JPH04204851A - 電子写真感光体 - Google Patents
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Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、複写機などの画像形成装置において好適に使
用される電子写真感光体に関する。
用される電子写真感光体に関する。
(従来の技術と発明が解決しようとする問題点)近年複
写機などの画像形成装置における電子写真感光体として
、機能設計の面で自由度が大きな有機感光体が使用され
ている。中でも光照射により電荷を発生する電荷発生材
料と、発生した電荷を輸送する電荷輸送材料とに各機能
を分離することにより、それぞれの材料を広い範囲から
選択できる機能分離型電子写真感光体が提案されている
。
写機などの画像形成装置における電子写真感光体として
、機能設計の面で自由度が大きな有機感光体が使用され
ている。中でも光照射により電荷を発生する電荷発生材
料と、発生した電荷を輸送する電荷輸送材料とに各機能
を分離することにより、それぞれの材料を広い範囲から
選択できる機能分離型電子写真感光体が提案されている
。
例えば、電荷発生材料と電荷輸送材料と結着樹脂とを含
有する単層型感光体や、上記電荷発生材料と結着樹脂を
含有する電荷発生層と、電荷輸送材料と結着樹脂とを含
有する電荷輸送層とが積層された積層型感光体がある。
有する単層型感光体や、上記電荷発生材料と結着樹脂を
含有する電荷発生層と、電荷輸送材料と結着樹脂とを含
有する電荷輸送層とが積層された積層型感光体がある。
上記機能分離型電子写真感光体の電子写真特性のうち感
度特性は、電荷発生材料の電荷発生効率により左右され
る。しかしながら上記電荷発生効率を上げる為に、−層
中の電荷発生材料比を多くすると、繰り返し特性や帯電
能は逆に悪くなるという問題点があった。
度特性は、電荷発生材料の電荷発生効率により左右され
る。しかしながら上記電荷発生効率を上げる為に、−層
中の電荷発生材料比を多くすると、繰り返し特性や帯電
能は逆に悪くなるという問題点があった。
更に、用いる材料の組み合わせにより電子写真特性が大
きく左右されることから、従来から種々の材料の組み合
わせが試みられている。
きく左右されることから、従来から種々の材料の組み合
わせが試みられている。
一方、近年ハロゲンランプを光源として、光照射部(原
稿の背景部)の電荷を消して静電潜像を形成するアナロ
グ用感光体に用いられる光導電性物質に関して、ハロゲ
ンランプの発振波長である可視光領域において高感度で
ある光導電性物質や、半導体レーザーを光源とし、原稿
の画像を一度信号に変換し、レーザのON、OFFで画
像を再現することから、装置を小型化できるとともに、
高速にて高品質の画像をノンインパクト方式で形成する
ことができるなどの利点を有するデジタル用感光体に用
いられる光導電性物質に関して、半導体レーザーの発振
波長である、約700〜820nmの波長領域において
高感度である物質が種々検討されている。
稿の背景部)の電荷を消して静電潜像を形成するアナロ
グ用感光体に用いられる光導電性物質に関して、ハロゲ
ンランプの発振波長である可視光領域において高感度で
ある光導電性物質や、半導体レーザーを光源とし、原稿
の画像を一度信号に変換し、レーザのON、OFFで画
像を再現することから、装置を小型化できるとともに、
高速にて高品質の画像をノンインパクト方式で形成する
ことができるなどの利点を有するデジタル用感光体に用
いられる光導電性物質に関して、半導体レーザーの発振
波長である、約700〜820nmの波長領域において
高感度である物質が種々検討されている。
そこで、アナログにもデジタルにも用いることができる
400nm〜900nmの波長域に感度を有する、ピロ
ロピロール系化合物(特開昭61−162555号公報
)が提案されている。
400nm〜900nmの波長域に感度を有する、ピロ
ロピロール系化合物(特開昭61−162555号公報
)が提案されている。
しかしながら、上記ピロロピロール系化合物のイオン化
ポテンシャル値は5.46eVと小さい。
ポテンシャル値は5.46eVと小さい。
従って、導電性基体上に上記ピロロピロール系化合物を
含有する電荷発生層を形成した構成では、導電性基体側
からの電荷の注入を容易に受けてしまい、帯電能の低下
を引き起こし、未だ十分な電子写真特性が得られないと
いう問題点がある。
含有する電荷発生層を形成した構成では、導電性基体側
からの電荷の注入を容易に受けてしまい、帯電能の低下
を引き起こし、未だ十分な電子写真特性が得られないと
いう問題点がある。
(発明の目的)
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、帯電
能に優れ、高感度で暗減衰が小さな、ピロロピロール系
化合物を含有する電子写真感光体を提供することを目的
とする。
能に優れ、高感度で暗減衰が小さな、ピロロピロール系
化合物を含有する電子写真感光体を提供することを目的
とする。
(問題点を解決するための手段および作用)本発明は、
導電性基体上に、ペリレン系化合物あるいはアンスアン
スロン系化合物のうち少なくとも一方を含有する第一の
電荷発生層、ピロロピロール系化合物を含有する第二の
電荷発生層、および電荷輸送層を順次形成した電子写真
感光体により上記目的を達成した。
導電性基体上に、ペリレン系化合物あるいはアンスアン
スロン系化合物のうち少なくとも一方を含有する第一の
電荷発生層、ピロロピロール系化合物を含有する第二の
電荷発生層、および電荷輸送層を順次形成した電子写真
感光体により上記目的を達成した。
本発明者らは鋭意研究の結果、導電性基体とピロロピロ
ール系化合物を含有する電荷発生層との間に、ピロロピ
ロール系化合物よりもイオン化ポテンシャル値の高い電
荷発生物質を含有する電荷発生層を介在させる構成とす
ることで、導電性基体側からの電荷の注入をブロックで
き、さらに電荷発生層を二層とすることで電荷発生材料
含有量を多くしたとしても、−層中の電荷発生材料比を
多くした時に生じる繰り返し特性や帯電能の悪化が生じ
ることなく高感度化できることを見出した。
ール系化合物を含有する電荷発生層との間に、ピロロピ
ロール系化合物よりもイオン化ポテンシャル値の高い電
荷発生物質を含有する電荷発生層を介在させる構成とす
ることで、導電性基体側からの電荷の注入をブロックで
き、さらに電荷発生層を二層とすることで電荷発生材料
含有量を多くしたとしても、−層中の電荷発生材料比を
多くした時に生じる繰り返し特性や帯電能の悪化が生じ
ることなく高感度化できることを見出した。
(好適態様)
本発明の電子写真感光体は、結着樹脂、電荷発生材料と
してのペリレン系化合物あるいはアンスアンスロン系化
合物と溶剤等を混合した第一の電荷発生層用塗布液、結
着樹脂、電荷発生材料としてのピロロピロール系化合物
と溶剤等を混合した第二の電荷発生層用塗布液、結着樹
脂、電荷輸送材料と溶剤等を混合した電荷輸送層用塗布
液を調整し、これらの塗布液を導電性基体上にそれぞれ
塗布、乾燥して順次積層させることで作製できる。
してのペリレン系化合物あるいはアンスアンスロン系化
合物と溶剤等を混合した第一の電荷発生層用塗布液、結
着樹脂、電荷発生材料としてのピロロピロール系化合物
と溶剤等を混合した第二の電荷発生層用塗布液、結着樹
脂、電荷輸送材料と溶剤等を混合した電荷輸送層用塗布
液を調整し、これらの塗布液を導電性基体上にそれぞれ
塗布、乾燥して順次積層させることで作製できる。
第一の電荷発生層に用いられる電荷発生材料としては、
下記一般式(1)、(If)で表されるペリレン系化合
物および下記一般式[I[[)で表されるアンスアンス
ロン系化合物が例示される。
下記一般式(1)、(If)で表されるペリレン系化合
物および下記一般式[I[[)で表されるアンスアンス
ロン系化合物が例示される。
(以下余白)
(式中、R1、R2は、アルキル基、アルコキシ基、置
換基を有してもよいアリール基、アラルキル基、フェノ
キシ基を示す) (Xは、下記置換基を示す) (式中、R3はハロゲン原子、アルコキシ基を示し、k
は0〜4の整数を示す) 前記一般式〔I〕中のR’ 、R”のうちアルキル基と
しては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブ
チル、イソブチル、tert−ブチル、ペンチル、ヘキ
シル基などの炭素数1〜6のアルキル基が例示される。
換基を有してもよいアリール基、アラルキル基、フェノ
キシ基を示す) (Xは、下記置換基を示す) (式中、R3はハロゲン原子、アルコキシ基を示し、k
は0〜4の整数を示す) 前記一般式〔I〕中のR’ 、R”のうちアルキル基と
しては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブ
チル、イソブチル、tert−ブチル、ペンチル、ヘキ
シル基などの炭素数1〜6のアルキル基が例示される。
アルコキシ基としては、メトキシ、エトキシ、プロポキ
シ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、ter
t−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプ
チルオキシ、オクチルオキシ、ノニルオキシ、デシルオ
キシ、ウンデシルオキシ、ドデシルオキシ、ステアリル
オキシ基などが例示される。
シ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、ter
t−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプ
チルオキシ、オクチルオキシ、ノニルオキシ、デシルオ
キシ、ウンデシルオキシ、ドデシルオキシ、ステアリル
オキシ基などが例示される。
アリール基としては、フェニル、ナフチル、アントリル
、フエナントリル、フルオレニル、1−ピレニル基など
が例示され、中でもフェニル基が好ましい。
、フエナントリル、フルオレニル、1−ピレニル基など
が例示され、中でもフェニル基が好ましい。
アラルキル基としては、ベンジル、フェニルエチル、ナ
フチルメチル基などが例示される。
フチルメチル基などが例示される。
置換基を有していてもよいアリール基、アラルキル基ま
たはフェノキン基における置換基としては、ハロゲン原
子、ハロゲン原子を有する低級アルキル基、シアノ基、
アルキル基、アルコキシ基、ジアルキルアミノ基からな
る群から選ばれた置換基等が例示される。
たはフェノキン基における置換基としては、ハロゲン原
子、ハロゲン原子を有する低級アルキル基、シアノ基、
アルキル基、アルコキシ基、ジアルキルアミノ基からな
る群から選ばれた置換基等が例示される。
具体的には、N、 N″−ジ(3,5−ジメチルフェ
ニル)ペリレン−3,4,9,10−テトラカルボキシ
ジイミド、N、 N’ −ジ(3−メチル−5−エチ
ルフェニル)ペリレン−3,4,9゜10−テトラカル
ボキシジイミド、N、 N’ −ジ(3,5−ジエ
チルフェニル)ペリレン−3,4゜9.10−テトラカ
ルボキシジイミド、N、 N’−ジ(3,5−ジプロ
ピルフェニル)ペリレン−3,4,9,10−テトラカ
ルボキシジイミド、N、N’−ジ(3,5−ジイソプロ
ピルフェニル)ペリレン−3,4,9,10−テトラカ
ルボキシジイミド、N、 N’ −ジ(3−メチル−
5−イソプロピルフェニル)ペリレン−3,4,9゜1
0−テトラカルボキシジイミド、N、 N’ −ジ
(3,5−ジブチルフェニル)ペリレン−3,4゜9.
