JPH04202045A - 酸化物超伝導体の製造方法及びＴｌ系酸化物超伝導体 - Google Patents
酸化物超伝導体の製造方法及びＴｌ系酸化物超伝導体Info
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- JPH04202045A JPH04202045A JP2329842A JP32984290A JPH04202045A JP H04202045 A JPH04202045 A JP H04202045A JP 2329842 A JP2329842 A JP 2329842A JP 32984290 A JP32984290 A JP 32984290A JP H04202045 A JPH04202045 A JP H04202045A
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、衝撃圧縮を利用した酸化物超伝導体の製造
方法、及びそれによって製造されるＴｇ系酸化物超伝導
体に関する。
方法、及びそれによって製造されるＴｇ系酸化物超伝導
体に関する。
［従来の技術及び発明が解決しようとする課題］酸化物
超伝導体は、金属系超伝導体よりも極めて高い超伝導転
移温度（臨界温度）を有することから、近年、酸化物超
伝導体に関する研究か盛んに行われており、現在までに
Ｌａ系、Ｙ系、Ｂｉ系、ＴΩ動系等の酸化物超伝導体つ
か報告されている。現在、主として研究されている酸化
物超伝導体は、Ｙ系、Ｂｉ系、１ｇ系等の特に高い臨界
温度を有する酸化物超伝導体であり、例えばＹ系のＢａ
２ ＹＣｕ３０７−１なる塑性の酸化物超伝導体では、
ｙか大きくなると、すなわち組成中の酸素濃度が減少す
ると臨界温度が低くなること、及び結晶中に双晶かある
と臨界温度が高くなること等が確認されており、また、
Ｔ、Ｑ系のＴｌ２ Ｂ ａ ２ Ｃｕ ０６−ｙなる組
成の酸化換起１云導体では、ｙが０の時には超１云導特
性を示さないが、ｙが大きくなると超伝導特性を示すよ
うになり、ｙか０．１程度の時に臨界温度が８０ Ｋ程
度になることか確認されている。なお、Ｔ１！系の酸化
物超伝導体については、−数式 ％式％ る他の組成のものにおいても、夫々Ｑ＜ｙ＜］の範囲内
で臨界温度の最高値が得られることを本発明者等が最近
確認した。。
超伝導体は、金属系超伝導体よりも極めて高い超伝導転
移温度（臨界温度）を有することから、近年、酸化物超
伝導体に関する研究か盛んに行われており、現在までに
Ｌａ系、Ｙ系、Ｂｉ系、ＴΩ動系等の酸化物超伝導体つ
か報告されている。現在、主として研究されている酸化
物超伝導体は、Ｙ系、Ｂｉ系、１ｇ系等の特に高い臨界
温度を有する酸化物超伝導体であり、例えばＹ系のＢａ
２ ＹＣｕ３０７−１なる塑性の酸化物超伝導体では、
ｙか大きくなると、すなわち組成中の酸素濃度が減少す
ると臨界温度が低くなること、及び結晶中に双晶かある
と臨界温度が高くなること等が確認されており、また、
Ｔ、Ｑ系のＴｌ２ Ｂ ａ ２ Ｃｕ ０６−ｙなる組
成の酸化換起１云導体では、ｙが０の時には超１云導特
性を示さないが、ｙが大きくなると超伝導特性を示すよ
うになり、ｙか０．１程度の時に臨界温度が８０ Ｋ程
度になることか確認されている。なお、Ｔ１！系の酸化
物超伝導体については、−数式 ％式％ る他の組成のものにおいても、夫々Ｑ＜ｙ＜］の範囲内
で臨界温度の最高値が得られることを本発明者等が最近
確認した。。
酸化物超伝導体の一般的な製造方法は、酸化物超伝導体
を（Ｒ成する金属元素の酸化物を、酸化物超伝導体組成
における金属元素の組成比で混合し、これを圧縮成形し
た後、酸素含有雰囲気中で焼成するというものであるが
、前述した Ｔｌ ２ Ｂａ２Ｃｕｂ６−、等の酸素欠損タイプの酸
化物超伝導体を製造する方法としては、前述した一般的
