JPH0422323B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0422323B2 JPH0422323B2 JP60179149A JP17914985A JPH0422323B2 JP H0422323 B2 JPH0422323 B2 JP H0422323B2 JP 60179149 A JP60179149 A JP 60179149A JP 17914985 A JP17914985 A JP 17914985A JP H0422323 B2 JPH0422323 B2 JP H0422323B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- resistance
- zinc oxide
- voltage nonlinear
- raw material
- Prior art date
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Description
本発明は、酸化亜鉛を主体とし、それのみで電
圧非直線抵抗特性を得る磁器である電圧非直線抵
抗素子に関する。
圧非直線抵抗特性を得る磁器である電圧非直線抵
抗素子に関する。
酸化亜鉛を主体とする電圧非直線抵抗素子は、
ZnOにCo、Pr、Ｋ、Cr等を添加したもの、ある
いはBi、Sb、Co、Cr等を添加したものが知られ
ており、いずれも通常の窯業技術により円盤状の
抵抗体に成形され、銀ペースト等で電極を形成し
た後、リード線をはんだ付けし、樹脂で被覆した
ものが市場に供せられている。しかしながらこの
ような抵抗素子においては、リード線が付けられ
た後の抵抗体表面において漏れ電流が生じて低電
流領域の非直線特性の劣化を来し、製造者側にお
いては歩留りの低下が、また使用者側においては
装着後の動作不良という問題があつた。この対策
として円盤状に形成される抵抗体表面にガラス質
を同時焼成して表面抵抗を高くする方法あるいは
抵抗体表面に有機被膜を設ける方法などの対策が
講じられているが、いずれもコストが大幅に増加
する欠点がある。 別の問題として電圧非直線抵抗体の表面研摩の
際、側面が損耗しやすいので抵抗体の表面硬度が
さらに高いことが望まれる。
ZnOにCo、Pr、Ｋ、Cr等を添加したもの、ある
いはBi、Sb、Co、Cr等を添加したものが知られ
ており、いずれも通常の窯業技術により円盤状の
抵抗体に成形され、銀ペースト等で電極を形成し
た後、リード線をはんだ付けし、樹脂で被覆した
ものが市場に供せられている。しかしながらこの
ような抵抗素子においては、リード線が付けられ
た後の抵抗体表面において漏れ電流が生じて低電
流領域の非直線特性の劣化を来し、製造者側にお
いては歩留りの低下が、また使用者側においては
装着後の動作不良という問題があつた。この対策
として円盤状に形成される抵抗体表面にガラス質
を同時焼成して表面抵抗を高くする方法あるいは
抵抗体表面に有機被膜を設ける方法などの対策が
講じられているが、いずれもコストが大幅に増加
する欠点がある。 別の問題として電圧非直線抵抗体の表面研摩の
際、側面が損耗しやすいので抵抗体の表面硬度が
さらに高いことが望まれる。
本発明は、上述の問題を解決して、コストを大
幅に増加させることなく抵抗体の表面の絶縁特性
を改善し、表面硬度を高くした電圧非直線抵抗素
子を提供することを目的とする。
幅に増加させることなく抵抗体の表面の絶縁特性
を改善し、表面硬度を高くした電圧非直線抵抗素
子を提供することを目的とする。
本発明によれば、電圧非直線抵抗素子が酸化亜
鉛を主体とし、少なくともランタン系稀土類元素
（La、Ce、Pr、Nd、Sm、Tb、Dy）の１つと珪
素とを含んだ原料を焼成してなる抵抗体を有し、
この抵抗体が表面にランタン系稀土類元素をLn
として表わしたときにLn2O3・SiO2、Ln2O3・
2SiO2あるいは2Ln2O3・3SiO2の複合珪酸化合物
の析出針状晶を有し、該表面の抵抗を１×1011〜
２×1011Ωcmとすることにより上記の目的が達成
される。
鉛を主体とし、少なくともランタン系稀土類元素
（La、Ce、Pr、Nd、Sm、Tb、Dy）の１つと珪
素とを含んだ原料を焼成してなる抵抗体を有し、
この抵抗体が表面にランタン系稀土類元素をLn
として表わしたときにLn2O3・SiO2、Ln2O3・
2SiO2あるいは2Ln2O3・3SiO2の複合珪酸化合物
の析出針状晶を有し、該表面の抵抗を１×1011〜
２×1011Ωcmとすることにより上記の目的が達成
される。
実施例 １
酸化亜鉛を主原料とし、これに1.5原子％のCr、
0.5原子％のPr、0.2原子％のＫ、0.2原子％のCr
を添加し、さらにSiを100原子ppm添加し、ボー
ルミルで十分混合したのち、スプレードライヤに
よつて造粒した粉末を直径15mm、厚さ３mmに打錠
し、これを1300℃にて１時間焼成した。第１図は
この焼成体の表面の金属顕微鏡写真で、Siを添加
しない従来の酸化亜鉛電圧非直線抵抗体の表面の
金属顕微鏡写真である第２図に見られない針状晶
の析出が示されている。この針状晶を走査型電顕
およびＸ線回析により分析したところ、Pr2O3・
SiO2で表わされる複合珪酸化合物であることが
判明した。この針状晶析出面は、Siを添加しない
ものの表面にくらべ、第１表に示すように高い表
面抵抗と硬度を示すことがわかつた。そして電圧
非直線抵抗特性の低下は認められなかつた。
0.5原子％のPr、0.2原子％のＫ、0.2原子％のCr
を添加し、さらにSiを100原子ppm添加し、ボー
ルミルで十分混合したのち、スプレードライヤに
よつて造粒した粉末を直径15mm、厚さ３mmに打錠
し、これを1300℃にて１時間焼成した。第１図は
この焼成体の表面の金属顕微鏡写真で、Siを添加
しない従来の酸化亜鉛電圧非直線抵抗体の表面の
金属顕微鏡写真である第２図に見られない針状晶
の析出が示されている。この針状晶を走査型電顕
およびＸ線回析により分析したところ、Pr2O3・
SiO2で表わされる複合珪酸化合物であることが
判明した。この針状晶析出面は、Siを添加しない
ものの表面にくらべ、第１表に示すように高い表