10−テトラカルボキシジイミド、N、 N’−ジ(
3,5−ジーtert−ブチルフェニル)ペリレン−3
,4,9,10−テトラカルボキシジイミド、N、 N
’−ジ(3,5−ジエチルフェニル)ペリレン−3,4
,9,10−テトラカルボキシジイミド、N、 N’−
ジ(3,5−ジエチルフェニル)ペリレン−3,4,9
,10−テトラカルボキシジイミド、N、 N’ −
ジ(プロピル)ペリレン−3,4,9,10−テトラカ
ルボキシジイミド、N、 N’ −ジ(フェネチル)
ペリレン−3,4,9,10−テトラカルボキシジイミ
ド、N、 N’ −ジ(フェニルオキシエチル)ペリ
レン−3,4,9,10−テトラカルボキシジイミド、
N、 N’−ビス(3,4−ジメチルベンズイミダゾー
ル)ペリレン、N、 N’ −ビス(2,3−ナフタレ
ンイミダゾール)ペリレン等が例示される。
ニル)ペリレン−3,4,9,10−テトラカルボキシ
ジイミド、N、 N’ −ジ(3−メチル−5−エチ
ルフェニル)ペリレン−3,4,9゜10−テトラカル
ボキシジイミド、N、 N’ −ジ(3,5−ジエ
チルフェニル)ペリレン−3,4゜9.10−テトラカ
ルボキシジイミド、N、 N’−ジ(3,5−ジプロ
ピルフェニル)ペリレン−3,4,9,10−テトラカ
ルボキシジイミド、N、N’−ジ(3,5−ジイソプロ
ピルフェニル)ペリレン−3,4,9,10−テトラカ
ルボキシジイミド、N、 N’ −ジ(3−メチル−
5−イソプロピルフェニル)ペリレン−3,4,9゜1
0−テトラカルボキシジイミド、N、 N’ −ジ
(3,5−ジブチルフェニル)ペリレン−3,4゜9.
10−テトラカルボキシジイミド、N、 N’−ジ(
3,5−ジーtert−ブチルフェニル)ペリレン−3
,4,9,10−テトラカルボキシジイミド、N、 N
’−ジ(3,5−ジエチルフェニル)ペリレン−3,4
,9,10−テトラカルボキシジイミド、N、 N’−
ジ(3,5−ジエチルフェニル)ペリレン−3,4,9
,10−テトラカルボキシジイミド、N、 N’ −
ジ(プロピル)ペリレン−3,4,9,10−テトラカ
ルボキシジイミド、N、 N’ −ジ(フェネチル)
ペリレン−3,4,9,10−テトラカルボキシジイミ
ド、N、 N’ −ジ(フェニルオキシエチル)ペリ
レン−3,4,9,10−テトラカルボキシジイミド、
N、 N’−ビス(3,4−ジメチルベンズイミダゾー
ル)ペリレン、N、 N’ −ビス(2,3−ナフタレ
ンイミダゾール)ペリレン等が例示される。
前記一般式(III)中のR3のうちハロゲン原子とし
ては、弗素、臭素、ヨウ素が例示される。上記ハロゲン
原子のうち、塩素または臭素が好ましい。
ては、弗素、臭素、ヨウ素が例示される。上記ハロゲン
原子のうち、塩素または臭素が好ましい。
また、アルコキシ基としては、メトキシ、エトキシ、プ
ロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、
tert−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ
基等の炭素数1〜6のアルコキシ基が例示される。
ロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、
tert−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ
基等の炭素数1〜6のアルコキシ基が例示される。
具体的には、ジベンゾ(def、mno)クリセン−6
,12−ジオン、2,8−ジクロロ−ジベンゾ[def
、mno]クリセン−6,12−ジオン、4,10−ジ
クロロ−ジベンゾ(def。
,12−ジオン、2,8−ジクロロ−ジベンゾ[def
、mno]クリセン−6,12−ジオン、4,10−ジ
クロロ−ジベンゾ(def。
mno)クリセン−6,12−ジオン、2.4゜8.1
0−テトラクロロ−ジベンゾ(def、mnO〕クリセ
ン−6,12−ジオン、2,8−ジブロモ−ジベンゾ(
def、mno)クリセン−6,12−ジオン、4.1
0−ジブロモ−ジベンゾ(def、mno)クリセン−
6,12−ジオン、2,4,8.10−テトラブロモ−
ジベンゾ(def、mno)クリセン−6,12−ジオ
ン、2.8−ジクロロ−4,10−ジブロモ−ジベンゾ
(def、mno)クリセン−6,12−ジオン、2.
8−ジメトキシージベンゾ(def、mno)クリセン
−6,12−ジオン、4.10−ジメトキシ−ジベンゾ
(def、mnolクリセン−6,12−ジオン、2,
8−ジエトキシージベンゾ(def、mn、o)クリセ
ン−6,12−ジオン、4,10−ジェトキシ−ジベン
ゾ(def、mno)クリセン−6,12−ジオン、2
゜4.8.10−テトラメトキシ−ジベンゾ[def、
mno]クリセン−6,12−ジオン、2゜4.8.1
0−テトラエトキシ−ジベンゾ(def、mno)クリ
セン−6,12−ジオン、2゜8−ジメトキシ−4,1
0−ジェトキシ−ジベンゾ(def、mno)クリセン
−6,12−ジオン、4.10−ジプロポキシ−ジベン
ゾ(def。
0−テトラクロロ−ジベンゾ(def、mnO〕クリセ
ン−6,12−ジオン、2,8−ジブロモ−ジベンゾ(
def、mno)クリセン−6,12−ジオン、4.1
0−ジブロモ−ジベンゾ(def、mno)クリセン−
6,12−ジオン、2,4,8.10−テトラブロモ−
ジベンゾ(def、mno)クリセン−6,12−ジオ
ン、2.8−ジクロロ−4,10−ジブロモ−ジベンゾ
(def、mno)クリセン−6,12−ジオン、2.
