JPH04198775A - 半導体デバイスの静電破壊試験方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体デバイスの静電破壊試験方法に関する
ものである。

〔従来の技術〕

従来の半導体デバイスの静電破壊試験方法として第２図
に示すものがあった。図において、（１）は半導体デバ
イス（被試験試料）　、（２１は直流電源、（３）は直
流電源（２）を半導体デバイス（１）に接続するスイッ
チ、（４）は半導体デバイス（１）の外装モールド部に
接触させた導電性例えばゴムなどのマットを示す。

次に動作について説明する。

直流電源（２）で発生させた電圧をスイッチ（３）を閉
じろことにより、半導体デバイス（１）の外部リードに
印加すると、これに接続された内部リードを経由してＩ
Ｃチップに電圧が印加される。ＩＣチップは半導体デバ
イス（１）の外装モールドを経て、導電性マツ！・４に
接続されるため、外装モールドがコンデンサとして作動
し、このコンデンサを充電するための電流がＩＣチップ
内を流れる。この時に印加される直流電圧値を増減させ
て、ＩＣチップに引加される電圧又は電流を変化させＩ
Ｃチップが破壊するまで、この動作を繰９返し実施する
。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来の半導体デバイスの静電破壊試験方法は、以下のよ
うに構成されていたので、半導体デバイスの外装モール
ドとの接触を導電性マットで取っており、固体と固体の
接触であるため、半導体デバイスを接続した時の接触抵
抗がその都度変化するという問題点があった。

この発明は上記の問題点を解決するためになされたもの
で、半導体デバイスの外装モールドと電気配線との結合
性を良くするとともに、再現性も改善された半導体デバ
イスの静電破壊試験方法を得ることを目的とする。

〔ｌＩ！題をＭ訣するための手段〕

この発明に係る半導体デバイスの静電破壊試験方法は、
半導体デバイスの外装モールドを導電性を有する液体に
浸し、この液体と電気配線との結合を金属棒によって行
うようにしたものである。

〔作用〕

この発明における半導体デバイスの静電破壊試験方法は
、半導体デバイスの外装モールドを導体電性を有する液
体に浸すようにしたので、半導体デバイスの外装モール
ドと電気配線との結合が良好となる。

〔実施例〕

以下、この発明の一実施例を図について説明する。

第１図において、（６）は導電性を有する液体、（７）
は液体（６）を入れるきょう体、（５）は液体（６）と
電気配線との結合を行う金属棒を示す。なお、図中符号
（１）〜（３）は前記従来のものと同一につきその説明
は省略する。

次に動作について説明する。直流電源（２）で発生させ
た電圧をスイッチ（３）を閉じることにより、半導体デ
バイス（１１の外部リードに印加すると、これに接続さ
れた内部リードを経由してＩＣチップに電圧が印加され
る。ＩＣチップは半導体デバイス（１１の外装モールド
を経て、導電性のある液体（６）から金属棒（５）に接
続されているため、外装モールドがコンデンサとして作
用し、このコンデンサを充電するための電流がＩＣチッ
プ内を流れる。

この時に印加する電圧を増減させて、ＩＣチップに印加
されろ電圧又は電流を変化させ、ＩＣチップが破壊する
まで上記動作を繰り返し実施する。

〔発明の効果〕

以上のようにこの発明によれば、半導体デバイスの外装
モールドと電気配線との結合を液体で行うようにしたの
で、外装モールドと電気配線との結合性が向上するとと
もに、結合の再現性も大幅に改善され、得られる試験デ
ータの信頼度が大幅に向上する効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例である半導体デバイスの静
電破壊試験装置の断面構造図、第２図は従来の半導体デ
バイスの静電破壊試験方法の断面構造図である。図にお
いて、（１）は半導体デバイス、（２）は直流電源、（
３）はスイッチ、（５）は金属棒、（６）は液体、（７
）はきょう体を示す。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 静電破壊試験方法の１つである疑似パッケージ帯電法に
   おいて、半導体デバイスのパッケージと試験端子の接触
   面に液体を入れて、接触性を改善したことを特徴とする
   半導体デバイスの静電破壊試験方法。