面抵抗と硬度を示すことがわかつた。そして電圧
非直線抵抗特性の低下は認められなかつた。
【表】
実施例 ２
酸化亜鉛を原料とし、Bi0.5原子％、Sb0.5原子
％、Co1.0原子％、Cr0.5原子％を添加し、さらに
PrとSiをそれぞれ100原子ppm添加し、実施例１
と同様にして焼成し、表面観察をしたところ、第
１図に示した実施例１と同様のPr2O3・SiO2の針
状化合物の析出が確認され、電圧非直線抵抗体と
してもPr、Siを含まない従来のものと遜色のな
いものが得られた。 実施例１、２共にその焼成温度を高くすれば、
表面抵抗値、硬度がさらに高まることが確認され
たが、1350℃を越えると本来の電圧非直線抵抗体
としての性能が著しく低下し、実用に供し得な
い。またSiの添加量が80原子ppm以下では針状晶
の発生が少なく、表面改質効果が見られず、一方
500原子ppmを越えると電圧非直線抵抗体として
の性能低下をきたす。なお上記実施例ではランタ
ン系稀土類元素としてPrを用いたが、他の稀土
類酸化物の含有の場合も同様の効果が得られるこ
とが確かめられた。
％、Co1.0原子％、Cr0.5原子％を添加し、さらに
PrとSiをそれぞれ100原子ppm添加し、実施例１
と同様にして焼成し、表面観察をしたところ、第
１図に示した実施例１と同様のPr2O3・SiO2の針
状化合物の析出が確認され、電圧非直線抵抗体と
してもPr、Siを含まない従来のものと遜色のな
いものが得られた。 実施例１、２共にその焼成温度を高くすれば、
表面抵抗値、硬度がさらに高まることが確認され
たが、1350℃を越えると本来の電圧非直線抵抗体
としての性能が著しく低下し、実用に供し得な
い。またSiの添加量が80原子ppm以下では針状晶
の発生が少なく、表面改質効果が見られず、一方
500原子ppmを越えると電圧非直線抵抗体として
の性能低下をきたす。なお上記実施例ではランタ
ン系稀土類元素としてPrを用いたが、他の稀土
類酸化物の含有の場合も同様の効果が得られるこ
とが確かめられた。
本発明は、酸化亜鉛を主体とする電圧非直線抵
抗体において原料自体にランタン系稀土類元素と
80原子ppm以上500原子ppm以下の珪素を添加す
ることにより、電気抵抗および機械的強度の高い
表面積を形成するもので、表面漏れ電流による非
直線特性の低下がなく、表面研摩時の側面の損耗
のない信頼性の高い酸化亜鉛電圧非直線抵抗素子
をほとんどコストの増加なしに市場に提供するこ
とができた。
抗体において原料自体にランタン系稀土類元素と
80原子ppm以上500原子ppm以下の珪素を添加す
ることにより、電気抵抗および機械的強度の高い
表面積を形成するもので、表面漏れ電流による非
直線特性の低下がなく、表面研摩時の側面の損耗
のない信頼性の高い酸化亜鉛電圧非直線抵抗素子
をほとんどコストの増加なしに市場に提供するこ
とができた。
第１図は本発明の一実施例の抵抗体の表面顕微
鏡写真、第２図は従来の抵抗体の金属組織を示す
表面顕微鏡写真である。
鏡写真、第２図は従来の抵抗体の金属組織を示す
表面顕微鏡写真である。
Claims (1)
- １ 酸化亜鉛を主体とし、少なくともランタン系
稀土類元素の一つと、原料への添加量が80原子
ppm以上500原子ppm以下である珪素とを含んだ
原料を焼成して抵抗体を形成し、該抵抗体の表面
に複合珪酸化合物の析出針状晶を形成して該表面
の抵抗を１×1011〜２×1011Ωcmとすることを特
徴とする電圧非直線抵抗素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60179149A JPS6239001A (ja) | 1985-08-14 | 1985-08-14 | 電圧非直線抵抗素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60179149A JPS6239001A (ja) | 1985-08-14 | 1985-08-14 | 電圧非直線抵抗素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6239001A JPS6239001A (ja) | 1987-02-20 |
| JPH0422323B2 true JPH0422323B2 (ja) | 1992-04-16 |
Family
ID=16060819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60179149A Granted JPS6239001A (ja) | 1985-08-14 | 1985-08-14 | 電圧非直線抵抗素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6239001A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002043105A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-02-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 酸化亜鉛型バリスタ及びその製造方法 |
| AU2004244652B2 (en) * | 2004-01-06 | 2011-09-29 | Eaton Corporation | Trapped gas removal in liquid-gas accumulator |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS606522B2 (ja) * | 1980-04-04 | 1985-02-19 | ティーディーケイ株式会社 | 半導体組成物 |
-
1985
- 1985-08-14 JP JP60179149A patent/JPS6239001A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6239001A (ja) | 1987-02-20 |
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