JPS6283399A - 液相エピタキシヤル成長用ボ−ト - Google Patents
液相エピタキシヤル成長用ボ−トInfo
- Publication number
- JPS6283399A JPS6283399A JP60222098A JP22209885A JPS6283399A JP S6283399 A JPS6283399 A JP S6283399A JP 60222098 A JP60222098 A JP 60222098A JP 22209885 A JP22209885 A JP 22209885A JP S6283399 A JPS6283399 A JP S6283399A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- epitaxial growth
- liquid phase
- phase epitaxial
- boat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/06—Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
- C30B19/063—Sliding boat system
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、液相エピタキシャル成長用ボートの改良に
関する。
関する。
［従来の技術］
■−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体装置において、液
相エピタキシャル法を用いた量産技術は重要な技術であ
る。特に、素子サイズの大きいＧａＡＳ太陽電池におい
ては、この」産技術は非常に重要であう。
相エピタキシャル法を用いた量産技術は重要な技術であ
る。特に、素子サイズの大きいＧａＡＳ太陽電池におい
ては、この」産技術は非常に重要であう。
第２図は、Ｑａ ＡＳ太陽電池のように量産性を必要と
するものに、従来から用いられている液相エピタキシャ
ル成長用ボートの構成を示す断面図である。
するものに、従来から用いられている液相エピタキシャ
ル成長用ボートの構成を示す断面図である。
第２図において、液相エピタキシャル成長用ボート１は
、上段の第１の室２．中段の第２の掌３および下段の第
３の室４の３段ＩＮ造か成り立っている。第１の室２は
、液相エピタキシャル成長に用いられる結晶融液８を溜
めるものである。第２の室３は、液相エピタキシャル成
長をさせるべき基板９を収納するものである。第３の室
４は液相エピタキシャル成長に用いられた結晶融液を収
納するものであり、その中には引出容器５が挿入される
。第１の室２と第２の室３との間には仕切板６が挿入さ
れ、第２のｖ３と第３の交４との間には、仕切板７が挿
入される。仕切板６には、第１の室２から第２の杢３に
結晶融液８を導入するための開口部１０が設けられてい
る。また、仕切板７には、第２の室３から第３の室４に
結晶融液８を導入するための開口部１１が設けられてい
る。
、上段の第１の室２．中段の第２の掌３および下段の第
３の室４の３段ＩＮ造か成り立っている。第１の室２は
、液相エピタキシャル成長に用いられる結晶融液８を溜
めるものである。第２の室３は、液相エピタキシャル成
長をさせるべき基板９を収納するものである。第３の室
４は液相エピタキシャル成長に用いられた結晶融液を収
納するものであり、その中には引出容器５が挿入される
。第１の室２と第２の室３との間には仕切板６が挿入さ
れ、第２のｖ３と第３の交４との間には、仕切板７が挿
入される。仕切板６には、第１の室２から第２の杢３に
結晶融液８を導入するための開口部１０が設けられてい
る。また、仕切板７には、第２の室３から第３の室４に
結晶融液８を導入するための開口部１１が設けられてい
る。
また、仕切板６の端部には、仕切板６を第１図に示す矢
印六方向に移動させたとき、一定時間の遅れをもって仕
切板７を矢印六方向に移動させるＬ字形板１２が設けら
れている。
印六方向に移動させたとき、一定時間の遅れをもって仕
切板７を矢印六方向に移動させるＬ字形板１２が設けら
れている。
次に、従来の液相エピタキシャル成長用ボートの動作に
ついて説明する。
ついて説明する。
まず、第２図に示した状態でボート本体１を炉内（図示
せず）に入れ、成長温度まで昇温する。