な製造方法により製造した酸化物超伝導体を再加熱し、
所定温度に至った時に急冷する方法が提案されている。
を（Ｒ成する金属元素の酸化物を、酸化物超伝導体組成
における金属元素の組成比で混合し、これを圧縮成形し
た後、酸素含有雰囲気中で焼成するというものであるが
、前述した Ｔｌ ２ Ｂａ２Ｃｕｂ６−、等の酸素欠損タイプの酸
化物超伝導体を製造する方法としては、前述した一般的
な製造方法により製造した酸化物超伝導体を再加熱し、
所定温度に至った時に急冷する方法が提案されている。
しかし、これら以外の製造方法については、未た提案さ
れていない。
れていない。
この発明はこのような実情に鑑みてなされたものであっ
て、酸化物超伝導体の新規な製造方法、特に酸素欠損タ
イプの酸化物超伝導体や双晶を有する酸化物超伝導体を
簡易に製造することができる全く新規な酸化物超伝導体
の製造方法、及びこの方法で製造された新規なＴｉｔ系
の酸化物超伝導体を提供することを目的とする。
て、酸化物超伝導体の新規な製造方法、特に酸素欠損タ
イプの酸化物超伝導体や双晶を有する酸化物超伝導体を
簡易に製造することができる全く新規な酸化物超伝導体
の製造方法、及びこの方法で製造された新規なＴｉｔ系
の酸化物超伝導体を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
この発明に係る酸化物超伝導体の製造方法は、第１に、
酸化物超伝導体を構成する金属元素及び酸素を所定の割
合で含む物質を形成する工程と、この工程で得られた物
質に衝撃圧縮を加えて酸化物超伝導体を生成する］−程
とを具備することを特徴とする。
酸化物超伝導体を構成する金属元素及び酸素を所定の割
合で含む物質を形成する工程と、この工程で得られた物
質に衝撃圧縮を加えて酸化物超伝導体を生成する］−程
とを具備することを特徴とする。
また、第２に、酸化物超伝導体を構成する金属元素及び
酸素を所定の割合て含む物質とゲッタ剤とからなる複合
体を形成する工程と、この」二程で得られた複合体に衝
撃圧縮を加えて酸化換起１云導体を生成する」二程とを
具備することを特徴とする。
酸素を所定の割合て含む物質とゲッタ剤とからなる複合
体を形成する工程と、この」二程で得られた複合体に衝
撃圧縮を加えて酸化換起１云導体を生成する」二程とを
具備することを特徴とする。
この場合に、前記物質は、酸化物超伝導を構成する各金
属元素の酸化物を混合して圧縮成形した混合原料自体で
もよいが、この混合原料を予め酸素含有雰囲気中で焼成
して形成した酸化物であることが好ましい。また、この
方法は、特にＴｆＩ系酸化物超伝導体に適している。な
お、ゲッタ剤としてはＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆか適している。
属元素の酸化物を混合して圧縮成形した混合原料自体で
もよいが、この混合原料を予め酸素含有雰囲気中で焼成
して形成した酸化物であることが好ましい。また、この
方法は、特にＴｆＩ系酸化物超伝導体に適している。な
お、ゲッタ剤としてはＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆか適している。
この発明に係るＴｇ系酸化物超伝導体は、結晶中に双晶
を有することを特徴とする。
を有することを特徴とする。
［作用コ
この発明においては、酸化物超伝導体を製造するにあた
り、それを構成する金属元素及び酸素を所定の割合で含
む物質を形成し、この物質に衝撃圧縮を加える。そうす
ると、酸素の欠損、結晶構造の若干の変化等が生じ、超
伝導性を示す結晶構造が形成される。この場合に、前記
物質にゲッタ剤を添加すると、ゲッタ剤が、衝撃圧縮時
に前記物質の内奥部においても酸素を吸着する。その結
果、酸化物超伝導体の生成率が向上する。
