JPH0422265B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0422265B2
JPH0422265B2 JP7558683A JP7558683A JPH0422265B2 JP H0422265 B2 JPH0422265 B2 JP H0422265B2 JP 7558683 A JP7558683 A JP 7558683A JP 7558683 A JP7558683 A JP 7558683A JP H0422265 B2 JPH0422265 B2 JP H0422265B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
photoreceptor
charge
examples
weight
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP7558683A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS59201060A (ja
Inventor
Kyoji Tsutsui
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ricoh Co Ltd filed Critical Ricoh Co Ltd
Priority to JP7558683A priority Critical patent/JPS59201060A/ja
Priority to US06/597,991 priority patent/US4540643A/en
Priority to GB08410722A priority patent/GB2147894B/en
Priority to DE3448011A priority patent/DE3448011C2/de
Priority to DE19843415608 priority patent/DE3415608A1/de
Publication of JPS59201060A publication Critical patent/JPS59201060A/ja
Priority to US06/753,281 priority patent/US4716220A/en
Publication of JPH0422265B2 publication Critical patent/JPH0422265B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02—Charge-receiving layers
    • G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は電子写真用の感光体に関し、さらに詳
しくは、光を照射したとき電荷担体を発生する物
質(以下、電荷発生物質という。)としてジスア
ゾ顔料を含有する感光層を設けた電子写真用感光
体に関する。 本発明は電子写真用の感光体に関し、更に詳し
くは、光を照射したとき電荷担体を発生する物質
(以下、電荷発生物質と言う。)を含む層(以下、
電荷発生層と言う。)と電荷発生層が発生した電
荷担体を受け入れ、これを搬送する物質(以下、
電荷搬搬送物質と言う。)を含む層(以下、電荷
搬送層と言う。)からなる積層型の電子写真感光
体に関する。 従来、電子写真用の感光体として、無機物系の
ものではセレン及びその合金を用いたもの、ある
いは色素増感した酸化亜鉛を結着樹脂中に分散し
た感光体などがあり、また有機物系のものでは、
2,4,7−トリニトロ−9−フルオレノン(以
下、TNFと言う。)とポリ−N−ビニルカルバゾ
ール(以下、PVKと言う。)との電荷移動錯体を
用いたものなどが代表的なものである。しかし、
これらの感光体は多くの長所を持つていると同時
に、さまざまな欠点を持つていることも事実であ
る。例えば、現在広く用いられているセレン感光
体は製造する条件がむずかしく、製造コストが高
かつたり、可撓性がないためにベルト状に加工す
ることがむずかしく、また熱や機械的な衝撃に鋭
敏なため取扱いに注意を要する。また酸化亜鉛感
光体は安価な酸化亜鉛を用いて支持体への塗布で
製造することが出来るためコストは低いが、一般
に感度が低かつたり、表面の平滑性、硬度、引つ
張り強度、耐摩擦性などの機械的な欠点があり、
通常反復して使用する普通紙複写機用の感光体と
しては耐久性などに問題が多い。また、TNFと
PVKの電荷移動錯体を用いた感光体は感度が低
く、高速複写機用の感光体としては不適当であ
る。 近年、これらの感光体の欠点を排除するために
広範な研究が進められ、特に有機物系のさまざま
な感光体が提案されている。中でも有機顔料の薄
膜を導電体支持体上に形成し(電荷発生層)、こ
の上に電荷搬送物質を主体とする層(電荷搬送
層)を形成した積層型の感光体が従来の有機物系
の感光体に比べ、一般に感度が高く帯電性が安定
していることなどの点から普通紙複写機用の感光
体として注目されており、一部実用に供されてい
るものがある。 この種の従来の積層型の感光体として、 (1) 電荷発生層としてペリレン誘導体を真空蒸着
した薄層を用い、電荷搬送層にオキサジアゾー
ル誘導体を用いたもの(米国特許第3871882号
公報参照)、 (2) 電荷発生層としてクロルダイアンプルーの有
機アミン溶液を塗布して形成した薄層を用い、
電荷搬送層にヒドラゾン化合物を用いたもの
(特公昭55−42380号公報参照)、 (3) 電荷発生層としてジスチリルベンゼン系ジス
アゾ化合物の有機溶媒分散液を塗布して形成し
た薄層を用い、電荷搬送層にヒドラゾン化合物
を用いたもの(特開昭55−84943号公報参照) などが知られている。 しかしながら、この種の積層型の感光体におい
ても従来のものは多くの長所を持つていると同時
にさまざまな欠点を持つていることも事実であ
る。 (1)で示したペリレン誘導体とオキサジアゾール
誘導体を用いた感光体は、その電荷発生層を真空
蒸着により形成するため製造コストが高くなる。 (2)で示したクロルダイアンブルーとヒドラゾン
化合物を用いた感光体は、電荷発生層を形成する
ための塗布溶剤として、一般に取り扱いにくい有
機アミン(たとえばエチレンジアミン)を用いる
必要があり、感光体作成上の欠点が多い。また、
その可視域の感光波長域がおよそ450〜660nmに
亘つているため、赤色原稿の画像再現性が悪かつ
た。そのため、実際に複写機に実装する場合は赤
色光をカツトするフイルターが必要であり、複写
機設計上の不利がある。 (3)で示したジスチリルベンゼン系ジスアゾ化合
物とヒドラゾン化合物とを用いた感光体は、ジス
アゾ化合物の分散液の塗布により容易に電荷発生
層を形成できることから製造上は大変有利なもの
であるが、(2)の感光体と同様に、その感光波長域
がおよそ450〜700nmに亘つているため赤色原稿
の画像再現性が悪いという欠点を有している。 本発明者は、以上の点に鑑み、容易に製造でき
高感度で、しかも感光波長域が短波長領域にある
(すなわち、赤色原稿の画像再現性にすぐれた)
電子写真用感光体を開発することを目的として鋭
意検討を重ねた結果、ある特定のジスアゾ化合物
を電荷発生物質として用いることにより、上記の
目的が達成できることを見い出し、本発明を完成
するに至つた。 すなわち、本発明の電子写真用感光体は、導電
性支持体上に、電荷発生物質として下記一般式
()で示されるジスアゾ顔料を含有する感光層
を設けたことを特徴とする。 (式中、Aはカツプラー残基を表わす。) カツプラーとしては、たとえば、フエノール
類、ナフトール類などのフエノール性水酸基を有
する化合物、アミノ基を有する芳香族アミノ化合
物、あるいはアミノ基とフエノール性水酸基を有
するアミノナフトール類、脂肪族もしくは芳香族
のエノール性ケトン基(活性メチレン基)をもつ
化合物などが用いられ、好ましくは、カツプラー
残基Aが下記一般式()、()、()、()、
()、()、()、()、()、()(XI
)、
(XII)の一般式で表わされるものである。 〔上記式()、()、()および()中、
X,Y1,Z,mおよびnはそれぞれ以下のもの
を表わす。 X:−OH,
【式】または−NHSO2− R3 (R1およびR2は水素または置換もしく
は無置換のアルキルを表わし、R3は置換
もしくは無置換のアルキル基または置換も
しくは無置換のアリール基を表わす。) Y1:水素、ハロゲン、置換もしくは無置換の
アルキル基、置換もしくは無置換のアルコ
キシ基、カルボキシ基、スルホ基、置換も
しくは無置換のスルフアモイル基または
【式】 (R4は水素、アルキル基またはその置
換体、フエニル基またはその置換体を表わ
し、Y2は炭化水素環基またはその置換体、
複素環基またはその置換体、あるいは
【式】(但し、R5は炭化水素環基 またはその置換体、複素環基またはその置
換体あるいはスチリル基またはその置換
体、R6は水素、アルキル基、フエニル基
またはその置換体を表わすか、あるいは
R5およびR6はそれらに結合する炭素原子
と共に環を形成してもよい。)を示す。) Z:炭化水素環またはその置換体あるいは複素
環またはその置換体 n:1または2の整数 m:1または2の整数〕 〔式()および()中、R7は置換もしく
は無置換の炭化水素基を表わし、Xは前記に同じ
である。〕 〔式中、R8はアルキル基、カルバモイル基、
カルボキシル基またはそのエステルを表わし、
Ar1は炭化水素環基またはその置換体を表わし、
Xは前記と同じである。〕 〔上記式()および()中、R9は水素ま
たは置換もしくは無置換の炭化水素基を表わし、
Ar2は炭化水素環基またはその置換体を表わす。〕 前記一般式()、()または()における
Zの炭化水素環としてはベンゼン環、ナフタレン
環などが例示でき、また、複素環としてはインド
ール環、カルバゾール環、ベンゾフラン環、ベン
ゾフラン環などが例示できる。また、Zの環にお
ける置換基としては塩素原子、臭素原子などのハ
ロゲン原子が例示できる。 Y2またはR5における炭化水素環基としては、
フエニル基、ナフチル基、アントリル基、ピレニ
ル基などが、また、複素環基としてはピリジル
基、チエニル基、フリル基、インドリル基、ベン
ゾフラニル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニ
ル基などが例示でき、さらに、R5およびR6が結
合して形成する環としては、フルオレン環などが
示例できる。 Y2またはR5の炭素環基または複素環基あるい
はR5およびR6によつて形成される環における置
換基としては、メチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基などのアルキル基、メトキシ基、エ
トキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などのアル
コキシ基、塩素原子、臭素原子などのハロゲン原
子、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基などの
ジアルキルアミノ基、ジベンジルアミノ基などの
ジアラルキルアミノ基、トリフルオロメチル基な
どのハロメチル基、ニトロ基、シアノ基、カルボ
キシル基またはそのエステル、水酸基、−SO3Na
などのスルホン酸塩基などが挙げられる。 R4のフエニル基の置換体としては塩素原子ま
たは臭素原子などのハロゲン原子が例示できる。 R7またはR9における炭化水素基の代表例とし
ては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基などのアルキル基、ベンジル基などのアラルキ
ル基、フエニル基などのアリール基またはこれら
の置換体が例示できる。 R7またはR9の炭化水素基における置換基とし
ては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基などのアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、
プロポキシ基、ブトキシ基などのアルコキシ基、
塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子、水酸
基、ニトロ基などが例示できる。 Ar1またはAr2における炭化水素環基としては、
フエニル基、ナフチル基などがその代表例であ
り、また、これらの基における置換基としては、
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基など
のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポ
キシ基、ブトキシ基などのアルコキシ基、ニトロ
基、塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子、シ
アノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基な
どのジアルキルアミノ基などが例示できる。 また、Xの中では特に水酸基が適当である。 上記カツプラー残基の中でも好ましいのは上記
一般式()、()、()、()、()および
()で示されるものであり、この中でも一般式
におけるXが水酸基のものが好ましい。また、こ
の中でも一般式(′) (Y1およびZは前記に同じ。) で表わされるカツプラー残基が好ましく、さらに
好ましくは一般式 (Z,Y2およびR2は前記に同じ。) で示されるカツプラー残基である。 さらにまた、上記好ましいカツプラー残基の中
でも一般式(XI)または() (Z,R2,R5およびR6は前記に同じであり、
またR10としては上記のY2置換基が例示できる。) で表わされるものが適当である。 以上のような本発明に用いるジスアゾ顔料の具
体例を構造式で示すと次の通りである。なお、簡
略化のため、カツプラー残基であるAの構造式の
みで示した。
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】 以上のような本発明のジスアゾ顔料を用いるこ
とにより極めて高感度な電子写真用感光体が容易
に製造できるが、この中でも電荷発生物質として
特に好ましいジスアゾ顔料はNo.14,17,20,23,
26,29,58,84,90である。 本発明のジスアゾ顔料は、たとえば、A.A.