8−ジメトキシージベンゾ(def、mno)クリセン
−6,12−ジオン、4.10−ジメトキシ−ジベンゾ
(def、mnolクリセン−6,12−ジオン、2,
8−ジエトキシージベンゾ(def、mn、o)クリセ
ン−6,12−ジオン、4,10−ジェトキシ−ジベン
ゾ(def、mno)クリセン−6,12−ジオン、2
゜4.8.10−テトラメトキシ−ジベンゾ[def、
mno]クリセン−6,12−ジオン、2゜4.8.1
0−テトラエトキシ−ジベンゾ(def、mno)クリ
セン−6,12−ジオン、2゜8−ジメトキシ−4,1
0−ジェトキシ−ジベンゾ(def、mno)クリセン
−6,12−ジオン、4.10−ジプロポキシ−ジベン
ゾ(def。
−mno)クリセン−6,12−ジオン、4,1〇−ジ
イソプロポキシ−ジベンゾ[def、mnO]クリセン
−6,12−ジオン、4.10−ジブトキシ−ジベンゾ
(def、mno)クリセン−6,12−ジオン、4,
10−ジイソブトキシ−ジベンゾ(def、mno)ク
リセン−6,12−ジオン、4.10−ジーtert−
ブトキシージベンゾ[def、mno)クリセン−6,
12−ジオン、4,10−ジベンチルオキシージヘンゾ
(def、mno)クリセン−6,12−ジオン、4,
10−ジヘキシルオキシージベンゾ(def、mno)
クリセン−6,12−ジオン等が例示される。上記アン
スアンスロン系化合物のうち、特に、4.10−ジブロ
モ−ジベンゾ(def、mno)クリセン−6,12−
ジオンが好ましい。
イソプロポキシ−ジベンゾ[def、mnO]クリセン
−6,12−ジオン、4.10−ジブトキシ−ジベンゾ
(def、mno)クリセン−6,12−ジオン、4,
10−ジイソブトキシ−ジベンゾ(def、mno)ク
リセン−6,12−ジオン、4.10−ジーtert−
ブトキシージベンゾ[def、mno)クリセン−6,
12−ジオン、4,10−ジベンチルオキシージヘンゾ
(def、mno)クリセン−6,12−ジオン、4,
10−ジヘキシルオキシージベンゾ(def、mno)
クリセン−6,12−ジオン等が例示される。上記アン
スアンスロン系化合物のうち、特に、4.10−ジブロ
モ−ジベンゾ(def、mno)クリセン−6,12−
ジオンが好ましい。
結着樹脂としては、種々のもの、例えば、スチレン系重
合体、アクリル系重合体、スチレン−アクリル系重合体
、エチレン−酢酸ビニル共重合体等のオレフィン系重合
体、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体
、ポリエステル、アルキッド樹脂、ポリアミド、ポリウ
レタン、エポキシ樹脂、ポリ(4,4’ −シクロへ
キシリデンジフェニル)カーボネート等のポリカーボネ
ート、ボリアリレート、ポリスルホン、ジアリルフタレ
ート、シリコーン樹脂、ケトン樹脂、ポリビニルブチラ
ール樹脂、ポリエーテル樹脂、フェノール樹脂や、エポ
キシアクリレート等の光硬化型樹脂等、各種の重合体が
使用できる。
合体、アクリル系重合体、スチレン−アクリル系重合体
、エチレン−酢酸ビニル共重合体等のオレフィン系重合
体、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体
、ポリエステル、アルキッド樹脂、ポリアミド、ポリウ
レタン、エポキシ樹脂、ポリ(4,4’ −シクロへ
キシリデンジフェニル)カーボネート等のポリカーボネ
ート、ボリアリレート、ポリスルホン、ジアリルフタレ
ート、シリコーン樹脂、ケトン樹脂、ポリビニルブチラ
ール樹脂、ポリエーテル樹脂、フェノール樹脂や、エポ
キシアクリレート等の光硬化型樹脂等、各種の重合体が
使用できる。
第一の電荷発生層を構成する電荷発生材料と結着樹脂と
は種々の割合で使用することができるが、結着樹脂10
0重量部に対して、電荷発生材料30〜1000重量部
、特に70〜500重量部の割合で用いるのが好ましい
、電荷発生材料が30重量部未満であると感度が不十分
であり、1000重量部を超えると電荷保持能力低下等
の問題がある。また、第一の電荷発生層は、適宜の膜厚
を有していてもよいが0. 1 〜5μm1特に0゜2
〜2μm程度に形成されるのが好ましい。
は種々の割合で使用することができるが、結着樹脂10
0重量部に対して、電荷発生材料30〜1000重量部
、特に70〜500重量部の割合で用いるのが好ましい
、電荷発生材料が30重量部未満であると感度が不十分
であり、1000重量部を超えると電荷保持能力低下等
の問題がある。また、第一の電荷発生層は、適宜の膜厚
を有していてもよいが0. 1 〜5μm1特に0゜2
〜2μm程度に形成されるのが好ましい。
第二の電荷発生層に用いられる電荷発生材料としては、
下記一般式(IV)で表されるピロロピロール系化合物
が例示される。
下記一般式(IV)で表されるピロロピロール系化合物
が例示される。
(式中、R4およびR5は、同一または異なって、置換
基を有していてもよいアリール基またはアラルキル基、
複素環基を示し、R6およびR7は同一または異なって
、水素原子、アルキル基、置換基を有していてもよいア
リール基を示す。)前記一般式(IV)中のR4および
R5のアリール基としては、フェニル、ナフチル、アン
トリル、フエナントリル、フルオレニル、1−ピレニル
基などが例示され、中でもフェニル基が好ましい。
基を有していてもよいアリール基またはアラルキル基、
複素環基を示し、R6およびR7は同一または異なって
、水素原子、アルキル基、置換基を有していてもよいア
リール基を示す。)前記一般式(IV)中のR4および
R5のアリール基としては、フェニル、ナフチル、アン
トリル、フエナントリル、フルオレニル、1−ピレニル
基などが例示され、中でもフェニル基が好ましい。
アラルキル基としては、ベンジル、フェニルエチル、ナ
フチルメチル基などが例示される。
フチルメチル基などが例示される。
置換基を有していてもよいアリール基またはアラルキル
基における置換基としては、ハロゲン原子、ハロゲン原
子を有する低級アルキル基、シアノ基、アルキル基、ア
ルコキシ基、ジアルキルアミノ基からなる群から選ばれ
た置換基等が例示される。
基における置換基としては、ハロゲン原子、ハロゲン原
子を有する低級アルキル基、シアノ基、アルキル基、ア
ルコキシ基、ジアルキルアミノ基からなる群から選ばれ
た置換基等が例示される。
上記ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ
素が例示され、塩素または臭素原子が好ましい。
素が例示され、塩素または臭素原子が好ましい。
また、ハロゲン原子を有するアルキル基とじては、クロ
ロメチル、ジクロロメチル、トリクロロメチル、2−ク
ロロエチル、2.2−ジクロロエチル、2,2.2−ト
リクロロエチル、トリフルオロメチル基などが例示され
る。
ロメチル、ジクロロメチル、トリクロロメチル、2−ク
ロロエチル、2.2−ジクロロエチル、2,2.2−ト
リクロロエチル、トリフルオロメチル基などが例示され
る。
アルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、イソ
プロピル、ブチル、イソブチル、tert−ブチル、ペ
ンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシ
ル、ウンデシル、ドデシル、ステアリル基等の炭素数1
〜18のアルキル基が例示される。上記アルキル基のう
ち、炭素数1〜12の直鎖または分岐鎖アルキル基、特
に、炭素数1〜6の直鎖または分岐鎖の低級アルキル基
、中でも炭素数1〜4の直鎖または分岐鎖の低級アルキ
ル基が好ましい。
プロピル、ブチル、イソブチル、tert−ブチル、ペ
ンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシ
ル、ウンデシル、ドデシル、ステアリル基等の炭素数1
〜18のアルキル基が例示される。上記アルキル基のう
ち、炭素数1〜12の直鎖または分岐鎖アルキル基、特
に、炭素数1〜6の直鎖または分岐鎖の低級アルキル基
、中でも炭素数1〜4の直鎖または分岐鎖の低級アルキ
ル基が好ましい。
アルコキシ基としては、メトキシ、エトキシ、プロポキ
シ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、ter
t−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプ
チルオキシ、オクチルオキシ、ノニルオキシ、デシルオ
