JPH0546938B2 - - Google Patents
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- JPH0546938B2 JPH0546938B2 JP25019583A JP25019583A JPH0546938B2 JP H0546938 B2 JPH0546938 B2 JP H0546938B2 JP 25019583 A JP25019583 A JP 25019583A JP 25019583 A JP25019583 A JP 25019583A JP H0546938 B2 JPH0546938 B2 JP H0546938B2
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- JP
- Japan
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- group
- photoreceptor
- charge
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- disazo pigment
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
技術分野
本発明は電子写真用の感光体に関し、詳しく
は、光照射より電荷担体を発生する電荷発生物質
としてジスアゾ顔料を含有する感光層を設けた電
子写真感光体に関する。 従来技術 従来、電子写真感光体としては、セレン、セレ
ン合金、硫化カドミウム、酸化亜鉛などの無機系
の感光材料を用いたものが使用されており、この
中でもセレン系感光体は、受容電位、暗減衰、感
度など総合的に優れた特性を有することから広く
用いられている。しかしながら、セレン系感光体
は、真空蒸着により製造されるため特性の制御が
難しく、また、製造コストが高い、可撓性がない
ためにベルト状に加工することが難しい、熱や機
械的な衝撃に鋭敏なため取扱いに制約を受けるな
どの問題点を有していた。 また、可撓性に優れ、製造も比較的容易な有機
系の感光体として、2,4,7−トリニトロ−9
−フルオレノンとポリ−N−ビニルカルバゾール
との電荷移動錯体からなる感光層を有するものが
一部実用に供されているが、感度が低く、高速複
写機用の感光体としては不適当であつた。 近年、これらの感光体の欠点を排除するため広
範な研究が進められ、中でも、電荷担体の発生
と、発生した電荷の搬送とをそれぞれ別個の物質
により行なわしめる機能分離型の感光体が注目さ
れている。機能分離型感光体としては、光照射に
より電荷担体を発生する電荷発生物質を含む電荷
発生層と、発生した電荷を搬送する電荷搬送物質
を含む電荷搬送層とを積層した感光層を有する積
層タイプの感光体、電荷搬送物質を含む電荷搬送
媒体中に電荷発生物質を分散せしめた分散タイプ
の感光体などがあり、これらは感光材料の選択の
幅が広がり、高感度化も可能であることから、普
通紙複写用の感光体として注目されている。 このような感光体としては、 (1) 電荷発生層としてペリレン誘導体を真空蒸着
した薄層を用い、電荷搬送層にオキサジアゾー
ル誘導体を用いた積層型の感光体(米国特許第
3871882号公報参照) (2) 電荷発生層としてクロルダイアンブルーの有
機アミン溶液を塗布して形成した薄層を用い、
電荷搬送層にヒドラゾン化合物を用いた積層型
の感光体(特公昭55−42380号公報参照) などが知られている。 しかしながら、この種の積層型の感光体におい
ても従来のものは多くの長所を持つていると同時
にさまざまな欠点を持つていることも事実であ
る。 (1)で示したペリレン誘導体とオキサジアゾール
誘導体を用いた感光体は、その電荷発生層を真空
蒸着により形成するため製造コストが高くなる。 (2)で示したクロルダイアンブルーとヒドラゾン
化合物を用いた感光体は、電荷発生層を形成する
ための塗布溶剤として、一般に取り扱いにくい有
機アミン(たとえばエチレンジアミン)を用いる
必要があり、感光体作成上の欠点が多い。 製造が容易でしかも感度に優れた感光体として
は、スチリルスチルベン骨格を有するジスアゾ顔
料を電荷発生物質として用いた感光体(特開昭53
−133445号公報)が知られており、この他にも、
ジベンゾチオフエン骨格を有するジスアゾ顔料を
電荷発生物質として用いた感光体(特開昭54−
21728号公報)、カルバゾール骨格を有するジスア
ゾ顔料を電荷発生物質として用いた感光体(特開
昭53−95033号公報)、トリフエニルアミン骨格を
有するトリスアゾ顔料を用いた感光体(特開昭53
−132347号公報)、オキサジアゾール骨格を有す
るジスアゾ顔料を用いた感光体(特開昭54−
12742号公報)、ジスチリルカルバゾール骨格を有
するジスアゾ顔料を用いた感光体(特開昭54−
14967号公報)、ビススチルベン骨格を有するジス
アゾ顔料を用いた感光体(特開昭54−17733号公
報)、フルオレノン骨格を有するジスアゾ顔料を
用いた感光体(特開昭54−22834号公報)が報告
されている。しかしながら、これら感光体には一
長一短があるのも事実であり、種々の要請に答え
るべくさらに優れた特性を有する感光体の開発が
望まれていた。 目 的 本発明は、製造が容易でしかも十分な感度を有
する電子写真用感光体を提供することを目的とす
る。 構 成 本発明の電子写真用感光体は、導電性支持体上
に一般式() (式中、Aはカツプラー残基を表わす。) で示されるジスアゾ顔料を含む感光層を有するこ
とを特徴とする。 一般式()のカツプラーとしては、たとえ
ば、フエノール類、ナフトール類などのフエノー
ル性水酸基を有する化合物、アミノ基を有する芳
香族アミノ化合物、あるいはアミノ基とフエノー
ル性水酸基を有するアミノナフトール類、脂肪族
もしくは芳香族のエノール性ケトン基(活性メチ
レン基)をもつ化合物などが用いられ、好ましく
は、カツプラー残基Aが下記一般式()、()、
()、()、()、()、()、()、(
)、
(XI)、(XII)の一般式で表わされるものである。 〔上記式()、()、()および()中、
X、Y1、Z、mおよびnはそれぞれ以下のもの
を表わす。 X:
は、光照射より電荷担体を発生する電荷発生物質
としてジスアゾ顔料を含有する感光層を設けた電
子写真感光体に関する。 従来技術 従来、電子写真感光体としては、セレン、セレ
ン合金、硫化カドミウム、酸化亜鉛などの無機系
の感光材料を用いたものが使用されており、この
中でもセレン系感光体は、受容電位、暗減衰、感
度など総合的に優れた特性を有することから広く
用いられている。しかしながら、セレン系感光体
は、真空蒸着により製造されるため特性の制御が
難しく、また、製造コストが高い、可撓性がない
ためにベルト状に加工することが難しい、熱や機
械的な衝撃に鋭敏なため取扱いに制約を受けるな
どの問題点を有していた。 また、可撓性に優れ、製造も比較的容易な有機
系の感光体として、2,4,7−トリニトロ−9
−フルオレノンとポリ−N−ビニルカルバゾール
との電荷移動錯体からなる感光層を有するものが
一部実用に供されているが、感度が低く、高速複
写機用の感光体としては不適当であつた。 近年、これらの感光体の欠点を排除するため広
範な研究が進められ、中でも、電荷担体の発生
と、発生した電荷の搬送とをそれぞれ別個の物質
により行なわしめる機能分離型の感光体が注目さ
れている。機能分離型感光体としては、光照射に
より電荷担体を発生する電荷発生物質を含む電荷
発生層と、発生した電荷を搬送する電荷搬送物質
を含む電荷搬送層とを積層した感光層を有する積
層タイプの感光体、電荷搬送物質を含む電荷搬送
媒体中に電荷発生物質を分散せしめた分散タイプ
の感光体などがあり、これらは感光材料の選択の
幅が広がり、高感度化も可能であることから、普
通紙複写用の感光体として注目されている。 このような感光体としては、 (1) 電荷発生層としてペリレン誘導体を真空蒸着
した薄層を用い、電荷搬送層にオキサジアゾー
ル誘導体を用いた積層型の感光体(米国特許第
3871882号公報参照) (2) 電荷発生層としてクロルダイアンブルーの有
機アミン溶液を塗布して形成した薄層を用い、
電荷搬送層にヒドラゾン化合物を用いた積層型
