JPH04199559A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH04199559A
JPH04199559A JP2335413A JP33541390A JPH04199559A JP H04199559 A JPH04199559 A JP H04199559A JP 2335413 A JP2335413 A JP 2335413A JP 33541390 A JP33541390 A JP 33541390A JP H04199559 A JPH04199559 A JP H04199559A
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JP
Japan
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lead
island
recess
width
semiconductor element
Prior art date
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Pending
Application number
JP2335413A
Other languages
English (en)
Inventor
Chihomi Kamimura
上村　千穂美
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPH04199559A publication Critical patent/JPH04199559A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は樹脂封止型半導体装置に係り、特にリードフ
レームの形状に関するものである。
〔従来の技術〕
第３図は従来の半導体装置（以下半導体パッケージと略
称する）の構成を示す透視平面図、第４図は第３図の半
導体パッケージの断面図、第５図はコラ相流れ止め部の
拡大図である。図において、（］）は半導体素子、（２
）はアイラン）・、（３）は電極、（４）はリード、（
５）はワイヤ、（６）は樹脂封止部本体、（７）はロウ
材、（８）は凹部である。
次に動作について説明する。第３図において、半導体素
子（１）はアイランド（２）上に接合され、その縁部に
多数の電極（３）を有する。リ−１”　（４＋は半導体
素子（１）の周辺に設けられ、例えば金線なとのワイヤ
（５）によって電極（３）に接続される。樹脂封止部本
体（６）は内部リード（４）、ワイヤ（５）、アイラン
ド（２）及び半導体素子（］）を樹脂封止する。
ロウ材（７）は、半導体素子（１）をアイランド（２）
に取り付けるためのものである。ここで、吊りり一トヘ
ワイヤリングする場合、吊りリードへのロウ材（７）の
流れ込みを防止するため凹部か（８）か設けられる。
この凹部（８）は、写真製版法等によって、リ−１・フ
レームの板厚の半分程度エツチングすることにより形成
されるか、多ビン化等により吊りリードの幅か小さくな
ると、第３図に示すように、凹部の周辺までエツチング
されるため、吊りリードの強度か小さくなる。このため
組立工程中に吊りリードか切断さることかある。
〔発明か解決しようとする課題〕
従来の半導体装置は以上のように構成されているので、
多ビン化のため吊りリードの幅が小さくなって半田の流
れ止めの凹部を設けることか困難で、強度か低下し、組
立工程中に吊りリードか切断することかあるなとの問題
点があった。
この発明は、上記の問題を解決するためになされたもの
で、吊りリードの強度を低下させずに半田流れ止めを設
けたリードフレームを得ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る半導体パッケージは、多ピン化等により
、細くなる吊りリード部の凹部周辺の幅を凹部か設けら
れるように広くしたものである。
〔作用〕
この発明における半導体パッケージは、半田の流れ止め
の凹部を設ける位置周辺の吊りリード幅か広くしたので
リード幅の狭い吊りり−トに凹部を設けても充分な強度
か得られる。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、（１）は半導体素子、（２）はり一ドフレ
ームのアイランド、（３）は半導体素子（１）に設けら
れた複数個の電極、（４）はリードフレームのり一トで
、アイランド（２）と接続されている。（５）は電極（
３）とリード（４）とを接続するワイヤ、（ア）はロウ
材で、半導体素子（１）をアイランド（２）に取り付け
るために使用されている。（８）はリード（４）の所定
の部分に設けられた凹部である。
次に動作について説明する。第１図に示すものは、アイ
ランｌ’　（２１と接続されたり一ト（４）すなわち吊
りり−１・に、アイランド（２）と近接した部分の幅を
り−１”　ｆ４＋の幅よりも所定の値広く形成し、この
幅の広い部分に半田の流れ込む凹部（８）か構成されて
いるので、半導体素子（１）をアイランド（２）に取付
けるときに、流れたロウ材（７）か凹部（８）に収容さ
れる。ここて、凹部（８）を設けたリード（４）の幅は
、所定の幅に構成されているので所定の強度を備えてい
る。
第２図はこの発明の他の実施例を示すものて、リード（
４）に設ける四部（８）を、アイランド（２）より所定
の距離をあけた箇所にリード（４）の幅を所定の幅に広
くして構成し、上記実施例と同様の動作を期待している
。
〔発明の効果〕
以上のようにこの発明によれば、凹部周辺のリード幅を
広くした事により、多ビンフレームにおいても強度のあ
る吊りリードか設けられるため、作業性の優れた半導体
装置か得られる効果かある。
【図面の簡単な説明】
第１図及び第２図はこの発明の一実施例による半導体パ
ッケージのリードフレーム形状を表した斜視図、第３図
は従来の半導体パッケージの構成を示す透視平面図で、
第４図は第４図の半導体パッケージの断面図、第５図は
ロウ材流れ止め部の拡大図である。 図において、（１）は半導体素子、（２）はアイランド
、（３）は電極、（４）はリード、（５）はワイヤ、（
６）は樹脂封止部本体、（７）は半導体素子をアイラン
ドに取りつけるだめのロー材、（８）はロー材の流れ込
みを防止するための凹部である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体素子を搭載するアイランドとこのアイランド周辺
    に配置され前記半導体素子の電極と金属細線を介して接
    続される複数のリードと前記アイランドをフレーム枠に
    支持する吊りリードと、その周辺部を樹脂封止するパッ
    ケージ本体（６）とを備えた半導体装置において、前記
    アイランド近傍の吊りリードに凹部を設けるとともに、
    前記凹部周囲の吊りリード幅を所定の範囲広くした事を
    特徴とする半導体装置。
JP2335413A 1990-11-28 1990-11-28 半導体装置 Pending JPH04199559A (ja)

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JP2335413A JPH04199559A (ja) 1990-11-28 1990-11-28 半導体装置

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JP2335413A JPH04199559A (ja) 1990-11-28 1990-11-28 半導体装置

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0650360U (ja) * 1992-03-12 1994-07-08 株式会社三井ハイテック 半導体装置用リードフレーム
JPH0738044A (ja) * 1993-07-16 1995-02-07 Hitachi Cable Ltd 半導体装置用リードフレーム
EP2822031A3 (en) * 2013-06-25 2015-06-10 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device and method for manufacturing the same

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0650360U (ja) * 1992-03-12 1994-07-08 株式会社三井ハイテック 半導体装置用リードフレーム
JPH0738044A (ja) * 1993-07-16 1995-02-07 Hitachi Cable Ltd 半導体装置用リードフレーム
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