り、それを構成する金属元素及び酸素を所定の割合で含
む物質を形成し、この物質に衝撃圧縮を加える。そうす
ると、酸素の欠損、結晶構造の若干の変化等が生じ、超
伝導性を示す結晶構造が形成される。この場合に、前記
物質にゲッタ剤を添加すると、ゲッタ剤が、衝撃圧縮時
に前記物質の内奥部においても酸素を吸着する。その結
果、酸化物超伝導体の生成率が向上する。
また、Ｔ、Ｑ系酸化物超伝導体をこのようにして製造し
た場合には、結晶中に双晶が観察される。
た場合には、結晶中に双晶が観察される。
従来よりＹ系の酸化物超伝導体において双晶の存在によ
り臨界温度か上昇するのか確認されており、１ｇ系の酸
化物超伝導体についても双晶の存在により優れた超伝導
特性を得ることができる。
り臨界温度か上昇するのか確認されており、１ｇ系の酸
化物超伝導体についても双晶の存在により優れた超伝導
特性を得ることができる。
［実施例］
以下、この発明について詳細に説明する。
この発明に係る方法に適用される酸化物超伝導体の組成
は特に限定されるものではなく、衝撃圧縮を施すことに
より、酸素欠損が生じて超伝導特性が良好な結晶構造に
なり得るものであればよい。
は特に限定されるものではなく、衝撃圧縮を施すことに
より、酸素欠損が生じて超伝導特性が良好な結晶構造に
なり得るものであればよい。
酸化物超伝導体の中では、Ｔ、ｉｌｌ系のものが適して
いる。
いる。
酸化物超伝導体を（ｈ成する金属元素及び酸素を所定の
割合で含む物質は、必ずしも超伝導特性を示す必要はな
く、衝撃圧縮が作用することにより酸化物超伝導体にな
り得るものであればよい。このような物質としては、酸
化物超伝導体の構成元素を含む原料の混合体を酸素雰囲
気中で焼成した焼結体、あるいはこの焼結体を粉末化し
た後圧縮成形したものであることが好ましい。この場合
、焼結体を生成するに先立って、原料の混合体を圧縮成
形して成形体を作成しておくことが好ましい。
割合で含む物質は、必ずしも超伝導特性を示す必要はな
く、衝撃圧縮が作用することにより酸化物超伝導体にな
り得るものであればよい。このような物質としては、酸
化物超伝導体の構成元素を含む原料の混合体を酸素雰囲
気中で焼成した焼結体、あるいはこの焼結体を粉末化し
た後圧縮成形したものであることが好ましい。この場合
、焼結体を生成するに先立って、原料の混合体を圧縮成
形して成形体を作成しておくことが好ましい。
構成元素を含む原料として、例えばその元素の単純酸化
物、又は２種以上の構成元素を含む複酸化物が用いられ
る。
物、又は２種以上の構成元素を含む複酸化物が用いられ
る。
このように焼結体を生成することにより、得ようとする
酸化物超伝導体の結晶構造に近似した結晶構造を得るこ
とができる。
酸化物超伝導体の結晶構造に近似した結晶構造を得るこ
とができる。
このようにして形成された物質に衝撃圧縮を加える方法
としては、成形体に高速飛翔体を衝突させる方法、及び
爆薬の爆轟波を試料に直接伝播させる方法等が採用され
る。この際の衝撃応力は、＋４料によって異なるが、Ｔ
ｇ系酸化物超伝導体の場合は１０ＧＰａ、又はそれ以上
の値であれば１」的を達成することができる。
としては、成形体に高速飛翔体を衝突させる方法、及び
爆薬の爆轟波を試料に直接伝播させる方法等が採用され
る。この際の衝撃応力は、＋４料によって異なるが、Ｔ
ｇ系酸化物超伝導体の場合は１０ＧＰａ、又はそれ以上
の値であれば１」的を達成することができる。
なお、ゲッタ剤を用いる場合は、酸化物超伝導体を構成
する金属元素及び酸素を所定の割合て含む物質とゲッタ
剤との複合体を作製し、この複合体に衝撃圧縮を加える
。この場合には、衝撃圧縮を加えることによる酸素減少
と、ゲッタ剤の酸素吸収による酸素減少とが同時に起り
、−層良好な超伝導特性か得られる可能性かある。
する金属元素及び酸素を所定の割合て含む物質とゲッタ