キシ、ウンデシルオキシ、ドデシルオキシ、ステアリル
オキシ基などが例示される。上記アルコキシ基のうち、
炭素数1〜12の直鎖または分岐鎖アルコキシ基、特に
、炭素数1〜6の直鎖または分岐鎖の低級アルコキシ基
、中でも炭素数1〜4の直鎖または分岐鎖の低級アルコ
キシ基が好ましい。
シ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、ter
t−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプ
チルオキシ、オクチルオキシ、ノニルオキシ、デシルオ
キシ、ウンデシルオキシ、ドデシルオキシ、ステアリル
オキシ基などが例示される。上記アルコキシ基のうち、
炭素数1〜12の直鎖または分岐鎖アルコキシ基、特に
、炭素数1〜6の直鎖または分岐鎖の低級アルコキシ基
、中でも炭素数1〜4の直鎖または分岐鎖の低級アルコ
キシ基が好ましい。
ジアルキルアミノ基としては、ジメチルアミノ、ジエチ
ルアミノ、メチルエチルアミノ、ジプロピルアミノ、ジ
イソプロピルアミノ、ジブチルアミノ、ジイソブチルア
ミノ、ジーt e r t−ブチルアミノ、ジエチルア
ミノ、ジアキルアミノ基などのアルキル部分の炭素数が
1〜6のジアルキルアミノ基が例示される。
ルアミノ、メチルエチルアミノ、ジプロピルアミノ、ジ
イソプロピルアミノ、ジブチルアミノ、ジイソブチルア
ミノ、ジーt e r t−ブチルアミノ、ジエチルア
ミノ、ジアキルアミノ基などのアルキル部分の炭素数が
1〜6のジアルキルアミノ基が例示される。
複素環基としては、チエニル、チアントレニル、フリル
、ピラニル、イソベンゾフラニル、クロメニル、キサン
テニル、フェノキサチイニル、ピロリル、イミダゾリル
、ピラゾリル、イソチアゾリル、イソオキサシリル、イ
ソドリニル、イソインドリル、インドリル、イミダゾリ
ル、プリニル、ピリジル、ピラジニル、ピリミジニル、
ピリダジニル、キナリニル、イソキノリル、キノリル、
フタラジニル、ナフチリジニル、キノキサリニル、キナ
ゾリニル、シンノリニル、プテリジニル、カルバゾリル
、カルボリニル、フエナントリシェル、アクリジニル、
ペリミジニル、フエナントロリニル、フタラジニル、フ
ェナルサジニル、フェノチアジニル、フラザニル、フェ
ノキサジニル、イソクロマニル、クロマニル、ピロリジ
ニル、ピロリニル、イミダゾリジニル、イミダゾリニル
、ピラゾリジニル、ピラゾリニル、ピペリジル、ピペリ
ジノ、ピペラジニル、インドリニル、イソインドリニル
、キヌクリジニル、ホルホリニル、ホルホリノ基、また
は上記複素環基を有する化合物とアリール化合物とがオ
ルソまたはべり縮合した縮合複素環系化合物の縮合複素
環基などが例示される。
、ピラニル、イソベンゾフラニル、クロメニル、キサン
テニル、フェノキサチイニル、ピロリル、イミダゾリル
、ピラゾリル、イソチアゾリル、イソオキサシリル、イ
ソドリニル、イソインドリル、インドリル、イミダゾリ
ル、プリニル、ピリジル、ピラジニル、ピリミジニル、
ピリダジニル、キナリニル、イソキノリル、キノリル、
フタラジニル、ナフチリジニル、キノキサリニル、キナ
ゾリニル、シンノリニル、プテリジニル、カルバゾリル
、カルボリニル、フエナントリシェル、アクリジニル、
ペリミジニル、フエナントロリニル、フタラジニル、フ
ェナルサジニル、フェノチアジニル、フラザニル、フェ
ノキサジニル、イソクロマニル、クロマニル、ピロリジ
ニル、ピロリニル、イミダゾリジニル、イミダゾリニル
、ピラゾリジニル、ピラゾリニル、ピペリジル、ピペリ
ジノ、ピペラジニル、インドリニル、イソインドリニル
、キヌクリジニル、ホルホリニル、ホルホリノ基、また
は上記複素環基を有する化合物とアリール化合物とがオ
ルソまたはべり縮合した縮合複素環系化合物の縮合複素
環基などが例示される。
なお、上記一般式(IV)で表されるピロロピロール系
化合物において、R6およびR7のアルキル基としては
、前記置換基R4およびR5における炭素数1〜6の低
級アルキル基が例示される。
化合物において、R6およびR7のアルキル基としては
、前記置換基R4およびR5における炭素数1〜6の低
級アルキル基が例示される。
\
上記アルキル基のうち、炭素数1〜4のアルキル基が好
ましい。
ましい。
また、置換基を有していてもよいアリール基としては、
フェニル環上に置換基を有していてもよいフェニル基が
好ましく、該フェニル基の置換基としては、ハロゲン原
子、ハロゲン原子を有する低級アルキル基、アルキル基
、アルコキシ基、アルキルチオ基、ニトロ基からなる群
から選ばれた置換基が好ましい。上記ハロゲン原子、ハ
ロゲン原子を有する低級アルキル基、アルキル基、アル
コキシ基としては、前記置換基R4およびR5と同様の
置換基が例示される。アルキルチオ基としては、メチル
チオ、エチルチオ、プロピルチオ、イソプロピルチオ、
ブチルチオ、イソブチルチオ、tert−ブチルチオ、
ペンチルチオ、ヘキシルチオ、ヘプチルチオ、オクチル
チオ、ノニルチオ、デシルチオ、ウンデシルチオ、ドデ
シルチオ、ステアリルチオ基などが例示される。上記ア
ルキルチオ基のうち、炭素数1〜6の直鎖または分岐鎖
の低級アルキルチオ基、中でも炭素数1〜4の直鎖また
は分岐鎖の低級アルキルチオ基が好ましい。
フェニル環上に置換基を有していてもよいフェニル基が
好ましく、該フェニル基の置換基としては、ハロゲン原
子、ハロゲン原子を有する低級アルキル基、アルキル基
、アルコキシ基、アルキルチオ基、ニトロ基からなる群
から選ばれた置換基が好ましい。上記ハロゲン原子、ハ
ロゲン原子を有する低級アルキル基、アルキル基、アル
コキシ基としては、前記置換基R4およびR5と同様の
置換基が例示される。アルキルチオ基としては、メチル
チオ、エチルチオ、プロピルチオ、イソプロピルチオ、
ブチルチオ、イソブチルチオ、tert−ブチルチオ、
ペンチルチオ、ヘキシルチオ、ヘプチルチオ、オクチル
チオ、ノニルチオ、デシルチオ、ウンデシルチオ、ドデ
シルチオ、ステアリルチオ基などが例示される。上記ア
ルキルチオ基のうち、炭素数1〜6の直鎖または分岐鎖
の低級アルキルチオ基、中でも炭素数1〜4の直鎖また
は分岐鎖の低級アルキルチオ基が好ましい。
なお、上記置換基R6およびR7は水素原子であるのが
特に好ましい。
特に好ましい。
上記ピロロピロール系化合物のうち、好ましい化合物と
しては、1,4−ジチオケ1−−3.6−ジフエニルビ
ロロ(3,4−c)ピロール、1゜4−ジチオケト−3
,6−ジ(4−トリル)ピロロ(3,4−c)ピロール
、1,4−ジチオケト−3,6−ジ(4−エチルフェニ
ル)ピロロ[3゜4−C]ビロール、1.4−ジチオケ
ト−3,6−ジ(4−プロピルフェニル)ピロロ(3,
4−C]ビロール、1,4−ジチオケト−3,6−ジ(
4−イソプロピルフェニル)ピロロ(3,4−C〕ピロ
ール、1,4−ジチオケト−3,6−ジ(4−ブチルフ
ェニル)ピロロ[3,4−c]ビロール、1,4−ジチ
オケト−3,6−ジ(4−イソブチルフェニル)ピロロ
(3,4−c)ピロール、1.4−ジチオケト−3,6
−ジ(4−tert−ブチルフェニル)ピロロC3,4
−c)ピロール、1,4−ジチオケト−3,6−ジ(4
−ペンチルフェニル)ピロロ(3,4−c)ピロール、
1.4−ジチオケト−3,6−ジ(4−へキシルフェニ
ル)ピロロ(3,4−c]ピロロ/l/、1.4−ジチ
オケト−3,6−ジ(3,5−ジメチルフェニル)ピロ
ロ[3,4−c)ピロール、1.4−ジチオケト−3,
6−ジ(3,4,5−トリメチルフェニル)ピロロC3
,4−C)ピロール、1,4−ジチオケト−3,6−ジ
(4−メトキシフェニル)ピロロ(3,4−c)ピロー
ル、1.4−ジチオケト−3,6−ジ(4−エトキシフ
ェニル)ピロロ[3,4−c]ビロール、1゜4−ジチ
オケト−3,6−ジ(4−プロポキシフェニル)ピロロ
(3,4−c)ピロール、1.4−ジチオケト−3,6
−ジ(4−イソプロポキシフェニル)ピロロ(3,4−
c)ピロール、1゜4−ジチオケト−3,6−ジ(4−
ブトキシフェニル)ピロロ(3,4−c)ピロール、1
.4−ジチオケト−3,6−ジ(4−イソブトキシフェ
ニル)ピロロC3,4−c)ピロール、1.4−シチオ
ケト−3,6−ジ(4−tert−ブトキシフェニル)
ピロロ(3,4−c)ピロール、1゜4−ジチオケト−
3,6−ジ(4−ペンチルオキシフェニル)ピロロ(3
,4−c)ピロール、1゜4−ジチオケト−3,6−ジ
(4−へキシルオキシフェニル)ピロロ(3,4−c)
