JPH04188829A - 半導体ウエハ等の洗浄方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は、半導体ウェハ等の洗浄方法に関する。

さらに詳しくは、半導体ウェハ、液晶用基板、マスク用
基板等に付着している異物等を洗浄除去する方法におい
て、その洗浄性能等に係る改良に関する。

［従来の技術］ 半導体ウェハ、液晶用基板、マスク用基板等のエツチン
グ処理からなる表面処理では、処理後の表面等に微細な
塵埃、各種化合物等からなる異物等が付着してしまう。

特に、半導体ウェハ等がシリコン材からなりウェットエ
ツチング処理を行なった場合には、表面の一部にパーテ
ィクル（分子、粒子等の微細物）に対して吸引性を有す
る粗水性の面か露出してしまい、微細な塵埃に加えてエ
ツチングされたシリコン化合物やシリコンイオン等が表
面に吸着されて付着し、ウェットエツチング処理後の乾
燥でこれ等付着している異物等が凝縮されてシミ状に集
積されてしまう。

このため、エツチング処理からなる表面処理の後には、
付着している異物等を除去する洗浄が必要になる。

従来、半導体ウェハ等の洗浄方法としては、例えば、第
３図に示すものが知られている。

この従来の半導体ウェハ等の洗浄方法は、エツチング処
理した被洗浄材を乾燥処理する前に純水置換により洗浄
するものである。

「発明が解決しようとする課題］ 前述の従来の半導体ウェハ等の洗浄方法では、付着して
いる異物等を完全に除去することができないという問題
点を有している。

なお、従来、異物等の除去の完全性を期するために、純
水置換による洗浄の後の乾燥処理でエア、熱風等を半導
体ウェハ等の各枚毎に個別に吹付けて異物を払拭除去す
ることも行なわれているが、極めて非効率的なものであ
る。

本発明は、このような問題点を考慮してなされたもので
、付着している異物等を完全、効率的に除去することの
できる半導体ウェハ等の洗浄方法を提供することを課題
とする。

［課題を解決するための手段］ 前述の課題を解決するため、本発明に係る半導体ウェハ
等の洗浄方法は、エツチング処理した被洗浄材を純水置
換により洗浄する半導体ウェハ等の洗浄方法において、
純水置換の後に被洗浄材を温水に浸漬して温水を減圧下
で低温沸騰させ、沸騰の気泡により被洗浄材に付着して
いる異物等を除去することを特徴とする手段を採用する
。

［作　用］ 前述の手段によると、温水の低温沸騰によって半導体ウ
ェハ等の表面等で次第に気泡が成長形成され、気泡の成
長形成に伴って微細な塵埃、各種化合物等からなる異物
等が半導体ウニ／Ｓ等の表面等から物理的に剥離除去さ
れ温水中に漂遊拡散することになることから、温水に浸
漬した半導体ウェハ等の全校について同時に完全に異物
等を除去することができるため、付着している異物等を
完全、効率的に除去することのできる半導体ウエノ＼等
の洗浄方法を提供するという課題が解決される。

［実施例］ 以下、本発明に係る半導体ウェハ等の洗浄方法の実施例
を第１図、策２図に基いて説明する。

この実施例では、第１図に示すように従来例に比し純水
置換の工程の後に温水浸漬、減圧の工程を加えてあり、
第２図に示すようにバスケットＢに収納された半導体ウ
ェハＷを非洗浄材としている。

この実施例の装置構成は、第２図に示すように、内部に
温水Ｈを貯溜し減圧（真空まで）可能な耐圧性を有する
クローズドチャンバ１と、クローズドチャンバ１の上部
にバルブ２を介して接続したバキュームポンプ３と、ク
ローズドチャンバ１の下部にバルブ４を介して接続した
排水管５とを備えている。

このような装置構成を使用して、まず、従来と同様に純
水置換した後に、バスケラ）Ｂに多数枚並列収納された
半導体ウェハＷをバスケットＢを含めてクローズドチャ
ンバ１の内部に収納する。

なお、クローズドチャンバ１を利用して純水置換するこ
とも可能である。

次に、排水管５のバルブ４を閉鎖して、クローズドチャ
ンバ１の内部に温水Ｈを収容する（半導体ウェハＷのク
ローズドチャンバ１への収納前に実施しておくことも可
能である）。この温水Ｈは、３５℃以上であれば差支え
ない。

面後、バキュームポンプ３を動作させてバルブ２を開放
することにより、クローズドチャンバ１の内部を減圧し
、温水Ｈを低温沸騰（３５℃〜８０℃）させる。

このように温水Ｈが沸騰すると、温水Ｈ中の半導体ウェ
ハＷの表面等で次第に気泡が成長形成され、この気泡の
膨張エネルギ、上昇エネルギ等によって半導体ウェハＷ
の表面等に付着している異物等が物理的に剥離除去され
ることになる。このような異物等の物理的な剥離除去は
、クローズドチャンバ１の内部に収納された全校の半導
体ウェハＷにおいて同時に行なわれて極めて効率的であ
り、また、半導体ウェハＷの全面において従来のエア等
による払拭よりも確実に行なわれることになる。なお、
温水Ｈが低温沸騰しているため、半導体ウェハＷを加熱
損傷することがない。

そして、剥離除去された異物等は温水Ｈ中に漂遊拡散す
ることになるため、排水管５のバルブ４を開放すること
により温水Ｈと共に異物等を排出することができる。こ
の異物等の排出の後には、クローズドチャンバ１の内部
に冷水を収容して半導体ウェハＷの自然乾燥を防止する
等の適当な手段が講じられる。

なお、異物等の剥離除去の後には、バスケットＢ（半導
体ウェハＷ）を温水Ｈ中から引上げクローズドチャンバ
１から取出してしまうことも可能である。

また、このような洗浄工程の後には、第１図に示すよう
に通常の乾燥工程が実施される。

［発明の効果コ 以上のように本発明に係る半導体ウェハ等の洗浄方法は
、温水の低温沸騰による気泡を利用して、異物等を半導
体ウェハ等の表面等から物理的に剥離除去し温水中に漂
遊拡散させるため、従来のエア等による払拭除去よりも
確実であり、半導体ウェハ等に付着している異物を完全
に除去することができる効果がある。

さらに、温水に浸漬した半導体ウェハ等の全校について
同時に異物等を除去することができるため、従来のエア
等による各枚個別の払拭除去よりも効率的であり、半導
体ウェハ等に付着している異物等を効率的に除去するこ
とができる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る半導体ウエノ＼等の洗浄方法の実
施例を示す工程図、第２図は同装置構成例の簡略図、第
３図は従来例を示す工程図である。 Ｈ・・・温水 Ｗ・・・被洗浄材（半導体ウエノ＼）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. エッチング処理した被洗浄材を純水置換により洗浄する
   半導体ウェハ等の洗浄方法において、純水置換の後に被
   洗浄材を温水に浸漬して温水を減圧下で低温沸騰させ、
   沸騰の気泡により被洗浄材に付着している異物等を除去
   することを特徴とする半導体ウェハ等の洗浄方法。