の感光体(特公昭55−42380号公報参照) などが知られている。 しかしながら、この種の積層型の感光体におい
ても従来のものは多くの長所を持つていると同時
にさまざまな欠点を持つていることも事実であ
る。 (1)で示したペリレン誘導体とオキサジアゾール
誘導体を用いた感光体は、その電荷発生層を真空
蒸着により形成するため製造コストが高くなる。 (2)で示したクロルダイアンブルーとヒドラゾン
化合物を用いた感光体は、電荷発生層を形成する
ための塗布溶剤として、一般に取り扱いにくい有
機アミン(たとえばエチレンジアミン)を用いる
必要があり、感光体作成上の欠点が多い。 製造が容易でしかも感度に優れた感光体として
は、スチリルスチルベン骨格を有するジスアゾ顔
料を電荷発生物質として用いた感光体(特開昭53
−133445号公報)が知られており、この他にも、
ジベンゾチオフエン骨格を有するジスアゾ顔料を
電荷発生物質として用いた感光体(特開昭54−
21728号公報)、カルバゾール骨格を有するジスア
ゾ顔料を電荷発生物質として用いた感光体(特開
昭53−95033号公報)、トリフエニルアミン骨格を
有するトリスアゾ顔料を用いた感光体(特開昭53
−132347号公報)、オキサジアゾール骨格を有す
るジスアゾ顔料を用いた感光体(特開昭54−
12742号公報)、ジスチリルカルバゾール骨格を有
するジスアゾ顔料を用いた感光体(特開昭54−
14967号公報)、ビススチルベン骨格を有するジス
アゾ顔料を用いた感光体(特開昭54−17733号公
報)、フルオレノン骨格を有するジスアゾ顔料を
用いた感光体(特開昭54−22834号公報)が報告
されている。しかしながら、これら感光体には一
長一短があるのも事実であり、種々の要請に答え
るべくさらに優れた特性を有する感光体の開発が
望まれていた。 目 的 本発明は、製造が容易でしかも十分な感度を有
する電子写真用感光体を提供することを目的とす
る。 構 成 本発明の電子写真用感光体は、導電性支持体上
に一般式() (式中、Aはカツプラー残基を表わす。) で示されるジスアゾ顔料を含む感光層を有するこ
とを特徴とする。 一般式()のカツプラーとしては、たとえ
ば、フエノール類、ナフトール類などのフエノー
ル性水酸基を有する化合物、アミノ基を有する芳
香族アミノ化合物、あるいはアミノ基とフエノー
ル性水酸基を有するアミノナフトール類、脂肪族
もしくは芳香族のエノール性ケトン基(活性メチ
レン基)をもつ化合物などが用いられ、好ましく
は、カツプラー残基Aが下記一般式()、()、
()、()、()、()、()、()、(
)、
(XI)、(XII)の一般式で表わされるものである。 〔上記式()、()、()および()中、
X、Y1、Z、mおよびnはそれぞれ以下のもの
を表わす。 X:
【式】または−NHSO2−R3
(R1およびR2は水素または置換もしくは無置
換のアルキルを表わし、R3は置換もしくは無
置換のアルキル基または置換もしくは無置換の
アリール基を表わす。) Y1:水素、ハロゲン、置換もしくは無置換のア
ルキル基、置換もしくは無置換のアルコキシ
基、カルボキシ基、スルホ基、置換もしくは無
置換のスルフアモイル基または
換のアルキルを表わし、R3は置換もしくは無
置換のアルキル基または置換もしくは無置換の
アリール基を表わす。) Y1:水素、ハロゲン、置換もしくは無置換のア
ルキル基、置換もしくは無置換のアルコキシ
基、カルボキシ基、スルホ基、置換もしくは無
置換のスルフアモイル基または
【式】
(R4は水素、アルキル基またはその置換体、
フエニル基またはその置換体を表わし、Y2は
炭化水素環基またはその置換体、複素環基また
はその置換体、あるいは
フエニル基またはその置換体を表わし、Y2は
炭化水素環基またはその置換体、複素環基また
はその置換体、あるいは
【式】(但し、R5は炭化水素環基また
はその置換体、複素環基またはその置換体ある
いはスチリル基またはその置換体、R6は水素、
アルキル基、フエニル基またはその置換体を表
わすか、あるいはR5およびR6はそれらに結合
する炭素原子と共に環を形成してもよい。)を
示す。) Z:炭化水素環またはその置換体あるいは複素環
またはその置換体 n:1または2の整数 m:1または2の整数〕 〔式()および()中、R7は置換もしくは
無置換の炭化水素基を表わし、Xは前記に同じで
ある。〕 〔式中、R8はアルキル基、カルバモイル基、カ
ルボキシル基またはそのエステルを表わし、Ar1
は炭化水素環基またはその置換体を表わし、Xは
前記と同じである。〕 〔上記式()および()中、R9は水素また
は置換もしくは無置換の炭化水素基を表わし、
Ar2は炭化水素環基またはその置換体を表わす。〕 前記一般式()、()、()または()の
Zの炭化水素環としてはベンゼン環、ナフタレン
環などが例示でき、また複素環としてはインドー
ル環、カルバゾール環、ベンゾフラン環、ジベン
ゾフラン環などが例示できる。また、Zの環にお
ける置換基としては塩素原子、臭素原子などのハ
ロゲン原子が例示できる。 Y2またはR5における炭化水素環基としては、
フエニル基、ナフチル基、アントリル基、ピレニ
ル基などが、また、複素環基としてはピリジル
基、チエニル基、フリル基、インドリル基、ベン
ゾフラニル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニ
ル基などが例示でき、さらに、R5およびR6が結
合して形成する環としては、フルオレン環などが
例示できる。 Y2またはR5の炭化水素環基または複素環基あ
るいはR5およびR6によつて形成される環におけ
る置換基としては、メチル基、エチル基、プロピ
ル基、ブチル基などのアルキル基、メトキシ基、
エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などのア
ルコキシ基、塩素原子、臭素原子などのハロゲン
原子、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基など
のジアルキルアミノ基、ジベンジルアミノ基など
のジラルキルアミノ基、トリフルオロメチル基な
どのハロメチル基、ニトロ基、シアノ基、カルボ
キシル基またはそのエステル、水酸基、−SO3Na
などのスルホン酸塩基などが挙げられる。 R4のフエニル基の置換体としては塩素原子ま
たは臭素原子などのハロゲン原子が例示できる。 R7またはR9における炭化水素基の代表例とし
ては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基などのアルキル基、ベンジル基などのアラルキ
ル基、フエニル基などのアリール基またはこれら
の置換体が例示できる。 R7またはR9の炭化水素基における置換基とし
ては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基などのアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、
プロポキシ基、ブトキシ基などのアルコキシ基、
塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子、水酸
基、ニトロ基などが例示できる。 Ar1またはAr2における炭化水素環基としては、
フエニル基、ナフチル基などがその代表例であ
り、また、これらの基における置換基としては、
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基など
のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポ
キシ基、ブトキシ基などのアルコキシ基、ニトロ
基、塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子、シ
アノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基な
どのジアルキルアミノ基などが例示できる。 また、Xの中では特に水酸基が適当である。 上記カツプラー残基の中でも好ましいのは上記
一般式()、()、()、()、()および
()で示されるものであり、この中でも一般式
におけるXが水酸基のものが好ましい。また、こ
の中でも一般式(′) (Y1およびZは前記に同じ。) で表わされるカツプラー残基が好ましく、さらに