剤との複合体を作製し、この複合体に衝撃圧縮を加える
。この場合には、衝撃圧縮を加えることによる酸素減少
と、ゲッタ剤の酸素吸収による酸素減少とが同時に起り
、−層良好な超伝導特性か得られる可能性かある。
このようにゲッタ剤を用いる場合にも、酸化物超伝導体
を構成する金属元素及び酸素を所定の割合で含む物質は
、酸化物超伝導体の構成元素を含む原料の混合体を酸素
雰囲気中で焼成した焼結体であることが好ましい。また
、上記複合体は、酸化物超伝導を構成する金属元素を含
む混合原料を酸素含有雰囲気で焼成した後粉砕し、この
粉砕物とゲッタ剤とを混合して形成されることが好まし
い。この場合に、複合体は粉砕物とゲッタ剤との混合体
を成形した成形体であることが好ましい。
を構成する金属元素及び酸素を所定の割合で含む物質は
、酸化物超伝導体の構成元素を含む原料の混合体を酸素
雰囲気中で焼成した焼結体であることが好ましい。また
、上記複合体は、酸化物超伝導を構成する金属元素を含
む混合原料を酸素含有雰囲気で焼成した後粉砕し、この
粉砕物とゲッタ剤とを混合して形成されることが好まし
い。この場合に、複合体は粉砕物とゲッタ剤との混合体
を成形した成形体であることが好ましい。
このようにして製造された酸化物超伝導体は、高圧力下
で合成されるため、組織が緻密であり、高い臨界電流密
度Ｊｃを得ることができる。
で合成されるため、組織が緻密であり、高い臨界電流密
度Ｊｃを得ることができる。
以下、具体的な実施例について説明する。
実施例１
出発原料としてＴＪ７２０３ 、ＢａＯ２，及びＣｕＯ
の微粉末を混合して、原子数比て−ｒ ｆＩＢａ：Ｃｕ
＝２：２：１．の混合粉末原料を作製した。この場合に
、Ｔｇは有毒であるから、これらの作業をグローブボッ
クス内で行った。
の微粉末を混合して、原子数比て−ｒ ｆＩＢａ：Ｃｕ
＝２：２：１．の混合粉末原料を作製した。この場合に
、Ｔｇは有毒であるから、これらの作業をグローブボッ
クス内で行った。
次に、このような混合粉末原料を約２００ ｋｇ／ｃｍ
２の圧力で成形し、直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍのベレッ
ト状の試料を２個作製した。
２の圧力で成形し、直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍのベレッ
ト状の試料を２個作製した。
その後、Ｔｇの高反応性に鑑み、試料をＴｇと反応しに
くい金箔でゆるく包み、またＴｇの有毒性のため、石英
管内で更に二重のトラップを付けて流Ｍ１２０ ｍ （
１／分の酸素気流中８９０℃で５分間焼成し、次いで１
０℃／分の速度で冷却した。
くい金箔でゆるく包み、またＴｇの有毒性のため、石英
管内で更に二重のトラップを付けて流Ｍ１２０ ｍ （
１／分の酸素気流中８９０℃で５分間焼成し、次いで１
０℃／分の速度で冷却した。
その結果、′工゛Ω２Ｂａ２ＣｕＯ６なる組成の酸化物
が合成された。
が合成された。
次に、合成された酸化物試料に、夫々ｌ０ＧＰａ及び１
７．６Ｇｊａの衝撃圧を加えた。
７．６Ｇｊａの衝撃圧を加えた。
この衝撃圧は、第１図に示す装置により加えた。
この装置は一段式火薬銃と称されるものであり、火薬室
１内の無煙火薬３を点火装置２により爆発させてその爆
轟波によりダイヤフラム４を振動させ、これにより飛翔
体５を加速する。飛翔体５は加速管６内を高速で通過し
、さらにコイル８を通過して試料９に衝突する。これに
より、試料９に圧縮圧力が加えられる。なお、飛翔体５
の速度はファイバプローブ７及び（又は）コイル８を用
いて検出される。
１内の無煙火薬３を点火装置２により爆発させてその爆
轟波によりダイヤフラム４を振動させ、これにより飛翔
体５を加速する。飛翔体５は加速管６内を高速で通過し
、さらにコイル８を通過して試料９に衝突する。これに
