JPH04174906A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPH04174906A JPH04174906A JP2301963A JP30196390A JPH04174906A JP H04174906 A JPH04174906 A JP H04174906A JP 2301963 A JP2301963 A JP 2301963A JP 30196390 A JP30196390 A JP 30196390A JP H04174906 A JPH04174906 A JP H04174906A
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- JP
- Japan
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- dielectric
- pts
- main component
- composition material
- porcelain composition
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- Pending
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高い誘電率を有し、さらにwIA緑破壊電圧、
絶縁抵抗が高く、また結晶粒径が小さい誘電体磁器組成
物に関するものである。
絶縁抵抗が高く、また結晶粒径が小さい誘電体磁器組成
物に関するものである。
従来の技術
従来から、高い誘電率を有する誘電体磁器組成物として
、BaTiO3にBad、 Cab、 Ti1t、 Z
r0tなどを適当量添加したものが知られている。
、BaTiO3にBad、 Cab、 Ti1t、 Z
r0tなどを適当量添加したものが知られている。
発明が解決しようとする課題
しかし、これらの誘電体磁器組成物は結晶粒径が10〜
20μmと大きく、気孔率も高いため、積層セラミック
コンデンサのように誘電体厚みが薄い製品への応用は、
絶縁破壊電圧が低い、外部電極を形成するメツキ処理時
の絶縁破壊電圧および絶縁抵抗の低下などの課題があっ
た。 −課題を解決するための手段 これらの課題を解決するために本発明は、一般式x B
aOy Trot z Sm0zzzと表した時(た
だし、x 十y + z =1.OO) 、X、 、1
. 、Zが以下に表す各点a、b、c、dで囲まれるモ
ル比の範囲からなる主成分100重量部に対し、Nb諺
OSを0.3〜3.0重量部とMn0tを0.05〜0
.25重量部含有することを特徴とする誘電体磁器組成
物を提供するものであ作用 第1図は本発明にかかる主成分の組成範囲を示す三元図
であり、組成範囲を限定した理由を第1図を参照しなが
ら説明する。まず、A領域では誘電率が小さく、実用的
でなくなる。また、BSI域ではキュリー点がマイナス
側に大きくなりすぎ、温度特性の静電容量変化率がプラ
ス側に大きくはずれ実用的でなくなる。さらに、C領域
では焼結が著しく困難である。さらにまた、DeI域で
は誘電率が小さく、実用的でな(なる。
20μmと大きく、気孔率も高いため、積層セラミック
コンデンサのように誘電体厚みが薄い製品への応用は、
絶縁破壊電圧が低い、外部電極を形成するメツキ処理時
の絶縁破壊電圧および絶縁抵抗の低下などの課題があっ
た。 −課題を解決するための手段 これらの課題を解決するために本発明は、一般式x B
aOy Trot z Sm0zzzと表した時(た
だし、x 十y + z =1.OO) 、X、 、1
. 、Zが以下に表す各点a、b、c、dで囲まれるモ
ル比の範囲からなる主成分100重量部に対し、Nb諺
OSを0.3〜3.0重量部とMn0tを0.05〜0
.25重量部含有することを特徴とする誘電体磁器組成
物を提供するものであ作用 第1図は本発明にかかる主成分の組成範囲を示す三元図
であり、組成範囲を限定した理由を第1図を参照しなが
ら説明する。まず、A領域では誘電率が小さく、実用的
でなくなる。また、BSI域ではキュリー点がマイナス
側に大きくなりすぎ、温度特性の静電容量変化率がプラ
ス側に大きくはずれ実用的でなくなる。さらに、C領域
では焼結が著しく困難である。さらにまた、DeI域で
は誘電率が小さく、実用的でな(なる。
上記の組成系、組成範囲にかかる本発明の構成によれば
、主成分に対しNb2O5を含有することにより、静電
容量と絶縁抵抗の積(CR積)および絶縁破壊電圧を向
上させる効果を有しているが、その含有率が主成分10
0重量部に対し、0.3重量部未満では含有効果はなく
、一方3.0重蓋部を超えるとキュリー点がマイナス側
にずれ誘電率を低下させる。また、主成分に対しMnO
□を含有することにより、CR積を大きくする効果を有
しているが、その含有率が主成分1041部に対し、0