好ましくは一般式 (Z、Y2およびR2は前記に同じ。) で示されるカツプラー残基である。 さらにまた、上記好ましいカツプラー残基の中
でも一般式(XI)または() (Z、R2、R5およびR8は前記に同じであり、ま
たR10としては上記のY2の置換基が例示できる。) で表わされるものが適当である。 以上のような本発明に用いるジスアゾ顔料の具
体例を構造式で示すと次の通りである。なお、簡
略化のため、カツプラー残基であるAの構造式の
みで示した。
いはスチリル基またはその置換体、R6は水素、
アルキル基、フエニル基またはその置換体を表
わすか、あるいはR5およびR6はそれらに結合
する炭素原子と共に環を形成してもよい。)を
示す。) Z:炭化水素環またはその置換体あるいは複素環
またはその置換体 n:1または2の整数 m:1または2の整数〕 〔式()および()中、R7は置換もしくは
無置換の炭化水素基を表わし、Xは前記に同じで
ある。〕 〔式中、R8はアルキル基、カルバモイル基、カ
ルボキシル基またはそのエステルを表わし、Ar1
は炭化水素環基またはその置換体を表わし、Xは
前記と同じである。〕 〔上記式()および()中、R9は水素また
は置換もしくは無置換の炭化水素基を表わし、
Ar2は炭化水素環基またはその置換体を表わす。〕 前記一般式()、()、()または()の
Zの炭化水素環としてはベンゼン環、ナフタレン
環などが例示でき、また複素環としてはインドー
ル環、カルバゾール環、ベンゾフラン環、ジベン
ゾフラン環などが例示できる。また、Zの環にお
ける置換基としては塩素原子、臭素原子などのハ
ロゲン原子が例示できる。 Y2またはR5における炭化水素環基としては、
フエニル基、ナフチル基、アントリル基、ピレニ
ル基などが、また、複素環基としてはピリジル
基、チエニル基、フリル基、インドリル基、ベン
ゾフラニル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニ
ル基などが例示でき、さらに、R5およびR6が結
合して形成する環としては、フルオレン環などが
例示できる。 Y2またはR5の炭化水素環基または複素環基あ
るいはR5およびR6によつて形成される環におけ
る置換基としては、メチル基、エチル基、プロピ
ル基、ブチル基などのアルキル基、メトキシ基、
エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などのア
ルコキシ基、塩素原子、臭素原子などのハロゲン
原子、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基など
のジアルキルアミノ基、ジベンジルアミノ基など
のジラルキルアミノ基、トリフルオロメチル基な
どのハロメチル基、ニトロ基、シアノ基、カルボ
キシル基またはそのエステル、水酸基、−SO3Na
などのスルホン酸塩基などが挙げられる。 R4のフエニル基の置換体としては塩素原子ま
たは臭素原子などのハロゲン原子が例示できる。 R7またはR9における炭化水素基の代表例とし
ては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基などのアルキル基、ベンジル基などのアラルキ
ル基、フエニル基などのアリール基またはこれら
の置換体が例示できる。 R7またはR9の炭化水素基における置換基とし
ては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基などのアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、
プロポキシ基、ブトキシ基などのアルコキシ基、
塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子、水酸
基、ニトロ基などが例示できる。 Ar1またはAr2における炭化水素環基としては、
フエニル基、ナフチル基などがその代表例であ
り、また、これらの基における置換基としては、
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基など
のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポ
キシ基、ブトキシ基などのアルコキシ基、ニトロ
基、塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子、シ
アノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基な
どのジアルキルアミノ基などが例示できる。 また、Xの中では特に水酸基が適当である。 上記カツプラー残基の中でも好ましいのは上記
一般式()、()、()、()、()および
()で示されるものであり、この中でも一般式
におけるXが水酸基のものが好ましい。また、こ
の中でも一般式(′) (Y1およびZは前記に同じ。) で表わされるカツプラー残基が好ましく、さらに
好ましくは一般式 (Z、Y2およびR2は前記に同じ。) で示されるカツプラー残基である。 さらにまた、上記好ましいカツプラー残基の中
でも一般式(XI)または() (Z、R2、R5およびR8は前記に同じであり、ま
たR10としては上記のY2の置換基が例示できる。) で表わされるものが適当である。 以上のような本発明に用いるジスアゾ顔料の具
体例を構造式で示すと次の通りである。なお、簡
略化のため、カツプラー残基であるAの構造式の
みで示した。
【表】
【表】
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【表】
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以上のような本発明のジスアゾ顔料を用いるこ
とにより極めて高感度な電子写真用感光体が容易
に製造できるが、この中でも電荷発生物質として
特に好ましいジスアゾ顔料はNo.1、16、59、60、
62、64、71、75である。 本発明のジスアゾ顔料は、たとえば、Richard
Herz、Ber.、23、2538に記載されているような
方法により製造した4,4′−ジアミノトリフエニ
ルアミンを、常法によりジアゾ化してテトラゾニ
ウム塩とし、このテトラゾニウム塩と対応するカ
ツプラーとを適当な有機溶媒、たとえばN,N−
ジメチルホルムアミド中で塩基を作用させてカツ
プリング反応を行なうことによつて容易に製造す
ることができる。その例として以下に前記No.1の
ジスアゾ顔料の製造例を示すが、他のジスアゾ顔
料もカツプラーを変える他はこの製造例に従つて
容易に製造することができる。 製造例 水10mlと濃塩酸17mlよりなる塩酸中へ4,4−
ジアミノトリフエニルアミン5.51grを加え、室
温で1時間撹拌した後、−2℃まで冷却し、つい
で、これに亜硝酸ナトリウム3.31grを水12.ml
に溶解した溶液を−2〜1℃の温度で30分間にわ
たり滴下した。 その後、同温度で1時間30分撹拌した後、微量
の不溶部を除去し、この反応液中に42%硼弗化水
素酸20mlを加え、冷却静置した。生成した赤橙色
針状結晶を別し、エタノールで洗浄したのち乾
燥して、8.55gr(収率90.3%)のテトラゾニウ
ムジフルオロボレートを得た。赤外線吸収スペク
トル(KBr錠剤法)では2230cm-1にN2 に基づ
く吸収帯が認められた。 このようにして得られたテトラゾニウム塩0.95
grと、カツプリング成分として2−ヒドロキシ
−3−ナフトエ酸アニリド1.26grとを、冷却し
たN,N−ジメチルホルムアミド230mlに溶解し、
これに酢酸ナトリウム0.66grおよび水10mlから
なる溶液を17〜21℃の温度で5分間にわたつて滴
下した。その後、さらに室温で3時間撹拌した。
ついで、生成した沈澱を取し、N,N−ジメチ
ルホルムアミド300mlで5回洗浄し、次に水300ml
で2回洗浄した後、80℃で2mmHgの減圧下に乾
燥して、前記化合物No.1のジスアゾ顔料1.11gr
(収率67.4%)を得た。 融点300℃以上
とにより極めて高感度な電子写真用感光体が容易
に製造できるが、この中でも電荷発生物質として
特に好ましいジスアゾ顔料はNo.1、16、59、60、
62、64、71、75である。 本発明のジスアゾ顔料は、たとえば、Richard