より、試料９に圧縮圧力が加えられる。なお、飛翔体５
の速度はファイバプローブ７及び（又は）コイル８を用
いて検出される。
衝撃圧を加えた後の試料について、５ＱＵＩＤによる磁
化率の温度変化を測定した。その結果を第２図及び第３
図に示す。第２図は１０ＧＰａの衝撃圧を加えた試料に
ついて示すものであり、第３図は１７．６ＧＰａの衝撃
圧を加えた試料について示すものである。これらの図に
示すように、１０ＧＰａの衝撃圧を加えたものでは１５
にで磁化率が変化しており、１７．６０Ｐａの衝撃圧を
加えたものでは６０ Ｋで磁化率が変化していた。
化率の温度変化を測定した。その結果を第２図及び第３
図に示す。第２図は１０ＧＰａの衝撃圧を加えた試料に
ついて示すものであり、第３図は１７．６ＧＰａの衝撃
圧を加えた試料について示すものである。これらの図に
示すように、１０ＧＰａの衝撃圧を加えたものでは１５
にで磁化率が変化しており、１７．６０Ｐａの衝撃圧を
加えたものでは６０ Ｋで磁化率が変化していた。
すなわち、臨界温度が１５ Ｋ及び６０にの超伝導体が
形成されたことが確認された。
形成されたことが確認された。
これらの試料について粉末Ｘ線回折（ＣｕのＫａ線）を
行った。その結果を第４図及び第５図に示す。第４図は
１０ＧＰａの衝撃圧を加えた試料の回折パターンを示す
ものであり、第５図は１７．６ＧＰａの衝撃圧を加えた
試料の回折パターンを示すものである。両試料の回折パ
ターンは主なピークが全て同一位置にあり、また、Ｔｌ
２ Ｂａ２Ｃｕｂ６の回折パターンと酷似している。
行った。その結果を第４図及び第５図に示す。第４図は
１０ＧＰａの衝撃圧を加えた試料の回折パターンを示す
ものであり、第５図は１７．６ＧＰａの衝撃圧を加えた
試料の回折パターンを示すものである。両試料の回折パ
ターンは主なピークが全て同一位置にあり、また、Ｔｌ
２ Ｂａ２Ｃｕｂ６の回折パターンと酷似している。
従って、ＴＪ）２ Ｂａ２ Ｃｕ０６□が生成されたも
のと推測される。なお、その生成率、すなわち、試料中
に占めるＴｌ ２ Ｂａ２ Ｃｕｂ６□の割合は、第２
図及び第３図に示された磁化率の温度変化曲線から明ら
かなように、１７．６ＧＰａの衝撃圧を加えた試料の方
が１０ＧＰａの衝撃圧を加えた試料よりも磁化率の変化
が大きいので、１７．６ＧＰａの衝撃圧を加えた試料の
方が大きい。
のと推測される。なお、その生成率、すなわち、試料中
に占めるＴｌ ２ Ｂａ２ Ｃｕｂ６□の割合は、第２
図及び第３図に示された磁化率の温度変化曲線から明ら
かなように、１７．６ＧＰａの衝撃圧を加えた試料の方
が１０ＧＰａの衝撃圧を加えた試料よりも磁化率の変化
が大きいので、１７．６ＧＰａの衝撃圧を加えた試料の
方が大きい。
１０ＧＰａの衝撃圧を加えた試料をＴＥＭにより観察し
た。第６図はそのＴＥＭ写真である。この写真の三角印
で示すように、双晶境界（ｔｗｉｎ ｂｏｕｎｄａｒｙ
）が明確に表れており、衝撃圧縮により双晶を有する
超伝導素材が得られることが確認された。
た。第６図はそのＴＥＭ写真である。この写真の三角印
で示すように、双晶境界（ｔｗｉｎ ｂｏｕｎｄａｒｙ
）が明確に表れており、衝撃圧縮により双晶を有する
超伝導素材が得られることが確認された。
実施例２
実施例１と同様にしてＴｌ２Ｂａ２ｃｕｏ６なる組成の
酸化物を合成した。次いで、合成した試料を粉砕し、こ
れにゲッタ剤として重量比で１０％の金属Ｚｒを追加混
合した。このようにして生成した粉末試料を約２００
ｋｇ／ ０ｍ２の圧力で成形し、直径１０ｍｍ、厚さ１
ｍｍのペレット状の試料を作製した。
酸化物を合成した。次いで、合成した試料を粉砕し、こ
れにゲッタ剤として重量比で１０％の金属Ｚｒを追加混
合した。このようにして生成した粉末試料を約２００
ｋｇ／ ０ｍ２の圧力で成形し、直径１０ｍｍ、厚さ１
ｍｍのペレット状の試料を作製した。