せず）に入れ、成長温度まで昇温する。
炉内が所定の温度に達したとき、仕切板６を第２図に示
す矢印六方向に移動させ、第１の至２に溜めている結晶
融液８を仕切板６に設けている開口部１０を介して、第
２の室３に流入させ、基板９を結晶＠液８に浸漬させる
。この状態で、徐冷すると、基板９の表面にエピタキシ
ャル成長が行なわれる。
す矢印六方向に移動させ、第１の至２に溜めている結晶
融液８を仕切板６に設けている開口部１０を介して、第
２の室３に流入させ、基板９を結晶＠液８に浸漬させる
。この状態で、徐冷すると、基板９の表面にエピタキシ
ャル成長が行なわれる。
液相エピタキシャル成長終了後、仕切板６をさらに矢印
六方向に移動させ、Ｌ字形板１２で仕切板７を連動させ
て、仕切板７に設けられている開口部１１を第２の室３
下に位置させる。これにより、結晶融液８は第２の室３
から第３の室４に流入し、引出容器５に収容される。
六方向に移動させ、Ｌ字形板１２で仕切板７を連動させ
て、仕切板７に設けられている開口部１１を第２の室３
下に位置させる。これにより、結晶融液８は第２の室３
から第３の室４に流入し、引出容器５に収容される。
［発明が解決しようとする問題点〕
従来の液相エピタキシャル成長用ボートは、以上のよう
に構成されており、かつボートの材質として、炭素が用
いられているので、仕切板の［）１に伴って、炭素粉が
発生し、結晶融液を汚染していた。また、結晶融液の中
には、固形の酸化物質が含まれている。このような酸素
粉や酸化物質を含んだ結晶融液を用いた場合には、基板
表面に凹凸が生じるため、液相エピタキシャル成長させ
た基板の表面が不良になるという問題点があった。
に構成されており、かつボートの材質として、炭素が用
いられているので、仕切板の［）１に伴って、炭素粉が
発生し、結晶融液を汚染していた。また、結晶融液の中
には、固形の酸化物質が含まれている。このような酸素
粉や酸化物質を含んだ結晶融液を用いた場合には、基板
表面に凹凸が生じるため、液相エピタキシャル成長させ
た基板の表面が不良になるという問題点があった。
それゆえに、この発明は上述のような問題点を解消する
ためになされたもので、良好な基板表面が得られるよう
な液相エピタキシャル成長用ボートを得ることを目的と
する。
ためになされたもので、良好な基板表面が得られるよう
な液相エピタキシャル成長用ボートを得ることを目的と
する。
［問題点を解決するための手段］
この発明に係る液相エピタキシャル成長用ボートは、第
１の変に溜めている結晶成長に用いられるｌ１ｉｉ晶融
液を、第１の室と第２の窟とを仕切る仕切板に設けられ
ている取入口から取入れ、第２の至に至る経路に設けら
れている？！数の固形物除去手段を介して、結晶成長さ
せるべき基板を収納している第２の室に流入させるよう
にしたものである。
１の変に溜めている結晶成長に用いられるｌ１ｉｉ晶融
液を、第１の室と第２の窟とを仕切る仕切板に設けられ
ている取入口から取入れ、第２の至に至る経路に設けら
れている？！数の固形物除去手段を介して、結晶成長さ
せるべき基板を収納している第２の室に流入させるよう
にしたものである。
［作用コ
この発明の複数の固形物除去手段は、第１の室から取入
れられた結晶融液から固形物を除去するので、良好な液
相エピタキシャル成長表面が得られる。
れられた結晶融液から固形物を除去するので、良好な液
相エピタキシャル成長表面が得られる。
［実施例］
以下、この発明の実施例を図について説明する。
第１図はこの発明の一実施例の液相エピタキシャル成長
用ボートの断面を示ず図である。第１図において、第２
図に示す従来例と同一部分には同−符号を付し、説明を
省略する。仕切板６の開口部１３は、第１図に示す位置
に設けられる。また、第２の室に関連して、結晶融液を
清浄にするためのスリットが形成された隔壁１６が設け
られる。
用ボートの断面を示ず図である。第１図において、第２
図に示す従来例と同一部分には同−符号を付し、説明を
省略する。仕切板６の開口部１３は、第１図に示す位置
に設けられる。また、第２の室に関連して、結晶融液を
清浄にするためのスリットが形成された隔壁１６が設け
られる。
隔壁１６の面する穴１４には、仕切板６に対して、たと
えばほぼ平行に隅１１５が設けられる。この隔壁１５に
も、スリットが形成されている。好ましくは、Ｉｌｌ壁
１５，１６には複数のスリットが形成される。さらに、
仕切板６の関口部１３に瀾まプた結晶融液を収納するた
めの穴１７が設けられる。
えばほぼ平行に隅１１５が設けられる。この隔壁１５に
も、スリットが形成されている。好ましくは、Ｉｌｌ壁
１５，１６には複数のスリットが形成される。さらに、
仕切板６の関口部１３に瀾まプた結晶融液を収納するた
めの穴１７が設けられる。
次に、この実施例のボートを用いて液相エピタキシャル
成長を行なう方法を、（３ａＡｓ太陽ＩＦ池の液相エピ
タキシャル成長を例にとって説明する。
成長を行なう方法を、（３ａＡｓ太陽ＩＦ池の液相エピ
タキシャル成長を例にとって説明する。
仕切板６および仕切板７を摺動させ、第１図に示す所定
の位置にし、Ｇａ Ａｓ ！ＳＳＯ２第２の交３に設置
する。そして、Ｑａ、Ｑａ、Ａ、ｓ、ＡｆＬおよびｚｎ
からなる結晶融液８（飽和（３ａ融液）を第１の室２に
溜めた侵、ボート本体１を炉内の所定の位Ｉｔ（図示せ
ず）に挿入し、所定の成長濃度まで昇温する。炉内が所
定の温度で平行に達したとき、仕切板６を矢印六方向と
は反対方向に摺動させる。すると、第１の室２に瀾めら
れている飽和Ｇａ融液８が開口部１３から穴１４を通り
、第２の室３の側面から、Ｑａ Ａｓ基板９の設置され
ている第２の室３に流入する。
の位置にし、Ｇａ Ａｓ ！ＳＳＯ２第２の交３に設置
する。そして、Ｑａ、Ｑａ、Ａ、ｓ、ＡｆＬおよびｚｎ
からなる結晶融液８（飽和（３ａ融液）を第１の室２に
溜めた侵、ボート本体１を炉内の所定の位Ｉｔ（図示せ
ず）に挿入し、所定の成長濃度まで昇温する。炉内が所
定の温度で平行に達したとき、仕切板６を矢印六方向と
は反対方向に摺動させる。すると、第１の室２に瀾めら
れている飽和Ｇａ融液８が開口部１３から穴１４を通り
、第２の室３の側面から、Ｑａ Ａｓ基板９の設置され
ている第２の室３に流入する。
第１の室には、十分なｌの飽和Ｑａ融液８が貯蔵されて
いるので、すべてのＱａ Ａｓ基板９は飽和Ｇａ融液８
に浸漬される。このとき、飽和Ｑａ融液８はスリットが
形成された隔壁１５および１６を通過するとき濾過され
るので、飽和Ｇａ融液８中の固形物である炭素や酸化物
質は、第１の室２および穴１４に残留する。
いるので、すべてのＱａ Ａｓ基板９は飽和Ｇａ融液８
に浸漬される。このとき、飽和Ｑａ融液８はスリットが
形成された隔壁１５および１６を通過するとき濾過され
るので、飽和Ｇａ融液８中の固形物である炭素や酸化物
質は、第１の室２および穴１４に残留する。
続いて、エピタキシャル成長を行なわせるために、成長
炉の温度を下げ、ボート１を徐冷する。
炉の温度を下げ、ボート１を徐冷する。
ボート１が所定温度まで下がり、所望のエピタキシャル
成長層の厚みが得られたとき、仕切板６を第１図に示す
矢印Ａ方向に摺動させる。すると、Ｌ字形板１２により
仕切板７が連動し、仕切板７に設けられている開口部１
１を介して、第２の室３から第３の室４に結晶融液８が
流入する。第３の交４に流入した結晶融液は引出容器５
に収納される。
成長層の厚みが得られたとき、仕切板６を第１図に示す
矢印Ａ方向に摺動させる。すると、Ｌ字形板１２により
仕切板７が連動し、仕切板７に設けられている開口部１
１を介して、第２の室３から第３の室４に結晶融液８が
流入する。第３の交４に流入した結晶融液は引出容器５
に収納される。
このような構成からなるこの実施例の液相エピタキシャ
ル成長用ボートを用いれば、飽和Ｇａ融液８が第１の室
から、基板が収納されている第２の雫に、スリットが形
成された２つの隔壁を通過して流入するため、飽和（３
ａ融液中の固形物は除去され、正常な融液のみが基板と
接触するので、鏡面で光沢の良いエピタキシャル成長層
が得られる。
ル成長用ボートを用いれば、飽和Ｇａ融液８が第１の室
から、基板が収納されている第２の雫に、スリットが形
成された２つの隔壁を通過して流入するため、飽和（３
ａ融液中の固形物は除去され、正常な融液のみが基板と
接触するので、鏡面で光沢の良いエピタキシャル成長層
が得られる。
なお、上述の実ｆｉ１例では、ＡＬＧａＡＳの液相エピ
タキシャル成長について説明したが、結晶融液および基
板の材質を変えることにより、たとえば（３ａ Ａｓ
、Ｑａ ｐ、Ｉｎ Ｐあるいはｉｎ Ａ９等のエピタキ
シャル成長層を鏡面で光沢の良い状態で得ることができ
る。また上述の実施例では、スリットが形成された２つ
の隔壁のうち、その１つを仕切板６と平行になるように