ピロール、■。
しては、1,4−ジチオケ1−−3.6−ジフエニルビ
ロロ(3,4−c)ピロール、1゜4−ジチオケト−3
,6−ジ(4−トリル)ピロロ(3,4−c)ピロール
、1,4−ジチオケト−3,6−ジ(4−エチルフェニ
ル)ピロロ[3゜4−C]ビロール、1.4−ジチオケ
ト−3,6−ジ(4−プロピルフェニル)ピロロ(3,
4−C]ビロール、1,4−ジチオケト−3,6−ジ(
4−イソプロピルフェニル)ピロロ(3,4−C〕ピロ
ール、1,4−ジチオケト−3,6−ジ(4−ブチルフ
ェニル)ピロロ[3,4−c]ビロール、1,4−ジチ
オケト−3,6−ジ(4−イソブチルフェニル)ピロロ
(3,4−c)ピロール、1.4−ジチオケト−3,6
−ジ(4−tert−ブチルフェニル)ピロロC3,4
−c)ピロール、1,4−ジチオケト−3,6−ジ(4
−ペンチルフェニル)ピロロ(3,4−c)ピロール、
1.4−ジチオケト−3,6−ジ(4−へキシルフェニ
ル)ピロロ(3,4−c]ピロロ/l/、1.4−ジチ
オケト−3,6−ジ(3,5−ジメチルフェニル)ピロ
ロ[3,4−c)ピロール、1.4−ジチオケト−3,
6−ジ(3,4,5−トリメチルフェニル)ピロロC3
,4−C)ピロール、1,4−ジチオケト−3,6−ジ
(4−メトキシフェニル)ピロロ(3,4−c)ピロー
ル、1.4−ジチオケト−3,6−ジ(4−エトキシフ
ェニル)ピロロ[3,4−c]ビロール、1゜4−ジチ
オケト−3,6−ジ(4−プロポキシフェニル)ピロロ
(3,4−c)ピロール、1.4−ジチオケト−3,6
−ジ(4−イソプロポキシフェニル)ピロロ(3,4−
c)ピロール、1゜4−ジチオケト−3,6−ジ(4−
ブトキシフェニル)ピロロ(3,4−c)ピロール、1
.4−ジチオケト−3,6−ジ(4−イソブトキシフェ
ニル)ピロロC3,4−c)ピロール、1.4−シチオ
ケト−3,6−ジ(4−tert−ブトキシフェニル)
ピロロ(3,4−c)ピロール、1゜4−ジチオケト−
3,6−ジ(4−ペンチルオキシフェニル)ピロロ(3
,4−c)ピロール、1゜4−ジチオケト−3,6−ジ
(4−へキシルオキシフェニル)ピロロ(3,4−c)
ピロール、■。
4−ジチオケト−3,6−ジ(3,5−ジメトキシフェ
ニル)ピロロ(3,4−c)ピロール、1゜4−ジチオ
ケト−3,6−ジ(3,4,5−トリメトキシフェニル
)ピロロ(3,4〜C)ピロール、1.4−ジチオケト
−3,6−ジベンジルピロロ(3,4−c)ピロール、
■、4−ジチオケトー3,6−ジナフチルビロロ(3,
4−c〕ピロール、1.4−ジチオケト−3,6−ジ(
4−シアノフェニル)ピロロ(3,4−c)ピロール、
1.4−ジチオケト−3,6−ジ(4−クロロフェニル
)ピロロ(3,4−c、Iピロール、1. 4−シチオ
ケト−3,6−ジ(2−ブロモフェニル)ピロロC3,
4−c)ピロール、1,4−ジチオケト−3,6−ジ(
4−トリフルオロメチルフェニル)ピロロ〔3,4−〇
〕ビロール、■。
ニル)ピロロ(3,4−c)ピロール、1゜4−ジチオ
ケト−3,6−ジ(3,4,5−トリメトキシフェニル
)ピロロ(3,4〜C)ピロール、1.4−ジチオケト
−3,6−ジベンジルピロロ(3,4−c)ピロール、
■、4−ジチオケトー3,6−ジナフチルビロロ(3,
4−c〕ピロール、1.4−ジチオケト−3,6−ジ(
4−シアノフェニル)ピロロ(3,4−c)ピロール、
1.4−ジチオケト−3,6−ジ(4−クロロフェニル
)ピロロ(3,4−c、Iピロール、1. 4−シチオ
ケト−3,6−ジ(2−ブロモフェニル)ピロロC3,
4−c)ピロール、1,4−ジチオケト−3,6−ジ(
4−トリフルオロメチルフェニル)ピロロ〔3,4−〇
〕ビロール、■。
4−ジチオケト−3,6−ジ(4−ジメチルアミノフェ
ニル)ピロロ(3,4−c)ピロール、1゜4−ジチオ
ケト−3,6−ジ(4−ジエチルアミノフェニル)ピロ
ロ(3,4−C)ピロール、N。
ニル)ピロロ(3,4−c)ピロール、1゜4−ジチオ
ケト−3,6−ジ(4−ジエチルアミノフェニル)ピロ
ロ(3,4−C)ピロール、N。
N゛−ジメチル−1,4−ジチオケト−3,6−ジフェ
ニルピロロ(3,4−c]ビロール、N。
ニルピロロ(3,4−c]ビロール、N。
N′−ジメチル−1,4−ジチオケト−3,6−ジドリ
ルビロロ[3,4−c]ピロール、N、N。
ルビロロ[3,4−c]ピロール、N、N。
−ジメチルー1.4−ジチオケト−3,6−ジ(4−エ
チルフェニル)ピロロC3,4−C)ピロール、N、
N−−ジメチル−1,4−ジチオケト−3,6−ジ(4
−イソプロピルフェニル)ピロロ(3,4−c)ピロー
ル、N、 N・ −ジメチル−1,4−ジチオケト−3
,6−ジ(4−tert−ブチルフェニル)ピロロ(3
,4−c)ピロール、N、 N=−ジメチル−1,4−
ジチオヶ)−3,6−ジ(3,4,5−1リメチルフエ
ニル)ピロロ(3,4−c)ピロール、N、 N・ −
ジメチル−1,4−ジチオケト−3,6−ジ(4−メト
キシフェニル)ピロロ(3,4−c)ピロール、N、
N=−ジメチル−1,4−ジチオヶト−3,6−ジ(4
−エトキシフェニル)ピロロ(3,4−c〕ピロール、
N、 N= −ジメチル−1,4−ジチオケト−3,
6−ジ(4−イソプロポキシフェニル)ピロロ(3,4
−c)ビロール、N、 No−ジメチル−1,4−ジチ
オケト−3゜6−ジ(4−tert−ブトキシフェニル
)ピロロ(3,4−C)ビロール、N、 No −
ジメチル−1,4−ジチオケト−3,6−ジ(3,4,
5−トリメトキシフェニル)ピロロ(3,4−c)ビロ
ール、N、 N・−ジメチル−1,4−ジチオケト−3
,6−ジ(3−ピロリル)ピロロ〔3゜4−c〕ビロー
ル、1.4−ジチオケト−3,6−ジ(3−ピロリル)
ピロロ(3,4−c)ビロール、1,4−ジチオケト−
3,6−ジ(4−オキサシリル)ピロロ[3,4−c)
ビロール、■。
チルフェニル)ピロロC3,4−C)ピロール、N、
N−−ジメチル−1,4−ジチオケト−3,6−ジ(4
−イソプロピルフェニル)ピロロ(3,4−c)ピロー
ル、N、 N・ −ジメチル−1,4−ジチオケト−3
,6−ジ(4−tert−ブチルフェニル)ピロロ(3
,4−c)ピロール、N、 N=−ジメチル−1,4−
ジチオヶ)−3,6−ジ(3,4,5−1リメチルフエ
ニル)ピロロ(3,4−c)ピロール、N、 N・ −
ジメチル−1,4−ジチオケト−3,6−ジ(4−メト
キシフェニル)ピロロ(3,4−c)ピロール、N、
N=−ジメチル−1,4−ジチオヶト−3,6−ジ(4
−エトキシフェニル)ピロロ(3,4−c〕ピロール、
N、 N= −ジメチル−1,4−ジチオケト−3,
6−ジ(4−イソプロポキシフェニル)ピロロ(3,4
−c)ビロール、N、 No−ジメチル−1,4−ジチ
オケト−3゜6−ジ(4−tert−ブトキシフェニル
)ピロロ(3,4−C)ビロール、N、 No −
ジメチル−1,4−ジチオケト−3,6−ジ(3,4,
5−トリメトキシフェニル)ピロロ(3,4−c)ビロ
ール、N、 N・−ジメチル−1,4−ジチオケト−3
,6−ジ(3−ピロリル)ピロロ〔3゜4−c〕ビロー
ル、1.4−ジチオケト−3,6−ジ(3−ピロリル)
ピロロ(3,4−c)ビロール、1,4−ジチオケト−
3,6−ジ(4−オキサシリル)ピロロ[3,4−c)
ビロール、■。
4−ジチオケト−3,6−ジ(4−チアゾリル)ピロロ
(3,4−c)ビロール、1.4−ジチオケト−3,6
−ジイミダゾリルピロロ(3,4−C〕ビロール、1,
4−ジチオケト−3,6−ジ(2−イミダゾリル)ピロ
ロ(3,4−c〕ピロール、1.4−ジチオケト−3,
6−ジ(4−イミダゾリル)ピロロ(3,4−c)ビロ
ール、■。
(3,4−c)ビロール、1.4−ジチオケト−3,6
−ジイミダゾリルピロロ(3,4−C〕ビロール、1,
4−ジチオケト−3,6−ジ(2−イミダゾリル)ピロ
ロ(3,4−c〕ピロール、1.4−ジチオケト−3,
6−ジ(4−イミダゾリル)ピロロ(3,4−c)ビロ
ール、■。
4−ジチオケト−3,6−ジ(4−ピリジル)ピロロ(
3,4−c)ビロール、1.4−ジチオケト−3,6−
ジ(2−ピリミジル)ピロロ〔3゜4−c〕ピロール、
■、4−ジチオケトー3.6−ジビペリジノビロロ(3
,4−c)ビロール、1.4−ジチオケト−3,6−ジ
(4−ピペリジニル)ピロロ(3,4−c〕ビロール、
1.4−ジチオケト−3,6−ジモルホリノピロロ〔3
゜4−C〕ピロール、1.4−ジチオケト−3,6−ジ
(2−キノリル)ピロロ(3,4−c)ビロール、1.
4−ジチオケト−3,6−ジ(3−ベンゾ(b)チオフ
ェニル)ピロロ(3,4−c)ビロール、N、 N=
−ジメチル−1,4−ジチオケト−3,6−ジ(4−イ
ミダゾリル)ピロロ(3,4−c:lビロール、N、
N−−ジメチル−1,4−ジチオケト−3,6−ジモル
ホリノピロロ(3,4−c)ビロール、N、 N−−ジ
メチル−1,4−ジチオケト−3,6−ジ(4−ピリジ
ル)ピロロ(3,4−c)ビロールなどが例示され、特
に1,4−ジチオケト−3,6−ジフェニルピロロ[3
,4−c)ビロールが好ましい。
3,4−c)ビロール、1.4−ジチオケト−3,6−
ジ(2−ピリミジル)ピロロ〔3゜4−c〕ピロール、
■、4−ジチオケトー3.6−ジビペリジノビロロ(3
,4−c)ビロール、1.4−ジチオケト−3,6−ジ
(4−ピペリジニル)ピロロ(3,4−c〕ビロール、
1.4−ジチオケト−3,6−ジモルホリノピロロ〔3
゜4−C〕ピロール、1.4−ジチオケト−3,6−ジ
(2−キノリル)ピロロ(3,4−c)ビロール、1.
4−ジチオケト−3,6−ジ(3−ベンゾ(b)チオフ
ェニル)ピロロ(3,4−c)ビロール、N、 N=
−ジメチル−1,4−ジチオケト−3,6−ジ(4−イ
ミダゾリル)ピロロ(3,4−c:lビロール、N、
N−−ジメチル−1,4−ジチオケト−3,6−ジモル
ホリノピロロ(3,4−c)ビロール、N、 N−−ジ
メチル−1,4−ジチオケト−3,6−ジ(4−ピリジ
ル)ピロロ(3,4−c)ビロールなどが例示され、特
に1,4−ジチオケト−3,6−ジフェニルピロロ[3
,4−c)ビロールが好ましい。
なお、上記一般式(IV)で表されるピロロピロール系
化合物は一種または二種以上混合して用いられる。
化合物は一種または二種以上混合して用いられる。
結着樹脂としては、種々のもの、例えば前記第一の電荷
発生層で用いたものが例示される。
発生層で用いたものが例示される。
第二の電荷発生層を構成する電荷発生材料と結着樹脂と
は種々の割合で使用することができるが、結着樹脂10
0重量部に対して、電荷発生材料30〜1000重量部
、特に70〜500重量部の割合で用いるのが好ましい
。電荷発生材料が30重量部未満であると感度が不十分
であり、1000重量部を超えると電荷保持能力低下等
の問題がある。また、第二の電荷発生層は、適宜の膜厚
を有していてもよいが、0.1〜5μm、特に0゜2〜
2μm程度に形成されるのが好ましい。
は種々の割合で使用することができるが、結着樹脂10
0重量部に対して、電荷発生材料30〜1000重量部
、特に70〜500重量部の割合で用いるのが好ましい
。電荷発生材料が30重量部未満であると感度が不十分
であり、1000重量部を超えると電荷保持能力低下等
の問題がある。また、第二の電荷発生層は、適宜の膜厚
を有していてもよいが、0.1〜5μm、特に0゜2〜
2μm程度に形成されるのが好ましい。
電荷輸送層に用いられる電荷輸送材料としては、種々の
もの、例えば、テトラシアノエチレン、2゜4.7−1
−リニトロー9−フルオレノン等のフルオレノン系化合
物、2,4.8−トリニドロチオキサントン、ジニトロ
アントラセン等のニトロ化化合物、無水コハク酸、無水
マレイン酸、ジブロモ無水マレイン酸、2,5−ジ(4
−ジメチルアミノフェニル)−1,3,4−オキサジア
ゾール等のオキサジアゾール系化合物、9−(4−ジエ
チルアミノスチリル)アントラセン等のスチリル系化合
物、ポリビニルカルバゾール等のカルバゾール系化合物
、1−フェニル−3−(P−ジエチルアミノフェニル)
ピラゾリン等のピラゾリン系化合物、4,4°、4目−
トリス(4−ジエチルアミノフェニル)トリフェニルア
ミン、4,4゜−ビス(N−フェニル−N−(3−メチ
ルフェニル)アミノ]ジフェニル、4,4°−ビス(N
。
もの、例えば、テトラシアノエチレン、2゜4.7−1
−リニトロー9−フルオレノン等のフルオレノン系化合
物、2,4.8−トリニドロチオキサントン、ジニトロ
アントラセン等のニトロ化化合物、無水コハク酸、無水
マレイン酸、ジブロモ無水マレイン酸、2,5−ジ(4
−ジメチルアミノフェニル)−1,3,4−オキサジア
ゾール等のオキサジアゾール系化合物、9−(4−ジエ
チルアミノスチリル)アントラセン等のスチリル系化合
物、ポリビニルカルバゾール等のカルバゾール系化合物
、1−フェニル−3−(P−ジエチルアミノフェニル)
ピラゾリン等のピラゾリン系化合物、4,4°、4目−
トリス(4−ジエチルアミノフェニル)トリフェニルア
ミン、4,4゜−ビス(N−フェニル−N−(3−メチ
ルフェニル)アミノ]ジフェニル、4,4°−ビス(N
。
N−ジ(4−メチルフェニル)アミノ)−3,3′−ジ
メチルフェニル等のアミン誘導体、4−(N。
メチルフェニル等のアミン誘導体、4−(N。
N−ジエチルアミノ)ベンズアルデヒドN、N−ジフェ
ニルヒドラゾン等のヒドラゾン系化合物、インドール系
化合物、オキサゾール系化合物、イソオキサゾール系化
合物、チアゾール系化合物、チアジアゾール系化合物、
イミダゾール系化合物、ピラゾール系化合物、トリアゾ
ール系化合物等の含窒素環式化合物、縮合多環族化合物
等が例示される。これらの電荷輸送材料は、一種または
二種以上を混合して使用される。
ニルヒドラゾン等のヒドラゾン系化合物、インドール系
化合物、オキサゾール系化合物、イソオキサゾール系化
合物、チアゾール系化合物、チアジアゾール系化合物、
イミダゾール系化合物、ピラゾール系化合物、トリアゾ
ール系化合物等の含窒素環式化合物、縮合多環族化合物
等が例示される。これらの電荷輸送材料は、一種または
二種以上を混合して使用される。
結着樹脂としては、種々のもの、例えば前記第一の電荷
発生層で用いたものが例示される。
発生層で用いたものが例示される。
電荷輸送層を構成する上記電荷輸送材料と前記結着樹脂
とは種々の割合で使用することができるが、光照射によ
り電荷発生層で生じた電荷が容易に輸送できるように、
結着樹脂100重量部に対して、電荷輸送材料10〜5
00重量部、特に25〜200重量部の割合で用いるの
が好ましい。
とは種々の割合で使用することができるが、光照射によ
り電荷発生層で生じた電荷が容易に輸送できるように、
結着樹脂100重量部に対して、電荷輸送材料10〜5
00重量部、特に25〜200重量部の割合で用いるの
が好ましい。
電荷輸送材料が、10重量部未満であると電荷輸送能が
充分でなく、500重量部を超えると電荷輸送層の機械
的強度等が低下する。また、電荷輸送層は、5〜100
μm2特に10〜30μm程度に形成されるのが好まし
い。
充分でなく、500重量部を超えると電荷輸送層の機械
的強度等が低下する。また、電荷輸送層は、5〜100
μm2特に10〜30μm程度に形成されるのが好まし
い。
導電性基体としては、導電性を有するシート状やドラム
状のいずれであってもよく、導電性を有する種々の材料
、例えば、表面がアルマイト処理された、または未処理
のアルミニウム、アルミニウム合金、銅、錫、白金、金
、銀、バナジウム、モリブデン、クロム、カドミウム、
チタン、ニッケル、パラジウム、インジウム、ステンレ
ス鋼、真鍮などの金属単体や、蒸着等の手段により上記
金属、酸化インジウム、酸化錫等の層が形成されたプラ
スチック材料およびガラス等が例示されるが、中でも硫
酸アルマイト法で陽極酸化し、酢酸ニッケルで封孔処理
したものが好ましい。
状のいずれであってもよく、導電性を有する種々の材料
、例えば、表面がアルマイト処理された、または未処理
のアルミニウム、アルミニウム合金、銅、錫、白金、金
、銀、バナジウム、モリブデン、クロム、カドミウム、
チタン、ニッケル、パラジウム、インジウム、ステンレ
ス鋼、真鍮などの金属単体や、蒸着等の手段により上記
金属、酸化インジウム、酸化錫等の層が形成されたプラ
スチック材料およびガラス等が例示されるが、中でも硫
酸アルマイト法で陽極酸化し、酢酸ニッケルで封孔処理
したものが好ましい。
また、導電性基体は、必要に応じて、シランカップリン
グ剤やチタンカップリング剤などの表面処理剤で表面処
理を施し、感光層との密着性を高めてもよい。
グ剤やチタンカップリング剤などの表面処理剤で表面処
理を施し、感光層との密着性を高めてもよい。
なお、上記電荷輸送材料、電荷発生材料および結着樹脂
等の各成分からなる感光層用塗布液の調製に際しては、
