JPH04211998A - 半導体装置の製造方法及び半導体装置製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法及び半導体装置製造装置Info
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- JPH04211998A JPH04211998A JP3019681A JP1968191A JPH04211998A JP H04211998 A JPH04211998 A JP H04211998A JP 3019681 A JP3019681 A JP 3019681A JP 1968191 A JP1968191 A JP 1968191A JP H04211998 A JPH04211998 A JP H04211998A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法及
び半導体装置製造装置に係り，特にＩＣチップを基板に
搭載しワイヤボンディング及び封止を行う方法とそのた
めの製造装置に関する。
び半導体装置製造装置に係り，特にＩＣチップを基板に
搭載しワイヤボンディング及び封止を行う方法とそのた
めの製造装置に関する。
【０００２】近年，例えばＩＣカード等のＩＣチップを
搭載した製品の普及が著しいなかで，そのコストダウン
が要求されており，そのために生産効率の向上及び不良
率の低減を図ることが必要となってきている。
搭載した製品の普及が著しいなかで，そのコストダウン
が要求されており，そのために生産効率の向上及び不良
率の低減を図ることが必要となってきている。
【０００３】
【従来の技術】図４はＩＣチップと基板間のワイヤボン
ディングの従来例を示す側面図であり，１は基板，４は
ＩＣチップ，７はワイヤ，１４はテーブル，１５は真空
吸引パスを表す。
ディングの従来例を示す側面図であり，１は基板，４は
ＩＣチップ，７はワイヤ，１４はテーブル，１５は真空
吸引パスを表す。
【０００４】従来のワイヤボンダのテーブル１４におい
ては，ワイヤボンディングの際，真空吸引により，基板
１をテーブル１４に固定していた。基板１は，例えばパ
ッケージのセラミック基板あるいはプリント基板である
。
ては，ワイヤボンディングの際，真空吸引により，基板
１をテーブル１４に固定していた。基板１は，例えばパ
ッケージのセラミック基板あるいはプリント基板である
。
【０００５】ＩＣチップ４を基板１に搭載するには，銀
ペースト等の接着剤を用いてＩＣチップ４を基板１のス
テージ部に接着した後，接着剤中に含まれている溶剤分
を加熱することにより除去させてＩＣチップ４を固定し
た後，ワイヤボンディング等の配線及び封止作業を行う
ようになっていた。
ペースト等の接着剤を用いてＩＣチップ４を基板１のス
テージ部に接着した後，接着剤中に含まれている溶剤分
を加熱することにより除去させてＩＣチップ４を固定し
た後，ワイヤボンディング等の配線及び封止作業を行う
ようになっていた。
【０００６】ところが，接着剤中に含まれている溶剤分
を除去して安定した接着力を得るためには十分なキュア
（固化）時間が必要であり，接着剤が完全に固化するま
では配線作業及び封止作業を行うことができず，生産効
率が低下するという問題があった。また，生産効率を向
上するためにキュア時間を短時間にすると，接着強度不
足になるばかりでなく，配線工程において接着剤中の溶
剤分がリードに付着してワイヤ７が接続できなくなった
り，封止工程において溶剤分がガスとなって封止剤に混
入し完全な封止ができなくなったりして，品質が低下す
るという問題があった。
を除去して安定した接着力を得るためには十分なキュア
（固化）時間が必要であり，接着剤が完全に固化するま
では配線作業及び封止作業を行うことができず，生産効
率が低下するという問題があった。また，生産効率を向
上するためにキュア時間を短時間にすると，接着強度不
足になるばかりでなく，配線工程において接着剤中の溶
剤分がリードに付着してワイヤ７が接続できなくなった
り，封止工程において溶剤分がガスとなって封止剤に混
入し完全な封止ができなくなったりして，品質が低下す
るという問題があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の問題点
を解決するためになされたものであって，その目的は基
板に対してＩＣチップを瞬時に固定して，それに続く配
線及び封止作業を支障なく行うようにし，生産効率の向
上及び不良率の低減を図ることができる製造方法及び製
造装置を提供することにある。
を解決するためになされたものであって，その目的は基
板に対してＩＣチップを瞬時に固定して，それに続く配
線及び封止作業を支障なく行うようにし，生産効率の向
上及び不良率の低減を図ることができる製造方法及び製
造装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】図１（ａ）， （ｂ）は
，第１の実施例を説明するための断面図であり，図２は
第２の実施例を説明するための断面図である。
，第１の実施例を説明するための断面図であり，図２は
第２の実施例を説明するための断面図である。
【０００９】上記課題は，ＩＣチップ４裏面或いは該Ｉ
Ｃチップ４を搭載する基板１表面の少なくともいずれか
一方に磁性層２を形成し，他方に磁気吸着可能な吸着層
５を形成し，該磁性層２と該吸着層５を突き合わせて該
ＩＣチップ４を該基板１に磁力により固定した後，配線
及び封止を行う半導体装置の製造方法によって解決され
る。
Ｃチップ４を搭載する基板１表面の少なくともいずれか
一方に磁性層２を形成し，他方に磁気吸着可能な吸着層
５を形成し，該磁性層２と該吸着層５を突き合わせて該
ＩＣチップ４を該基板１に磁力により固定した後，配線
及び封止を行う半導体装置の製造方法によって解決され
る。
【００１０】また，ＩＣチップ４裏面に磁気吸着可能な
チップ側吸着層１０を形成し， 該ＩＣチップ４を搭載
する基板１表面に磁気吸着可能な基板側吸着層１１を形
成し， 該チップ側吸着層１０と該基板側吸着層１１を
突き合わせて該基板１を電磁石を備えたテーブル１２上
に配置し， 該電磁石により該チップ側吸着層１０と該
基板側吸着層１１に磁力を供給して該ＩＣチップ４を該
基板１に磁力により固定した後，配線及び封止を行う半
導体装置の製造方法によって解決される。
チップ側吸着層１０を形成し， 該ＩＣチップ４を搭載
する基板１表面に磁気吸着可能な基板側吸着層１１を形
成し， 該チップ側吸着層１０と該基板側吸着層１１を
突き合わせて該基板１を電磁石を備えたテーブル１２上
に配置し， 該電磁石により該チップ側吸着層１０と該
基板側吸着層１１に磁力を供給して該ＩＣチップ４を該
基板１に磁力により固定した後，配線及び封止を行う半
導体装置の製造方法によって解決される。
【００１１】また，ＩＣチップ４を配置した基板１を搭
載しかつ該ＩＣチップ４に磁力を供給する電磁石を備え
たテーブル１２を有し， 該基板１に該ＩＣチップ４を
ワイヤボンディングする半導体装置製造装置であって，
該テーブル１２は，磁気吸着層１０の形成されたＩＣチ
ップ４と磁気吸着層１１の形成された基板１に磁力を供
給して，該ＩＣチップ４を該基板１に磁力により固定す
る半導体装置製造装置によって解決される。
載しかつ該ＩＣチップ４に磁力を供給する電磁石を備え
たテーブル１２を有し， 該基板１に該ＩＣチップ４を
ワイヤボンディングする半導体装置製造装置であって，
該テーブル１２は，磁気吸着層１０の形成されたＩＣチ
ップ４と磁気吸着層１１の形成された基板１に磁力を供
給して，該ＩＣチップ４を該基板１に磁力により固定す
る半導体装置製造装置によって解決される。
【００１２】
【作用】ＩＣチップ４は磁力にて基板１に容易に固定さ
れる。即ち，磁力固定であるから，従来の接着剤による
接着法に比べて瞬時に固定される。そして，以後の配線
封止作業が支障なく行われる。
れる。即ち，磁力固定であるから，従来の接着剤による
接着法に比べて瞬時に固定される。そして，以後の配線
封止作業が支障なく行われる。
【００１３】また，磁力固定を補強するために，電磁石
による磁力の供給を行い，チップ側吸着層１０と基板側
吸着層１１を強力に吸引させる。磁力の供給は，電磁石
を備えたテーブル１２により効果的に行うことができる
。
による磁力の供給を行い，チップ側吸着層１０と基板側
吸着層１１を強力に吸引させる。磁力の供給は，電磁石
を備えたテーブル１２により効果的に行うことができる
。
【００１４】
【実施例】以下，本発明を具体化した実施例について，
図面を参照しながら説明する。図３はＩＣチップを装着
した基板の斜視図で，ＣＯＢ（チップオンボード）タイ
プの基板１表面の所定位置にＩＣチップ４がワイヤによ
りボンディングリード６にボンディングされた状態を示
している。９は基板１上に設けられた外部端子である。
図面を参照しながら説明する。図３はＩＣチップを装着
した基板の斜視図で，ＣＯＢ（チップオンボード）タイ
プの基板１表面の所定位置にＩＣチップ４がワイヤによ
りボンディングリード６にボンディングされた状態を示
している。９は基板１上に設けられた外部端子である。
【００１５】図１（ａ）， （ｂ）は第１の実施例を説
明するための断面図で，（ａ） はＩＣチップ４が基板
１上に固定された状態，（ｂ） は配線及び封止後の状
態を示す。基板１の表面には磁石よりなる磁性層２が形
成され，その上に金メッキよりなるステージ部３が設け
られている。一方，ＩＣチップ４の裏面には磁気吸着可
能な金属よりなる吸着層５が形成されている。吸着層５
には鉄（Ｆｅ），ニッケル（Ｎｉ）等の磁性金属を使用
している。
明するための断面図で，（ａ） はＩＣチップ４が基板
１上に固定された状態，（ｂ） は配線及び封止後の状
態を示す。基板１の表面には磁石よりなる磁性層２が形
成され，その上に金メッキよりなるステージ部３が設け
られている。一方，ＩＣチップ４の裏面には磁気吸着可
能な金属よりなる吸着層５が形成されている。吸着層５
には鉄（Ｆｅ），ニッケル（Ｎｉ）等の磁性金属を使用
している。
【００１６】上記のように構成された基板１にＩＣチッ
プ４を搭載するには，ＩＣチップ４をステージ部３上に
置けば，ＩＣチップ４は磁性層２と吸着層５との磁気吸
引によりステージ部２に容易に固定される。磁性層２と
吸着層５との間に金メッキのステージ部３が介在するが
，薄いので磁気吸引を妨げない。
プ４を搭載するには，ＩＣチップ４をステージ部３上に
置けば，ＩＣチップ４は磁性層２と吸着層５との磁気吸
引によりステージ部２に容易に固定される。磁性層２と
吸着層５との間に金メッキのステージ部３が介在するが
，薄いので磁気吸引を妨げない。
【００１７】続いて，図１（ｂ） に示すようにワイヤ
ボンディングを行うことにより，ＩＣチップ４と基板１
上に設けられた金メッキよりなるボンディングリード６
とをワイヤ７により接続する。この後，ＩＣチップ４及
びボンディングリード６を覆うようにエポキシ樹脂等の
封止剤８を配置して加熱することにより封止剤８を固化
させれば搭載が完了する。なお，９は基板１上に設けら
れた外部端子である。
ボンディングを行うことにより，ＩＣチップ４と基板１
上に設けられた金メッキよりなるボンディングリード６
とをワイヤ７により接続する。この後，ＩＣチップ４及
びボンディングリード６を覆うようにエポキシ樹脂等の
封止剤８を配置して加熱することにより封止剤８を固化
させれば搭載が完了する。なお，９は基板１上に設けら
れた外部端子である。
【００１８】このように，本実施例ではＩＣチップ４裏
面に磁気吸着可能な吸着層５を形成するとともに，基板
１表面に磁石よりなる磁性層２を形成したので，従来の
接着剤による接着法に比べてＩＣチップ４を磁力にて瞬
時に固定でき，以後の配線及び封止作業を支障なく行う
ことができ，生産効率を向上することができる。
面に磁気吸着可能な吸着層５を形成するとともに，基板
１表面に磁石よりなる磁性層２を形成したので，従来の
接着剤による接着法に比べてＩＣチップ４を磁力にて瞬
時に固定でき，以後の配線及び封止作業を支障なく行う
ことができ，生産効率を向上することができる。
【００１９】また，本実施例ではＩＣチップ４を磁力に
て基板１に固定するようにしているので，従来の接着剤
による接着法のように配線工程において接着剤中の溶剤
分がリードに付着してワイヤが接続できなくなったり，
封止工程において溶剤分がガスとなって封止剤に混入し
て完全な封止ができなくなったりすることはなく，不良
率の低減を図ることができる。
て基板１に固定するようにしているので，従来の接着剤
による接着法のように配線工程において接着剤中の溶剤
分がリードに付着してワイヤが接続できなくなったり，
封止工程において溶剤分がガスとなって封止剤に混入し
て完全な封止ができなくなったりすることはなく，不良
率の低減を図ることができる。
【００２０】なお，ＩＣチップ４裏面に磁性層２を形成
するとともに，基板１表面に吸着層５を形成してＩＣチ
ップ４を固定するようにしたり，ＩＣチップ４裏面及び
基板１表面に磁性層を設けてＩＣチップ４を固定するよ
うにしてもよい。
するとともに，基板１表面に吸着層５を形成してＩＣチ
ップ４を固定するようにしたり，ＩＣチップ４裏面及び
基板１表面に磁性層を設けてＩＣチップ４を固定するよ
うにしてもよい。
【００２１】また，ＩＣチップ４の裏面に磁力線を遮蔽
する銅（Ｃｕ）等のシールド部材を設けた後，吸着層５
を形成してもよい。図２は第２の実施例を説明するため
の断面図である。この例はＩＣチップ４を基板１にさら
に強固に固定する方法とそのための装置を示すもので，
第１の実施例における磁性層２の磁力が不十分で，ＩＣ
チップ４の基板１への固定が不安定になる場合の対策を
示す。
する銅（Ｃｕ）等のシールド部材を設けた後，吸着層５
を形成してもよい。図２は第２の実施例を説明するため
の断面図である。この例はＩＣチップ４を基板１にさら
に強固に固定する方法とそのための装置を示すもので，
第１の実施例における磁性層２の磁力が不十分で，ＩＣ
チップ４の基板１への固定が不安定になる場合の対策を
示す。
【００２２】ワイヤボンダ本体につながるテーブル１２
に電磁石を装填し， 基板１を搭載するテーブル１２上
に磁力を供給する。電磁石の形成は，例えば，テーブル
１２内部にコイル１３を配置に外部からの電源（図示せ
ず）により電流を供給することにより行う。そして，Ｉ
Ｃチップ４裏面には磁気吸着可能なチップ側吸着層１０
，基板１表面には磁気吸着可能な基板側吸着層１１を形
成する。チップ側吸着層１０及び基板側吸着層１１の材
料としては，例えば，鉄（Ｆｅ），ニッケル（Ｎｉ）等
の磁性金属あるいはそれらの合金を使用する。基板側吸
着層１１上に金メッキのステージ部３を形成する。
に電磁石を装填し， 基板１を搭載するテーブル１２上
に磁力を供給する。電磁石の形成は，例えば，テーブル
１２内部にコイル１３を配置に外部からの電源（図示せ
ず）により電流を供給することにより行う。そして，Ｉ
Ｃチップ４裏面には磁気吸着可能なチップ側吸着層１０
，基板１表面には磁気吸着可能な基板側吸着層１１を形
成する。チップ側吸着層１０及び基板側吸着層１１の材
料としては，例えば，鉄（Ｆｅ），ニッケル（Ｎｉ）等
の磁性金属あるいはそれらの合金を使用する。基板側吸
着層１１上に金メッキのステージ部３を形成する。
【００２３】チップ側吸着層１０と基板側吸着層１１を
突き合わせた基板１をテーブル１２上に配置し，コイル
１３に電流を供給することにより，チップ側吸着層１０
と基板側吸着層１１に磁力を供給する。このようにして
，チップ側吸着層１０と基板側吸着層１１は磁力により
吸引し合い固定される。コイル１３に供給する電流を大
きくすることにより，固定強度を大きくすることができ
る。
突き合わせた基板１をテーブル１２上に配置し，コイル
１３に電流を供給することにより，チップ側吸着層１０
と基板側吸着層１１に磁力を供給する。このようにして
，チップ側吸着層１０と基板側吸着層１１は磁力により
吸引し合い固定される。コイル１３に供給する電流を大
きくすることにより，固定強度を大きくすることができ
る。
【００２４】この後の工程は，第１の実施例の図１（ｂ
） と同様である。即ち，ワイヤボンダにより，ＩＣチ
ップ４と基板１上に設けられた金メッキよりなるボンデ
ィングリード６とをワイヤ７により接続する。この後，
ＩＣチップ４及びボンディングリード６を覆うようにエ
ポキシ樹脂等の封止剤８を配置して加熱することにより
封止剤８を固化させれば搭載が完了する。
） と同様である。即ち，ワイヤボンダにより，ＩＣチ
ップ４と基板１上に設けられた金メッキよりなるボンデ
ィングリード６とをワイヤ７により接続する。この後，
ＩＣチップ４及びボンディングリード６を覆うようにエ
ポキシ樹脂等の封止剤８を配置して加熱することにより
封止剤８を固化させれば搭載が完了する。
【００２５】なお，基板１も基板側吸着層１１が電磁石
による磁力により吸引されるのでテーブル１２上に磁力
により固定されるが，真空吸引を併用して基板１のテー
ブル１２への固定を確実にすることができる。
による磁力により吸引されるのでテーブル１２上に磁力
により固定されるが，真空吸引を併用して基板１のテー
ブル１２への固定を確実にすることができる。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように，本発明によれば基
板１に対してＩＣチップ４を瞬時に固定して，それに続
く配線及び封止作業を支障なく行うことができ，生産効
率の向上及び不良率の低減を図ることができる。
板１に対してＩＣチップ４を瞬時に固定して，それに続
く配線及び封止作業を支障なく行うことができ，生産効
率の向上及び不良率の低減を図ることができる。
【００２７】また，電磁石により磁力を強化することに
より基板１へのＩＣチップ４の固定を十分にして，安定
した配線及び封止作業を支障なく行うことができ，さら
に生産効率の向上及び不良率の低減を図ることができる
。
より基板１へのＩＣチップ４の固定を十分にして，安定
した配線及び封止作業を支障なく行うことができ，さら
に生産効率の向上及び不良率の低減を図ることができる
。
【図１】第１の実施例を説明するための断面図で，（ａ
） はＩＣチップが基板上に固定された状態，（ｂ）
は配線及び封止後の状態である。
） はＩＣチップが基板上に固定された状態，（ｂ）
は配線及び封止後の状態である。
【図２】第２の実施例を説明するための断面図である。
【図３】ＩＣチップを装着した基板の斜視図である。
【図４】ワイヤボンディングの従来例を示す側面図であ
る。
る。
１は基板
２は磁性層
３はステージ部
４はＩＣチップ
５は吸着層
６はボンディングリード
７はワイヤ
８は封止剤
９は外部端子
１０は磁気吸着層であってチップ側吸着層１１は磁気吸
着層であって基板側吸着層１２はテーブルであって電磁
石を備えたテーブル１３はコイル １４はテーブルであって真空吸引パスを備えたテーブル
１５は真空吸引パス
着層であって基板側吸着層１２はテーブルであって電磁
石を備えたテーブル１３はコイル １４はテーブルであって真空吸引パスを備えたテーブル
１５は真空吸引パス
Claims (3)
- 【請求項１】 ＩＣチップ（４） 裏面或いは該ＩＣ
チップ（４） を搭載する基板（１） 表面の少なくと
もいずれか一方に磁性層（２）を形成し，他方に磁気吸
着可能な吸着層（５） を形成し，該磁性層（２） と
該吸着層（５） を突き合わせて該ＩＣチップ（４）
を該基板（１） に磁力により固定した後，配線及び封
止を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 ＩＣチップ（４） 裏面に磁気吸着可
能なチップ側吸着層（１０）を形成し， 該ＩＣチップ
（４） を搭載する基板（１）表面に磁気吸着可能な基
板側吸着層（１１）を形成し， 該チップ側吸着層（１
０）と該基板側吸着層（１１）を突き合わせて該基板（
１） を電磁石を備えたテーブル（１２）上に配置し，
該電磁石により該チップ側吸着層（１０）と該基板側
吸着層（１１）に磁力を供給して該ＩＣチップ（４）
を該基板（１） に磁力により固定した後，配線及び封
止を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 ＩＣチップ（４） を配置した基板（
１） を搭載しかつ該ＩＣチップ（４） に磁力を供給
する電磁石を備えたテーブル（１２）を有し， 該基板
（１） に該ＩＣチップ（４） をワイヤボンディング
する半導体装置製造装置であって，該テーブル（１２）
は，磁気吸着層（１０）の形成されたＩＣチップ（４）
と磁気吸着層（１１）の形成された基板（１） に磁
力を供給して，該ＩＣチップ（４） を該基板（１）
に磁力により固定することを特徴とする半導体装置製造
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3019681A JPH04211998A (ja) | 1990-02-14 | 1991-02-13 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置製造装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3418190 | 1990-02-14 | ||
| JP2-34181 | 1990-02-14 | ||
| JP3019681A JPH04211998A (ja) | 1990-02-14 | 1991-02-13 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04211998A true JPH04211998A (ja) | 1992-08-03 |
Family
ID=26356526
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3019681A Withdrawn JPH04211998A (ja) | 1990-02-14 | 1991-02-13 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04211998A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7397111B2 (en) * | 2003-06-04 | 2008-07-08 | Infineon Technologies, Ag | Semiconductor wafer, an electronic component, and a component carrier for producing the electronic component |
| JP2012013493A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Denso Corp | ウェハレベルパッケージ構造体の製造方法 |
-
1991
- 1991-02-13 JP JP3019681A patent/JPH04211998A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7397111B2 (en) * | 2003-06-04 | 2008-07-08 | Infineon Technologies, Ag | Semiconductor wafer, an electronic component, and a component carrier for producing the electronic component |
| JP2012013493A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Denso Corp | ウェハレベルパッケージ構造体の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |