JPH02267162A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPH02267162A JPH02267162A JP1088843A JP8884389A JPH02267162A JP H02267162 A JPH02267162 A JP H02267162A JP 1088843 A JP1088843 A JP 1088843A JP 8884389 A JP8884389 A JP 8884389A JP H02267162 A JPH02267162 A JP H02267162A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- composition
- ceramic composition
- dielectric ceramic
- dielectric constant
- Prior art date
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- Pending
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は静電容量温度特性がＪＩＳＯＹ級Ｆ特性規格を
満足する高い誘電率を有し、結晶粒径の小さい誘電体磁
器組成物に関するものである。
満足する高い誘電率を有し、結晶粒径の小さい誘電体磁
器組成物に関するものである。
従来の技術
従来から、高い誘電率を有する誘電体磁器組成物として
ＢａＴｉＯ３にＢ ａ Ｏ、ＣａＯ、Ｔｉ０２Ｚｒ０２
などを適尚量添加したものが知られている。
ＢａＴｉＯ３にＢ ａ Ｏ、ＣａＯ、Ｔｉ０２Ｚｒ０２
などを適尚量添加したものが知られている。
発明が解決しようとする課題
しかし、これらの誘電体磁器組成物は結晶粒径が１０〜
２０ＩＬｍと大きく、気孔率も高いため、積層セラミッ
クコンデンサのように誘電体厚みが薄い製品への応用に
は、絶縁破壊電圧が低い、外部電極を形成するメツキ処
理時の絶縁破壊電圧および絶縁抵抗の低下などの課題が
あった。
２０ＩＬｍと大きく、気孔率も高いため、積層セラミッ
クコンデンサのように誘電体厚みが薄い製品への応用に
は、絶縁破壊電圧が低い、外部電極を形成するメツキ処
理時の絶縁破壊電圧および絶縁抵抗の低下などの課題が
あった。
課題を解決するだめの手段
これらの課題を解決するために本発明は、一般式ｘＢａ
ｏ −ｙＴｉｏ２−ＺＳｍ０３／２ と表しだ時（た
だし、ｘ 十ｙ ＋Ｚ ：１ 、○Ｏ）、ｘ、ｙ、ｚが
以下に表す各点ａ 、ｂ 、ｃ 、ｄで囲まれるモル比
の範囲からなることを特徴とする誘電体磁器組成物を提
供するものである。
ｏ −ｙＴｉｏ２−ＺＳｍ０３／２ と表しだ時（た
だし、ｘ 十ｙ ＋Ｚ ：１ 、○Ｏ）、ｘ、ｙ、ｚが
以下に表す各点ａ 、ｂ 、ｃ 、ｄで囲まれるモル比
の範囲からなることを特徴とする誘電体磁器組成物を提
供するものである。
作用
第１図は本発明にかかる組成物の組成範囲を示す三元図
であり、組成範囲を限定した理由を第１図を参照しなが
ら説明する。まず、Ａ領域では誘電率が小さく、実用的
でなくなる。才だ、Ｂ領域では静電容量温度特性の変化
率がプラス側に大きくなりすぎ、ＪＩＳのＹ級Ｆ特性規
格を満足せず実用的でなくなる。さらに、Ｃ領域では焼
結が著しく困難である。さらに才だ、Ｄ領域では静電容
量温度特性の変化率がプラス側に大きくなりすき、ＪＩ
ＳのＹ級Ｆ特性規格を満足せず実用的でなくなる。
であり、組成範囲を限定した理由を第１図を参照しなが
ら説明する。まず、Ａ領域では誘電率が小さく、実用的
でなくなる。才だ、Ｂ領域では静電容量温度特性の変化
率がプラス側に大きくなりすぎ、ＪＩＳのＹ級Ｆ特性規
格を満足せず実用的でなくなる。さらに、Ｃ領域では焼
結が著しく困難である。さらに才だ、Ｄ領域では静電容
量温度特性の変化率がプラス側に大きくなりすき、ＪＩ
ＳのＹ級Ｆ特性規格を満足せず実用的でなくなる。
上記の組成系、組成範囲にかかる本発明の構成によれば
、静電容量温度特性がＪＩＳＯＹ級Ｆ特性規格を満足す
る高い誘電率を有し、まだ結晶粒径を６〜１０μｍとす
ることができるだめ、誘’ｉｌ：体厚みを薄くでき、製
品の小型化、大容量化が可能となる。
、静電容量温度特性がＪＩＳＯＹ級Ｆ特性規格を満足す
る高い誘電率を有し、まだ結晶粒径を６〜１０μｍとす
ることができるだめ、誘’ｉｌ：体厚みを薄くでき、製
品の小型化、大容量化が可能となる。
実施例
以下に、本発明を具体的実施例により説明する。
出発原料には化学的に筒純度のＢａＣＯ３、Ｔｉ０７お
よびＳｍ２Ｏ３粉末を下記の第１表に示す組成比になる
ように秤量し、めのうボールを備えだゴム内張りのボー
ルミ／しに純水とともに入れ、湿式混合後、脱水乾燥し
た。この乾燥粉末を高アルミナ質のルツボに入れ、空気
中て１１００°Ｃにて２ ＋ｌ、ｌＩ間仮焼した。この
仮焼粉末を、めのうボールを備えだゴム内張りのボール
ミル 湿式粉砕後、脱水乾燥した。この粉砕粉末に、有機バイ
ンダーを加え、均質とした後、３２メツシユのふるいを
通して整粒し、金型と油圧プレスを５・＼− ７ 用いて成形圧力１ ｔｏｎ／Ｃ７７で直径１６ｍｍ，厚
み０、４７１１７１１に成形した。次いで、この成形円
板をジルコニア粉末を敷いたアルミナ質のサヤに入れ、
空気中にて下記の第１表に示す組成比の誘電体磁器を得
た。
よびＳｍ２Ｏ３粉末を下記の第１表に示す組成比になる
ように秤量し、めのうボールを備えだゴム内張りのボー
ルミ／しに純水とともに入れ、湿式混合後、脱水乾燥し
た。この乾燥粉末を高アルミナ質のルツボに入れ、空気
中て１１００°Ｃにて２ ＋ｌ、ｌＩ間仮焼した。この
仮焼粉末を、めのうボールを備えだゴム内張りのボール
ミル 湿式粉砕後、脱水乾燥した。この粉砕粉末に、有機バイ
ンダーを加え、均質とした後、３２メツシユのふるいを
通して整粒し、金型と油圧プレスを５・＼− ７ 用いて成形圧力１ ｔｏｎ／Ｃ７７で直径１６ｍｍ，厚
み０、４７１１７１１に成形した。次いで、この成形円
板をジルコニア粉末を敷いたアルミナ質のサヤに入れ、
空気中にて下記の第１表に示す組成比の誘電体磁器を得
た。
このようにして得られた誘電体磁器円板は、厚みと直径
を測定し、誘電率，誘電損失，静電容量温度特性測定用
試料は、誘電体磁器円板の両面全体に銀電極を焼き付け
た。そして、誘電率，誘電損失，静電容量温度特性は、
ＹＨＰ社製デジタルＬＣＲメータのモデ／ｌ／４２７４
Ａを使用し、測定温度２０′Ｃ、測定電圧１ 、Ｏ Ｖ
ｒｍｓ、測定周波数１Ｋ Ｈｚでの測定より求めた。
を測定し、誘電率，誘電損失，静電容量温度特性測定用
試料は、誘電体磁器円板の両面全体に銀電極を焼き付け
た。そして、誘電率，誘電損失，静電容量温度特性は、
ＹＨＰ社製デジタルＬＣＲメータのモデ／ｌ／４２７４
Ａを使用し、測定温度２０′Ｃ、測定電圧１ 、Ｏ Ｖ
ｒｍｓ、測定周波数１Ｋ Ｈｚでの測定より求めた。
また、誘電率は次式より求めた。
Ｋ ＝１４３．８ Ｘ Ｇｏ Ｘ ｔ／Ｄ２に：誘電率
ＧＯ：２０’Ｃでの静電容量（ｐＦ）
Ｄ：誘電体磁器の直径（朋）
ｔ：誘電体磁器の厚み（闘）
さらに、結晶粒径は、倍率４００での光学顕微鏡観察よ
り求めた。試験条件および試験結果を下記の第１表に併
せて示す。
り求めた。試験条件および試験結果を下記の第１表に併
せて示す。
（以下余白）
７ 、、
なお、実施例における誘電体磁器の作製方法では、Ｂａ
ＣＯ３，ＴｉＯ２およびＳｍ２０６ を使用したが、こ
の方法に限定されるものではなく、所望の組成比になる
ようにＢａＴｉＯ３などの化合物、あるいは炭酸塩、水
酸化物など空気中での加熱により、ＢａＯ，ＴｉＯ２お
よびＳｍ２Ｏ３となる化合物を使用しても実施例と同程
度の特性を得ることができる。
ＣＯ３，ＴｉＯ２およびＳｍ２０６ を使用したが、こ
の方法に限定されるものではなく、所望の組成比になる
ようにＢａＴｉＯ３などの化合物、あるいは炭酸塩、水
酸化物など空気中での加熱により、ＢａＯ，ＴｉＯ２お
よびＳｍ２Ｏ３となる化合物を使用しても実施例と同程
度の特性を得ることができる。
また、主成分をあらかじめ仮焼し、副成分を添加しても
実施例と同程度の特性を得ることができる。
実施例と同程度の特性を得ることができる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、静電容量温度特性がＪＩ
ＳＯＹ級ｙ％性規格をｉ’（＋４足する高い誘電率を有
し、結晶粒径が小さいだめ誘電体厚みを薄くでき、製品
の小型化、大容量化が可能である。
ＳＯＹ級ｙ％性規格をｉ’（＋４足する高い誘電率を有
し、結晶粒径が小さいだめ誘電体厚みを薄くでき、製品
の小型化、大容量化が可能である。
第１図は本発明にかかる誘電体磁器組成物の組成範囲を
示す三元図である。
示す三元図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式 ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ＿２−ｚＳｍＯ＿３＿／＿２と表し
た時（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．００）、ｘ，ｙ，ｚが
以下に表す各点ａ，ｂ，ｃ，ｄで囲まれるモル比の範囲
からなることを特徴とする誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1088843A JPH02267162A (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1088843A JPH02267162A (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02267162A true JPH02267162A (ja) | 1990-10-31 |
Family
ID=13954249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1088843A Pending JPH02267162A (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02267162A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100444225B1 (ko) * | 2001-05-01 | 2004-08-16 | 삼성전기주식회사 | 유전체 자기 조성물, 이를 이용한 자기 커패시터 및 그 제조방법 |
| US11137748B2 (en) * | 2014-09-12 | 2021-10-05 | Fronius International Gmbh | Welding control system |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5986101A (ja) * | 1982-11-09 | 1984-05-18 | 松下電器産業株式会社 | 高誘電率磁器組成物 |
-
1989
- 1989-04-07 JP JP1088843A patent/JPH02267162A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5986101A (ja) * | 1982-11-09 | 1984-05-18 | 松下電器産業株式会社 | 高誘電率磁器組成物 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100444225B1 (ko) * | 2001-05-01 | 2004-08-16 | 삼성전기주식회사 | 유전체 자기 조성물, 이를 이용한 자기 커패시터 및 그 제조방법 |
| US11137748B2 (en) * | 2014-09-12 | 2021-10-05 | Fronius International Gmbh | Welding control system |
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