.05重量部未満あるいは0.25重量部を超えるとC
R積が低下する。さらに、本発明の組成物はその結晶粒
径を5〜10umとすることができる。
、主成分に対しNb2O5を含有することにより、静電
容量と絶縁抵抗の積(CR積)および絶縁破壊電圧を向
上させる効果を有しているが、その含有率が主成分10
0重量部に対し、0.3重量部未満では含有効果はなく
、一方3.0重蓋部を超えるとキュリー点がマイナス側
にずれ誘電率を低下させる。また、主成分に対しMnO
□を含有することにより、CR積を大きくする効果を有
しているが、その含有率が主成分1041部に対し、0
.05重量部未満あるいは0.25重量部を超えるとC
R積が低下する。さらに、本発明の組成物はその結晶粒
径を5〜10umとすることができる。
実施例
以下に、本発明を具体的実施例により説明する。
出発原料には化学的に高純度のBaCO3+ T102
1Ss!Os、 NbzOsおよびMnO,粉末を下記
の第1表に示す組成比になるように秤量し、めのうボー
ルを備えたゴム内張りのボールミルに純水とともに入れ
、湿式混合後、脱水乾燥した。この乾燥粉末を高アルミ
ナ質のルツボに入れ、空気中で1ioo″Cにて2時間
仮焼した。この仮焼粉末を、めのうボールを備えたゴム
内張りのボールミルに純水とともに入れ、湿式粉砕後、
脱水乾燥した。この粉砕粉末に、有機バインダーを加え
、均質とした後、32メツシユのふるいを通して整粒し
、金型と油圧プレスを用いて成形圧力1ton/c11
で直径15■、厚み0.4−に成形した0次いで、この
成形円板をジルコニア粉末を敷いたアルミナ質のサヤに
入れ、空気中にて下記の第1表に示す組成比の誘電体磁
器を得た。
1Ss!Os、 NbzOsおよびMnO,粉末を下記
の第1表に示す組成比になるように秤量し、めのうボー
ルを備えたゴム内張りのボールミルに純水とともに入れ
、湿式混合後、脱水乾燥した。この乾燥粉末を高アルミ
ナ質のルツボに入れ、空気中で1ioo″Cにて2時間
仮焼した。この仮焼粉末を、めのうボールを備えたゴム
内張りのボールミルに純水とともに入れ、湿式粉砕後、
脱水乾燥した。この粉砕粉末に、有機バインダーを加え
、均質とした後、32メツシユのふるいを通して整粒し
、金型と油圧プレスを用いて成形圧力1ton/c11
で直径15■、厚み0.4−に成形した0次いで、この
成形円板をジルコニア粉末を敷いたアルミナ質のサヤに
入れ、空気中にて下記の第1表に示す組成比の誘電体磁
器を得た。
このようにして得られた誘電体磁器円板は、厚みと直径
を測定し、誘電率、誘電損失、静電容量温度特性測定用
試料は、誘電体磁器円板の両面全体に銀電極を焼き付け
、絶縁破壊電圧および絶縁抵抗測定用試料は、誘電体磁
器円板の外周より1閣内側まで銀電極を焼き付けた。そ
して、誘電率、誘電損失、静電容量温度特性は、横河・
ヒユーレット・パラカード■製デジタルLCRメータの
モデル4274 Aを使用し、測定温度20℃、測定電
圧1.OVrws、測定周波数1kHzでの測定より求
めた。また、絶縁破壊電圧は、菊水電子工業■製の高圧
直流電源での測定より求めた。さらに、絶縁抵抗は、タ
ケダ理研工業製製の高抵抗計での測定より求めた。
を測定し、誘電率、誘電損失、静電容量温度特性測定用
試料は、誘電体磁器円板の両面全体に銀電極を焼き付け
、絶縁破壊電圧および絶縁抵抗測定用試料は、誘電体磁
器円板の外周より1閣内側まで銀電極を焼き付けた。そ
して、誘電率、誘電損失、静電容量温度特性は、横河・
ヒユーレット・パラカード■製デジタルLCRメータの
モデル4274 Aを使用し、測定温度20℃、測定電
圧1.OVrws、測定周波数1kHzでの測定より求
めた。また、絶縁破壊電圧は、菊水電子工業■製の高圧
直流電源での測定より求めた。さらに、絶縁抵抗は、タ
ケダ理研工業製製の高抵抗計での測定より求めた。
それから、誘電率は次式より求めた。
K = 143.8X Co x t / D2K :
誘電率 Co:20°Cでの静電容量(pF) D 二誘電体磁器円板の直径(閣) t :誘電体磁器円板の厚み(閣) また、絶縁破壊電圧は次式より求めた。
誘電率 Co:20°Cでの静電容量(pF) D 二誘電体磁器円板の直径(閣) t :誘電体磁器円板の厚み(閣) また、絶縁破壊電圧は次式より求めた。
B1−BO/l
B1:絶縁破壊電圧(kV/m)
BO:絶縁破壊電圧(kν)
さらに、絶縁抵抗は、CR積として次式より求めた。
CR=CoXRO/10”
CR: CR積(MΩ・pF)
RO:絶縁抵抗(Ω)
さらにまた、結晶粒径は、倍率400での光学顕微鏡観
察より求めた。試験条件および試験結果を下記の第1表
に併せて示す。
察より求めた。試験条件および試験結果を下記の第1表
に併せて示す。
(以下余白)
なお、実施例における誘電体磁器の作製方法では−Ba
COs、 Ti0z、 5L1203. NbzOsお
よびMnO□を使用したが、この方法に限定されるもの
ではなく、所望の組成比になるようにBaTi0iなど
の化合物、あるいは炭酸塩、水酸化物など、空気中での
加熱により、Bad、 Ti0z+ SmzO*+ N
bzOsおよびMnO2となる化合物を使用しても実施
例と同程度の特性を得ることができる。
COs、 Ti0z、 5L1203. NbzOsお
よびMnO□を使用したが、この方法に限定されるもの
ではなく、所望の組成比になるようにBaTi0iなど
の化合物、あるいは炭酸塩、水酸化物など、空気中での
加熱により、Bad、 Ti0z+ SmzO*+ N
bzOsおよびMnO2となる化合物を使用しても実施
例と同程度の特性を得ることができる。
また、一般に使用されている工業用BaTiOsのBa
/Ti比は、0.98以上であり、BaTi01を出発
原料として使用した場合、不足分のTi(hを添加して
も実施例と同程度の特性を得ることができる。
/Ti比は、0.98以上であり、BaTi01を出発
原料として使用した場合、不足分のTi(hを添加して
も実施例と同程度の特性を得ることができる。
さらに、主成分をあらかしめ仮焼し、副成分を添加して
も実施例と同程度の特性を得ることができる。
も実施例と同程度の特性を得ることができる。
さらにまた、誘電体磁器用として一般に使用される工業
用原料の酸化チタン、例えばチタン工業■製酸化チタン
KA−10、古河鉱業■製酸化チタンF A−55Wに
は最大0.45重量%のNbxOsが含まれるが、これ
らの酸化チタンを使用して主成分の誘電体磁器を作製し
ても主成分100重量%に対して、Nb2O2の含有量
は最大で0.17重量%であり、本発明の範囲外である
が、工業用原料の酸化チタン中のNbxOs量を考慮し
、不足分のNbzOsを含有させることにより、実施例
と同程度の特性を得ることができる。
用原料の酸化チタン、例えばチタン工業■製酸化チタン
KA−10、古河鉱業■製酸化チタンF A−55Wに
は最大0.45重量%のNbxOsが含まれるが、これ
らの酸化チタンを使用して主成分の誘電体磁器を作製し
ても主成分100重量%に対して、Nb2O2の含有量
は最大で0.17重量%であり、本発明の範囲外である
が、工業用原料の酸化チタン中のNbxOs量を考慮し
、不足分のNbzOsを含有させることにより、実施例
と同程度の特性を得ることができる。
それから、上述の基本組成のほかに、ZnO。
SiO□、 Fc40zなど、一般にフラックスと考え
られている塩類、酸化物などを特性を損なわない範囲で
加えることもできる。
られている塩類、酸化物などを特性を損なわない範囲で
加えることもできる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、高い誘電率を有し、さら
に絶縁破壊電圧および絶縁抵抗が高く、また結晶粒径が
小さいため誘電体厚みを薄くでき、製品の小型化、大容
量化が可能である。
に絶縁破壊電圧および絶縁抵抗が高く、また結晶粒径が
小さいため誘電体厚みを薄くでき、製品の小型化、大容
量化が可能である。
第1図は本発明にかかる組成範囲を示す三元図である。
Claims (1)
- 一般式xBaO−yTiO_2−zSmO_3_/_
2と表した時(ただし、x+y+z=1.00)、x,
y,zが以下に表す各点a,b,c,dで囲まれるモル
比の範囲からなる主成分100重量部に対し、Nb_2
O_5を0.3〜3.0重量部とMnO_2を0.05
〜0.25重量部含有することを特徴とする誘電体磁器
組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2301963A JPH04174906A (ja) | 1990-11-06 | 1990-11-06 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2301963A JPH04174906A (ja) | 1990-11-06 | 1990-11-06 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04174906A true JPH04174906A (ja) | 1992-06-23 |
Family
ID=17903234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2301963A Pending JPH04174906A (ja) | 1990-11-06 | 1990-11-06 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04174906A (ja) |
-
1990
- 1990-11-06 JP JP2301963A patent/JPH04174906A/ja active Pending
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