この試料に実施例１と同様にして１００Ｐａの衝撃圧を
加えた。衝撃圧を加えた後の試料について、５ＱＵＩＤ
による磁化率の温度変化を測定した。その結果を第７図
に示す。この図で示すように磁化率が１５ Ｋで変化し
ており、臨界温度が１５ Ｋの超伝導体が形成されたこ
とが確認された。
加えた。衝撃圧を加えた後の試料について、５ＱＵＩＤ
による磁化率の温度変化を測定した。その結果を第７図
に示す。この図で示すように磁化率が１５ Ｋで変化し
ており、臨界温度が１５ Ｋの超伝導体が形成されたこ
とが確認された。
この試料について粉末Ｘ線回折を行った。その結果を第
８図に示す。この試料の回折パターンでは３６．５度付
近にＺｒに係わると思われるピークがあるが、他の主な
ピークはいずれも第１実施例の２つの試料と同一の位置
にある。従って、明確な指数付けはできていないが、こ
の試料もＴ、Ｑ２Ｂａ２ＣｕＯ６□が生成されたものと
推測される。また、その生成率は、磁化率の変化量の比
較から、第１の実施例の２つの試料よりも大きいことか
認められる。
８図に示す。この試料の回折パターンでは３６．５度付
近にＺｒに係わると思われるピークがあるが、他の主な
ピークはいずれも第１実施例の２つの試料と同一の位置
にある。従って、明確な指数付けはできていないが、こ
の試料もＴ、Ｑ２Ｂａ２ＣｕＯ６□が生成されたものと
推測される。また、その生成率は、磁化率の変化量の比
較から、第１の実施例の２つの試料よりも大きいことか
認められる。
なお、実施例１．２では、酸化物超伝導体の出発原料を
焼成して一口、Ｔβ２Ｂａ２ＣＬＩＯ＋；を合成してか
ら衝撃圧を加えたが、出発原料を混合・成形したままで
焼成しないものに衝撃圧を加えてもＴ（１２Ｂ ａ ２
’Ｃｕ ｏ６−、を生成することができる。これは、衝
撃圧を加えることによる衝撃波によって熱等が生じ、こ
れによって誘起される化学反応（衝撃波の化学効果）よ
るものである。なお、前述したように、衝撃圧を加える
物質の酸素含有量は、目的とする酸化物超伝導体の酸素
含有量に近いほうが望ましいので、この場合の出発原料
としては、酸化物超伝導体を構成する金属の単純酸化物
のみて構成するよりも、複酸化物を用いた方が望ましい
。例えばＴ （１２Ｂ ａ ２ ＣＬＩ ０６−ｙを製
造する場合には、Ｔ（１２０３、ＢａＯ２、ＣｕＯを１
：２・１で混合するよりも、ＴΩ２０３、Ｂａ ０２
、Ｂ ａ Ｃｕ ０２を１：１：１て混合する方が望ま
しい。また、Ｚｒ等のゲッタ剤を添加した方がさらに望
ましい。ゲッタ剤を添加したものについては、上述のよ
うな化学効果とゲッタ剤の吸着とによりＴΩ２ｆ３ ａ
２ Ｃｕ Ｏ６−Ｆを生成することができる。
焼成して一口、Ｔβ２Ｂａ２ＣＬＩＯ＋；を合成してか
ら衝撃圧を加えたが、出発原料を混合・成形したままで
焼成しないものに衝撃圧を加えてもＴ（１２Ｂ ａ ２
’Ｃｕ ｏ６−、を生成することができる。これは、衝
撃圧を加えることによる衝撃波によって熱等が生じ、こ
れによって誘起される化学反応（衝撃波の化学効果）よ
るものである。なお、前述したように、衝撃圧を加える
物質の酸素含有量は、目的とする酸化物超伝導体の酸素
含有量に近いほうが望ましいので、この場合の出発原料
としては、酸化物超伝導体を構成する金属の単純酸化物
のみて構成するよりも、複酸化物を用いた方が望ましい
。例えばＴ （１２Ｂ ａ ２ ＣＬＩ ０６−ｙを製
造する場合には、Ｔ（１２０３、ＢａＯ２、ＣｕＯを１
：２・１で混合するよりも、ＴΩ２０３、Ｂａ ０２
、Ｂ ａ Ｃｕ ０２を１：１：１て混合する方が望ま
しい。また、Ｚｒ等のゲッタ剤を添加した方がさらに望
ましい。ゲッタ剤を添加したものについては、上述のよ
うな化学効果とゲッタ剤の吸着とによりＴΩ２ｆ３ ａ
２ Ｃｕ Ｏ６−Ｆを生成することができる。
［発明の効果］
この発明によれば、衝撃圧縮を利用することにより従来