使用される結着樹脂等の種類に応じて適宜の有機溶剤が
使用され、該有機溶剤としては、例えば、メタノール、
エタノール、プロパツール、イソプロパツール、ブタノ
ールなどのアルコール類、n−ヘキサン、オクタン、シ
クロヘキサン等の脂肪族系炭化水素、ベンゼン、トルエ
ン、キシレン等の芳香族炭化水素、ジクロロメタン、ジ
クロロエタン、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素
、テトラヒドロフラン、1.4−ジオキサン、エチレン
グリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエ
チルエーテル等のエーテル類、アセトン、メチルエチル
ケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、
酢酸メチル等のエステル類等種々の溶剤が例示され、一
種または二種以上混合して用いられる。また、上記感光
層用塗布液を調製する際、分散性、塗工性等をよくする
ため、界面活性剤、シリコーンオイルなどのレベリング
剤、あるいはターフェニル、ハロナフトキノン類、アセ
ナフチレンなどの従来公知の増感剤等、種々の添加剤を
併用していてもよい。
等の各成分からなる感光層用塗布液の調製に際しては、
使用される結着樹脂等の種類に応じて適宜の有機溶剤が
使用され、該有機溶剤としては、例えば、メタノール、
エタノール、プロパツール、イソプロパツール、ブタノ
ールなどのアルコール類、n−ヘキサン、オクタン、シ
クロヘキサン等の脂肪族系炭化水素、ベンゼン、トルエ
ン、キシレン等の芳香族炭化水素、ジクロロメタン、ジ
クロロエタン、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素
、テトラヒドロフラン、1.4−ジオキサン、エチレン
グリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエ
チルエーテル等のエーテル類、アセトン、メチルエチル
ケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、
酢酸メチル等のエステル類等種々の溶剤が例示され、一
種または二種以上混合して用いられる。また、上記感光
層用塗布液を調製する際、分散性、塗工性等をよくする
ため、界面活性剤、シリコーンオイルなどのレベリング
剤、あるいはターフェニル、ハロナフトキノン類、アセ
ナフチレンなどの従来公知の増感剤等、種々の添加剤を
併用していてもよい。
上記シリコーンオイルとしては、ポリジメチルシロキサ
ンが好ましい。
ンが好ましい。
上記感光層用塗布液などは、従来慣用の混合分散方法、
例えば、ペイントシェーカー、ミキサー、ボールミル、
サンドミル、アトライター、超音波分散器等を用いて調
製することができ、得られた感光層用塗布液などの塗布
に際しては、従来慣用のコーティング方法、例えば、デ
イツプコーティング、スプレーコーティング、スピンコ
ーティング、ローラーコーティング、ブレードコーティ
ング、カーテンコーティング、バーコーティング法等が
採用される。
例えば、ペイントシェーカー、ミキサー、ボールミル、
サンドミル、アトライター、超音波分散器等を用いて調
製することができ、得られた感光層用塗布液などの塗布
に際しては、従来慣用のコーティング方法、例えば、デ
イツプコーティング、スプレーコーティング、スピンコ
ーティング、ローラーコーティング、ブレードコーティ
ング、カーテンコーティング、バーコーティング法等が
採用される。
(実施例)
以下、本発明を実施例に基づいてより詳しく説明する。
電荷発生材料としての下記ペリレン系化合物、アンスア
ンスロン系化合物、ピロロピロール系化合物およびスク
アリリウム塩を用い、電子写真感光体を以下のようにし
て作製した。
ンスロン系化合物、ピロロピロール系化合物およびスク
アリリウム塩を用い、電子写真感光体を以下のようにし
て作製した。
(以下余白)
とユ]任J臼L1と
・ ゛ ロン′ 人
ピロロピロールγ 人
(A)L 4−ジチオケト−3,6−ジフェニルピロ
ロ(3,4−C)ビロール (B)1.4−ジチオケト−3,6−ジ(4−トリル)
ピロロ(3,1−C)ビロール (C)1.4−ジチオケト−3,6−ジ(4−メトキシ
フェニル)ピロロ(3,4−C)ビロール(D)1.4
−ジチオケト−3,6−シエチルビロロ(3,4−C)
ビロール 〔電子写真感光体の作成] 1〜14 ・ 1〜2゛ 〜 6〜7電荷発生材
料としての表1〜2に示される上記化合物10重量部、
塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体(種水化学工業社製、
商品名工スレツクC)10重量部および所定量のテトラ
ヒドロフランからなる第一の電荷発生層用塗布液を調整
し、得られた塗布液をアルミニウムシート上に塗布し、
100°Cの温度で30分間加熱することにより膜厚0
.5μmの第一の電荷発生層を形成した。
ロ(3,4−C)ビロール (B)1.4−ジチオケト−3,6−ジ(4−トリル)
ピロロ(3,1−C)ビロール (C)1.4−ジチオケト−3,6−ジ(4−メトキシ
フェニル)ピロロ(3,4−C)ビロール(D)1.4
−ジチオケト−3,6−シエチルビロロ(3,4−C)
ビロール 〔電子写真感光体の作成] 1〜14 ・ 1〜2゛ 〜 6〜7電荷発生材
料としての表1〜2に示される上記化合物10重量部、
塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体(種水化学工業社製、
商品名工スレツクC)10重量部および所定量のテトラ
ヒドロフランからなる第一の電荷発生層用塗布液を調整
し、得られた塗布液をアルミニウムシート上に塗布し、
100°Cの温度で30分間加熱することにより膜厚0
.5μmの第一の電荷発生層を形成した。
次いで、電荷発生材料としてのピロロピロール系化合物
10重量部、ポリビニルブチラール(種水化学工業社製
、商品名工スレツクBM−2)10重量部および所定量
のn−ブタノールからなる第二の電荷発生層用塗布液を
調整し前記第一の電荷発生層上に塗布し、100°Cの
温度で30分間加熱することにより膜厚0.5μmの第
二の電荷発生層を形成した。
10重量部、ポリビニルブチラール(種水化学工業社製
、商品名工スレツクBM−2)10重量部および所定量
のn−ブタノールからなる第二の電荷発生層用塗布液を
調整し前記第一の電荷発生層上に塗布し、100°Cの
温度で30分間加熱することにより膜厚0.5μmの第
二の電荷発生層を形成した。
次いで、電荷輸送材料としてN、 N・ −(0゜P−
ジメチルフェニル)−N、N・ −(ジフェニル)ベン
ジジン7重量部、ビスフェノールZ型ポリカーボネート
(三菱瓦斯化学社製、商品名PCZ)10重量部および
所定量のトルエンからなる電荷輸送層用塗布液を調整す
ると共に、前記第二の電荷発生層上に塗布し、加熱乾燥
することにより、膜厚約20μmの電荷輸送層を形成し
、電子写真感光体を作製した。
ジメチルフェニル)−N、N・ −(ジフェニル)ベン
ジジン7重量部、ビスフェノールZ型ポリカーボネート
(三菱瓦斯化学社製、商品名PCZ)10重量部および
所定量のトルエンからなる電荷輸送層用塗布液を調整す
ると共に、前記第二の電荷発生層上に塗布し、加熱乾燥
することにより、膜厚約20μmの電荷輸送層を形成し
、電子写真感光体を作製した。
且連J11
電荷輸送材料としての上記ピロロピロール系化合物(A
)10重量部、上記ペリレン系化合物(α)10重量部
、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体(積木化学工業社製
、商品名工スレツクC) 20重量部および所定量のテ
トラヒドロフランからなる電荷発生層用塗布液を調整し
、得られた塗布液をアルミシート上に塗布し、100°
Cの温度で30分間加熱することにより膜厚1.0μm
の電荷発生層を形成した。
)10重量部、上記ペリレン系化合物(α)10重量部
、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体(積木化学工業社製
、商品名工スレツクC) 20重量部および所定量のテ
トラヒドロフランからなる電荷発生層用塗布液を調整し