設けているが、これに限らず、仕切板６の開口部１３を
スリット状にして、隔壁１５と置換えてもよく、その場
合にも同様の効果を得ることができる。
タキシャル成長について説明したが、結晶融液および基
板の材質を変えることにより、たとえば（３ａ Ａｓ
、Ｑａ ｐ、Ｉｎ Ｐあるいはｉｎ Ａ９等のエピタキ
シャル成長層を鏡面で光沢の良い状態で得ることができ
る。また上述の実施例では、スリットが形成された２つ
の隔壁のうち、その１つを仕切板６と平行になるように
設けているが、これに限らず、仕切板６の開口部１３を
スリット状にして、隔壁１５と置換えてもよく、その場
合にも同様の効果を得ることができる。
なお、この実施例では、スリットが形成された２つの隔
壁を互いに垂直に配置しているが、これに限らず互いに
平行に配置してもよく、結晶融液が一方のスリットを通
過した後、他方のスリットを通過するような配置であれ
ばいかなる配置でもよい。この場合において、結晶融液
が先に通過する隔壁の隙間の大きさは、結晶融液が後に
通過する隔壁の隙間の大きさよりも等しいか太き（しな
ければならない。
壁を互いに垂直に配置しているが、これに限らず互いに
平行に配置してもよく、結晶融液が一方のスリットを通
過した後、他方のスリットを通過するような配置であれ
ばいかなる配置でもよい。この場合において、結晶融液
が先に通過する隔壁の隙間の大きさは、結晶融液が後に
通過する隔壁の隙間の大きさよりも等しいか太き（しな
ければならない。
さらに、上述の実施例では、スリットが形成された隔壁
を２つ設けている場合について説明したが、結晶融液の
汚染度（Ｉ！化しやすさ、酸化程度）により、２つ以上
設けてもよい。
を２つ設けている場合について説明したが、結晶融液の
汚染度（Ｉ！化しやすさ、酸化程度）により、２つ以上
設けてもよい。
［発明の効果］
以上のように、この発明によれば、結晶成長に用いられ
る結晶融液は、第１の室から取入れられ、複数の固形物
除去手段を介して、固形物が除去された侵、液相エピタ
キシャル成長させるべき基板が収納された第２の室に導
入されるので、清浄な結晶融液のみが基板と接触するた
め、鏡面なエピタキシャル成長表面が得られ、成長表面
の不良を防止することができる。
る結晶融液は、第１の室から取入れられ、複数の固形物
除去手段を介して、固形物が除去された侵、液相エピタ
キシャル成長させるべき基板が収納された第２の室に導
入されるので、清浄な結晶融液のみが基板と接触するた
め、鏡面なエピタキシャル成長表面が得られ、成長表面
の不良を防止することができる。
第１図はこの発明の一実施例の液相エピタキシャル成長
用ボートの断面を示す図である。第２図は従来の液相エ
ピタキシャル成長用ボートの断面を示す図である。 図において、１はボート本体、２は第１の室、３は第２
の室、４は第３の室、５は引出容器、６および７は仕切
板、８は結晶融液、９は基板、１１Ｊ５よび１３は開口
部、１４は穴、１５および１６はスリットが形成された
隔壁、１７は開口部１３に溜まった結晶融液を収納する
ための穴を示す。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
用ボートの断面を示す図である。第２図は従来の液相エ
ピタキシャル成長用ボートの断面を示す図である。 図において、１はボート本体、２は第１の室、３は第２
の室、４は第３の室、５は引出容器、６および７は仕切
板、８は結晶融液、９は基板、１１Ｊ５よび１３は開口
部、１４は穴、１５および１６はスリットが形成された
隔壁、１７は開口部１３に溜まった結晶融液を収納する
ための穴を示す。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (3)
- （１）結晶成長に用いられる結晶融液を溜めるための第
１の室と、 前記第１の室の下方に隣接して設けられ、液相エピタキ
シャル成長させるべき基板を収納するための第２の室と
、 摺動自在であつて、前記第１の室と前記第２の室とを仕
切り、かつ前記結晶融液を前記第１の室から取り入れる
ための取入口が設けられた仕切板と、 前記第１の室から前記取入口を介して、前記第２の室に
至る経路に設けられ、前記結晶融液から固形物を除去す
るための複数の固形物除去手段とを備えたことを特徴と
する液相エピタキシャル成長用ボート。 - （２）前記複数の固形物除去手段は、第１および第２の