にない全く新規な酸化物超伝導体の製造方法を提供する
ことができる。この方法によれば、高い臨界温度を有す
る酸化物超伝導体を生成することが可能である。１ｇ系
のものについては双晶の存在も確認され、特に有効であ
る。
にない全く新規な酸化物超伝導体の製造方法を提供する
ことができる。この方法によれば、高い臨界温度を有す
る酸化物超伝導体を生成することが可能である。１ｇ系
のものについては双晶の存在も確認され、特に有効であ
る。
この発明により製造された酸化物超伝導体は、ジョセフ
ソン接合を有するジョセフソン素子及び５ＱＵＩＤ（超
伝導量子干渉計）、超伝導発電機に適用することが期待
され、またエネルギ損失の少ない超伝導電力貯蔵、さら
にはエネルギ損失の少ない送電ケーブル等の多方面の超
伝導機器の実州北に寄与することが期待される。
ソン接合を有するジョセフソン素子及び５ＱＵＩＤ（超
伝導量子干渉計）、超伝導発電機に適用することが期待
され、またエネルギ損失の少ない超伝導電力貯蔵、さら
にはエネルギ損失の少ない送電ケーブル等の多方面の超
伝導機器の実州北に寄与することが期待される。
第１図はこの発明に係る酸化物超伝導体の製造方法にお
いて衝撃圧を加えるための一段式火薬銃を示す概略構成
図、第２図、第３図及び第７図はこの発明に係る方法に
より製造された酸化物超伝導体の５ＱＵＩＤによる磁化
率の温度変化を示、ず図、第４図、第５図及び第８図は
この発明に係る方法により製造された酸化物超伝導体の
粉末Ｘ線回折パターンを示す図、第６図はこの発明に係
るＴＮ系酸化物超伝導体の結晶の構造を示す写真である
。
いて衝撃圧を加えるための一段式火薬銃を示す概略構成
図、第２図、第３図及び第７図はこの発明に係る方法に
より製造された酸化物超伝導体の５ＱＵＩＤによる磁化
率の温度変化を示、ず図、第４図、第５図及び第８図は
この発明に係る方法により製造された酸化物超伝導体の
粉末Ｘ線回折パターンを示す図、第６図はこの発明に係
るＴＮ系酸化物超伝導体の結晶の構造を示す写真である
。
Claims (9)
- （１）酸化物超伝導体を構成する金属元素及び酸素を所
定の割合で含む物質を形成する工程と、この工程で得ら
れた混合体に衝撃圧縮を加えて酸化物超伝導体を生成す
る工程とを具備することを特徴とする酸化物超伝導体の
製造方法。 - （２）前記物質は、酸化物超伝導体を構成する金属元素
を含む混合原料を酸素含有雰囲気で焼成して形成される
ことを特徴とする請求項１に記載の酸化物超伝導体の製
造方法。 - （３）前記酸化物超伝導体は、Ｔｌ系酸化物で構成され
ていることを特徴とする請求項１又は２に記載の酸化物
超伝導体の製造方法。 - （４）酸化物超伝導体を構成する金属元素及び酸素を所
定の割合で含む物質とゲッタ剤とからなる複合体を形成
する工程と、この工程で得られた複合体に衝撃圧縮を加
えて酸化物超伝導体を生成する工程とを具備することを
特徴とする酸化物超伝導体の製造方法。 - （５）前記物質は、酸化物超伝導体を構成する金属元素
を含む混合原料を酸素含有雰囲気で焼成して形成される
ことを特徴とする請求項４に記載の酸化物超伝導体の製
造方法。 - （６）前記複合体は、酸化物超伝導体を構成する金属元
素を含む混合原料を酸素含有雰囲気で焼成した後粉砕し
、この粉砕物とゲッタ剤とを混合して形成されることを
特徴とする請求項４又は５に記載の酸化物超伝導体の製
造方法。 - （７）前記酸化物超伝導体は、Ｔｌ系酸化物で構成され
ていることを特徴とする請求項４乃至６いずれか１項に
記載の酸化物超伝導体の製造方法。 - （８）前記ゲッタ剤は、Ｔｉ，Ｚｒ，及びＨｆから選択
された少なくとも１種であることを特徴とする請求項４
乃至７いずれか１項に記載の酸化物超伝導体の製造方法
。 - （９）結晶中に双晶を有することを特徴とするＴｌ系酸
化物超伝導体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2329842A JPH04202045A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 酸化物超伝導体の製造方法及びＴｌ系酸化物超伝導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2329842A JPH04202045A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 酸化物超伝導体の製造方法及びＴｌ系酸化物超伝導体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04202045A true JPH04202045A (ja) | 1992-07-22 |
Family
ID=18225844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2329842A Pending JPH04202045A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 酸化物超伝導体の製造方法及びＴｌ系酸化物超伝導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04202045A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008013243A1 (en) * | 2006-07-27 | 2008-01-31 | Kuraray Luminas Co., Ltd. | Phosphor precursor manufacturing method |
| WO2008029726A1 (en) | 2006-09-01 | 2008-03-13 | Kuraray Luminas Co., Ltd. | Impact target capsule and impact compressor |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP2329842A patent/JPH04202045A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008013243A1 (en) * | 2006-07-27 | 2008-01-31 | Kuraray Luminas Co., Ltd. | Phosphor precursor manufacturing method |
| US8110124B2 (en) | 2006-07-27 | 2012-02-07 | Kuraray Co., Ltd. | Method of preparing fluorescent body precursor |
| JP5185117B2 (ja) * | 2006-07-27 | 2013-04-17 | 株式会社クラレ | 蛍光体前駆体の製造方法 |
| WO2008029726A1 (en) | 2006-09-01 | 2008-03-13 | Kuraray Luminas Co., Ltd. | Impact target capsule and impact compressor |
| US8105060B2 (en) | 2006-09-01 | 2012-01-31 | Kuraray Co., Ltd. | Impact target capsule and impact compression apparatus |
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