JPH04199568A - 半導体素子のトリミング方法 - Google Patents

半導体素子のトリミング方法

Info

Publication number
JPH04199568A
JPH04199568A JP32550290A JP32550290A JPH04199568A JP H04199568 A JPH04199568 A JP H04199568A JP 32550290 A JP32550290 A JP 32550290A JP 32550290 A JP32550290 A JP 32550290A JP H04199568 A JPH04199568 A JP H04199568A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
trimming
parts
trimmed
semiconductor
product
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP32550290A
Other languages
English (en)
Inventor
Masanori Tomioka
昌則 冨岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP32550290A priority Critical patent/JPH04199568A/ja
Publication of JPH04199568A publication Critical patent/JPH04199568A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、半導体素子の機能トリミング方法に関する
ものである。
[従来の技術] 第3図は、従来の半導体ハイブリッドIC素子のトリミ
ング例を示すものである。第3図において(1)はハイ
ブリッドICの厚膜基板、(2)は前記厚膜基板(1)
上に形成された、トリミング用の厚膜抵抗、(4)はリ
ードである。
次にトリミング方法について説明する。始めにハイブリ
ッドICを動作状態としておき、調整箇所をモニターし
つつ、[JIK抵抗(2)をレーサーにより焼き切るこ
とにより抵抗値を変化させトリミングを行う。機能トリ
ミング終了後はCRT等に表示される判定に従って製品
を選別する。
[発明が解決しようとする課題] 以上のような従来の半導体素子のトリミング方法では1
機能トリミングが終了した後に判定がCRT等に表示さ
れるたけてあり、良、不良の選別においては、作業者が
ミスをしないように気をつける以外熱がった。
この発明は上記の課題を解決するためになされたもので
、機能トリミング終了後、1目で良、不良が判別でき、
選別ミスを無くすことができる半導体素子のl〜リミン
グ方法を得ることを目的とする。
[課題を解決するための手段] この発明に係る半導体素子のトリミング方法は、機能ト
リミング終了後、トリミングミス品をレーザーて・焼き
切り印を付けるようにする。
[作 用] 機能トリミング終了後、製品にレーザーよって印がつく
ので、選別を行う際にミスをすることが極少となる。
U実施例コ 次に一実施例について説明する。まず、半導体素子に従
来方法と同様にしてトリミングを行う。
正常にトリミングされた製品は、そのまま従来と同様で
あるが、トリミングミス等の異常が起った製品にはレー
ザーにより焼き印を付けることにより判別を容易にして
いる。例えは、第1図は、再度機能l・リミングを行う
ことにより手直し可能な製品の場合であって、厚膜基板
上の製品の特性に影響のない部分を一部焼き切り印(3
)をつける。
第2図は、再度機能トリミングを行っても手直し不能な
製品の場合であって、厚膜基板上全体に焼き印(3)を
つけることにより1目で不良と判別可能としている。
1発明の効果] 以上のように、この発明は、製品各々が、機能トリミン
グ良品であるか、機能トリミング異常品であるか1目で
判別可能とすることにより、それぞれを誤混入するとい
うミスを無くすことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図はこの発明の一実施例を説明するための
平面図、第3図は従来の半導体素子のトリミング方法を
説明するための平面図である。 (1)・・厚膜基板、(2)・・トリミング抵抗、(3
)・・焼き印。 なお、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 代  理  人     曾  我  道  照1:厚
11基枚 2: トリミング’mJL

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体素子を機能トリミングするに際し、トリミングミ
    ス等の異常が起ったとき、その内容により前記半導体素
    子上の任意の位置にレーザーで焼き印をつけ、前記機能
    トリミング終了後、前記焼き印を選別のための目印とす
    る半導体素子のトリミング方法。
JP32550290A 1990-11-29 1990-11-29 半導体素子のトリミング方法 Pending JPH04199568A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32550290A JPH04199568A (ja) 1990-11-29 1990-11-29 半導体素子のトリミング方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32550290A JPH04199568A (ja) 1990-11-29 1990-11-29 半導体素子のトリミング方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04199568A true JPH04199568A (ja) 1992-07-20

Family

ID=18177595

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP32550290A Pending JPH04199568A (ja) 1990-11-29 1990-11-29 半導体素子のトリミング方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04199568A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2000326495A (ja) クリーム半田印刷の検査方法
JPH04199568A (ja) 半導体素子のトリミング方法
JP2595962B2 (ja) 半導体装置
JP2829211B2 (ja) 合せずれ測定方法
JP3708570B2 (ja) 半導体素子の良品判別方法
US20060267617A1 (en) First die indicator for integrated circuit wafer
JPS6247142A (ja) 半導体装置のマ−キング法
JPH046221Y2 (ja)
JP2002184819A (ja) ウェハテスト装置およびウェハテスト方法
JPS6399541A (ja) 半導体ウエハプロ−バ装置
JP2845420B2 (ja) セパレートプレート検査用ゲージ、及びセパレートプレート検査方法
JPH03261156A (ja) 半導体装置
JPH03148152A (ja) 半導体素子のテスト方法
JPH0485865A (ja) 集積回路の製造方法
JPH01100677A (ja) 外観検査装置
JPS6228567B2 (ja)
JPS58176966A (ja) 集積回路装置
JPH0376241A (ja) 半導体装置
JPH03148153A (ja) 半導体素子のトリミング方法
JPS63155686A (ja) 配線基板およびその製造方法
JPH02247648A (ja) マスクの製造方法
JPH03147343A (ja) Icウエハの品種識別方法
JPH01194331A (ja) マーキングによるダイボンディング方法
JPS62281438A (ja) 集積回路の製造方法
JPS61140105A (ja) レ−ザトリミング加工工程における不良品に対するマ−キング方法