隔壁を含み、 前記第１および第２の隔壁には、前記結晶融液に含まれ
る固形物の通過を防止して、清浄な融液のみを通過させ
るための複数の間隙が設けられていて、 前記第１の隔壁は、前記第２の室に関連して、かつ前記
仕切板に対し、ほぼ垂直に設けられ、前記第２の隔壁は
、前記仕切板に対し、ほぼ平行に設けられることを特徴
とする、特許請求の範囲第１項記載の液相エピタキシャ
ル成長用ボート。 - （３）前記複数の固形物除去手段は、 前記第２の室に関連して、かつ前記仕切板に対し、ほぼ
垂直に設けられ、かつ複数の間隙が形成された隔壁と、 前記仕切板の前記取入口に形成された複数の間隙とを含
む、特許請求の範囲第１項記載の液相エピタキシャル成
長用ボート。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60222098A JPS6283399A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 液相エピタキシヤル成長用ボ−ト |
| US06/904,706 US4768463A (en) | 1985-10-04 | 1986-09-08 | Boat for liquid phase epitaxial growth |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60222098A JPS6283399A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 液相エピタキシヤル成長用ボ−ト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6283399A true JPS6283399A (ja) | 1987-04-16 |
| JPH0260640B2 JPH0260640B2 (ja) | 1990-12-17 |
Family
ID=16777102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60222098A Granted JPS6283399A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 液相エピタキシヤル成長用ボ−ト |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4768463A (ja) |
| JP (1) | JPS6283399A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7182192B2 (en) | 2004-11-08 | 2007-02-27 | Lexmark International, Inc. | Clutch mechanism and method for moving media within an image forming apparatus |
| US20100102419A1 (en) * | 2008-10-28 | 2010-04-29 | Eric Ting-Shan Pan | Epitaxy-Level Packaging (ELP) System |
| US8193078B2 (en) * | 2008-10-28 | 2012-06-05 | Athenaeum, Llc | Method of integrating epitaxial film onto assembly substrate |
| US7905197B2 (en) | 2008-10-28 | 2011-03-15 | Athenaeum, Llc | Apparatus for making epitaxial film |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4843425A (ja) * | 1971-10-05 | 1973-06-23 | ||
| JPS5734099A (en) * | 1980-08-06 | 1982-02-24 | Mitsubishi Electric Corp | Epitaxial growth of liquid phase |