Goldberg and H.A.Walker,Journal of
Chemieal Society,1953,1348(1953)に記載さ
れるような方法により製造した2,7−ジアミノ
キサントンを常法によりジアゾ化してテトラゾニ
ウム塩とし、このテトラゾニウム塩と対応するカ
ツプラーとを適当な有機溶媒、たとえばN,N−
ジメチルホルムアミド中で塩基を作用させてカツ
プリング反応を行なうことによつて容易に製造す
ることができる。その例として以下に前記No.1の
ジスアゾ顔料の製造例を示すが、他のジスアゾ顔
料もカツプラーを変える他はこの製造例に従つて
容易に製造することができる。 製造例 水224mlと濃塩酸224mlとより成る塩酸中へ2,
7−ジアミノキサントン29.18gを加え、約60℃
に加熱して1時間加熱した後、−3℃まで冷却し、
次いでこれに亜硝酸ナトリウム18.7gを水90mlに
溶解した溶液を−3℃〜0℃の温度で50分間にわ
たり滴下した。その後、同温度で30分撹拌した
後、この反応液中に42%硼弗化水素酸150mlを添
加し、析出した結晶を別し、水洗、乾燥して
47.13g(収率86.1%)のテトラゾニウムジフル
オロボレートの淡黄色結晶を得た。分解点145℃
以上、赤外線吸収スペクトル(KBr錠剤法)で
は2280cm-1にN2 に基づく吸収帯が、1685cm-1
にC=Oに基づく吸収帯が認められた。 このようにして得られたテトラゾニウム塩5.0
gとカツプリング成分として2−ヒドロキシ−3
−ナフトエ酸アニリド6.25g(テトラゾニウム塩
の2倍モル)とを、冷却したN,N−ジメチルホ
ルムアミド700ml中に溶解し、これに酢酸ナトリ
ウム4.0gおよび水35mlからなる溶液を5〜10℃
の温度で20分間にわたつて滴下し、冷却を中止し
た後、さらに室温で3時間撹拌した。その後、生
成した沈澱を取し、80℃に加熱したN,N−ジ
メチルホルムアミド700mlで3回洗浄し、次に水
700mlで2回洗浄し、80℃で2mmHgの減圧下に乾
燥して、表1の化合物No.1のジスアゾ顔料8.2g
(収率90.0%)を得た。このジスアゾ顔料の外観
は赤色の粉末であり、赤外線吸収スペクトル
(KBr錠剤法)は第1図に示した。 融 点 300℃以上 元素分析値(%) 計算値 実測値 C 72.86 72.61 H 3.91 3.88 N 10.84 10.77 本発明の電子写真用感光体ではジスアゾ顔料は
感光層における電荷発生物質として用いられ、こ
の感光体の代表的な構成を第2図および第3図に
示した。 第2図の感光体は、導電性支持体11上に、ジ
スアゾ顔料13を主体とする電荷発生層15と電
荷搬送物質を主体とする電荷搬送層17とからな
る積層型の感光層19を設けたものである。 第2図の感光体では、像露光された光は電荷搬
送層を透過し、電荷発生層15に到達し、その部
分のジスアゾ顔料13で電荷の生成が起こり、一
方、電荷搬送層17は電荷の注入を受けその搬送
を行なうもので、光減衰に必要な電荷の生成はジ
スアゾ顔料13で行なわれ、また電荷の搬送は電
荷搬送層17でというメカニズムである。 第3図の感光体は導電性支持体11上に主とし
てジスアゾ顔料13、電荷搬送物質および絶縁性
結合剤からなる感光層19を設けたものである。
ここでもジスアゾ顔料13は電荷発生物質であ
る。その他の感光体として第2図の電荷発生層と
電荷搬送層を逆にすることも可能である。 感光層の厚さは、第2図のもので電荷発生層1
5の厚みは好ましくは0.01〜5μさらに好ましくは
0.05〜2μである。この厚さが0.01μ以下でありる
電荷の発生は十分ではなく、また5μ以上である
と残留電位が高く実用に耐えない。電荷搬送層1
7の厚さは好ましくは3〜50μ、さらに好ましく
は5〜20μである。この厚さが3μ以下であると帯
電量が不十分であり、50μ以上であると残留電位
が高く実用的ではない。電荷発生層15は前記の
一般式で示されるジスアゾ顔料を主体とし、さら
に結合剤、可塑剤などを含有することができる。
また、電荷発生層中のジスアゾ顔料の割合は好ま
しくは30重量%以上、さらに好ましくは50重量%
以上である。電荷搬送層17は電荷搬送物質と結
合剤を主体とし、さらに可塑剤などを含有するこ
とができる。電荷搬送層中の電荷搬送物質の割合
は10〜95重量%、好ましくは30〜90重量%であ
る。電荷搬送物質の占める割合が10重量%未満で
あると、電荷の搬送はほとんど行なわれず、また
95重量%以上であると感光体皮膜の機械的強度が
極めて悪く実用に供しえない。 第3図に示した感光体の場合は、感光層19′
の厚さは好ましくは3〜50μ、さらに好ましくは
5〜20μである。また、感光層19′の中のジスアゾ
顔料の割合は好ましくは50重量%以下、さらに好
ましくは20重量%以下であり、また電荷搬送物質
の割合は好ましくは10〜95重量%、さらに好まし
くは30〜90重量%である。 本発明は、電子写真用感光体における電荷発生
物質として、前記一般式で表わされる特定のジ
スアゾ顔料を用いることを骨子とするものであ
り、導電性支持体、電荷搬送物質など他の構成要
素としては従来知られていたもののいずれもが使
用できるが、それらについて以下に具体的に説明
する。 本発明の感光体において使用される導電性支持
体としては、アルミニウム、銅、亜鉛等の金属
板、ポリエステル等のプラスチツクシートまたは
プラスチツクフイルムにアルミニウム、SnO2等
の導電材料を蒸着したもの、あるいは導電処理し
た紙等が使用される。 結合剤としては、ポリアミド、ポリウレタン、
ポリエステル、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリ
カーボネートなどの縮合系樹脂やポリビニルケト
ン、ポリスチレン、ポリ−N−ビニルカルバゾー
ル、ポリアクリルアミドなどのビニル重合体など
が挙げられるが、絶縁性で且つ接着性のある樹脂
は全て使用できる。 可塑剤としては、ハロゲン化パラフイン、ポリ
塩化ビフエニル、ジメチルナフタレン、ジブチル
フタレートなどが挙げられる。その他感光体の表
面性をよくするためにシリコンオイル等を加えて
もよい。 電荷搬送物質には正孔搬送物質と電子搬送物質
がある。正孔搬送物質としては、たとえば以下の
一般式(1)〜(11)に示されるような化合物が例示でき
る。 〔式中、R1はメチル基、エチル基、2−ヒド
ロキシエチル基又は2−クロルエチル基を表わ
し、R2はメチル基、エチル基、ベンジル基又は
フエニル基を表わし、R3は水素、塩素、臭素、
炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のアル
コキシ基、ジアルキルアミノ基又はニトロ基を表
わす。〕 〔式中、Arはナフタリン環、アントラセン環、
スチリル基及びそれらの置換体あるいはピリジン
環、フラン環、チオフエン環を表わし、Rはアル
キル基又はベンジル基を表わす。〕 〔式中、R1はアルキル基、ベンジル基、フエ
ニル基を表わし、R2は水素、炭素数1〜3のア
ルキル基、炭素数1〜3のアルコキシ基、ジアル
キルアミノ基、ジアラルキルアミノ基またはジア
リールアミノ基を表わし、nは1〜4の整数を表
わし、nが2以上のときR2は同じでも異なつて
いてもよい。R3は水素またはメトキシ基を表わ
す。〕 〔式中、R1は炭素数1〜11のアルキル基、置
換もしくは無置換のフエニル基又は複素環基を表
わし、R2,R3はそれぞれ同一でも異なつていて
もよく水素、炭素数1〜4のアルキル基、ヒドロ
キシアルキル基、クロルアルキル基、置換又は無
置換のアラルキル基を表わし、また、R2とR3は
互いに結合し窒素含をむ複素環を形成していても
よい。R4は同一でも異なつていてもよく水素、
炭素数1〜4のアルキル基、アルコキシ基又はハ
ロゲンを表わす。〕 〔式中、Rは水素またはハロゲン原子を表わ
し、Arは置換または無置換のフエニル基、ナフ
チル基、アントリル基あるいはカルバゾリル基を
表わす。〕 〔式中R1は水素、ハロゲン、シアノ基、炭素
数1〜4のアルコキシ基または炭素数1〜4のア
ルキル基を表わし、Arは
【式】または
【式】を表わし、R2は炭素数1〜 4のアルキル基を表わし、R3は水素、ハロゲン、
炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のアル
コキシ基またはジアルキルアミノ基を表わし、n
は1または2であつて、nが2のときはR3は同
一でも異なつてもよく、R4およびR5は水素、炭
素数1〜4の置換または無置換のアルキル基ある
いは置換または無置換のベンジル基を表わす。〕 〔式中、Rはカルバゾリル基、ピリジル基、チ
エニル基、インドリル基、フリル基或いはそれぞ
れ置換もしくは非置換のフエニル基、スチリル
基、ナフチル基またはアントリル基であつて、こ
れらの置換基がジアルキルアミノ基、アルキル
基、アルコキシ基、カルボキシ基またはそのエス
テル、ハロゲン原子、シアノ基、アラルキルアミ
ノ基、N−アルキル−Nアラルキルアミノ基、ア
ミノ基、ニトロ基およびアセチルアミノ基からな
る群から選ばれた基を表わす。〕 〔式中、R1は低級アルキル基またはベンジル
基を表わし、R2は水素原子、低級アルキル基、
低級アルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、ア
ミノ基あるいは低級アルキル基またはベンジル基
で置換されたアミノ基を表わし、nは1または2
の整数を表わす。〕 〔式中、R1は水素原子、アルキル基、アルコ
キシ基またはハロゲン原子を表わし、R2および
R3はアルキル基、置換または無置換のアラルキ
ル基あるいは置換または無置換のアリール基を表
わし、R4は水素原子または置換もしくは無置換
のフエニル基を表わし、また、Arはフエニル基
またはナフチル基を表わす。〕 〔式中、nは0または1の整数、R1は水素原
子、アルキル基または置換もしくは無置換のフエ
ニル基を示し、Aは
【式】
【式】9−アントリル基または置換 もしくは無置換のN−アルキルカルバゾリル基を
表わし、ここでR2は水素原子、アルキル基、ア
ルコキシ基、ハロゲン原子または
【式】 (但し、R3およびR4はアルキル基、置換または無
置換のアラルキル基、置換または無置換のアリー
ル基を示し、R3およびR4は環を形成してもよい)
を表わし、mは0,1,2または3の整数であつ
て、mが2以上のときはR2は同一でも異なつて
もよい。〕 式中、R1,R2およびR3は水素、低級アルキル
基、低級アルコキシ基、ジアルキルアミノ基また
はハロゲン原子を表わし、nは0または1を表わ
す。〕 一般式(1)で表わされる化合物には、たとえば9
−エチルカルバゾール−3−アルデヒド1−メチ
ル−1−フエニルヒドラゾン、9−エチルカルバ
ゾール−3−アルデヒド1−ベンジル−1−フエ
ニルヒドラゾン、9−エチルカルバゾール−3−
アルデヒド1,1−ジフエニルヒドラゾンなどが
ある。一般式(2)で表わされる化合物には、たとえ
ば4−ジエチルアミノスチレン−β−アルデヒド
1−エチル−1−フエニルヒドラゾン、4−メト
キシナフタレン−1−アルデヒド1−ベンジル−
1−フエニルヒドラゾンなどがある。一般式(3)で
表わされる化合物にはたとえば、4−メトキシベ
ンズアルデヒド1−メチル−1−フエニルヒドラ
ゾン、2,4−ジメトキシベンズアルデヒド1−
ベンジル−1−フエニルヒドラゾン、4−ジエチ
ルアミノベンズアルデヒド1,1−ジフエニルヒ
ドラゾン、4−メトキシベンズアルデヒド1−ベ
ンジル−1−(4−メトキシ)フエニルヒドラゾ
ン、4−ジフエニルアミノベンズアルデヒド1−
ベンジル−1−フエニルヒドラゾン、4−ジベン
ジルアミノベンズアルデヒド−1,1−ジフエニ
ルヒドラゾンなどがある。一般式(4)で表わされる
化合物には、たとえば1,1−ビス(4−ジベン
ジルアミノフエニル)プロパン、トリス(4−ジ
エチルアミノフエニル)メタン、1,1−ビス
(4−ジベンジルアミノフエニル)プロパン、2,
2−ジメチル−4,4′−ビス(ジメチルアミノ)
−トリフエニルメタンなどがある。一般式(5)で表
わされる化合物には、たとえば9−(4−ジエチ
ルアミノスチリル)アントラセン、9−ブロム−
10−(4−ジエチルアミノスチリル)アントラセ
ンなどがある。一般式(6)で表わされる化合物に
は、たとえば9−(4−ジメチルアミノベンジリ
デン)フルオレン、3−(9−フルオレニリデン)
−9−エチルカルバゾールなどがある。一般式(7)
で表わされる化合物には、たとえば、1,2−ビ
ス(4−ジエチルアミノスチリル)ベンゼン、
1,2−ビス(2,4−ジメトキシスチリル)ベ
ンゼンがある。一般式(8)で表わされる化合物に
は、たとえば3−スチリル−9−エチルカルバゾ
ール、3−(4−メトキシスチリル)−9−エチル
カルバゾールなどがある。一般式(9)で表わされる
化合物には、たとえば4−ジフエニルアミノスチ
ルベン、4−ジベンジルアミノスチルベン、4−
ジトリルアミノスチルベン、1−(4−ジフエニ
ルアミノスチリル)ナフタレン、1−(4−ジエ
チルアミノスチリル)ナフタレンなどがある。一
般式(10)で表わされる化合物には、たとえば4′−ジ
フエニルアミノ−α−フエニルスチルベン、4′−
メチルフエニルアミノ−α−フエニルスチルベン
などがある。一般式(11)で表わされる化合物には、
たとえば1−フエニル−3−(4−ジエチルアミ
ノスチリル)−5−(4−ジエチルアミノフエニ
ル)ピラゾリン、1−フエニル−3−(4−ジメ
チルアミノスチリル)−5−(4−ジエチルアミノ
フエニル)ピラゾリンなどがある。 この他の正孔搬送物質としては、たとえば2,
5−ビス(4−ジエチルアミノフエニル)−1,
3,4−オキサジアゾール、2,5−ビス〔4−
(4−ジエチルアミノスチリル)フエニル〕−1,
3,4−オキサジアゾール、2−(9−エチルカ
ルバゾリル−3−)−5(4−ジエチルアミノフエ
ニル)−1,3,4−オキサジアゾールなどのオ
キサジアゾール化合物、2−ビニル−4−(2−
クロルフエニル)−5−(4−ジエチルアミノフエ
ニル)オキサゾール、2−(4−ジエチルアミノ
フエニル)−4−フエニルオキサゾールなどのオ
キサゾール化合物などの低分子化合物がある。ま
た、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ハロゲン化
ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレ
ン、ポリビニルアントラセン、ピレンホルムアル
デヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒ
ド樹脂などの高分子化合物も使用できる。 電子搬送物質としては、たとえば、クロルアニ
ル、ブロムアニル、テトラシアノエチレン、テト
ラシアノキノンジメタン、2,4,7−トリニト
ロ−9−フルオレノン、2,4,5,7−テトラ
ニトロ−9−フルオレノン、2,4,5,7−テ
トラニトロキサントン、2,4,8−トリニトロ
チオキサントン、2,6,8−トリニトロ−4H
−インデノ〔1,2,b〕チオフエン−4−オ
ン、1,3,7−トリニトロジベンゾチオフエ
ン、5,5−ジオキサイドなどがある。 これらの電荷搬送物質は単独又は2種以上混合
して用いられる。 なお以上のようにして得られる感光体にはいず
れも導電性支持体と感光層の間に必要に応じて接
着層又はバリヤ層を設けることができる。これら
の層に用いられる材料としてはポリアミド、ニト
ロセルロース、酸化アルミニウムなどが適当で、
また膜厚は1μ以下が好ましい。 第2図の感光体を作成するには、導電性支持体
上にジスアゾ顔料をUSP3973959、USP3996049
等に記載されている真空蒸着方法で真空蒸着する
か、あるいはジスアゾ顔料の微粒子を必要とあれ
ば結合剤を溶解した適当な溶剤中に分散し、これ
を導電性支持体上に塗布乾燥し、更に必要であれ
ば例えば特開昭51−90827に示されているような
バフ研摩等の方法により表面仕上をするか、膜厚
を調整した後、電荷搬送物質及び結合剤を含む溶
液を塗布乾燥して得られる。 第3図の感光体を作成するにはジスアゾ顔料の
微粒子を電荷搬送物質及び結合剤を溶解した溶液
中に分散せしめ、これを導電性支持体上に塗布乾
燥すればよい。いづれの場合も本発明に使用され
るジスアゾ顔料はボールミル等により粒径5μ以
下、好ましくは2μ以下に粉砕して用いられる。
塗布方法は通常の手段、例えばドクターブレー
ド、デイツピング、ワイヤーバーなどで行なう。 本発明の感光体を用いて複写を行なうには、感
光層面に帯電、露光を施した後、現像を行ない、
必要によつて、紙などへ転写を行うことにより達
成される。 以上の説明および後記の実施例および比較例か
らも明らかなように、本発明の電子写真用感光体
は、キサントン骨格を有するジスアゾ顔料を電荷
発生物質として用いることにより、従来の感光体
に比較して製造が容易であり、また、高感度で、
しかも感光波長域が短波長域(450〜600nm)に
あり、感光体の反復作用に対しても特性が安定し
ているなど、優れた性質を有する。 次に本発明を実施例により具体的に説明する
が、これにより本発明の実施の態様が限定される
ものではない。 実施例 1 ジスアゾ顔料No.1を76重量部、ポリエステル樹
脂(バイロン200株式会社東洋紡積製)のテトラ
ヒドロフラン溶液(固形分濃度2%)1260重量
部、およびテトラヒドロフラン3700重量部をボー
ルミル中で粉砕混合し、得られた分散液をアルミ
ニウム蒸着したポリエステルベース(導電性支持
体)のアルミ面上にドクターブレードを用いて塗
布し、自然乾燥して、厚さ約1μmの電荷発生層を
形成した。 この電荷発生層上に、電荷搬送物質として9−
エチルカルバゾール−3−アルデヒド1−メチル
−1−フエニルヒドラゾン2重量部、ポリカーボ
ネート樹脂(パンライトK−1300:(株)帝人製)2
重量部およびテトラヒドロフラン16重量部を混合
溶解した溶液をドクターブレードを用いて塗布
し、80℃で2分間、ついで105℃で5分間乾燥し
て厚さ約20μmの電荷搬送層を形成して、第2図
に示した積層型の感光体No.1を作成した。 実施例 2〜26 実施例1で用いたジスアゾ顔料No.1の代りに後
記表−1に示すジスアゾ顔料を用いた以外は実施
例1と同様にして感光体No.2〜26を作成した。 実施例 27〜47 電荷搬送物質として1−フエニル−3−(4−
ジエチルアミノスチリル)−5−(4−ジエチルア
ミノフエニル)ピラゾリンを用い、後記表−2に
示すジスアゾ顔料を用いた以外は実施例1と同様
にして感光体No.27〜47を作成した。 実施例 48〜66 電荷搬送物質として9−(4−ジエチルアミノ
スチリル)アントラセンを用い、後記表−3に示
すジスアゾ顔料を用いた以外は実施例1と同様に
して感光体No.48〜66を作成した。 実施例 67〜74 電荷搬送物質として1,1−ビス(4−ジベン
ジルアミノフエニル)プロパンを用い、後記表−
4に示すジスアゾ顔料を用いた以外は、実施例1
と同様にして感光体No.67〜74を作成した。 これらの感光体No.1〜74について、静電複写紙
試験装置((株)川口電機製作所製、SP428型)を用
いて、−6KVのコロナ放電を20秒間行なつて負に
帯電せしめた後、20秒間暗所に放置し、その時の
表面電位Vpo(V)を測定し、次いでタングステ
ンランプによつてその表面が照度4.5ルツクスに
なるようにして光を照射しその表面電位がVpoの
1/2になるまでの時間(秒)を求め、露光量E1/2
(ルツクス・秒)を算出した。その結果を表−1
〜表−4に示した。
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】 比較例 1 米国特許第3871882号公報に記載の電荷発生層
としてペリレン誘導体を用い、電荷搬送層にオキ
サジアゾール誘導体を用いた積層型の感光体を下
記のように作成した。 電荷発生物質としてN,N′−ジメチルペリレ
ン−3,4,9,10−テトラカルボン酸ジイミド
をアルミニウム板上に、真空度10-5mmHg蒸着源
温度350℃、蒸着時間3分間の条件下に真空蒸着
し、電荷発生層を形成した。次いでこの電荷発生
層上に、2,5−ビス(4−ジエチルアミノフエ
ニル)−1,3,4−オキサジアゾール5重量部、
ポリエステル樹脂(デユポン社製、ポリエステル
アドヒースイブ49000)5重量部及びテトラヒド
ロフラン90重量部からなる溶液を塗布し、120℃
で10分間乾燥して、厚さ約10μmの電荷搬送層を
形成し、比較感光体No.1を作成した。 比較例 2 特公昭55−42380号公報に記載されている、電
荷発生層としてクロルダイアンブルーを用い電荷
搬送層にヒドラゾン化合物を用いた積層型の感光
体を下記のようにして作成した。 クロルダイアンブルー25重量部、エチレンジア
ミン1240重量部、n−ブチルアミン990重量部お
よびテトラヒドロフラン2740重量部からなる溶液
を、アルミ蒸着したポリエステルベースのアルミ
面上にウエツトギヤツプ25μmでドクターブレー
ドを用いて塗布、乾燥し、電荷発生層を形成し
た。ついで、この電荷発生層上に、4−ジエチル
アミノベンズアルデヒド1,1−ジフエニルヒド
ラゾン10重量部、ポリカーボネート樹脂(実施例
1で用いた樹脂と同じもの)10重量部およびテト
ラヒドロフラン80重量部よりなる溶液を、ドクタ
ーブレードを用いて塗布、乾燥して厚さ約18μm
の電荷搬送層を形成し、積層型の比較感光体No.2
を作成した。 比較例 3 特開昭55−84943号公報に記載されている、電
荷発生層としてジスチリルベンゼン系ジスアゾ化
合物を用い、電荷搬送層にヒドラゾン化合物を用
いた積層型の感光体を下記のように作成した。 4′,4″−ビス〔2−ヒドロキシ−3−(2,4
−ジメチルフエニルカルバモイル)−1−ナフチ
ルアゾ〕−1,4−ジスチリルベンゼン20重量部、
ポリビニルブチラール(デンカブチラール#4000
−1、東京電気化学(株)製)3重量部、ポリメチル
メタアクリレート(ダイヤナールBR−80、三菱
レーヨン(株)製)7重量部およびテトラヒドロフラ
ン300重量部を、ボールミル中で3時間ミリング
し、この分散液をテトラヒドロフラン2700重量部
で希釈した後、アルミ蒸着したポリエステルベー
ス(導電性支持体)のアルミ面上にドクターブレ
ードを用いて塗布、乾燥し、厚さ約0.3μmの電荷
発生層を形成した。ついで、この電荷発生層上
に、9−エチルカルバゾール−3−アルデヒド−
1−メチル−1−フエニルヒドラゾン10重量部、
ポリカーボネート樹脂(実施例1で用いた樹脂と
同じもの)10重量部およびテトラヒドロフラン80
重量部よりなる溶液を、ドクターブレードを用い
て塗布し、乾燥して厚さ約13μmの電荷搬送層を
形成し、積層型の比較感光体No.3を作成した。 これら比較感光体No.1〜3および本発明の感光
体No.4およびNo.7について、その感光波長域を調
べるために、次の測定手順によつて分光感度の測
定を行なつた。 まず、感光体を暗所でコロナ放電によりその表
面電位を−800ボルト以上に帯電し、その表面電
位が−800ボルトになるまで暗減衰させ、表面電
位が−800ボルトになつたときにモノクロメータ
ーを用いて分光した感光体面での強度が1μw/cm2
の単色光を感光体に照射した。そして、その表面
電位が−400Vに減衰するまでの時間(秒)を求
め、半減露光量(μW・sec/cm2)を算出した。一
方、露光によつて得られる見掛け上の電位差400
ボルトから暗減衰による電位の減衰分を差引いた
露光により実際に得られている電位差を求め、こ
の電位差と上記の半減露光量とから光減衰速度
(Volt・cm2・μW-1・sec-1)を算出し、感度とし
た。このようにして得られた分光感度を第4〜6
図に示した。 第4図…本発明の感光体No.4 第5図…本発明の感光体No.7 第6図…比較感光体No.1,2,3 前記表−1〜表−4および第4図〜第6図の結
果により、本発明の感光体が高感度で、また、そ
の感光波長域がおよそ460〜600nmであることが
判る。 さらに、本発明の感光体No.4およびNo.7を(株)リ
コー製複写機リコピーP−500型に装着して画像
出しを10000回繰り返した。その結果、いずれの
感光体も複写プロセスの繰返しにより変化するこ
となく、鮮明な画像が得られた。これにより、本
発明の感光体が耐久性においても優れたものであ
ることが理解できるであろう。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に用いるジスアゾ顔料No.1の赤
外線吸収スペクトル(KBr錠剤法)である。第
2図および第3図は本発明の感光体の構成例を示
す拡大断面図である。 11…導電性支持体、13…ジスアゾ顔料、1
5…電荷発生層、17…電荷搬送層、19,1
9′…感光層。 第4図〜第6図は本発明の感光体および比較感
光体の分光感度特性を表わすグラフである。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 導電性支持体上に一般式() (式中、Aはカツプラー残基を表わす) で示されるジスアゾ顔料を有効成分として含有す
    ることを特徴とする電子写真用感光体。
