JPH04193956A - ポリイミド樹脂のエッチング法 - Google Patents
ポリイミド樹脂のエッチング法Info
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- JPH04193956A JPH04193956A JP32702590A JP32702590A JPH04193956A JP H04193956 A JPH04193956 A JP H04193956A JP 32702590 A JP32702590 A JP 32702590A JP 32702590 A JP32702590 A JP 32702590A JP H04193956 A JPH04193956 A JP H04193956A
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- polyimide resin
- plating
- film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、ポリイミド樹脂に無電解めっきを形成する際
に行なわれるメツキ前処理法におけるポリイミド樹脂の
エツチング法に関する。
に行なわれるメツキ前処理法におけるポリイミド樹脂の
エツチング法に関する。
(従来の技術)
ポリイミド樹脂は優れた耐熱性を有しており、また機械
的、電気的、化学的特性においても他のプラスチック材
料と同等以上の性能を有しているため、電気機器等の素
材として広く用いられている。そこで、フレキシブルプ
リント回路(FPC>や、テープ自動ボンディング(T
AB )実装等はこのポリイミドフィルムの上胴被膜が
形成された銅ポリイミド基板にフォトエツチングを施し
て製造されているが、従来−膜面には、このようなFP
CやTAB用の素材となる銅ポリイミド基板はポリイミ
ド樹脂フィルムと銅箔とを接着剤を用いて貼り合せるラ
ミネート法が採用されていた。
的、電気的、化学的特性においても他のプラスチック材
料と同等以上の性能を有しているため、電気機器等の素
材として広く用いられている。そこで、フレキシブルプ
リント回路(FPC>や、テープ自動ボンディング(T
AB )実装等はこのポリイミドフィルムの上胴被膜が
形成された銅ポリイミド基板にフォトエツチングを施し
て製造されているが、従来−膜面には、このようなFP
CやTAB用の素材となる銅ポリイミド基板はポリイミ
ド樹脂フィルムと銅箔とを接着剤を用いて貼り合せるラ
ミネート法が採用されていた。
しかし、このラミネート法によるときは、これに用いる
接着剤の熱的特性が適当でなく耐熱性が十分でないため
に、ボンディングに際して発生する熱衝撃によって銅箔
が樹脂部から剥離したり、また接着剤の耐薬品性が低い
ために、銅被膜のエツチング処理を行なう場合にイオン
吸着が起って形成される回路間隔が特に狭い場合には回
路の絶縁不良を起す恐れがあった。
接着剤の熱的特性が適当でなく耐熱性が十分でないため
に、ボンディングに際して発生する熱衝撃によって銅箔
が樹脂部から剥離したり、また接着剤の耐薬品性が低い
ために、銅被膜のエツチング処理を行なう場合にイオン
吸着が起って形成される回路間隔が特に狭い場合には回
路の絶縁不良を起す恐れがあった。
この欠点を解消するなめにポリイミド樹脂に接着剤によ
らずに直接金属被覆層を形成する方法が検討されている
。この方法は他のプラスチック材料においても既に行な
われている方法であり、成る種の溶液によってプラスチ
ック表面をエツチングし、該表面に親水性のエツチング
化成膜を形成したのちに、パラジウム(Pd)、銀(A
g)等の特殊な金属触媒によって材料表面を触媒活性化
し、しかるのち該表面に無電解めっきを施すものである
。この場合において、エツチングによって親水性化され
たポリイミド樹脂表面に適切な厚さで均質な触媒活性化
が行なわれ、これによって無電解めっき被膜がある程度
以上の高い密着強度でポリイミド樹脂表面に被着されて
いることかFPCやTABの製造上重要な要件となる。
らずに直接金属被覆層を形成する方法が検討されている
。この方法は他のプラスチック材料においても既に行な
われている方法であり、成る種の溶液によってプラスチ
ック表面をエツチングし、該表面に親水性のエツチング
化成膜を形成したのちに、パラジウム(Pd)、銀(A
g)等の特殊な金属触媒によって材料表面を触媒活性化
し、しかるのち該表面に無電解めっきを施すものである
。この場合において、エツチングによって親水性化され
たポリイミド樹脂表面に適切な厚さで均質な触媒活性化
が行なわれ、これによって無電解めっき被膜がある程度
以上の高い密着強度でポリイミド樹脂表面に被着されて
いることかFPCやTABの製造上重要な要件となる。
ポリイミド樹脂表面をエツチングする方法としては、ヒ
ドラジン等の還元剤、エチレンシブミン等のアミン化合
物、アルカリ金属水酸化物の水溶液等のアルカリ溶液、
エチルアルコール等の水溶性アルコール類の何れかを単
独で、あるいは2種類以上の混合物を用いて行なう方法
か知られている。しかしながら、これらの薬品を使用し
てエツチングを行なう場合には総じて作業環境が著しく
悪く、また人体に対する毒性も高い。
ドラジン等の還元剤、エチレンシブミン等のアミン化合
物、アルカリ金属水酸化物の水溶液等のアルカリ溶液、
エチルアルコール等の水溶性アルコール類の何れかを単
独で、あるいは2種類以上の混合物を用いて行なう方法
か知られている。しかしながら、これらの薬品を使用し
てエツチングを行なう場合には総じて作業環境が著しく
悪く、また人体に対する毒性も高い。
従って、ポリイミド樹脂表面のエツチングを作業性よく
、且つ人体に悪影響を及ぼさずに行なってしかも爾後の
活性化処理を経て無電解めっきを施した場合に、優れた
被着性のめつき被膜を得ることのできるような均一な親
水性化成膜を形成し得るエツチング処理方法については
未だ確立されていないのが実状である。
、且つ人体に悪影響を及ぼさずに行なってしかも爾後の
活性化処理を経て無電解めっきを施した場合に、優れた
被着性のめつき被膜を得ることのできるような均一な親
水性化成膜を形成し得るエツチング処理方法については
未だ確立されていないのが実状である。
(発明が解決しようとする課題〉
本発明は上記の実状に鑑みてなされたものであって、そ
の目的は、ポリイミド樹脂表面に作業性よく且つ人体に
悪影響を及ぼすことなくエツチング処理を行ない、該表
面の均一な親水化を達成できるようなポリイミド樹脂の
エツチング法を提供することにある。
の目的は、ポリイミド樹脂表面に作業性よく且つ人体に
悪影響を及ぼすことなくエツチング処理を行ない、該表
面の均一な親水化を達成できるようなポリイミド樹脂の
エツチング法を提供することにある。
(課題を解決するための手段)
本発明者等は上記の目的達成のため鋭意検討を重ねた結
果、過マンガン酸塩または次亜塩素酸塩の如き強酸化性
を有する塩、殊にこれらの酸のアルカリ金属塩をエツチ
ング液として使用してポリイミド樹脂表面のエツチング
を行なう場合には、作業環境性よく且つ人体に対する悪
影響もなく、樹脂表面に均一な親水性エツチング化成膜
層を形成させることができ、密着性の高い無電解めっき
層を樹脂表面に被着することができることを見出した。
果、過マンガン酸塩または次亜塩素酸塩の如き強酸化性
を有する塩、殊にこれらの酸のアルカリ金属塩をエツチ
ング液として使用してポリイミド樹脂表面のエツチング
を行なう場合には、作業環境性よく且つ人体に対する悪
影響もなく、樹脂表面に均一な親水性エツチング化成膜
層を形成させることができ、密着性の高い無電解めっき
層を樹脂表面に被着することができることを見出した。
即ち本発明はポリイミド樹脂表面を過マンガン酸塩水溶
液または次亜塩素酸塩溶液の如き、強酸化性を有する塩
からなるエツチング液を用いてエツチングを施すことを
特徴とするものである。
液または次亜塩素酸塩溶液の如き、強酸化性を有する塩
からなるエツチング液を用いてエツチングを施すことを
特徴とするものである。
(作用)
本発明によるときは、エツチング液として使用される過
マンガン酸塩水溶液または次亜塩素酸塩溶液はそれ自体
強い酸化作用を有し、また次亜塩素酸塩溶液の場合にお
いては、エツチング温度において時として熱分解を起こ
すが、熱分解によって遊離する次亜塩素酸もやはり強酸
化性を有しているので、これらのエツチング液によって
ポリイミド樹脂表面をエツチング処理するときは、その
