JPH04202088A - 液相エピタキシャル成長装置 - Google Patents
液相エピタキシャル成長装置Info
- Publication number
- JPH04202088A JPH04202088A JP2336142A JP33614290A JPH04202088A JP H04202088 A JPH04202088 A JP H04202088A JP 2336142 A JP2336142 A JP 2336142A JP 33614290 A JP33614290 A JP 33614290A JP H04202088 A JPH04202088 A JP H04202088A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- storage chamber
- crystal melt
- epitaxial growth
- substrate storage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は液相エピタキシャル成長装置に関するもので
、特に処理枚数を増す事が出来るようにしたものである
。
、特に処理枚数を増す事が出来るようにしたものである
。
化合物半導体装置に於て、液相エピタキシャル成長装置
を用いた量産技術はＧａＡｓ太陽電池のように素子サイ
ズが大きい場合は非常に重要である。
を用いた量産技術はＧａＡｓ太陽電池のように素子サイ
ズが大きい場合は非常に重要である。
ＧａＡｓ太陽電池のように量産を必要とする半導体装置
の製造に適用される従来例の装置の構成を第３図に示す
。
の製造に適用される従来例の装置の構成を第３図に示す
。
第３図は従来の液相エピタキシャル成長装置の断面図で
あり、図に於て、（１）ばボート本体、（２）。
あり、図に於て、（１）ばボート本体、（２）。
（３１，（４１はボー１−本体（１）を構成する上段の
収容室。
収容室。
中段の室、下段の室である。（５）は前記下段の室（４
）に設けられた結晶融液（６）を回収する容器（７）は
上段の室（２）と中段の室（３）を仕切るスライド可能
な第１の板て上段の室（２）に貯溜されている結晶融液
（６）を中段の室（３）に流入させる為の開孔部（９）
を有する。
）に設けられた結晶融液（６）を回収する容器（７）は
上段の室（２）と中段の室（３）を仕切るスライド可能
な第１の板て上段の室（２）に貯溜されている結晶融液
（６）を中段の室（３）に流入させる為の開孔部（９）
を有する。
（８）は中段の室（３）と下段の室（４）を仕切るスラ
イド可能な第２の板で中段の室（３）の結晶融液（６）
を下段の室（４）の回収容器（５）に流入させる為の開
孔部α０）を有している。（１１）ばエピタキシャル成
長させるべき基板、（１２）は結晶融液（６）をＨ２ガ
スによる還元処理ができる開孔部を有する蓋である。（
１３）は結晶融液（６）を清浄にする為のろ過板である
。
イド可能な第２の板で中段の室（３）の結晶融液（６）
を下段の室（４）の回収容器（５）に流入させる為の開
孔部α０）を有している。（１１）ばエピタキシャル成
長させるべき基板、（１２）は結晶融液（６）をＨ２ガ
スによる還元処理ができる開孔部を有する蓋である。（
１３）は結晶融液（６）を清浄にする為のろ過板である
。
次に動作について説明する。
エピタキシャル成長を行うために第３図の状態のボート
本体（１）を図示省略した成長炉内に挿入する。
本体（１）を図示省略した成長炉内に挿入する。
この状態で所定温度に達すると、スライド可能な第１の
板（７）を矢印Ｂの方向にスライドさせ、開孔部（９）
を介して上段の室（２）の結晶融液（６）をろ過板（１
３）を通して中段の室（３）に流入させ、基板（月）を
浸漬させた状態で成長炉を徐冷し、エピタキシャル成長
を行う。エビ、タキシャル成長終了後、スライド可能な
第２の板（８）を矢印Ａの方向にスライドさせ、開孔部
（１０１を介して結晶融液（６）を下段の室（４）の回
収容器（５）に流入させ回収する。
板（７）を矢印Ｂの方向にスライドさせ、開孔部（９）
を介して上段の室（２）の結晶融液（６）をろ過板（１
３）を通して中段の室（３）に流入させ、基板（月）を
浸漬させた状態で成長炉を徐冷し、エピタキシャル成長
を行う。エビ、タキシャル成長終了後、スライド可能な
第２の板（８）を矢印Ａの方向にスライドさせ、開孔部
（１０１を介して結晶融液（６）を下段の室（４）の回
収容器（５）に流入させ回収する。
従来の液相エピタキシャル成長装置は以上のように構成
されているので、量産を必要とするＧａ人Ｓ太陽電池の
ような半導体装置のエピタキシャル成長を行う場合、処
理枚数を増加させると成長装置は増々大型化していく為
、処理できる枚数に限界があるという問題点があった。
されているので、量産を必要とするＧａ人Ｓ太陽電池の
ような半導体装置のエピタキシャル成長を行う場合、処
理枚数を増加させると成長装置は増々大型化していく為
、処理できる枚数に限界があるという問題点があった。
この発明は上記の問題点を解消するためになされたもの
で、−度に処理できる枚数を増すことが出来る液相エビ
タキジャ刀、成長装置を得る事を目的としたものである
。
で、−度に処理できる枚数を増すことが出来る液相エビ
タキジャ刀、成長装置を得る事を目的としたものである
。
乙の発明に係る液相エピタキシャル成長装置は、ボー１
−本体（１）を左右の２つに分割し１方は結晶融液（６
）を収納する室、他方を基板（１１）を収納する室（３
）とし、基板収納室（３）を上下の２ケ所とし、結晶融
液（６）を収納する室（２）には左右スライド可能な開
孔部（１４ａ）を有する第１の仕切り板（１４）で蓋を
し、他方、基板収納室（３）は結晶融液（６）を収納す
る室に設けられた第１の仕切り板（１４）と異なる位置
に開孔部（１５ａ）を有する固定式の第２の仕切り板（
１５）を設け、且つ、基板収納室（３）は結晶融液（６
）収納室（２）の内で回転及びビス１−ン移動が可能な
構造としたものである。
−本体（１）を左右の２つに分割し１方は結晶融液（６
）を収納する室、他方を基板（１１）を収納する室（３
）とし、基板収納室（３）を上下の２ケ所とし、結晶融
液（６）を収納する室（２）には左右スライド可能な開
孔部（１４ａ）を有する第１の仕切り板（１４）で蓋を
し、他方、基板収納室（３）は結晶融液（６）を収納す
る室に設けられた第１の仕切り板（１４）と異なる位置
に開孔部（１５ａ）を有する固定式の第２の仕切り板（
１５）を設け、且つ、基板収納室（３）は結晶融液（６
）収納室（２）の内で回転及びビス１−ン移動が可能な
構造としたものである。
この発明における液相エピタキシャル成長装置は、ボー
１−を左右２つの構造とし、１つは結晶融液（６）を収
納する室（２）、他方は基板（６）を収納する室（３）
とする。基板収納室（３）は従来と異なリポート全体が
収納室として使用可能となる為、従来の１段から上下、
２ケ所が基板収納室（３）となる。
１−を左右２つの構造とし、１つは結晶融液（６）を収
納する室（２）、他方は基板（６）を収納する室（３）
とする。基板収納室（３）は従来と異なリポート全体が
収納室として使用可能となる為、従来の１段から上下、
２ケ所が基板収納室（３）となる。
結晶融液（６）を収納する室（２＋と基板収納室（３）
は異なる位置に開孔部を有する２枚の板で分離されてお
り、基板収納室（３）は結晶融液（６）を収納している
室（２）の中で回転、且つ押し込む事が可能である。
は異なる位置に開孔部を有する２枚の板で分離されてお
り、基板収納室（３）は結晶融液（６）を収納している
室（２）の中で回転、且つ押し込む事が可能である。
その為、従来の構造の装置に比べ同程度の大きさであれ
ば２倍近い処理能力が可能となる。
ば２倍近い処理能力が可能となる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す液相エピタキシャル成
長装置の断面図である。図において、（１）はボート本
体、（２）は結晶融液を貯留する室、（３）は基板収納
室、（６）は結晶融液、（１１）は基板、（１４）は開
口部（１４ａ）を有する第１の仕切板、（１５）は第２
の仕切板で、第１の仕切板（１４）と異なる所定の位置
に開口部（１５ａ）が設けられている。
長装置の断面図である。図において、（１）はボート本
体、（２）は結晶融液を貯留する室、（３）は基板収納
室、（６）は結晶融液、（１１）は基板、（１４）は開
口部（１４ａ）を有する第１の仕切板、（１５）は第２
の仕切板で、第１の仕切板（１４）と異なる所定の位置
に開口部（１５ａ）が設けられている。
第２図（ａ）、（ｂ）は第１図における結晶融液（６）
を収納する室（２）と基板収納室（３）を第１と第２の
仕切り板（１４）、 （１５）で分離した断面図である
。
を収納する室（２）と基板収納室（３）を第１と第２の
仕切り板（１４）、 （１５）で分離した断面図である
。
次にエピタキシャル成長の動作について説明する。結晶
融液収納室（２）を垂直に立て、結晶融液（６）を入れ
る。この後、開孔部（１４ａ）を有する第１の仕切り板
（１４）をセットする。この第１の仕切り板（１４）は
結晶融液収納室（２）で左右スライドが可能である。他
方基板収納室（３）の２ケ所に基板（１）をセラ１−シ
開孔部（１５）を有する第２の仕切９板（１５）をセッ
トする。この第２の仕切り板（１５）は基板収納室（３
）に固定する。
融液収納室（２）を垂直に立て、結晶融液（６）を入れ
る。この後、開孔部（１４ａ）を有する第１の仕切り板
（１４）をセットする。この第１の仕切り板（１４）は
結晶融液収納室（２）で左右スライドが可能である。他
方基板収納室（３）の２ケ所に基板（１）をセラ１−シ
開孔部（１５）を有する第２の仕切９板（１５）をセッ
トする。この第２の仕切り板（１５）は基板収納室（３
）に固定する。
この第１と第２仕切り板（１４）と（１５）に設けられ
た開孔部の（１４ａ）と（１５ａ）位置は異なっている
。結晶融液収納室（２）に基板収納室（３１をセラ）・
シた後、ボー１−本体を横にだおす。
た開孔部の（１４ａ）と（１５ａ）位置は異なっている
。結晶融液収納室（２）に基板収納室（３１をセラ）・
シた後、ボー１−本体を横にだおす。
この状態で図示省略した成長炉に挿入し、成長炉を昇温
させる。所定の温度に達すると、基板収納室（３）を回
転させ、第１と第２の仕切り板（１４） （１５）の異
なる開孔部（１４ａ ） （１５ａ ）を一致させ、結
晶融液収容室（２）の結晶融液（６）を基板収容室（３
）に流入させる。このままでは基板（１１）は完全に結
晶融液（６）浸漬しないので、基板収容室（３）を結晶
融液収容室（２）の方向（矢印Ｂ）に押し込み、基板（
１１）を結晶融液（６）に完全に浸漬させて成長炉を徐
冷し、エピタキシャル成長を行う。エピタキシャル成長
終了後基板収容室（３）を矢印Ａの方向に移動し基板（
１１）から結晶融液（６）を分離する。
させる。所定の温度に達すると、基板収納室（３）を回
転させ、第１と第２の仕切り板（１４） （１５）の異
なる開孔部（１４ａ ） （１５ａ ）を一致させ、結
晶融液収容室（２）の結晶融液（６）を基板収容室（３
）に流入させる。このままでは基板（１１）は完全に結
晶融液（６）浸漬しないので、基板収容室（３）を結晶
融液収容室（２）の方向（矢印Ｂ）に押し込み、基板（
１１）を結晶融液（６）に完全に浸漬させて成長炉を徐
冷し、エピタキシャル成長を行う。エピタキシャル成長
終了後基板収容室（３）を矢印Ａの方向に移動し基板（
１１）から結晶融液（６）を分離する。
思上のように、この発明の液相エピタキシャル成長装置
は、筒状のボートを左右２つに分割し、結晶融液収納室
（２）と基板収容室（３）の間を異なる位置に開孔部を
有する第１と第２の仕切り板（１４）。
は、筒状のボートを左右２つに分割し、結晶融液収納室
（２）と基板収容室（３）の間を異なる位置に開孔部を
有する第１と第２の仕切り板（１４）。
（１５）で分離し基板収容室（３）を固定する事により
両者が導通し、基板収容室（３）を結晶融液収容室（２
）に押し込む構造の成長装置により基板収容室が従来の
１段から２段に増すことができ、処理能力を向上できる
という効果がある。
両者が導通し、基板収容室（３）を結晶融液収容室（２
）に押し込む構造の成長装置により基板収容室が従来の
１段から２段に増すことができ、処理能力を向上できる
という効果がある。
第１図はこの発明の一実施例にょる液相エピタキシャル
成長装置を示す断面図、第２図（ａ ） （ｂ ）は第
１図の■−■線で示す断面図、第３図は従来の液相エピ
タキシャル成長装置を示す断面図である。図において、
（１）はボート本体、（２）は結晶融液貯溜室、（３）
は基板収納室、（６）は結晶融液、（１１）は基板、（
１４）は第１の仕切り板、（１４ａ）は開口部、（１５
）は第２の仕切り板、（１５ａ）は開口部である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
成長装置を示す断面図、第２図（ａ ） （ｂ ）は第
１図の■−■線で示す断面図、第３図は従来の液相エピ
タキシャル成長装置を示す断面図である。図において、
（１）はボート本体、（２）は結晶融液貯溜室、（３）
は基板収納室、（６）は結晶融液、（１１）は基板、（
１４）は第１の仕切り板、（１４ａ）は開口部、（１５
）は第２の仕切り板、（１５ａ）は開口部である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 基板を収納する複数の室から成る基板収納室と結晶融
液を収納する室で、前記基板収納室と結晶融液を収納す
る室を仕切る異なる位置に開孔部を有する２枚の板から
成る液相エピタキシャル成長装置に於て、結晶融液を収
納する室に設ける仕切り板は左右移動が可能であり、基
板収納室に設ける仕切り板は固定式とし通常の状態で結
晶融液を分離され、基板収納室を回転する事により２枚
の異なる位置の開孔部が一致することにより結晶融液が
基板収納室に流入し且つ、結晶融液を収納する室に基板
収納室を押し込む事が可能な構造を有することを特徴と
する液相エピタキシャル成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2336142A JPH04202088A (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | 液相エピタキシャル成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2336142A JPH04202088A (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | 液相エピタキシャル成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04202088A true JPH04202088A (ja) | 1992-07-22 |
Family
ID=18296130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2336142A Pending JPH04202088A (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | 液相エピタキシャル成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04202088A (ja) |
-
1990
- 1990-11-29 JP JP2336142A patent/JPH04202088A/ja active Pending
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