JP7558683A 1983-04-26 1983-04-28 電子写真用感光体 Granted JPS59201060A (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7558683A JPS59201060A (ja) 1983-04-28 1983-04-28 電子写真用感光体
US06/597,991 US4540643A (en) 1983-04-26 1984-04-09 Tetrazonium salt compounds, novel disazo compounds, method for the production thereof and disazo compound-containing electrophotographic elements
GB08410722A GB2147894B (en) 1983-04-26 1984-04-26 Tetrazonium salts, disazo compounds, and electrophotographic elements containing disazo compounds
DE3448011A DE3448011C2 (ja) 1983-04-26 1984-04-26
DE19843415608 DE3415608A1 (de) 1983-04-26 1984-04-26 Neue tetrazoniumsalzverbindungen, neue disazoverbindungen, verfahren zu deren herstellung und eine disazoverbindung enthaltende elektrophotographische elemente
US06/753,281 US4716220A (en) 1983-04-26 1985-07-09 Disazo compounds with xanthone nucleus for electrophotography

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7558683A JPS59201060A (ja) 1983-04-28 1983-04-28 電子写真用感光体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS59201060A JPS59201060A (ja) 1984-11-14
JPH0422265B2 true JPH0422265B2 (ja) 1992-04-16

Family

ID=13580447

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7558683A Granted JPS59201060A (ja) 1983-04-26 1983-04-28 電子写真用感光体

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS59201060A (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0833672B2 (ja) * 1986-08-20 1996-03-29 三菱化学株式会社 電子写真用感光体
JP3563916B2 (ja) * 1996-04-26 2004-09-08 キヤノン株式会社 電子写真感光体、この電子写真感光体を用いた電子写真装置及びプロセスカートリッジ

Also Published As

Publication number Publication date
JPS59201060A (ja) 1984-11-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS61241763A (ja) 電子写真用感光体
JPH065389B2 (ja) 電子写真用感光体
JPS6243175B2 (ja)
JP2643952B2 (ja) 電子写真用感光体
JPS6219746B2 (ja)
JPH0243174B2 (ja)
JP2650715B2 (ja) 電子写真用感光体
JP3794647B2 (ja) 非対称ビスアゾ顔料及びこれを用いた電子写真用感光体
JP2604858B2 (ja) 電子写真用感光体
JP2606702B2 (ja) 電子写真感光体
JP2633961B2 (ja) 電子写真用感光体
JPS59201060A (ja) 電子写真用感光体
JPH0529106B2 (ja)
JPH0546938B2 (ja)
JP2895162B2 (ja) 電子写真用感光体
JP2612368B2 (ja) 電子写真用感光体
JPH0640222B2 (ja) 電子写真用感光体
JPH0588471B2 (ja)
JPH0422264B2 (ja)
JP2654240B2 (ja) 電子写真用感光体
JPS60151645A (ja) 電子写真用感光体
JPS62127745A (ja) 電子写真用感光体
JP2515386B2 (ja) 電子写真用感光体
JPS6219734B2 (ja)
JP2895178B2 (ja) 電子写真用感光体