強い酸化作用によってポリイミド樹脂表面に厚さ0、0
1〜0.1μm程度の均一で親水性の高いエツチング化
成層が形成される。従って、これに引き続き行なわれる
触媒活性化処理によって該エツチング処理層中にPdや
ACIのような触媒金属が微細かつ均質に吸着されるた
め、次いで行なわれる無電解めっき処理に際してこれが
核となってめっき金属原子と結合し、ポリイミド樹脂表
面に均一なめつき金属層を形成させることができるので
ある。
マンガン酸塩水溶液または次亜塩素酸塩溶液はそれ自体
強い酸化作用を有し、また次亜塩素酸塩溶液の場合にお
いては、エツチング温度において時として熱分解を起こ
すが、熱分解によって遊離する次亜塩素酸もやはり強酸
化性を有しているので、これらのエツチング液によって
ポリイミド樹脂表面をエツチング処理するときは、その
強い酸化作用によってポリイミド樹脂表面に厚さ0、0
1〜0.1μm程度の均一で親水性の高いエツチング化
成層が形成される。従って、これに引き続き行なわれる
触媒活性化処理によって該エツチング処理層中にPdや
ACIのような触媒金属が微細かつ均質に吸着されるた
め、次いで行なわれる無電解めっき処理に際してこれが
核となってめっき金属原子と結合し、ポリイミド樹脂表
面に均一なめつき金属層を形成させることができるので
ある。
本発明においてポリイミド樹脂表面のエツチンダ液とし
て過マンガン酸塩の水溶液を使用する場合には、エツチ
ング液中の過マンガン酸塩の濃度を0.1m01/u以
上とするのがよい。
て過マンガン酸塩の水溶液を使用する場合には、エツチ
ング液中の過マンガン酸塩の濃度を0.1m01/u以
上とするのがよい。
過マンガン酸塩の濃度が0.1mol/Ω未満ではエツ
チング能力が低くすぎて、エツチング時間の増加および
液の早期劣化を招くからである。
チング能力が低くすぎて、エツチング時間の増加および
液の早期劣化を招くからである。
過マンガン酸塩の濃度の上限は使用する過マンガン酸塩
の飽和濃度によって定まり、この飽和濃度は過マンガン
酸塩の種類によって異なるため一概には決められない。
の飽和濃度によって定まり、この飽和濃度は過マンガン
酸塩の種類によって異なるため一概には決められない。
エツチングの温度および時間はエツチングの過不足がな
いように過マンガン酸塩の濃度に応じて適宜設定される
。
いように過マンガン酸塩の濃度に応じて適宜設定される
。
過マンガン酸塩が高濃度の場合または高温度でエツチン
グを行なう場合にはエツチング時間を短かくするが、そ
れでも時として過剰エツチングによってめっき時にめっ
き被膜のムラが起こりやすく、低濃度あるいは低温度で
エツチングを行なう場合には、エツチング不足によるめ
っき被膜の密着度低下や長時間処理を行なうことによる
生産性の低下を招くので、予備実験によって予め好適条
件を求めておくことが推奨される。
グを行なう場合にはエツチング時間を短かくするが、そ
れでも時として過剰エツチングによってめっき時にめっ
き被膜のムラが起こりやすく、低濃度あるいは低温度で
エツチングを行なう場合には、エツチング不足によるめ
っき被膜の密着度低下や長時間処理を行なうことによる
生産性の低下を招くので、予備実験によって予め好適条
件を求めておくことが推奨される。
例えば過マンガン酸カリウム0.3m01/Iの水溶液
を用いる場合には液温40〜50℃、エツチング時間5
〜10分程度が適当な処理条件である。使用される過マ
ンガン酸塩は、過マンガン酸カリウムあるいは過マンガ
ン酸ナトリウムが望ましい。その他の過マンガン酸塩の
使用も可能であるが経済性が低い。
を用いる場合には液温40〜50℃、エツチング時間5
〜10分程度が適当な処理条件である。使用される過マ
ンガン酸塩は、過マンガン酸カリウムあるいは過マンガ
ン酸ナトリウムが望ましい。その他の過マンガン酸塩の
使用も可能であるが経済性が低い。
また、エツチング液として次亜塩素酸塩溶液を用いる場
合には、液中の有効塩素濃度を3%以上とすることが望
ましい。有効塩素濃度3%未満であるときはエツチング
能力が著しく低下し、エツチング時間の増加やこれに伴
う液の早期劣化を招きやすい。
合には、液中の有効塩素濃度を3%以上とすることが望
ましい。有効塩素濃度3%未満であるときはエツチング
能力が著しく低下し、エツチング時間の増加やこれに伴
う液の早期劣化を招きやすい。
エツチング液に次亜塩素酸塩溶液を使用した場合のエツ
チング処理温度および時間もまたエツチング液中の有効
塩素濃度によって異なり一概に決定できないが、次亜塩
素酸塩溶液は熱によって分解しやすいため処理温度は2
0℃以下に保持することが望ましい。
チング処理温度および時間もまたエツチング液中の有効
塩素濃度によって異なり一概に決定できないが、次亜塩
素酸塩溶液は熱によって分解しやすいため処理温度は2
0℃以下に保持することが望ましい。
使用する次亜塩素酸塩は次亜塩素酸カリウムまたは次亜
塩素酸ナトリウムが望ましい。その他の次亜塩素酸塩を
エツチング液として使用する場合は水溶液となるのでエ
ツチング能力が著しく低下してしまうために得策でない
。
塩素酸ナトリウムが望ましい。その他の次亜塩素酸塩を
エツチング液として使用する場合は水溶液となるのでエ
ツチング能力が著しく低下してしまうために得策でない
。
このようにして表面に本発明によるエツチング処理を施
したポリイミド樹脂は、常法に従って活性化処理を施し
た後、無電解めっき処理を施すことによって密着強度の
高い均一なめつき金属被膜を形成させることができる。
したポリイミド樹脂は、常法に従って活性化処理を施し
た後、無電解めっき処理を施すことによって密着強度の
高い均一なめつき金属被膜を形成させることができる。
この場合、活性化処理としては通常この種の無電解めっ
き処理において行なわれている公知のキャタライジング
法やアクモレ−ティング法を採用して行なえばよく、さ
らに無電解めっき処理においても従来から一般的に行な
われている銅めっき液を適用して、公知のめつき条件に
よって行なえばよい。
き処理において行なわれている公知のキャタライジング
法やアクモレ−ティング法を採用して行なえばよく、さ
らに無電解めっき処理においても従来から一般的に行な
われている銅めっき液を適用して、公知のめつき条件に
よって行なえばよい。
(実施例)
次に本発明の実施例について述べる。
実施例1
東し・デュポン社製xaptpn 200 H型のポリ
イミド樹脂フィルム30 X 30cIn試料の片面を
シールし、0.3mol/llの過マンガン酸カリウム
水溶液に50℃において5分間浸漬した後に水洗して、
奥野製薬社製0PC−80キャタリストMを使用して2
5℃において5分間キャタライジングを行ない、水洗後
奥野製薬社製0PC−555アクセレーターを使用して
25℃において7分間アクセレーテイングを行ない、こ
れを十分に水洗した。
イミド樹脂フィルム30 X 30cIn試料の片面を
シールし、0.3mol/llの過マンガン酸カリウム
水溶液に50℃において5分間浸漬した後に水洗して、
奥野製薬社製0PC−80キャタリストMを使用して2
5℃において5分間キャタライジングを行ない、水洗後
奥野製薬社製0PC−555アクセレーターを使用して
25℃において7分間アクセレーテイングを行ない、こ
れを十分に水洗した。
以上の前処理工程を経た後、片面に施したシールを除去
し、以下に示す条件にて銅の無電解めっきを行なった。
し、以下に示す条件にて銅の無電解めっきを行なった。
CLISO4・5820 : 10g/IEDTA
−2Na : 30g/137%HCHO:
5m4!/1 ジピリジル :10■/I PEG #1000 : 0.5 g/l!くめ
つき条件〉 温 度 :65°C 撹 拌 :空気 時 間 =5分 pH:12.5 得られた無電解めっき被膜の厚さは0.2μmであり、
めっき被膜に膨れ、剥げ、むら等の欠陥かなく、良好な
外観を呈していた。
−2Na : 30g/137%HCHO:
5m4!/1 ジピリジル :10■/I PEG #1000 : 0.5 g/l!くめ
つき条件〉 温 度 :65°C 撹 拌 :空気 時 間 =5分 pH:12.5 得られた無電解めっき被膜の厚さは0.2μmであり、
めっき被膜に膨れ、剥げ、むら等の欠陥かなく、良好な
外観を呈していた。
その後、さらに該基板に電解銅めっき処理を施して厚さ
35μmの銅被膜を形成し、JIS C−6481に定
められた方法によってめっき被膜の密着強度を測定した
ところ1.0kg/anの値が得られた。この値はFP
CやTAB実装用の基板として求められている金属被覆
層の被着強度値を十分満足するものである。
35μmの銅被膜を形成し、JIS C−6481に定
められた方法によってめっき被膜の密着強度を測定した
ところ1.0kg/anの値が得られた。この値はFP
CやTAB実装用の基板として求められている金属被覆
層の被着強度値を十分満足するものである。
実施例2
ポリイミド樹脂のエツチングを0.1mol/uの過マ
ンガン酸カリウム水溶液を使用して、液温70℃におい
て10分間行なった以外は実施例1と同様の手順で銅の
無電解めっきを行なった。得られた無電解めっき被膜の
厚さは0.2μmであり、めっき被膜に膨れ、剥げ、む
ら等の欠陥がなく良好な外観を呈していた。
ンガン酸カリウム水溶液を使用して、液温70℃におい
て10分間行なった以外は実施例1と同様の手順で銅の
無電解めっきを行なった。得られた無電解めっき被膜の
厚さは0.2μmであり、めっき被膜に膨れ、剥げ、む
ら等の欠陥がなく良好な外観を呈していた。
その後、さらに該基板に無電解めっき処理を施して厚さ
35μmの銅被膜を形成し、JIS C−6481に定
められた方法によってめっき被膜の密着強度を測定した
ところ1.1kg/CXnの値が得られた。この値はF
PCやTAB実装用の基板として求められている金属被
覆層の被着強度値を十分満足するものである。
35μmの銅被膜を形成し、JIS C−6481に定
められた方法によってめっき被膜の密着強度を測定した
ところ1.1kg/CXnの値が得られた。この値はF
PCやTAB実装用の基板として求められている金属被
覆層の被着強度値を十分満足するものである。
実施例3
ポリイミド樹脂のエツチングを1.0…01/pの過マ
ンガン酸ナトリウム水溶液を使用し、液温30℃におい
て10分間行なった以外は実施例1と同様の手順で銅の
無電解めっきを行なった。
ンガン酸ナトリウム水溶液を使用し、液温30℃におい
て10分間行なった以外は実施例1と同様の手順で銅の
無電解めっきを行なった。
得られた無電解めっき被膜の厚さは062μmであり、
めっき被膜の膨れ、剥げ、むら等の欠陥がなく良好な外
観を呈していた。
めっき被膜の膨れ、剥げ、むら等の欠陥がなく良好な外
観を呈していた。
その後、さらに該基板に電解銅めっき処理を施して厚さ
35μmの銅被膜を形成し、JIS C−6481に定
められた方法によってめっき被膜の密着強度を測定した
ところ1.1kg/anの値が得られた。この値はFP
CやTAB実装用の基板として求められている金属被覆
層の被着強度値を十分満足するものである。
35μmの銅被膜を形成し、JIS C−6481に定
められた方法によってめっき被膜の密着強度を測定した
ところ1.1kg/anの値が得られた。この値はFP
CやTAB実装用の基板として求められている金属被覆
層の被着強度値を十分満足するものである。
比較例1
ポリイミド樹脂のエツチングを0.05 mol/ρの
過マンガン酸カリウム水溶液を使用し、液温70℃にお
いて1時間行なった以外は実施例1と同様の手順で銅の
無電解めっきを行なったところ、得られた無電解銅めっ
きの一部分に膨れによる欠陥が生じていた。
過マンガン酸カリウム水溶液を使用し、液温70℃にお
いて1時間行なった以外は実施例1と同様の手順で銅の
無電解めっきを行なったところ、得られた無電解銅めっ
きの一部分に膨れによる欠陥が生じていた。
実施例4
ポリイミド樹脂のエツチングを有効塩素5%を含む次亜
塩素酸ナトリウム溶液を使用し、液温5℃において10
分間行なった以外は実施例1と同様の手順で銅の無電解
めっきを行なった。
塩素酸ナトリウム溶液を使用し、液温5℃において10
分間行なった以外は実施例1と同様の手順で銅の無電解
めっきを行なった。
得られた無電解めっき被膜の厚さは0.2μmであり、
めっき被膜に膨れ、剥げ、むら等の欠陥がなく良好な外
観を呈していた。
めっき被膜に膨れ、剥げ、むら等の欠陥がなく良好な外
観を呈していた。
その後、さらに該基板に電解銅めっき処理を施して厚さ
35μmの銅被膜を形成し、IS C−6481に定め
られた方法によってめっき被膜の密着強度を測定したと
ころ1.1kg/cxnの値が得られた。この値はFP
CやTAB実装用の基板として求められている金属被覆
層の被着強度値を十分満足するものである。
35μmの銅被膜を形成し、IS C−6481に定め
られた方法によってめっき被膜の密着強度を測定したと
ころ1.1kg/cxnの値が得られた。この値はFP
CやTAB実装用の基板として求められている金属被覆
層の被着強度値を十分満足するものである。
実施例5
ポリイミド樹脂のエツチングを有効塩素6%を含む次亜
塩素酸カリウム溶液を使用して、液温10℃において1
0分間行なった以外は実施例1と同様の手順で銅の無電
解めっきを行なった。
塩素酸カリウム溶液を使用して、液温10℃において1
0分間行なった以外は実施例1と同様の手順で銅の無電
解めっきを行なった。
得られた無電解めっき被膜の厚さは0.2μmであり、
めっき被膜に膨れ、剥げ、むら等の欠陥がなく良好な外
観を呈していた。
めっき被膜に膨れ、剥げ、むら等の欠陥がなく良好な外
観を呈していた。
その後、さらに該基板に電解銅めっき処理を施して厚さ
35μmの銅被膜を形成し、JIS、 C−6481に
定められた方法によってめっき被膜の密着強度を測定し
たところ1.0kg/canの値が得られた。この値は
FPC’i’TAB実装用の基板として求められている
金属被覆層の被着強度値を十分満足するものである。
35μmの銅被膜を形成し、JIS、 C−6481に
定められた方法によってめっき被膜の密着強度を測定し
たところ1.0kg/canの値が得られた。この値は
FPC’i’TAB実装用の基板として求められている
金属被覆層の被着強度値を十分満足するものである。
実施例6
ポリイミド樹脂のエツチングを有効塩素3%を含む次亜
塩素酸ナトリウム溶液を使用して、液温5℃において2
0分間行なった以外は実施例1と同様の手順で銅の無電
解めっきを行なった。
塩素酸ナトリウム溶液を使用して、液温5℃において2
0分間行なった以外は実施例1と同様の手順で銅の無電
解めっきを行なった。
得られた無電解めっき被膜の厚さは0.2μmであり、
めっき被膜に膨れ、剥げ、むら等の欠陥がなく良好な外
観を呈していた。
めっき被膜に膨れ、剥げ、むら等の欠陥がなく良好な外
観を呈していた。
その後、さらに該基板に電解銅めっき処理を施して厚さ
35μmの銅被膜を形成し、JIS C−6481に定
められた方法によってめっき被膜の密着強度を測定した
ところ1.1kg/anの値が得られた。この値はFP
CやTAB実装用の基板として求められている金属被覆
層の被着強度値を十分満足するものである。
35μmの銅被膜を形成し、JIS C−6481に定
められた方法によってめっき被膜の密着強度を測定した
ところ1.1kg/anの値が得られた。この値はFP
CやTAB実装用の基板として求められている金属被覆
層の被着強度値を十分満足するものである。
比較例2
ポリイミド樹脂のエツチングを有効塩素2%を含む次亜
塩素酸ナトリウム溶液を使用し、液温5℃において1時
間行なった以外は実施例1と同様の手順で銅の無電解め
っきを行なったところ、得られた無電解銅めっきの一部
分に膨れによる欠陥が生じていた。
塩素酸ナトリウム溶液を使用し、液温5℃において1時
間行なった以外は実施例1と同様の手順で銅の無電解め
っきを行なったところ、得られた無電解銅めっきの一部
分に膨れによる欠陥が生じていた。
(発明の効果)
以上述べたように、本発明によるときは従来無電解めっ
き処理を施すに際して行なわれる前処理において、作業
性よく且つ人体に悪影響を及ぼさずにエツチング処理を
行なうことが困難であったポリイミド樹脂に作業環境よ
く且つ安全にエツチング処理を施すことができ、しかも
爾後の活性化処理を経て施された無電解めっき被膜の密
着強度も高いので、これを施して得られた銅ポリイミド
基板はFPCやTABの実装用基板として十分に実用に
耐えられるものが得られ、その効果は大きい。
き処理を施すに際して行なわれる前処理において、作業
性よく且つ人体に悪影響を及ぼさずにエツチング処理を
行なうことが困難であったポリイミド樹脂に作業環境よ
く且つ安全にエツチング処理を施すことができ、しかも
爾後の活性化処理を経て施された無電解めっき被膜の密
着強度も高いので、これを施して得られた銅ポリイミド
基板はFPCやTABの実装用基板として十分に実用に
耐えられるものが得られ、その効果は大きい。
特許出願人 住友金属鉱山株式会社
Claims (5)
- (1)ポリイミド樹脂の表面を強酸化性を有する塩より
なるエッチング液を用いてエッチングすることにより親
水化することを特徴とするポリイミド樹脂のエッチング
法。 - (2)強酸化性を有する塩よりなるエッチング液は過マ
ンガン酸塩を0.1mol/l以上含有する水溶液であ
る請求項1記載のポリイミド樹脂のエッチング法。 - (3)過マンガン酸塩は過マンガン酸ナトリウムまたは
過マンガン酸カリウムである請求項2記載のポリイミド
樹脂のエッチング法。 - (4)強酸化性を有する塩よりなるエッチング液は有効
塩素を3%以上含有する次亜塩素酸塩溶液である請求項
1記載のポリイミド樹脂のエッチング法。 - (5)次亜塩素酸塩は次亜塩素酸ナトリウムまたは次亜
塩素酸カリウムである請求項4記載のポリイミド樹脂の
エッチング法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32702590A JPH04193956A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | ポリイミド樹脂のエッチング法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32702590A JPH04193956A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | ポリイミド樹脂のエッチング法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04193956A true JPH04193956A (ja) | 1992-07-14 |
Family
ID=18194470
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32702590A Pending JPH04193956A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | ポリイミド樹脂のエッチング法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04193956A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1254768A3 (de) * | 2001-05-03 | 2003-09-03 | Heidelberger Druckmaschinen Aktiengesellschaft | Bebilderung und Löschung einer Druckform aus Polymermaterial mit Imid-Gruppen |
| WO2006129526A1 (ja) * | 2005-06-03 | 2006-12-07 | Mitsui Chemicals, Inc. | ポリイミドフィルム、ポリイミド金属積層体及びその製造方法 |
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-
1990
- 1990-11-28 JP JP32702590A patent/JPH04193956A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2012102366A (ja) * | 2010-11-10 | 2012-05-31 | Koichi Kugimiya | 機能性紋様形成方法及び機能性素子 |
| JP2012102365A (ja) * | 2010-11-10 | 2012-05-31 | Koichi Kugimiya | 機能性紋様形成方法及び機能性デバイス |
| CN103210118A (zh) * | 2010-11-10 | 2013-07-17 | 钉宫公一 | 功能性花纹形成方法以及功能性元件 |
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