| JPS6077193A (ja) * | 1983-10-03 | 1985-05-01 | Mitsubishi Electric Corp | 液相エピタキシヤル結晶成長装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5120081A (en) * | 1974-08-12 | 1976-02-17 | Hitachi Ltd | Ketsushoseichohoho oyobi sochi |
| SE443583B (sv) * | 1982-11-12 | 1986-03-03 | Ericsson Telefon Ab L M | Anordning vid vetskefasepitaxi |
| US4574730A (en) * | 1984-02-27 | 1986-03-11 | Northern Telecom Limited | Melt dispensing liquid phase epitaxy boat |
-
1985
- 1985-10-04 JP JP60222098A patent/JPS6283399A/ja active Granted
-
1986
- 1986-09-08 US US06/904,706 patent/US4768463A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4843425A (ja) * | 1971-10-05 | 1973-06-23 | ||
| JPS5734099A (en) * | 1980-08-06 | 1982-02-24 | Mitsubishi Electric Corp | Epitaxial growth of liquid phase |
| JPS6077193A (ja) * | 1983-10-03 | 1985-05-01 | Mitsubishi Electric Corp | 液相エピタキシヤル結晶成長装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4768463A (en) | 1988-09-06 |
| JPH0260640B2 (ja) | 1990-12-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6283399A (ja) | 液相エピタキシヤル成長用ボ−ト | |
| JPH09134952A (ja) | ウェハ状物体の搬送コンテナ | |
| JPH03227014A (ja) | 液相エピタキシャル成長装置 | |
| JPH0260053B2 (ja) | ||
| JPS61177436A (ja) | 液晶表示素子の製造方法 | |
| JPS58120600A (ja) | ３―ｖ族化合物半導体のエピタキシカル成長方法 | |
| JPS6273625A (ja) | 液相エピタキシヤル成長装置 | |
| JPS61270818A (ja) | 液相エピタキシヤル成長装置 | |
| JPH043101B2 (ja) | ||
| JPH04202088A (ja) | 液相エピタキシャル成長装置 | |
| JPS6024079B2 (ja) | 液相エピタキシヤル成長装置 | |
| JPS626337B2 (ja) | ||
| JPH0867595A (ja) | 液相成長方法及び装置 | |
| JPS6077193A (ja) | 液相エピタキシヤル結晶成長装置 | |
| JPH04151829A (ja) | シリコンウエハ洗浄用ウエハキャリア | |
| JPH02174909A (ja) | 排ガス集じん用フイルター装置 | |
| JPH0414816A (ja) | 液相エピタキシャル成長装置 | |
| CN111760612A (zh) | 一种多功能离心管架 | |
| JPH0571558B2 (ja) | ||
| JPS61248520A (ja) | 液相エピタキシヤル成長装置 | |
| JPS59101823A (ja) | 液相エピタキシヤル成長装置 | |
| JPH0580439B2 (ja) | ||
| JPH04190890A (ja) | 汚水処理装置 | |
| JPS63182291A (ja) | 液相エピタキシヤル成長装置 | |
| JPS62296416A (ja) | 液相エピタキシヤル成長方法 |