JPH04174905A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPH04174905A JPH04174905A JP2301961A JP30196190A JPH04174905A JP H04174905 A JPH04174905 A JP H04174905A JP 2301961 A JP2301961 A JP 2301961A JP 30196190 A JP30196190 A JP 30196190A JP H04174905 A JPH04174905 A JP H04174905A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- weight
- parts
- composite material
- breakdown voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高い誘電率を有し、さらに絶縁破壊電圧、絶縁
抵抗が高く、また結晶粒径が小さい誘電体磁器組成物に
関するものである。
抵抗が高く、また結晶粒径が小さい誘電体磁器組成物に
関するものである。
従来の技術
従来から、高い誘電率を有する誘電体磁器組成物として
、BaTio*にBad、 CaO+ Ti1t、 Z
r0zなどを適当量添加したものが知られている。
、BaTio*にBad、 CaO+ Ti1t、 Z
r0zなどを適当量添加したものが知られている。
発明が解決しようとする課題
しかし、これらの誘電体磁器組成物は結晶粒径が10〜
20amと大きく、気孔率も高いため、積層セラミック
コンデンサのように誘電体厚みが薄い製品への応用は、
絶縁破壊電圧が低い、外部電極を形成するメツキ処理時
の絶縁破壊電圧および絶縁抵抗の低下などの課題があっ
た。
20amと大きく、気孔率も高いため、積層セラミック
コンデンサのように誘電体厚みが薄い製品への応用は、
絶縁破壊電圧が低い、外部電極を形成するメツキ処理時
の絶縁破壊電圧および絶縁抵抗の低下などの課題があっ
た。
課題を解決するための手段
これらのtIaを解決するために本発明は、一般式x
BaOy TiOx z Gd0szxと表した時(
ただし、x+y+z−1,00) 、x、y、zが以下
に表す各点a、 b、 c、 dで囲まれるモル
比の範囲からなる主成分100重量部に対し、Nb、o
、を0.3〜3.0重量部とMn01を0.05〜0.
25重量部含有することを特徴とする誘電体磁器組成物
を提供するものであ作用 第1図は本発明にかかる主成分の組成範囲を示す三元図
であり、組成範囲を限定した理由を第1図を参照しなが
ら説明する。まず、A領域では誘電率が小さく、実用的
でなくなる。また、BeN域ではキュリー点がマイナス
側に大きくなりすぎ、温度特性の静電容量変化率がプラ
ス側に大きくはずれ実用的でなくなる。さらに、CAN
域では焼結が著しく困難である。さらにまた、Del域
では誘電率が小さく、実用的でなくなる。
BaOy TiOx z Gd0szxと表した時(
ただし、x+y+z−1,00) 、x、y、zが以下
に表す各点a、 b、 c、 dで囲まれるモル
比の範囲からなる主成分100重量部に対し、Nb、o
、を0.3〜3.0重量部とMn01を0.05〜0.
25重量部含有することを特徴とする誘電体磁器組成物
を提供するものであ作用 第1図は本発明にかかる主成分の組成範囲を示す三元図
であり、組成範囲を限定した理由を第1図を参照しなが
ら説明する。まず、A領域では誘電率が小さく、実用的
でなくなる。また、BeN域ではキュリー点がマイナス
側に大きくなりすぎ、温度特性の静電容量変化率がプラ
ス側に大きくはずれ実用的でなくなる。さらに、CAN
域では焼結が著しく困難である。さらにまた、Del域
では誘電率が小さく、実用的でなくなる。
上記の組成系、組成範囲にかかる本発明の構成によれば
、主成分に対しNbzOsを含有することにより、静電
容量と絶縁抵抗の積(CR積)および絶縁破壊電圧を向
上させる効果を有しているが、その含有率が主成分10
0重量部に対し、0.3重量部未満では含有効果はなく
、一方3.0重量部を超えるとキュリー点がマイナス側
にずれ誘電率を低下させる。また、主成分に対しMnO
□を含有することにより、CR積を大きくする効果を有
しているが、その含有率が主成分100重量部に対し、
0.05重量部未満あるいは0.25重量部を超えると
CR積が低下する。さらに、本発明の組成物はその結晶
粒径を2〜8μmとすることができる。
、主成分に対しNbzOsを含有することにより、静電
容量と絶縁抵抗の積(CR積)および絶縁破壊電圧を向
上させる効果を有しているが、その含有率が主成分10
0重量部に対し、0.3重量部未満では含有効果はなく
、一方3.0重量部を超えるとキュリー点がマイナス側
にずれ誘電率を低下させる。また、主成分に対しMnO
□を含有することにより、CR積を大きくする効果を有
しているが、その含有率が主成分100重量部に対し、
0.05重量部未満あるいは0.25重量部を超えると
CR積が低下する。さらに、本発明の組成物はその結晶
粒径を2〜8μmとすることができる。
実施例
以下に、本発明を具体的実施例により説明する。
出発原料には化学的に高純度のBaCO5,T+021
GdtOs、NbzOsおよび−nO□粉末を下記の第
1表に示す組成比になるように秤量し、めのうボールを
備えたゴム内張りのボールミルに純水とともに入れ、湿
式混合後、脱水乾燥した。この乾燥粉末を高アルミナ質
のルツボに入れ、空気中で1100°Cにて2時間仮焼
した。この仮焼粉末を、めのうポールを備えたゴム内張
りのボールミルに純水とともに入れ、湿式粉砕後、脱水
乾燥した。この粉砕粉末に、有機バインダーを加え、均
質とした後、32メツシユのふるいを通して整粒し、金
型と油圧プレスを用いて成形圧力1ton/c4で直径
15閣、厚み0.4閣に成形した0次いで、この成形円
板をジルコニア粉末を敷いたアルミナ質のサヤに入れ、
空気中にて下記の第1表に示す組成比の誘電体磁器を得
た。
GdtOs、NbzOsおよび−nO□粉末を下記の第
1表に示す組成比になるように秤量し、めのうボールを
備えたゴム内張りのボールミルに純水とともに入れ、湿
式混合後、脱水乾燥した。この乾燥粉末を高アルミナ質
のルツボに入れ、空気中で1100°Cにて2時間仮焼
した。この仮焼粉末を、めのうポールを備えたゴム内張
りのボールミルに純水とともに入れ、湿式粉砕後、脱水
乾燥した。この粉砕粉末に、有機バインダーを加え、均
質とした後、32メツシユのふるいを通して整粒し、金
型と油圧プレスを用いて成形圧力1ton/c4で直径
15閣、厚み0.4閣に成形した0次いで、この成形円
板をジルコニア粉末を敷いたアルミナ質のサヤに入れ、
空気中にて下記の第1表に示す組成比の誘電体磁器を得
た。
、このようにして得られた誘電体磁器円板は、厚みと直
径を、準、定し、誘電率、誘電損失、静電容量温度特性
測定用試料は、誘・電体磁器円板の両面全体に銀電極を
焼き付け、絶縁破)壊電圧#おび絶縁抵抗測定用試料は
、誘電体磁器円板の外周より11内側まで銀電極を焼き
付けた。そして、誘電率、誘電損失、静電容量温度特性
は、横河・ヒユーレット・パラカード■製デジタルLC
Rメータのモデル42.74 Aを使用し、測定温度2
0℃、測定電圧1.OVrms、測定周波数1k)tz
での測定より求めた。また、絶縁破壊電圧は、菊水電子
工業■製の高圧直流t′aでの測定より求めた。さらに
、絶縁抵抗は、タケダ理研工業■製の高抵抗計での測定
より求めた。
径を、準、定し、誘電率、誘電損失、静電容量温度特性
測定用試料は、誘・電体磁器円板の両面全体に銀電極を
焼き付け、絶縁破)壊電圧#おび絶縁抵抗測定用試料は
、誘電体磁器円板の外周より11内側まで銀電極を焼き
付けた。そして、誘電率、誘電損失、静電容量温度特性
は、横河・ヒユーレット・パラカード■製デジタルLC
Rメータのモデル42.74 Aを使用し、測定温度2
0℃、測定電圧1.OVrms、測定周波数1k)tz
での測定より求めた。また、絶縁破壊電圧は、菊水電子
工業■製の高圧直流t′aでの測定より求めた。さらに
、絶縁抵抗は、タケダ理研工業■製の高抵抗計での測定
より求めた。
それから、誘電率は次式より求めた。
K= 143.8xCo X t /D2K :誘電率
Co:20°Cでの静電容量(pF)
D =誘電体磁器円板の直径(m)
t :誘電体磁器円板の厚み(閣)
また、絶縁破壊電圧は次式より求めた。
B1=BO/l
B1:絶縁破壊電圧(kV/m)−
BO:絶縁破壊電圧(kV’)
さらに、絶縁抵抗は、CR積として次式より求めた。
CR=CoXRO/10”
CR:CR積(MΩ・pF)
RO:絶縁抵抗(Ω)
さらにまた、結晶粒径は、倍率400での光学顕微鏡観
察より求めた。試験条件および試験結果を下記の第1表
に併せて示す。
察より求めた。試験条件および試験結果を下記の第1表
に併せて示す。
(以下余白)
なお、実施例における誘電体磁器の作製方法では、Ba
C0+、 Tl0z、 GdzO:+、 NbzOsお
よびMn0zを使用したが、この方法に限定されるもの
ではなく、所望の組成比になるようにBaTi0.など
の化合物、あるいは炭酸塩、水酸化物など、空気中での
加熱により、Bad、 Ti0z、 GdzO3,Nb
tOsおよび阿nozとなる化合物を使用しても実施例
と同程度の特性を得ることができる。
C0+、 Tl0z、 GdzO:+、 NbzOsお
よびMn0zを使用したが、この方法に限定されるもの
ではなく、所望の組成比になるようにBaTi0.など
の化合物、あるいは炭酸塩、水酸化物など、空気中での
加熱により、Bad、 Ti0z、 GdzO3,Nb
tOsおよび阿nozとなる化合物を使用しても実施例
と同程度の特性を得ることができる。
また、一般に使用されている工業用BaTiOsのBa
/Ti比は、0.98以上であり、BaTiO3を出発
原料として使用した場合、不足分のTrOlを添加して
も実施例と同程度の特性を得ることができる。
/Ti比は、0.98以上であり、BaTiO3を出発
原料として使用した場合、不足分のTrOlを添加して
も実施例と同程度の特性を得ることができる。
さらに、主成分をあらかじめ仮焼し、副成分を添加して
も実施例と同程度の特性を得ることができる。
も実施例と同程度の特性を得ることができる。
さらにまた、誘電体磁器用として一般に使用される工業
用原料の酸化チタン、例えばチタン工業■製酸化チタン
KA−10、古河鉱業■製酸化チタンFA−55Wには
最大0.45重量%のNbzOsが含まれるが、これら
の酸化チタンを使用して主成分の誘電体磁器を作製して
も主成分100重量%に対して、Nb、O5の含有量は
最大で0.17重量%であり、本発明の範囲外であるが
、工業用原料の酸化チタン中のNbtOs量を考慮し、
不足分のNbzOsを含有させることにより、実施例と
同程度の特性を得ることができる。
用原料の酸化チタン、例えばチタン工業■製酸化チタン
KA−10、古河鉱業■製酸化チタンFA−55Wには
最大0.45重量%のNbzOsが含まれるが、これら
の酸化チタンを使用して主成分の誘電体磁器を作製して
も主成分100重量%に対して、Nb、O5の含有量は
最大で0.17重量%であり、本発明の範囲外であるが
、工業用原料の酸化チタン中のNbtOs量を考慮し、
不足分のNbzOsを含有させることにより、実施例と
同程度の特性を得ることができる。
それから、上述の基本組成のほかに、ZnO。
5iOz+ Fe2O3など、一般にフラックスと考え
られている塩類、酸化物などを特性を損なわない範囲で
加えることもできる。
られている塩類、酸化物などを特性を損なわない範囲で
加えることもできる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、高い誘電率を有し、さら
に絶縁破壊電圧および絶縁抵抗が高く、また結晶粒径が
小さいため誘電体厚みを薄くでき、製品の小型化、大容
量化が可能である。
に絶縁破壊電圧および絶縁抵抗が高く、また結晶粒径が
小さいため誘電体厚みを薄くでき、製品の小型化、大容
量化が可能である。
第1図は本発明にかかる組成範囲を示す三元図である。
Claims (1)
- 一般式xBaO−yTiO_2−zGdO_3_/_
2と表した時(ただし、x+y+z=1.00)、x,
y,zが以下に表す各点a,b,c,dで囲まれるモル
比の範囲からなる主成分100重量部に対し、Nb_2
O_3を0.3〜3.0重量部とMnO_20.05〜
0.25重量部含有することを特徴とする誘電体磁器組
成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2301961A JPH04174905A (ja) | 1990-11-06 | 1990-11-06 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2301961A JPH04174905A (ja) | 1990-11-06 | 1990-11-06 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04174905A true JPH04174905A (ja) | 1992-06-23 |
Family
ID=17903206
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2301961A Pending JPH04174905A (ja) | 1990-11-06 | 1990-11-06 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04174905A (ja) |
-
1990
- 1990-11-06 JP JP2301961A patent/JPH04174905A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH04174905A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH04188506A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JPH04174907A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0451408A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2568567B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH04174904A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH04174908A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2568565B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH04174906A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH04357608A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2568566B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH02267163A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH04357616A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH02267164A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH02267162A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH06260026A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH06302219A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH04167305A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH04357620A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH06260034A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH04357612A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH06260027A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS63174205A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0353406A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0467512A (ja) | 誘電体磁器組成物 |