、得られた塗布液をアルミシート上に塗布し、100°
Cの温度で30分間加熱することにより膜厚1.0μm
の電荷発生層を形成した。
次いで、電荷輸送材料としてN、 N・ −(0゜P−
ジメチルフェニル)−N、N・ −(ジフェニル)ベン
ジジン7重量部、ビスフェノールZ型ポリカーボネート
(三菱瓦斯化学社製、商品名PCZ)10重量部および
所定量のトルエンからなる電荷輸送層用塗布液を調整す
ると共に、前記電荷発生層上に塗布し、加熱乾燥するこ
とにより、膜厚約20μmの電荷輸送層を形成し、電子
写真感光体を作製した。
ジメチルフェニル)−N、N・ −(ジフェニル)ベン
ジジン7重量部、ビスフェノールZ型ポリカーボネート
(三菱瓦斯化学社製、商品名PCZ)10重量部および
所定量のトルエンからなる電荷輸送層用塗布液を調整す
ると共に、前記電荷発生層上に塗布し、加熱乾燥するこ
とにより、膜厚約20μmの電荷輸送層を形成し、電子
写真感光体を作製した。
止較皿土
電荷発生材料としての上記ピロロピロール系化合Th(
A)IOIF1部、上記ペリレン系化合物(α)10重
量部に代えて、上記ペリレン系化合物(α)20重量部
としたこと以外は、比較例3と同様にして電子写真感光
体を作製した。
A)IOIF1部、上記ペリレン系化合物(α)10重
量部に代えて、上記ペリレン系化合物(α)20重量部
としたこと以外は、比較例3と同様にして電子写真感光
体を作製した。
止較五i
電荷発生材料としての上記ピロロピロール系化合物(A
)10重量部、上記ペリレン系化合物(α)10重量部
に代えて、上記ピロロピロール系化合物(A)20重量
部としたこと以外は、比較例3と同様にして電子写真感
光体を作製した。
)10重量部、上記ペリレン系化合物(α)10重量部
に代えて、上記ピロロピロール系化合物(A)20重量
部としたこと以外は、比較例3と同様にして電子写真感
光体を作製した。
1較拠工
電荷発生材料としての上記ペリレン系化合物(α)10
重量部に代えて、上記アンスアンスロン系化合物(α・
)10重量部としたこと以外は、比較例3と同様にし
て電子写真感光体を作製した。
重量部に代えて、上記アンスアンスロン系化合物(α・
)10重量部としたこと以外は、比較例3と同様にし
て電子写真感光体を作製した。
止較拠工
電荷発生材料としての上記ピロロピロール系化合物(A
)10重量部、上記ペリレン系化合物(α)10重量部
に代えて、上記アンスアンスロン系化合物(α・ )2
0重量部としたこと以外は、比較例3と同様にして電子
写真感光体を作製した。
)10重量部、上記ペリレン系化合物(α)10重量部
に代えて、上記アンスアンスロン系化合物(α・ )2
0重量部としたこと以外は、比較例3と同様にして電子
写真感光体を作製した。
ドラム感度試験機(ジエンチック社製)を用いて、上記
各実施例で得られた電子写真感光体に流れ込み電流を印
加して、表面電位V、p(V)が−700V付近になる
ように帯電させた。その後タングステンランプにて83
1uxの光を60m5ecの間照射した。
各実施例で得られた電子写真感光体に流れ込み電流を印
加して、表面電位V、p(V)が−700V付近になる
ように帯電させた。その後タングステンランプにて83
1uxの光を60m5ecの間照射した。
上記表面電位v0が1/2となる迄の時間を求め半減露
光量El/2 (lux−sec)を算出した。さらに
、露光開始後0.4秒後の電位を残留電位V□(V)と
した。
光量El/2 (lux−sec)を算出した。さらに
、露光開始後0.4秒後の電位を残留電位V□(V)と
した。
また、上記各実施例で得られた電子写真感光体に一30
μAの流れ込み電流を印加し、その時の表面電位■、、
3゜sp (v)を帯電能として測定した。
μAの流れ込み電流を印加し、その時の表面電位■、、
3゜sp (v)を帯電能として測定した。
(以下余白)
表1
■ 第一の電荷発生層中の電荷発生材料■ 第二の電荷
発生層中の電荷発生材料■ 電荷発生層中の電荷発生材
料 表2 ■ 第一の電荷発生層中の電荷発生材料■ 第二の電荷
発生層中の電荷発生材料■ 電荷発生層中の電荷発生材
料 表1.2から明らかなように、実施例1乃至実施例14
の電子写真感光体はピロロピロール系化合物を含有して
いる層を第二の電荷発生層とした為に、帯電能に優れ、
高感度を有している。これに対して、比較例1.6の電
子写真感光体は導電性基体上にピロロピロール系化合物
含有層を有している為に帯電能に劣り、スクアリリウム
塩とピロロピロール系化合物を組み合わせた比較例2゜
7の電子写真感光体は、帯電能に劣り、感度の悪いもの
であった。さらに、−層中に多量のピロロピロール系化
合物およびペリレン系化合物、あるいはアンスアンスロ
ン系化合物を含有している比較例3.8の電子写真感光
体は、感度特性が非常に悪く、−層中に多量のピロロピ
ロール系化合物、ペリレン系化合物、あるいはアンスア
ンスロン系化合物のみを含有している比較例3.8の電
子写真感光体も、帯電能の劣る物であった。
発生層中の電荷発生材料■ 電荷発生層中の電荷発生材
料 表2 ■ 第一の電荷発生層中の電荷発生材料■ 第二の電荷
発生層中の電荷発生材料■ 電荷発生層中の電荷発生材
料 表1.2から明らかなように、実施例1乃至実施例14
の電子写真感光体はピロロピロール系化合物を含有して
いる層を第二の電荷発生層とした為に、帯電能に優れ、
高感度を有している。これに対して、比較例1.6の電
子写真感光体は導電性基体上にピロロピロール系化合物
含有層を有している為に帯電能に劣り、スクアリリウム
塩とピロロピロール系化合物を組み合わせた比較例2゜
7の電子写真感光体は、帯電能に劣り、感度の悪いもの
であった。さらに、−層中に多量のピロロピロール系化
合物およびペリレン系化合物、あるいはアンスアンスロ
ン系化合物を含有している比較例3.8の電子写真感光
体は、感度特性が非常に悪く、−層中に多量のピロロピ
ロール系化合物、ペリレン系化合物、あるいはアンスア
ンスロン系化合物のみを含有している比較例3.8の電
子写真感光体も、帯電能の劣る物であった。
(発明の効果)
以上のように、本発明の電子写真感光体によれば、ペリ
レン系化合物あるいはアンスアンスロン系化合物のうち
少なくとも一方を含有する第一の電荷発生層、ピロロピ
ロール系化合物を含有する第二の電荷発生層、および電
荷輸送層を順次形成しているため、帯電能に優れ高感度
であるという特有の効果を奏する。
レン系化合物あるいはアンスアンスロン系化合物のうち
少なくとも一方を含有する第一の電荷発生層、ピロロピ
ロール系化合物を含有する第二の電荷発生層、および電
荷輸送層を順次形成しているため、帯電能に優れ高感度
であるという特有の効果を奏する。
特許出願人 三田工業株式会社
Claims (1)
- 導電性基体上に、ペリレン系化合物あるいはアンスアン
スロン系化合物のうち少なくとも一方を含有する第一の
電荷発生層、ピロロピロール系化合物を含有する第二の
電荷発生層、および電荷輸送層を順次形成したことを特
徴とする電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33770990A JPH04204851A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33770990A JPH04204851A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04204851A true JPH04204851A (ja) | 1992-07-27 |
Family
ID=18311227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33770990A Pending JPH04204851A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04204851A (ja) |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP33770990A patent/JPH04204851A/ja active Pending
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