ジアンモニウム
塩(NH4)2EDTAを用いている)に示す。 これらの表のいずれでも、イオンはmg/m1単位で測
定されている。 [0024]
、洗浄されるべき過酸化水素中に存在する汚染粒子を除
去する能力があること、及び活性炭自体又は前処理工程
で使用される洗浄剤力板それ自体で汚染粒子の一因とな
らないことを保証するために、前処理を工夫することが
必要である。 [0016] したがって、前処理方法は、全炭素除去及びカチオン低
減に有効な活性炭を製造しなければならない。前処理後
の活性炭は過酸化水素と安定に共存しなげればならず、
前処理試薬は最終の過酸化水素製品中の汚染物質をそれ
ほど増加させないようなものでなげればならない。 [0017] 活性炭を調整するための前処理工程において、活性炭は
最初の洗浄では添加物として0.5重量%の炭酸アンモ
ニウムを用いて熱洗浄される。わずか1回の洗浄が必要
ではあるけれども、追加の熱洗浄を行なう場合(各々の
熱洗浄は約20分間行われる)には改善された純度が達
成できることが理解できるであろう。硝酸塩、塩素、リ
ン酸塩及び硫酸塩のような不純物は各々の洗浄の間にか
なり減少した。不純物の除去において重要なことは、熱
洗浄の間に非常にわずかな量の不純物のみが加えられて
もよいということである。 [0018] 活性炭を前処理するにあたっては、硝酸塩の除去効率は
比較的低いことが知られている。しかし、炭酸アンモニ
ウムが、活性炭に化学的に結合した硝酸塩を除去する能
力は、他の公知の材料よりも優れていることが見出され
ている。にもかかわらず、過酸化水素と安定に共存する
全ての活性炭は性質的に有機的であるため、カルシウム
及びマグネシウムのようなある程度の不純物の一因とな
る。しかし、これらの微量の材料は、樹脂処理で除去す
ることができる。 [0019] 本発明によれば、活性炭の炭酸アンモニウム前処理は、
処理された過酸化水素中のマグネシウム、マンガン、カ
リウム、シリコン、ナトリウム、チタン、及び亜鉛のレ
ベルを低減させたことも見出されている。加えて、リン
酸塩レベルも、未処理の活性炭と比較して約273に低
減させることができる。 [0020] 過酸化水素を洗浄するのに用いられる前処理された活性
炭を調製するにあたり活性炭は脱イオン水中でスラリー
化されて10%スラリーが作られる。炭酸アンモニウム
(NH4)2C03を加え、活性炭に対して約0.5.
1又は3重量%の処理がなされる。活性炭を雰囲気温度
で約30分間撹拌し、次いでろ過し、約115℃で約5
〜10分間乾燥する。活性炭を1%スラリーとして約5
分間過酸化水素と接触する。このスラリーを0.2mu
フィルターを用いることによりろ過し、最終の生成物が
洗浄剤として用いるために取り出される。 [0021] 過酸化水素の精製における最終工程、すなわち前処理さ
れた活性炭と接触された後に得られる生成物を蒸留する
工程は、製品の純度を向上しようとするものである。 [0022] 他の実施例においては、活性炭の前処理工程でエチレン
ジアミン四酸酸ジアンモニウム塩(NH4)2EDTA
が炭酸アンモニウムの代わりに用いられる。この塩は、
接触工程において多量のマグネシウムを低減する能力を
もち、結果として炭酸アンモニウムの使用により引き起
こされる場合よりも過酸化水素の分解速度の低下をもた
らす。 [0023] 処理されろ過された後の、試薬グレードの30%過酸化
水素(特有のイオンが加えられている)の典型的な試料
を、表1 (0,5〜3.0重量%の間の処理試薬炭酸
アンモニウム(NH4)2CO3を用いている)、及び
表2(処理試薬エチレンジアミン四酸酸ジアンモニウム
塩(NH4)2EDTAを用いている)に示す。 これらの表のいずれでも、イオンはmg/m1単位で測
定されている。 [0024]
【表1】
[0025]
試料 Fe
1 <0.003
2 <0.003
3 0.0087
4 <0.003
5 <0.003
6 0.0058
d
く0.005
<Q、005
<0.005
<0.005
く0.O05
<0.005
u
く0.004
く09OO4
<Q、004
0、004
<Q、004
<Q、 004
0、111
0、097
0、070
0、007
0、125
0、008
n
く0.02
<Q、02
<Q、02
く0.02
く0.02
<Q、02
a
1.23
1.32
1.38
1.19
1.62
1.43
O69
0,9
0,9
0,9
1,1
0,9
[0026]
【表2】
[0027]
試料 Fe
1 <0.003
2 0.020
3 <0.003
4 <0.003
5 <0.003
6 0.044
d
<Q、006
0、006
0、006
0、006
0、006
0、006
u
O,004
0、008
0、004
0、004
く0.0O4
0、025
0、020
0、240
0、045
0,315
0、158
0,018
n
<Q、 02
<Q、 02
〈0.02
く0.02
<0.02
<Q、02
a
1.16
1.25
1.28
1.28
1.38
1.16
処理された活性炭の原料の過酸化水素との試、験から、
評価パラメータにおける主要な変化のまとめを、次の表
3に示す。 [0028]
評価パラメータにおける主要な変化のまとめを、次の表
3に示す。 [0028]
【表3】
[0029]
項目
分解−%
塩化物−ppm変化
リン酸塩−ppm変化
アンモニウム−ppm変化
遊離酸−ppm変化
微量金属変化ppb単位
アルミニウム
ホウ素
カルシウム
鉄
カリウム
マグネシウム
ナトリウム
リン
シリコン
スズ
亜鉛
未処理
活性炭
1.1
十Q、16
+Q、 02
−4.31
+767
+71
+47
+39
(NH4)2
0.5%
1.3
+Q、08
+0.02
−1.59
+104
十136
+ 3
+180
DTA
1.0%
2.0
+Q、07
−0.10
−2.43
+17
+22
+94
+20
十186
(NH4)2C03
0,5% 1.0%
4.4 4.0
十0.1 +0.11
−0.07 −0.07
−4.54 −3.50
+272
+ 7
+117
+32
+ 2
+43
+139
+241
+89
+ 1
+11
+167
本発明は好ましい意図を有するように記載されているけ
れども、一般用に本発明の原理に従い、及び本発明に関
係がある技術分野において知られているが慣用的な実務