Herz、Ber.、23、2538に記載されているような
方法により製造した4,4′−ジアミノトリフエニ
ルアミンを、常法によりジアゾ化してテトラゾニ
ウム塩とし、このテトラゾニウム塩と対応するカ
ツプラーとを適当な有機溶媒、たとえばN,N−
ジメチルホルムアミド中で塩基を作用させてカツ
プリング反応を行なうことによつて容易に製造す
ることができる。その例として以下に前記No.1の
ジスアゾ顔料の製造例を示すが、他のジスアゾ顔
料もカツプラーを変える他はこの製造例に従つて
容易に製造することができる。 製造例 水10mlと濃塩酸17mlよりなる塩酸中へ4,4−
ジアミノトリフエニルアミン5.51grを加え、室
温で1時間撹拌した後、−2℃まで冷却し、つい
で、これに亜硝酸ナトリウム3.31grを水12.ml
に溶解した溶液を−2〜1℃の温度で30分間にわ
たり滴下した。 その後、同温度で1時間30分撹拌した後、微量
の不溶部を除去し、この反応液中に42%硼弗化水
素酸20mlを加え、冷却静置した。生成した赤橙色
針状結晶を別し、エタノールで洗浄したのち乾
燥して、8.55gr(収率90.3%)のテトラゾニウ
ムジフルオロボレートを得た。赤外線吸収スペク
トル(KBr錠剤法)では2230cm-1にN2 に基づ
く吸収帯が認められた。 このようにして得られたテトラゾニウム塩0.95
grと、カツプリング成分として2−ヒドロキシ
−3−ナフトエ酸アニリド1.26grとを、冷却し
たN,N−ジメチルホルムアミド230mlに溶解し、
これに酢酸ナトリウム0.66grおよび水10mlから
なる溶液を17〜21℃の温度で5分間にわたつて滴
下した。その後、さらに室温で3時間撹拌した。
ついで、生成した沈澱を取し、N,N−ジメチ
ルホルムアミド300mlで5回洗浄し、次に水300ml
で2回洗浄した後、80℃で2mmHgの減圧下に乾
燥して、前記化合物No.1のジスアゾ顔料1.11gr
(収率67.4%)を得た。 融点300℃以上
【表】
また、赤外線吸収スペクトル(KBr錠剤法)
を第1図に示した。 本発明の電子写真用感光体ではジスアゾ顔料は
感光層における電荷発生物質として用いられ、こ
の感光体の代表的な構成を第2図および第3図に
示した。 第2図の感光体は、導電性支持体11上に、ジ
スアゾ顔料13を主体とする電荷発生層15と電
荷搬送物質を主体とする電荷搬送層17とからな
る積層型の感光層19を設けたものである。 第2図の感光体では、像露光された公は電荷搬
送層を透過し、電荷発生層15に到達し、その部
分のジスアゾ顔料13で電荷の生成が起こり、一
方、電荷搬送層17は電荷の注入を受けその搬送
を行なうもので、光減衰に必要な電荷の生成はジ
スアゾ顔料13で行なわれ、また電荷の搬送は電
荷搬送層17でというメカニズムである。 第3図の感光体は導電性支持体11上に主とし
てジスアゾ顔料13、電荷搬送物質および絶縁性
結合剤からなる感光層19を設けたものである。
ここでもジスアゾ顔料13は電荷発生物質であ
る。その他と感光体として第2図の電荷発生層と
電荷搬送層を逆にすることも可能である。 感光層の厚さは、第2図のもので電荷発生層1
5の厚みは好ましくは0.01〜5μさらに好ましくは
0.05〜2μである。この厚さが0.01μ以下であると
電荷の発生は十分ではなく、また5μ以上である
と残留電位が高く実用に耐えない。電荷搬送層1
7の厚さは好ましくは3〜50μ、さらに好ましく
は5〜30μである。この厚さが3μ以下であると帯
電量が不十分であり、50μ以上であると残留電位
が高く実用的ではない。電荷発生層15は前記の
一般式で示されるジスアゾ顔料を主体とし、さら
に結合剤、可塑剤などを含有することができる。
また、電荷発生層中のジスアゾ顔料の割合は好ま
しくは30重量%以上、さらに好ましくは50重量%
以上である。電荷搬送層17は電荷搬送物質と結
合剤を主体とし、さらに可塑剤などを含有するこ
とができる。電荷搬送層中の電荷搬送物質の割合
は10〜95重量%、好ましくは30〜90重量%であ
る。電荷搬送物質の占める割合が10重量%未満で
あると、電荷の搬送はほとんど行なわれず、また
95重量%以上であると感光体皮膜の機械的強度が
極めて悪く実用に供しえない。 第3図に示した感光体の場合は、感光層19′
の厚さは好ましくは3〜50μ、さらに好ましくは
5〜30μである。また、感光層19′中のジスア
ゾ顔料の割合は好ましくは50重量%以下、さらに
好ましくは20重量%以下であり、また電荷搬送物
質の割合は好ましくは10〜95重量%、さらに好ま
しくは30〜90重量%である。 本発明は、電子写真用感光体における電荷発生
物質として、前記一般式で表わされる特定のジ
スアゾ顔料を用いることを骨子とするものであ
り、導電性支持体、電荷搬送物質など他の構成要
素としては従来知られていたもののいずれもが使
用できるが、それらについて以下に具体的に説明
する。 本発明の感光体において使用される導電性支持
体としては、アルミニウム、銅、亜鉛等の金属
板、ポリエステル等のプラスチツクシートまたプ
ラスチツクフイルムにアルミニウム、SnO2等の
銅電材料を蒸着したもの、あるいは導電処理した
紙等が使用される。 結合剤としては、ポリアミド、ポリウレタン、
ポリエステル、エポキシ樹脂、フエノキシ樹脂、
ポリケトン、ポリカーボネートなどの縮合系樹脂
やポリビニルケトン、ポリスチレン、ポリ−N−
ビニルカルバゾール、ポリアクリルアミドなどの
ビニル重合体などが挙げられるが、絶縁性で且つ
接着性のある樹脂は全て使用できる。 可塑剤としては、ハロゲン化パラフイン、ポリ
塩化ビフエニル、ジメチルナフタレン、ジブチル
フタレートなどが挙げられる。その他感光体の表
面性をよくするためにシリコンオイル等を加えて
もよい。 電荷搬送物質には正孔搬送物質と電子搬送物質
がある。正孔搬送物質としては、たとえば以下の
一般式(1)〜(11)に示されるような化合物が例示でき
る。 (1) 〔式中、R1はメチル基、エチル基、2−ヒド
ロキシエチル基又は2−クロルエチル基を表わ
し、R2はメチル基、エチル基、ベンジル基又
はフエニル基を表わし、R3は水素、塩素、臭
素、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4
のアルコキシ基、ジアルキルアミノ基又はニト
ロ基を表わす。〕 (2) 〔式中、Arはナフタリン環、アントラセン環、
スチリル基及びそれらの置換体あるいはピリジ
ン環、フラン環、チオフエン環を表わし、Rは
アルキル基又はベンジル基を表わす。〕 (3) 〔式中、R1はアルキル基、ベンジル基、フエ
ニル基を表わし、R2は水素、炭素数1〜3の
アルキル基、炭素数1〜3のアルコキシ基、ジ
アルキルアミノ基、ジアラルキルアミノ基また
はジアリールアミノ基を表わし、nは1〜4の
整数を表わし、nが2以上のときR2は同じで
異なつていてもよい。R3水素またはメトキシ
基を表わす。〕 (4) 〔式中、R1は炭素数1〜11のアルキル基、置
換もしくは無置換のフエニル基又は複素環基を
表わし、R2、R3はそれぞれ同一でも異なつて
いてもよく水素、炭素数1〜4のアルキル基、
ヒドロキシアルキル基、クロルアルキル基、置
換又は無置換のアラルキル基を表わし、また、
R2R3は互いに結合し窒素を含む複素環を形成
していてもよい。R4は同一でも異なつていて
もよく水素、炭素数1〜4のアルキル基、アル
コキシ基又はハロゲンを表わす。〕 (5) 〔式中、Rは水素またはハロゲン原子を表わ
し、Arは置換または無置換のフエニル基、ナ
フチル基、アントリル基あるいはカルバゾリル
基を表わす。〕 (6) 〔式中R1は水素、ハロゲン、シアノ基、炭素
数1〜4のアルコキシ基または炭素数1〜4の
アルキル基を表わし、Arは
を第1図に示した。 本発明の電子写真用感光体ではジスアゾ顔料は
感光層における電荷発生物質として用いられ、こ
の感光体の代表的な構成を第2図および第3図に
示した。 第2図の感光体は、導電性支持体11上に、ジ
スアゾ顔料13を主体とする電荷発生層15と電
荷搬送物質を主体とする電荷搬送層17とからな
る積層型の感光層19を設けたものである。 第2図の感光体では、像露光された公は電荷搬
送層を透過し、電荷発生層15に到達し、その部
分のジスアゾ顔料13で電荷の生成が起こり、一
方、電荷搬送層17は電荷の注入を受けその搬送
を行なうもので、光減衰に必要な電荷の生成はジ
スアゾ顔料13で行なわれ、また電荷の搬送は電
荷搬送層17でというメカニズムである。 第3図の感光体は導電性支持体11上に主とし
てジスアゾ顔料13、電荷搬送物質および絶縁性
結合剤からなる感光層19を設けたものである。
ここでもジスアゾ顔料13は電荷発生物質であ
る。その他と感光体として第2図の電荷発生層と
電荷搬送層を逆にすることも可能である。 感光層の厚さは、第2図のもので電荷発生層1
5の厚みは好ましくは0.01〜5μさらに好ましくは
0.05〜2μである。この厚さが0.01μ以下であると
電荷の発生は十分ではなく、また5μ以上である
と残留電位が高く実用に耐えない。電荷搬送層1
7の厚さは好ましくは3〜50μ、さらに好ましく
は5〜30μである。この厚さが3μ以下であると帯
電量が不十分であり、50μ以上であると残留電位
が高く実用的ではない。電荷発生層15は前記の
一般式で示されるジスアゾ顔料を主体とし、さら
に結合剤、可塑剤などを含有することができる。
また、電荷発生層中のジスアゾ顔料の割合は好ま
しくは30重量%以上、さらに好ましくは50重量%
以上である。電荷搬送層17は電荷搬送物質と結
合剤を主体とし、さらに可塑剤などを含有するこ
とができる。電荷搬送層中の電荷搬送物質の割合
は10〜95重量%、好ましくは30〜90重量%であ
る。電荷搬送物質の占める割合が10重量%未満で
あると、電荷の搬送はほとんど行なわれず、また
95重量%以上であると感光体皮膜の機械的強度が
極めて悪く実用に供しえない。 第3図に示した感光体の場合は、感光層19′
の厚さは好ましくは3〜50μ、さらに好ましくは
5〜30μである。また、感光層19′中のジスア
ゾ顔料の割合は好ましくは50重量%以下、さらに
好ましくは20重量%以下であり、また電荷搬送物
質の割合は好ましくは10〜95重量%、さらに好ま
しくは30〜90重量%である。 本発明は、電子写真用感光体における電荷発生
物質として、前記一般式で表わされる特定のジ
スアゾ顔料を用いることを骨子とするものであ
り、導電性支持体、電荷搬送物質など他の構成要
素としては従来知られていたもののいずれもが使
用できるが、それらについて以下に具体的に説明
する。 本発明の感光体において使用される導電性支持
体としては、アルミニウム、銅、亜鉛等の金属
板、ポリエステル等のプラスチツクシートまたプ
ラスチツクフイルムにアルミニウム、SnO2等の
銅電材料を蒸着したもの、あるいは導電処理した
紙等が使用される。 結合剤としては、ポリアミド、ポリウレタン、
ポリエステル、エポキシ樹脂、フエノキシ樹脂、
ポリケトン、ポリカーボネートなどの縮合系樹脂
やポリビニルケトン、ポリスチレン、ポリ−N−
ビニルカルバゾール、ポリアクリルアミドなどの
ビニル重合体などが挙げられるが、絶縁性で且つ
接着性のある樹脂は全て使用できる。 可塑剤としては、ハロゲン化パラフイン、ポリ
塩化ビフエニル、ジメチルナフタレン、ジブチル
フタレートなどが挙げられる。その他感光体の表
面性をよくするためにシリコンオイル等を加えて
もよい。 電荷搬送物質には正孔搬送物質と電子搬送物質
がある。正孔搬送物質としては、たとえば以下の
一般式(1)〜(11)に示されるような化合物が例示でき
る。 (1) 〔式中、R1はメチル基、エチル基、2−ヒド
ロキシエチル基又は2−クロルエチル基を表わ
し、R2はメチル基、エチル基、ベンジル基又
はフエニル基を表わし、R3は水素、塩素、臭
素、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4
のアルコキシ基、ジアルキルアミノ基又はニト
ロ基を表わす。〕 (2) 〔式中、Arはナフタリン環、アントラセン環、
スチリル基及びそれらの置換体あるいはピリジ
ン環、フラン環、チオフエン環を表わし、Rは
アルキル基又はベンジル基を表わす。〕 (3) 〔式中、R1はアルキル基、ベンジル基、フエ
ニル基を表わし、R2は水素、炭素数1〜3の
アルキル基、炭素数1〜3のアルコキシ基、ジ
アルキルアミノ基、ジアラルキルアミノ基また
はジアリールアミノ基を表わし、nは1〜4の
整数を表わし、nが2以上のときR2は同じで
異なつていてもよい。R3水素またはメトキシ
基を表わす。〕 (4) 〔式中、R1は炭素数1〜11のアルキル基、置
換もしくは無置換のフエニル基又は複素環基を
表わし、R2、R3はそれぞれ同一でも異なつて
いてもよく水素、炭素数1〜4のアルキル基、
ヒドロキシアルキル基、クロルアルキル基、置
換又は無置換のアラルキル基を表わし、また、
R2R3は互いに結合し窒素を含む複素環を形成
していてもよい。R4は同一でも異なつていて
もよく水素、炭素数1〜4のアルキル基、アル
コキシ基又はハロゲンを表わす。〕 (5) 〔式中、Rは水素またはハロゲン原子を表わ
し、Arは置換または無置換のフエニル基、ナ
フチル基、アントリル基あるいはカルバゾリル
基を表わす。〕 (6) 〔式中R1は水素、ハロゲン、シアノ基、炭素
数1〜4のアルコキシ基または炭素数1〜4の
アルキル基を表わし、Arは
【式】または
【式】を表わし、R2は炭素数1
〜4のアルキル基を表わし、R3は水素、ハロ
ゲン、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜
4のアルコキシ基またはジアルキルアミノ基を
表わし、nは1または2であつて、nが2のと
きはR3は同一でも異なつてもよく、R4および
R3は水素、炭素数1〜4の置換または無置換
のアルキル基あるいは置換または無置換のベン
ジル基を表わす。〕 (7) 〔式中、Rはカルバゾリル基、ピリジル基、チ
エニル基、インドリル基、フリル基或いはそれ
ぞれ置換もしくは非置換のフエニル基、スチリ
ル基、ナフチル基またはアントリル基であつ
て、これらの置換基がジアルキルアミノ基、ア
ルキル基、アルコキシ基、カルボキシ基または
そのエステル、ハロゲン原子、シアノ基、アラ
ルキルアミノ基、N−アルキル−N−アラルキ
ルアミノ基、アミノ基、ニトロ基およびアセチ
ルアミノ基からなる群から選ばれた基を表わ
す。〕 (8) 〔式中、R1は低級アルキル基またはベンジル
基を表わし、R2は水素原子、低級アルキル基、
低級アルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、
アミノ基あるいは低級アルキル基またはベンジ
ル基で置換されたアミノ基を表わし、nは1ま
たは2の整数を表わす。〕 (9) 〔式中、R1は水素原子、アルキル基、アルコ
キシ基またはハロゲン原子を表わし、R2およ
びR3はアルキル基、置換または無置換のアラ
ルキル基あるいは置換または無置換のアリール
基を表わし、R4は水素原子または置換もしく
は無置換のフエニル基を表わし、またArはフ
エニル基またはナフチル基を表わす。〕 (10) 〔式中、nは0または1の整数、R1は水素原
子、アルキル基または置換もしくは無置換のフ
エニル基を示し、Aは
ゲン、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜
4のアルコキシ基またはジアルキルアミノ基を
表わし、nは1または2であつて、nが2のと
きはR3は同一でも異なつてもよく、R4および
R3は水素、炭素数1〜4の置換または無置換
のアルキル基あるいは置換または無置換のベン
ジル基を表わす。〕 (7) 〔式中、Rはカルバゾリル基、ピリジル基、チ
エニル基、インドリル基、フリル基或いはそれ
ぞれ置換もしくは非置換のフエニル基、スチリ
ル基、ナフチル基またはアントリル基であつ
て、これらの置換基がジアルキルアミノ基、ア
ルキル基、アルコキシ基、カルボキシ基または
そのエステル、ハロゲン原子、シアノ基、アラ
ルキルアミノ基、N−アルキル−N−アラルキ
ルアミノ基、アミノ基、ニトロ基およびアセチ
ルアミノ基からなる群から選ばれた基を表わ
す。〕 (8) 〔式中、R1は低級アルキル基またはベンジル
基を表わし、R2は水素原子、低級アルキル基、
低級アルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、
アミノ基あるいは低級アルキル基またはベンジ
ル基で置換されたアミノ基を表わし、nは1ま
たは2の整数を表わす。〕 (9) 〔式中、R1は水素原子、アルキル基、アルコ
キシ基またはハロゲン原子を表わし、R2およ
びR3はアルキル基、置換または無置換のアラ
ルキル基あるいは置換または無置換のアリール
基を表わし、R4は水素原子または置換もしく
は無置換のフエニル基を表わし、またArはフ
エニル基またはナフチル基を表わす。〕 (10) 〔式中、nは0または1の整数、R1は水素原
子、アルキル基または置換もしくは無置換のフ
エニル基を示し、Aは
【式】
9−アントリル基または置換もしくは無置換の
N−アルキルカルバゾリル基を表わし、ここで
R2は水素原子、アルキ基、アルコキシ基、ハ
ロゲン原子または−NR3 R4(但し、R3および
R4はアルキル基、置換または無置換のアラル
キル基、置換または無置換のアリール基を示
し、R3およびR4は環を形成してもよい)を表
わし、mは0、1、2または3の整数であつ
て、mが2以上のときはR2は同一でも異なつ
てもよい。〕 (11) 〔式中、R1、R2およびR3は水素、低級アルキ
ル基、低級アルコキシ基、ジアルキルアミノ基
またはハロゲン原子を表わし、nは0または1
を表わす。〕 一般式(1)で表わされる化合物には、たとえば9
−エチルカルバゾール−3−アルデヒド 2−メ
チル−1−フエニルヒドラゾン、9−エチルカル
バゾール−3−アルデヒド1−ベンジル−1−フ
エニルヒドラゾン、9−エチルカルバゾール−3
−アルデヒド1,1−ジフエニルヒドラゾンなど
がある。一般式(2)で表わされる化合物には、たと
えば4−ジエチルアミノスチレン−β−アルデヒ
ド 1−メチル−1−フエニルヒドラゾン、4−
メトキシナフタレン−1−アルデヒド 1−ベン
ジル−1−フエニルヒドラゾンなどがある。一般
式(3)で表わされる化合物にはたとえば、4−メト
キシベンズアルデヒド 1−メチル−1−フエニ
ルヒドラゾン、2,4−ジメトキシベンズアルデ
ヒド 1−ベンジル−1−フエニルヒドラゾン、
4−ジエチルアミノゼンズアルデヒド 1,1−
ジフエニルヒドラゾン、4−メトキシベンズルア
ルデヒド 1−ペンジル−1−(4−メトキシ)
フエニルヒドラゾン、4−ジフエニルアミノベン
ズアルデヒド 1−ベンジル−1−フエニルヒド
ラゾン、4−ジベンジルアミノベンズアルデヒド
1,1−ジフエニルヒドラゾンなどがある。一般
式(4)で表わされる化合物には、たとえば1,1−
ビス(4−ジベンジルアミノフエニル)プロパ
ン、トリス(4−ジエチルアミノフエニル)メタ
ン、1,1−ビス(4−ジベンジルアミノフエニ
ル)プロパン、2,2′−ジメチル−4,4′−ビス
(ジエチルアミノ)−トリフエニルメタンなどがあ
る。一般式(5)で表わされる化合物には、たとえば
9−(4−ジエチルアミノスチリル)アントラセ
ン、9−ブロム−10−(4−ジエチルアミノスチ
リル)アントラセンなどがある。一般式(6)で表わ
される化合物には、たとえば9−(4−ジメチル
アミノベンジリデン)フルオレン、3−(9−フ
ルオレニリデン)−9−エチルカルバゾールなど
がある。一般式(7)で表わされる化合物には、たと
えば1,2−ビス(4−ジエチルアミノスチリ
ル)ベンゼン、1,2−ビス(2,4−ジメトキ
シスチリル)ベンゼンがある。一般式(8)で表わさ
れる化合物には、たとえば3−スチリル−9−エ
チルカルバゾール、3−(4−メトキシスチリル)
−9−エチルカルバゾールなどがある。一般式(9)
で表わされる化合物には、たとえば4−ジフエニ
ルアミノスチルベン、4−ジベンジルアミノスチ
ルベン、4−ジトリルアミノスチルベン、1−
(4−ジフエニルアミノスチリル)ナフタレン、
1−(4−ジエチルアミノスチリル)ナフタレン
などがある。一般式(10)で表わされる化合物には、
たとえば4′−ジフエニルアミノ−α−フエニルス
チルベン、4′−メチルフエニルアミノ−α−フエ
ニルスチルベンなどがある。一般式(11)で表わされ
る化合物には、たとえば1−フエニル−3−(4
−ジエチルアミノスチリル)−5−(4−ジエチル
アミノフエニル)ピラゾリン、1−フエニル−3
−(4−ジメチルアミノスチリル)−5−(4−ジ
メチルアミノフエニル)ピラゾリンなどがある。 この他の正孔搬送物質としては、たとえば2,
5−ビス(4−ジエチルアミノフエニル)−1,
3,4−オキサジアゾール、2,5−ビス〔4−
(4−ジエチルアミノスチリル)フエニル〕−1,
3,4−オキサジアゾール、2−(9−エチルカ
ルバゾリル−3−)−5−(4−ジエチルアミノフ
エニル)−1,3,4−オキサジアゾールなどの
オキサジアゾール化合物、2−ビニル−4−(2
−クロルフエニル)−5−(4−ジエチルアミノフ
エニル)オキサゾール、2−(4−ジエチルアミ
ノフエニル)−4−フエニルオキサゾールなどの
オキサゾール化合物などの低分子化合物がある。
また、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ハロゲン
化ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリビニルピ
レン、ポリビニルアントラセン、ピレンホルムア
ルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデ
ヒド樹脂などの高分子化合物も使用できる。 電子搬送物質としては、たとえば、クロルアニ
ル、ブロムアニル、テトラシアノエチレン、テト
ラシアノキノンジメタン、2,4,7−トリニト
ロ−9−フルオレノン、2,4,5,7−テトラ
ニトロ−9−フルオレノン、2,4,5,7−テ
トラニトロキサントン、2,4,8−トリニトロ
チオキサントン、2,6,8−トリニトロ−4H
−インデノ〔1,2−b〕チオフエン−4オン、
1,3,7−トリニトロジベンゾチオフエン−
5,5−ジオキサイドなどがある。 これらの電荷搬送物質は単独又は2種以上混合
して用いられる。 なお以上のようにして得られる感光体にはいず
れも導電性支持体と感光層の間に必要に応じて接
着層又はバリヤ層を設けることができる。これら
の層に用いられる材料としてはポリアミド、ニト
ロセルロース、酸化アルミニウムなどが適当で、
また膜厚は1μ以下が好ましい。 第2図の感光体を作成するには、導電性支持体
上にジスアゾ顔料をUSP3973959、USP3996049
等に記載されている真空蒸着方法で真空蒸着する
か、あるいはジスアゾ顔料の微粒子を必要とあれ
ば結合剤を溶解した適当な溶剤中に分散し、これ
を導電性支持体上に塗布乾燥し、更に必要とあれ
ば例えば特開昭51−90827に示されているような
バフ研摩等の方法により表面仕上をするか、膜厚
を調整した後、電荷搬送物質及び結合剤を含む溶
液を塗布乾燥して得られる。 第3図と感光体を作成するにはジスアゾ顔料の
微粉子を電荷反そ物質及び結合剤を溶解した溶液
中に分散せしめ、これを導電性支持体上に塗布乾
燥すればよい。いずれの場合も本発明に使用され
るジスアゾ顔料はボールミル等により粒径5μ以
下、好ましくは2μ以下に粉砕して用いられる。
塗布方法は通常の手段、例えばドクターブレー
ド、デイツピング、ワイヤーバーなどで行なう。 本発明の感光体を用いて複写を行なうには、感
光層面に帯電、露光を施した後、現像を行ない、
必要によつて、紙などへ転写を行うことにより達
成される。 効 果 以上の説明および後記の実施例および比較例か
らも明らかなように、本発明の電子写真用感光体
は、トリフエニルアミン骨格を有するジスアゾ顔
料を電荷発生物質として用いることにより、従来
の感光体に比較して製造が容易であり、また、高
感度で、感光体の反復使用に対しても特性が安定
しているなど、優れた性質を有する。 次に本発明を実施例により具体的に説明する
が、これにより本発明の実施例の態様が限定され
るものではない。 実施例 1 ジスアゾ顔料No.75を76重量部、ポリエステル樹
脂(バイロン200株式会社東洋紡績製)のテトラ
ヒドロフラン溶液(固形分濃度2%)1260重量
部、およびテトラヒドロフラン3700重量部をボー
ルミル中で粉砕混合し、得られた分散液をアルミ
ニウム蒸着したポリエステルベース(導電性支持
体)のアルミ面上にドクターブレードを用いて塗
布し、自然乾燥して、厚さ約1μmの電荷発生層
を形成した。 この電荷発生層上に、電荷搬送物質として9−
エチルカルバゾール−3−アルデヒド 1−メチ
ル−1フエニルヒドラゾン2重量部、ポリカーボ
ネート樹脂(パンライトK−1300:(株)帝人製)2
重量部およびテトラヒドロフラン16重量部を混合
溶解した溶液をドクタープレードを用いて塗布
し、80℃で2分間、ついで105℃で5分間乾燥し
て厚さ約18μmの電荷搬送層を形成して、第2図
に示した積層型の感光体No.1を作成した。 実施例 2〜5 実施例1で用いたジスアゾ顔料No.75の代りに後
記表−1に示すジスアゾ顔料を用いた以外は実施
例1と同様にして感光体No.2〜5を作成した。 実施例 6〜10 電荷搬送物質として1−フエニル−3−(4−
ジエチルアミノスチリル)−5−(4−ジエチルア
ミノフエニル)ピラゾリンを用い、後記表−1に
示すジスアゾ顔料を用いた以外は実施例1同様に
して感光体No.6〜10を作成した。 実施例 11〜15 電荷搬送物質として9−(4−ジエチルアミノ
スチリル)アントラセンを用い、後記表−1に示
すジスアゾ顔料を用いた以外は実施例1と同様に
して感光体No.11〜15を作成した。 実施例 16〜20 電荷搬送物質として4′−ジフエニルアミノ−α
−フエニルスチルベンを用い、後記表−2に示す
ジスアゾ顔料を用いた以外は、実施例1と同様に
して感光体No.16〜20を作成した。 これらの感光体No.1〜20について、静電複写紙
試験装置((株)川口電機製作所製、SP428型)を用
いて、−6KVのコロナ放電を20秒間行なつて負に
帯電せしめた後、20秒間暗所に放置し、その時の
表面電位Vpo(V)を測定し、次いでタングステンラ
ンプによつてその表面が照度4.5ルツクスになる
ようにして光を照射しその表面電位がVpoの1/2
になるまでの時間(秒)を求め、露光量E1/2
(ルツクス・秒)を算出した。その結果を表−1
〜表−2に示した。
N−アルキルカルバゾリル基を表わし、ここで
R2は水素原子、アルキ基、アルコキシ基、ハ
ロゲン原子または−NR3 R4(但し、R3および
R4はアルキル基、置換または無置換のアラル
キル基、置換または無置換のアリール基を示
し、R3およびR4は環を形成してもよい)を表
わし、mは0、1、2または3の整数であつ
て、mが2以上のときはR2は同一でも異なつ
てもよい。〕 (11) 〔式中、R1、R2およびR3は水素、低級アルキ
ル基、低級アルコキシ基、ジアルキルアミノ基
またはハロゲン原子を表わし、nは0または1
を表わす。〕 一般式(1)で表わされる化合物には、たとえば9
−エチルカルバゾール−3−アルデヒド 2−メ
チル−1−フエニルヒドラゾン、9−エチルカル
バゾール−3−アルデヒド1−ベンジル−1−フ
エニルヒドラゾン、9−エチルカルバゾール−3
−アルデヒド1,1−ジフエニルヒドラゾンなど
がある。一般式(2)で表わされる化合物には、たと
えば4−ジエチルアミノスチレン−β−アルデヒ
ド 1−メチル−1−フエニルヒドラゾン、4−
メトキシナフタレン−1−アルデヒド 1−ベン
ジル−1−フエニルヒドラゾンなどがある。一般
式(3)で表わされる化合物にはたとえば、4−メト
キシベンズアルデヒド 1−メチル−1−フエニ
ルヒドラゾン、2,4−ジメトキシベンズアルデ
ヒド 1−ベンジル−1−フエニルヒドラゾン、
4−ジエチルアミノゼンズアルデヒド 1,1−
ジフエニルヒドラゾン、4−メトキシベンズルア
ルデヒド 1−ペンジル−1−(4−メトキシ)
フエニルヒドラゾン、4−ジフエニルアミノベン
ズアルデヒド 1−ベンジル−1−フエニルヒド
ラゾン、4−ジベンジルアミノベンズアルデヒド
1,1−ジフエニルヒドラゾンなどがある。一般
式(4)で表わされる化合物には、たとえば1,1−
ビス(4−ジベンジルアミノフエニル)プロパ
ン、トリス(4−ジエチルアミノフエニル)メタ
ン、1,1−ビス(4−ジベンジルアミノフエニ
ル)プロパン、2,2′−ジメチル−4,4′−ビス
(ジエチルアミノ)−トリフエニルメタンなどがあ
る。一般式(5)で表わされる化合物には、たとえば
9−(4−ジエチルアミノスチリル)アントラセ
ン、9−ブロム−10−(4−ジエチルアミノスチ
リル)アントラセンなどがある。一般式(6)で表わ
される化合物には、たとえば9−(4−ジメチル
アミノベンジリデン)フルオレン、3−(9−フ
ルオレニリデン)−9−エチルカルバゾールなど
がある。一般式(7)で表わされる化合物には、たと
えば1,2−ビス(4−ジエチルアミノスチリ
ル)ベンゼン、1,2−ビス(2,4−ジメトキ
シスチリル)ベンゼンがある。一般式(8)で表わさ
れる化合物には、たとえば3−スチリル−9−エ
チルカルバゾール、3−(4−メトキシスチリル)
−9−エチルカルバゾールなどがある。一般式(9)
で表わされる化合物には、たとえば4−ジフエニ
ルアミノスチルベン、4−ジベンジルアミノスチ
ルベン、4−ジトリルアミノスチルベン、1−
(4−ジフエニルアミノスチリル)ナフタレン、
1−(4−ジエチルアミノスチリル)ナフタレン
などがある。一般式(10)で表わされる化合物には、
たとえば4′−ジフエニルアミノ−α−フエニルス
チルベン、4′−メチルフエニルアミノ−α−フエ
ニルスチルベンなどがある。一般式(11)で表わされ
る化合物には、たとえば1−フエニル−3−(4
−ジエチルアミノスチリル)−5−(4−ジエチル
アミノフエニル)ピラゾリン、1−フエニル−3
−(4−ジメチルアミノスチリル)−5−(4−ジ
メチルアミノフエニル)ピラゾリンなどがある。 この他の正孔搬送物質としては、たとえば2,
5−ビス(4−ジエチルアミノフエニル)−1,
3,4−オキサジアゾール、2,5−ビス〔4−
(4−ジエチルアミノスチリル)フエニル〕−1,
3,4−オキサジアゾール、2−(9−エチルカ
ルバゾリル−3−)−5−(4−ジエチルアミノフ
エニル)−1,3,4−オキサジアゾールなどの
オキサジアゾール化合物、2−ビニル−4−(2
−クロルフエニル)−5−(4−ジエチルアミノフ
エニル)オキサゾール、2−(4−ジエチルアミ
ノフエニル)−4−フエニルオキサゾールなどの
オキサゾール化合物などの低分子化合物がある。
また、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ハロゲン
化ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリビニルピ
レン、ポリビニルアントラセン、ピレンホルムア
ルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデ
ヒド樹脂などの高分子化合物も使用できる。 電子搬送物質としては、たとえば、クロルアニ
ル、ブロムアニル、テトラシアノエチレン、テト
ラシアノキノンジメタン、2,4,7−トリニト
ロ−9−フルオレノン、2,4,5,7−テトラ
ニトロ−9−フルオレノン、2,4,5,7−テ
トラニトロキサントン、2,4,8−トリニトロ
チオキサントン、2,6,8−トリニトロ−4H
−インデノ〔1,2−b〕チオフエン−4オン、
1,3,7−トリニトロジベンゾチオフエン−
5,5−ジオキサイドなどがある。 これらの電荷搬送物質は単独又は2種以上混合
して用いられる。 なお以上のようにして得られる感光体にはいず
れも導電性支持体と感光層の間に必要に応じて接
着層又はバリヤ層を設けることができる。これら
の層に用いられる材料としてはポリアミド、ニト
ロセルロース、酸化アルミニウムなどが適当で、
また膜厚は1μ以下が好ましい。 第2図の感光体を作成するには、導電性支持体
上にジスアゾ顔料をUSP3973959、USP3996049
等に記載されている真空蒸着方法で真空蒸着する
か、あるいはジスアゾ顔料の微粒子を必要とあれ
ば結合剤を溶解した適当な溶剤中に分散し、これ
を導電性支持体上に塗布乾燥し、更に必要とあれ
ば例えば特開昭51−90827に示されているような
バフ研摩等の方法により表面仕上をするか、膜厚
を調整した後、電荷搬送物質及び結合剤を含む溶
液を塗布乾燥して得られる。 第3図と感光体を作成するにはジスアゾ顔料の
微粉子を電荷反そ物質及び結合剤を溶解した溶液
中に分散せしめ、これを導電性支持体上に塗布乾
燥すればよい。いずれの場合も本発明に使用され
るジスアゾ顔料はボールミル等により粒径5μ以
下、好ましくは2μ以下に粉砕して用いられる。
塗布方法は通常の手段、例えばドクターブレー
ド、デイツピング、ワイヤーバーなどで行なう。 本発明の感光体を用いて複写を行なうには、感
