JPH0418428U - - Google Patents

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JPH0418428U
JPH0418428U JP5834990U JP5834990U JPH0418428U JP H0418428 U JPH0418428 U JP H0418428U JP 5834990 U JP5834990 U JP 5834990U JP 5834990 U JP5834990 U JP 5834990U JP H0418428 U JPH0418428 U JP H0418428U
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wafer
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cvd apparatus
susceptor
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【図面の簡単な説明】
第１図は本考案装置の第１実施例の構成を示す
概略断面図、第２図は本考案におけるガス導入ノ
ズルの斜視図、第３図ａ，ｂは本考案における噴
出面積の変更板の２例を示す斜視図、第４図は本
考案装置の第２実施例の構成を示す概略断面図、
第５図は本考案におけるガス導入ノズルに遮蔽板
を設けた場合の斜視図、第６図は従来装置の一例
の構成を示す簡略断面図である。 １……サセプタ、２……ウエーハ、３……ガス
導入ノズル、４……小径噴出孔、５……噴出面積
の変更板、６……遮蔽板、７……チヤンバ、１０
……加熱源（ヒータ、加熱用ランプ）。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) チヤンバ７内にガス導入ノズル３より反応
    ガスを噴出させてサセプタ１上の加熱されたウエ
    ーハ２にＣＶＤ膜を生成する枚葉型ＣＶＤ装置に
    おいて、サセプタ１上のウエーハ２の真上にガス
    導入ノズル３を設置し、このガス導入ノズル３の
    下面部に多数の小径噴出孔４を設けてなる枚葉型
    ＣＶＤ装置。 (2) チヤンバ７にガス導入ノズル３を上下移動
    可能に設けてなる請求項第(1)項記載の枚葉型Ｃ
    ＶＤ装置。 (3) ガス導入ノズル３内の下面部上に噴出面積
    の変更板５を配置せしめてなる請求項第(1)項、
    第(2)項のいずれかに記載の枚葉型ＣＶＤ装置。 (4) ガス導入ノズル３とサセプタ１上のウエー
    ハ２との間に遮蔽板６を設置せしめてなる請求項
    第(1)項〜第(3)項のいずれかに記載の枚葉型ＣＶ
    Ｄ装置。 (5) 遮蔽板６はガス導入ノズル３に上下移動可
    能に設けられている請求項第(4)項記載の枚葉型
    ＣＶＤ装置。 (6) ガス導入ノズル３、遮蔽板６及びチヤンバ
    ７に冷却手段を設けてなる請求項第(1)項〜第(5)
    項のいずれかに記載の枚葉型ＣＶＤ装置。
JP5834990U 1990-06-01 1990-06-01 Pending JPH0418428U (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0936050A (ja) * 1995-07-25 1997-02-07 Mitsubishi Electric Corp 常圧ｃｖｄ装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH0936050A (ja) * 1995-07-25 1997-02-07 Mitsubishi Electric Corp 常圧ｃｖｄ装置

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