となっているような、また前記で記載された中核となる
特徴に付加できるような開示からはずれたものを含み、
本発明の更なる変形、使用及び/又は適用が可能であり
、しかも本発明すなわち特許請求の範囲の限定の範囲内
であることが理解できる。
れども、一般用に本発明の原理に従い、及び本発明に関
係がある技術分野において知られているが慣用的な実務
となっているような、また前記で記載された中核となる
特徴に付加できるような開示からはずれたものを含み、
本発明の更なる変形、使用及び/又は適用が可能であり
、しかも本発明すなわち特許請求の範囲の限定の範囲内
であることが理解できる。
Claims (12)
- 【請求項1】a)活性炭を炭酸アンモニウムとともに少
なくとも1回熱洗浄することにより、活性炭を前処理す
る工程、b)精製されるべき多量の過酸化水素を、得ら
れた熱洗浄された活性炭と接触させ、これにより過酸化
水素中に存在する不純物の吸着をもたらす工程、及びc
)接触された過酸化水素を分離し、蒸留する工程からな
る、不純物の除去を含む過酸化水素の精製方法。 - 【請求項2】a)前記活性炭を熱洗浄する工程が、活性
炭を脱イオン水中でスラリー化して約10%のスラリー
を作ることを含む請求項1記載の方法。 - 【請求項3】a)前記活性炭を前処理する工程が、炭酸
アンモニウムとの複数回の熱洗浄を含む請求項1記載の
方法。 - 【請求項4】a)炭酸アンモニウムを前記スラリーに加
え、活性炭に対して約0.5〜約3.0重量%の処理を
する請求項2記載の方法。 - 【請求項5】a)炭酸アンモニウムと活性炭とのスラリ
ーを、雰囲気温度において約30分間撹拌する工程を含
む請求項2記載の方法。 - 【請求項6】a)スラリーをろ過し、約115℃の温度
で少なくとも約5時間乾燥する工程を含む請求項5記載
の方法。 - 【請求項7】a)活性炭をエチレンジアミン四酢酸ジア
ンモニウム塩とともに少なくとも1回熱洗浄することに
より、活性炭を前処理する工程、b)精製されるべき多
量の過酸化水素を、得られた熱洗浄された活性炭と接触
させ、これにより過酸化水素中に存在する不純物の吸着
をもたらす工程、及びc)接触された過酸化水素を分離
し、蒸留する工程からなる、不純物の除去を含む過酸化
水素の精製方法。 - 【請求項8】a)前記活性炭を洗浄する工程が、活性炭
を脱イオン水中でスラリー化して約10%のスラリーを
作ることを含む請求項7記載の方法。 - 【請求項9】a)前記活性炭を前処理する工程が、エチ
レンジアミン四酢酸ジアンモニウム塩との複数回の熱洗
浄を含む請求項7記載の方法。 - 【請求項10】a)エチレンジアミン四酢酸ジアンモニ
ウム塩を前記スラリーに加え、活性炭に対して約0.5
〜3.0重量の処理をする請求項8記載の方法。 - 【請求項11】a)エチレンジアミン四酢酸ジアンモニ
ウム塩と活性炭とのスラリーを、約30分間撹拌する工
程を含む請求項8記載の方法。 - 【請求項12】a)スラリーをろ過し、約115℃の温
度で少なくとも約5時間乾燥する工程を含む請求項11
記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/553,291 US4985228A (en) | 1990-07-17 | 1990-07-17 | Purification of hydrogen peroxide |
| US553291 | 1990-07-17 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04170308A true JPH04170308A (ja) | 1992-06-18 |
Family
ID=24208874
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2400725A Pending JPH04170308A (ja) | 1990-07-17 | 1990-12-07 | 過酸化水素の精製方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4985228A (ja) |
| EP (1) | EP0466987A1 (ja) |
| JP (1) | JPH04170308A (ja) |
| KR (1) | KR920002464A (ja) |
Families Citing this family (12)
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|---|---|---|---|---|
| US5242468A (en) * | 1991-03-19 | 1993-09-07 | Startec Ventures, Inc. | Manufacture of high precision electronic components with ultra-high purity liquids |
| US5266298A (en) * | 1992-08-27 | 1993-11-30 | Fmc Corporation | Process for removing iron from hydrogen peroxide |
| DE4240370C1 (de) * | 1992-12-01 | 1994-05-11 | Degussa | Verfahren zur Verringerung des Kohlenstoffgehalts wäßriger Wasserstoffperoxidlösungen |
| US5496778A (en) * | 1994-01-07 | 1996-03-05 | Startec Ventures, Inc. | Point-of-use ammonia purification for electronic component manufacture |
| US5853491A (en) * | 1994-06-27 | 1998-12-29 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for reducing metal contamination of silicon wafers during semiconductor manufacturing |
| US5637151A (en) * | 1994-06-27 | 1997-06-10 | Siemens Components, Inc. | Method for reducing metal contamination of silicon wafers during semiconductor manufacturing |
| US6001223A (en) * | 1995-07-07 | 1999-12-14 | Air Liquide America Corporation | On-site ammonia purification for semiconductor manufacture |
| DE69904090T2 (de) | 1998-01-16 | 2003-09-04 | Ausimont S.P.A., Mailand/Milano | Verfahren zur industriellen Herstellung von hochreinem Wasserstoffperoxid |
| US6255009B1 (en) | 1998-03-28 | 2001-07-03 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Combined cycle power generation using controlled hydrogen peroxide decomposition |
| KR101237919B1 (ko) * | 2012-04-09 | 2013-02-28 | 소광민 | 과산화수소에 오염된 폐황산의 재활용 장치 |
| CU24575B1 (es) | 2014-08-15 | 2022-02-04 | Global Oil Eor Systems Ltd | Método y aparato para producir vapor y método para fabricar dicho aparato |
| WO2022150407A1 (en) * | 2021-01-05 | 2022-07-14 | Sanders Mitchell C | Purified and enhanced hydrogen peroxide disinfecting solution for the rapid inactivation of covid-19 and other pathogens |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA665476A (en) * | 1963-06-25 | Laporte Chemicals Limited | Purification of hydrogen peroxide | |
| FR1184731A (fr) * | 1956-09-28 | 1959-07-24 | Laporte Chemical | Procédé de fabrication d'eau oxygénée |
| US3294488A (en) * | 1958-02-11 | 1966-12-27 | Shell Oil Co | Purification of hydrogen peroxide |
| US3012860A (en) * | 1958-03-17 | 1961-12-12 | Shell Oil Co | Hydrogen peroxide purification |
| US3305314A (en) * | 1958-07-07 | 1967-02-21 | Pittsburgh Plate Glass Co | Purification process |
| FR1213086A (fr) * | 1958-10-24 | 1960-03-29 | Du Pont | Procédé de purification du peroxyde d'hydrogène |
| GB1141299A (en) * | 1965-06-21 | 1969-01-29 | Laporte Chemical | Process for or relating to the production of hydrogen peroxide |
| FR1475926A (fr) * | 1966-02-24 | 1967-04-07 | Solvay | Procédé d'épuration de solutions aqueuses de peroxyde d'hydrogène |
| US3664812A (en) * | 1970-03-16 | 1972-05-23 | Allied Chem | Purification of hydrogen peroxide |
| US4389390A (en) * | 1980-10-10 | 1983-06-21 | Air Products And Chemicals, Inc. | Process for producing hydrogen peroxide |
| JPH0814906A (ja) * | 1994-06-28 | 1996-01-19 | Yasuhiro Kijima | 境界杭 |
-
1990
- 1990-07-17 US US07/553,291 patent/US4985228A/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-12-06 KR KR1019900019994A patent/KR920002464A/ko not_active Withdrawn
- 1990-12-07 EP EP90313287A patent/EP0466987A1/en not_active Withdrawn
- 1990-12-07 JP JP2400725A patent/JPH04170308A/ja active Pending
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4985228A (en) | 1991-01-15 |
| KR920002464A (ko) | 1992-02-28 |
| EP0466987A1 (en) | 1992-01-22 |
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