光層面に帯電、露光を施した後、現像を行ない、
必要によつて、紙などへ転写を行うことにより達
成される。 効 果 以上の説明および後記の実施例および比較例か
らも明らかなように、本発明の電子写真用感光体
は、トリフエニルアミン骨格を有するジスアゾ顔
料を電荷発生物質として用いることにより、従来
の感光体に比較して製造が容易であり、また、高
感度で、感光体の反復使用に対しても特性が安定
しているなど、優れた性質を有する。 次に本発明を実施例により具体的に説明する
が、これにより本発明の実施例の態様が限定され
るものではない。 実施例 1 ジスアゾ顔料No.75を76重量部、ポリエステル樹
脂(バイロン200株式会社東洋紡績製)のテトラ
ヒドロフラン溶液(固形分濃度2%)1260重量
部、およびテトラヒドロフラン3700重量部をボー
ルミル中で粉砕混合し、得られた分散液をアルミ
ニウム蒸着したポリエステルベース(導電性支持
体)のアルミ面上にドクターブレードを用いて塗
布し、自然乾燥して、厚さ約1μmの電荷発生層
を形成した。 この電荷発生層上に、電荷搬送物質として9−
エチルカルバゾール−3−アルデヒド 1−メチ
ル−1フエニルヒドラゾン2重量部、ポリカーボ
ネート樹脂(パンライトK−1300:(株)帝人製)2
重量部およびテトラヒドロフラン16重量部を混合
溶解した溶液をドクタープレードを用いて塗布
し、80℃で2分間、ついで105℃で5分間乾燥し
て厚さ約18μmの電荷搬送層を形成して、第2図
に示した積層型の感光体No.1を作成した。 実施例 2〜5 実施例1で用いたジスアゾ顔料No.75の代りに後
記表−1に示すジスアゾ顔料を用いた以外は実施
例1と同様にして感光体No.2〜5を作成した。 実施例 6〜10 電荷搬送物質として1−フエニル−3−(4−
ジエチルアミノスチリル)−5−(4−ジエチルア
ミノフエニル)ピラゾリンを用い、後記表−1に
示すジスアゾ顔料を用いた以外は実施例1同様に
して感光体No.6〜10を作成した。 実施例 11〜15 電荷搬送物質として9−(4−ジエチルアミノ
スチリル)アントラセンを用い、後記表−1に示
すジスアゾ顔料を用いた以外は実施例1と同様に
して感光体No.11〜15を作成した。 実施例 16〜20 電荷搬送物質として4′−ジフエニルアミノ−α
−フエニルスチルベンを用い、後記表−2に示す
ジスアゾ顔料を用いた以外は、実施例1と同様に
して感光体No.16〜20を作成した。 これらの感光体No.1〜20について、静電複写紙
試験装置((株)川口電機製作所製、SP428型)を用
いて、−6KVのコロナ放電を20秒間行なつて負に
帯電せしめた後、20秒間暗所に放置し、その時の
表面電位Vpo(V)を測定し、次いでタングステンラ
ンプによつてその表面が照度4.5ルツクスになる
ようにして光を照射しその表面電位がVpoの1/2
になるまでの時間(秒)を求め、露光量E1/2
(ルツクス・秒)を算出した。その結果を表−1
〜表−2に示した。
【表】
【表】
さらに、本発明の感光体No.4およびNo.7を(株)リ
コー製複写機リコピーP−500型に装着して画像
出しを10000回繰り返した。その結果、いずれの
感光体も複写プロセスの繰返しにより変化するこ
となく、鮮明な画像が得られた。これにより、本
発明の感光体が耐久性においても優れたものであ
ることが理解できるであろう。
コー製複写機リコピーP−500型に装着して画像
出しを10000回繰り返した。その結果、いずれの
感光体も複写プロセスの繰返しにより変化するこ
となく、鮮明な画像が得られた。これにより、本
発明の感光体が耐久性においても優れたものであ
ることが理解できるであろう。
第1図は本発明に用いるジスアゾ顔料No.1の赤
外線吸収スペクトル(KBr錠剤法)である。第
2図および第3図は本発明の感光体の構成例を示
す拡大断面図である。 11……導電性支持体、13……ジスアゾ顔
料、15……電荷発生層、17……電荷搬送層、
19,19′……感光層。
外線吸収スペクトル(KBr錠剤法)である。第
2図および第3図は本発明の感光体の構成例を示
す拡大断面図である。 11……導電性支持体、13……ジスアゾ顔
料、15……電荷発生層、17……電荷搬送層、
19,19′……感光層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 導電性支持体上に一般式() (式中、Aはカツプラー残基を表わす。) で示されるジスアゾ顔料を含む感光層を有するこ
とを特徴とする電子写真用感光体。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25019583A JPS60140351A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 電子写真用感光体 |
| GB08432740A GB2153378B (en) | 1983-12-28 | 1984-12-28 | Disazo compounds and electrophotographic elements containing them |
| US06/687,111 US4582771A (en) | 1983-12-28 | 1984-12-28 | Disazo compound, method for preparing the same, and electrophotographic element containing the same for use in electrophotography |
| DE3447685A DE3447685A1 (de) | 1983-12-28 | 1984-12-28 | Disazoverbindungen, verfahren zu ihrer herstellung und ein diese verbindungen enthaltendes elektrophotographisches element |
| US06/756,468 US4663442A (en) | 1983-12-28 | 1985-07-18 | Disazo triphenylamine compounds |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25019583A JPS60140351A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 電子写真用感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60140351A JPS60140351A (ja) | 1985-07-25 |
| JPH0546938B2 true JPH0546938B2 (ja) | 1993-07-15 |
Family
ID=17204227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25019583A Granted JPS60140351A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60140351A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62118353A (ja) * | 1985-11-19 | 1987-05-29 | Ricoh Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JP3563916B2 (ja) * | 1996-04-26 | 2004-09-08 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体、この電子写真感光体を用いた電子写真装置及びプロセスカートリッジ |
-
1983
- 1983-12-28 JP JP25019583A patent/JPS60140351A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60140351A (ja) | 1985-07-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |