JPH04230364A - ピペリジニル基を有する新規な化合物及びそれらの重合体への使用 - Google Patents

ピペリジニル基を有する新規な化合物及びそれらの重合体への使用

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JPH04230364A
JPH04230364A JP3188251A JP18825191A JPH04230364A JP H04230364 A JPH04230364 A JP H04230364A JP 3188251 A JP3188251 A JP 3188251A JP 18825191 A JP18825191 A JP 18825191A JP H04230364 A JPH04230364 A JP H04230364A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【産業上の利用分野】本発明は、置換ピペリジニル基、
特に2,2,6,6−テトラメチルピペリジニル基を有
する新規な化合物に関する。また、本発明は、このよう
な化合物を有機重合体の添加剤として使用することに関
する。 【0002】 【発明が解決しようとする課題】本発明は、合成が比較
的簡単で且つ重合体を保護するのに有効な、特に光線や
紫外線に起因する分解に対して有効な2,2,6,6−
テトラメチルピペリジニル基を有する新規な化合物を提
供することを目的とする。 【0003】 【課題を解決するための手段】しかして、本発明は、次
の一般式(I) 【化8】 [ここで、Rは、 ・1〜18個の炭素原子を有する線状若しくは分岐状ア
ルキル基、 ・5〜12個の炭素原子を有するシクロアルキル基、・
フェニル基、 ・1〜12個の炭素原子を有するアルキル置換基を1若
しくは2個含むフェニル基、 ・アルキル部分が線状若しくは分岐状で1〜12個の炭
素原子を含むフェニルアルキル基又は ・次式(II) 【化9】 (ここで、R1 は水素原子又はメチル基を表す)の2
,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジニル基を表
し、Zは、 ・次式(III) 【化10】 の基又は ・2〜15個の炭素原子を有するポリメチレン基を表し
、Zがポリメチレン基を表すときは、Rは式(II)の
2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジニル基を
表しかつnは1〜2の数を表し、Zが式(III) の
基を表すときは、nは1〜100の数を表す]に相当す
ることを特徴とする2,2,6,6−テトラメチルピペ
リジニル基を有する化合物に関する。 【0004】さらに詳しくは、本発明の化合物は、Rが
、 ・1〜18個の炭素原子を有する線状若しくは分岐状の
アルキル基、例えばメチル、エチル、プロピル、イソプ
ロピル、ブチル、t−ブチル、ヘキシル、オクチル、デ
シル、ドデシル、ヘキサデシル及びオクタデシル基、・
シクロヘキシル基、 ・フェニル基、 ・1〜9個の炭素原子を有する線状若しくは分岐状のア
ルキル置換基を1若しくは2個含むフェニル基、例えば
メチルフェニル、ジメチルフェニル、イソプロピルフェ
ニル、ジイソプロピルフェニル、t−ブチルフェニル、
ジ−t−ブチルフェニル、ノニルフェニル及びジノニル
フェニル基、 ・アルキル部分が線状若しくは分岐状で1〜4個の炭素
原子を含むフェニルアルキル基、例えばベンジル、フェ
ネチル及び3−フェニルプロピル基、又は・式(II)
の2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジニル基
(ここでR1 は水素原子又はメチル基を表す)を表し
、Zは、 ・次式(III)  【化11】 の基又は ・2〜15個の炭素原子を有するポリメチレン基を表し
、Zがポリメチレン基を表すときは、Rは式(III)
の2,2,6,6−テトラメチル基を表しかつnは1〜
2の数を表し、Zが式(III) の基を表すときは、
nは1〜20の数を表す式(I)の化合物である。 【0005】本発明に従う前記式(I)の化合物は、各
種の方法によって製造することができる。しかして、記
号Zが式(II)の基を表すときは、まず、例えばアル
カリ金属炭酸塩、アルカリ金属アルコラート、アルカリ
金属水素化物のような塩基性エステル交換触媒及び要す
ればクラウンエーテルのようなクリプタント剤の存在下
に次の一般式(IV) 【化12】 のジオールを化学量論的量よりも過剰の炭酸ジメチルと
反応させることができる。次いで、このようにして得ら
れた次式(V) 【化13】 の4−N,N−ビス(エチレン)アミノ−2,2,6,
6−テトラメチルピペリジンビスカーボネートジメチル
は、1よりも大きい単位数nを望む場合には式(IV)
のジオール及び次式(VI) R’ −OH          (VI)(ここでR
’ は式(II)の基を除いて式(I)においてRにつ
いて前記した意味を有する)のモノアルコール又はモノ
フェノールとさらに反応させることにより式(I)の化
合物に転化することができる。 【0006】式(V)、式(IV)及び式(VI)の各
種反応体の比率は、所望の単位数nに応じて選択される
。即ち(n+1)/2モルの式(V)の化合物について
、(n−1)/2モルの式(IV)の化合物及び2モル
の式(VI)の化合物R’ −OHが使用される。この
反応は、最初の反応と同じ触媒の存在下に実施される。 最初のエステル交換反応の終了時には、過剰の炭酸ジメ
チルを、例えば減圧蒸留によって具合よく除去し、次い
で触媒を含有する式(V)の化合物に式(IV)及び式
(VI)の化合物を添加することができる。 【0007】また、Zがポリメチレン基を表す式(I)
の化合物を製造するためには、まず、前記のようなエス
テル交換触媒の存在下に次式(VIII)HO−(CH
2 )p −OH のジオールと過剰量の炭酸ジメチルとの反応によって次
式(VII)      CH3 −O−CO−[(CH2 )p −O
−CO−]n −O−CH3 (ここでnは式(I)に
ついて先に示した意味を有し、pは2〜15の数を表す
)の混成炭酸ポリメチレンジメチルエステルを製造する
。次いで、このように製造された式(VII) の化合
物と次式(IX)【化14】 の2,2,6,6−テトラメチルピペリジノールとの間
のエステル交換が行なわれる。 【0008】本発明の式(I)の化合物は、記号nの値
に応じて単量体化合物か又は重合体化合物のいずれかで
ある。従って、本発明はいろいろな分子量を広く選択で
き、このことがそれらを薄膜中の安定化作用を維持しな
がら重合体内のより容易な移動のような種々の要求に対
する紫外線防止剤として応用することを可能にさせる。 【0009】式(I)の化合物は、特に有機重合体にお
ける光安定剤として使用することができる。しかして、
これらは、ポリオレフィン、ポリスチレン、ポリアルカ
ジエン、ポリウレタン、ポリアミド、ポリエステル、ポ
リカーボネート、ポリスルホン、ポリエーテル−スルホ
ン、ポリエーテル−ケトン、アクリル重合体、ハロゲン
化重合体、これらの共重合体及びこれらの混合物におけ
る紫外線防止剤として使用することができる。さらに特
定すれば、式(I)の化合物は、ポリプロピレン、高密
度ポリエチレン、低密度ポリエチレン、低密度線状ポリ
エチレン、ポリブタジエン、これらの共重合体及びこれ
らの混合物のようなポリオレフィン及びポリアルカジエ
ンに使用することができる。 【0010】従って、本発明の目的は、有効量の式(I
)の化合物の少なくとも1種により光線及び紫外線の有
害作用に対して安定化された有機重合体組成物を提供す
ることにある。通常、これらの組成物は、重合体100
gあたり0.004〜20ミリ当量の2,2,6,6−
テトラメチルピペリジニル基を含有する。好ましくは、
本発明に従って安定化された重合体組成物は、重合体1
00gあたり0.020〜4ミリ当量の2,2,6,6
−テトラメチルピペリジニル基を含有する。また、例え
ば、安定化された重合体組成物は、0.01〜5重量%
の式(I)の化合物を含有する。 【0011】式(I)の化合物の添加は、重合体の製造
中に又は製造後に実施することができる。 【0012】式(I)の化合物を含有する有機重合体の
組成物は、慣用されている各種の安定剤、例えば・酸化
防止剤、例えばアルキル化されたモノフェノール、アル
キル化されたヒドロキノン、ヒドロキシル化された硫酸
ビフェニル、アルキリデンビスフェノール、ベンジル化
合物、アシルアミノフェノール、3−(3,5−ジ−t
−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオン酸のエ
ステル、3−(5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシ−
3−メチルフェニル)プロピオン酸のエステル、3−(
3,5−ジシクロヘキシル−4−ヒドロキシフェニル)
プロピオン酸のエステル、3−(3,5−ジ−t−ブチ
ル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオン酸のアミドな
ど、 ・紫外線吸収剤及び光安定剤、例えば2−(2’ −ヒ
ドロキシフェニル)ベンゾトリアゾール、2−ヒドロキ
シベンゾフェノン、置換されていてもよい安息香酸エス
テル、アクリル酸エステル、ニッケル化合物、オキザル
アミドなど、 ・金属失活剤、 ・ホスフィン酸塩及びホスホン酸塩、 ・過酸化物分解剤、 ・核形成剤、 ・補強剤、 ・可塑剤、 ・滑剤、 ・乳化剤、 ・顔料、 ・蛍光増白剤、 ・不燃剤、 ・静電防止剤、 ・発泡剤をさらに含有することができる。 【0013】本発明に従って安定化された重合体組成物
は、あらゆる種類の形態で、例えば成形物品、フィルム
、シート、繊維、気泡材料(塊体)、異形材又は被覆製
品の形で、或いは塗料、ワニス、糊料又はセメントのよ
うな被膜形成材(バインダー)として使用することがで
きる。 【0014】 【実施例】下記の実施例は、本発明を例示するためのも
のである。 例1: 化合物(Ia):4−(N,N−ジエチレンアミノ)−
2,2,6,6−テトラメチルピペリジンビスカーボネ
ートジメチル、即ちRがメチル基であり、nが1であり
且つZが式(III) の基である一般式(I)の化合
物の製造 中央攪拌機、温度計用外装、側面にある窒素導入管及び
蒸留カラムを備えた500ccのフラスコに、・216
g(2.4モル)の炭酸ジメチル、・48.8g(0.
2モル)の4−N,N−ビス(ヒドロキシエチル)アミ
ノ−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン、 ・0.008gの粉末状苛性ソーダ を装入する。反応混合物を窒素気流中で92〜95℃に
5時間加熱する。この工程中に二成分混合物メタノール
/炭酸ジメチル(63〜70℃の間で)が蒸留される(
高い還流率を維持して)。次いで、揮発性留分を蒸留し
続けながら温度を2時間で120℃まで昇温させる。 合わせて175gが蒸留された。次いで、133Paま
で徐々に減圧させながら揮発性生成物の残部を120℃
で除去した。このようにしてさらに15gの揮発性生成
物が得られた。最後に、70.2gの淡黄色の粘稠な油
状物が得られた。IR及び核磁気共鳴(NMR)スペク
トル分析により、この生成物の所期の構造が確認された
。その純度は95%以上であった。 【0015】例2: 化合物(Ib):ペンタキス(4−N,N−ジエチレン
アミノ−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン)ヘ
キサキスカーボネートジメチル、即ちRがメチル基であ
り、nが5であり且つZが式(III) の基である一
般式(I)の化合物の製造 中央攪拌機、温度計用外装及び蒸留カラムを備えた20
0ccのフラスコに、 ・43.2g(0.12モル)の例1で製造した化合物
(Ia)、 ・19.5g(0.08モル)の4−N,N−ビス(ヒ
ドロキシエチル)アミノ−2,2,6,6−テトラメチ
ルピペリジン、 ・0.019gの炭酸カリウム、 ・5μlのC18/6クラウンエーテルを装入する。反
応混合物を26600Paの圧力下に105℃に4時間
20分加熱する。次いで27Paまで徐々に減圧し、メ
タノールをその生成に応じて除去しながら温度を100
〜105℃に保持する。最後に、58.6gの黄色粘稠
油状物を得た。IR及び核磁気共鳴(NMR)スペクト
ル分析により、この生成物の所期の構造が確認された。 【0016】例3: 化合物(Ic):4−(N,N−ジエチレンアミノ)−
2,2,6,6−テトラメチルピペリジンビスカーボネ
ートビス(2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリ
ジニル)、即ちRが式(II)の基であってR1 が水
素原子であり、nが1であり且つZが式(III) の
基である一般式(I)の化合物の製造中央攪拌機、温度
計用外装及び蒸留カラムを備えた200ccのフラスコ
に、・36g(0.1モル)の例1で製造した化合物(
Ia)、 ・31.4g(0.2モル)の4−ヒドロキシ−2,2
,6,6−テトラメチルピペリジン、・0.0165g
の炭酸カリウム、 ・5μlのC18/6クラウンエーテルを装入する。反
応混合物を窒素雰囲気下に7時間、次いで26600P
aの圧力下に2時間110〜115℃で加熱する。次い
で665Paまで徐々に減圧し、温度を115℃で30
分間保持した。この操作の間、メタノールをその生成に
応じて除去するとともに少量の4−ヒドロキシ−2,2
,6,6−テトラメチルピペリジンを除去した。次いで
、266Paの圧力下に120℃に2時間加熱すること
によって反応混合物からの揮発性化合物の除去を停止し
た。最後に、55gの黄色の非常に粘稠な油状物を得た
。NMRスペクトルは、このものが下記の組成 ・出発化合物(Ia ):10モル% ・所期化合物(Ic ):90モル% に相当する混合物であることを示した。 【0017】例4: 化合物(Id):デカキス(4−N,N−ジエチレンア
ミノ−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン)ウン
デカキスカーボネートビス(2,2,6,6−テトラメ
チル−4−ピペリジニル)、即ちRが式(II)の基で
あってR1 が水素原子であり、nが10であり且つZ
が式(III) の基である一般式(I)の化合物の製
造中央攪拌機、温度計用外装及び蒸留カラムを備えた2
00ccのフラスコに、 ・39.6g(0.11モル)の例1で製造した化合物
(Ia)、 ・22.0g(0.09モル)の4−N,N−ビス(ヒ
ドロキシエチル)アミノ−2,2,6,6−テトラメチ
ルピペリジン、 ・6.28g(0.04モル)の4−ヒドロキシ−2,
2,6,6−テトラメチルピペリジン、・0.020g
の炭酸カリウム、 ・6μlのC18/6クラウンエーテルを装入する。反
応混合物を窒素雰囲気下に7時間、次いで26600P
aの圧力下に2時間110〜115℃で加熱する。次い
で665Paまで徐々に減圧し、温度を115℃で30
分間保持した。この操作の間、メタノールをその生成に
応じて除去するとともに少量の4−ヒドロキシ−2,2
,6,6−テトラメチルピペリジンを除去した。次いで
、266Paの圧力下に120℃に2時間加熱すること
によって反応混合物からの揮発性化合物の除去を停止し
た。最後に、52gの黄色の非常に粘稠な油状物を得た
。IR及びNMRスペクトル分析によりこの生成物の所
期の構造が確認された。 【0018】例5: 化合物(Ia):デカキス(4−N,N−ジエチレンア
ミノ−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン)ウン
デカキスカーボネートビスジドデシル、即ちRがドデシ
ル基であり、nが10であり且つZが式(III) の
基である一般式(I)の化合物の製造 中央攪拌機、温度計用外装及び蒸留カラムを備えた20
0ccのフラスコに、 ・49.5g(0.138モル)の例1で製造した化合
物(Ia)、 ・27.45g(0.113モル)の4−N,N−ビス
(ヒドロキシエチル)アミノ−2,2,6,6−テトラ
メチルピペリジン、 ・9.3g(0.05モル)のn−ドデカノール、・0
.020gの炭酸カリウム、 ・5μlのC18/6クラウンエーテルを装入する。反
応混合物を26600Paの圧力下に105℃に4時間
20分加熱する。次いで27Paまで徐々に減圧し、メ
タノールをその生成に応じて除去しながら温度を100
〜105℃に2時間保持する。最後に、81.1gの黄
色粘稠油状物を得た。IR及びNMRスペクトル分析に
よりこの生成物の所期の構造が確認された。 【0019】例6: 化合物(If):ペンタキス(4−N,N−ジエチレン
アミノ−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン)ヘ
キサキスカーボネートジドデシル、即ちRがドデシル基
であり、nが5であり且つZが式(III) の基であ
る一般式(I)の化合物の製造 中央攪拌機、温度計用外装及び蒸留カラムを備えた20
0ccのフラスコに、 ・54g(0.15モル)の例1で製造した化合物(I
a)、 ・24.4g(0.10モル)の4−N,N−ビス(ヒ
ドロキシエチル)アミノ−2,2,6,6−テトラメチ
ルピペリジン、 ・18.6g(0.10モル)のn−ドデカノール、・
0.020gの炭酸カリウム、 ・5μlのC18/6クラウンエーテルを装入する。反
応混合物を26600Paの圧力下に105℃に4時間
20分加熱する。次いで27Paまで徐々に減圧し、メ
タノールをその生成に応じて除去しながら温度を100
〜105℃に2時間保持する。最後に、91.3gの黄
色粘稠油状物を得た。IR及びNMRスペクトル分析に
よりこの生成物の所期の構造が確認された。 【0020】例7: 化合物(If):デカメチレンビスカーボネートビス(
2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジル)、即
ちRが式(II)の基であってR1 が水素原子であり
、nが1であり且つZがデカメチレン基である一般式(
I)の化合物の製造A)デカメチレンビスカーボネート
ジメチルの製造 中央攪拌機、温度計用外装、側面にある窒素導入管及び
蒸留カラムを備えた1000ccのフラスコに、・32
4g(3.6モル)の炭酸ジメチル、・52.2g(0
.3モル)の1,10−デカンジオール、 ・0.046gの粉末状苛性ソーダ を装入する。装置を窒素でパージし、次いで反応混合物
を窒素気流中で90〜92℃に加熱し、次いで高い還流
率を維持しながら二成分混合物メタノール/炭酸ジメチ
ルを蒸留する。蒸気中の温度は、最初63℃であるが、
5時間の反応後には徐々に90℃に上昇する。次いで、
温度を1230℃まで上昇させると共に過剰の炭酸ジメ
チルのほとんど全部を除去する。53Paまで減圧させ
ながら120℃で揮発性生成物の残部を除去する。最後
に84gの黄色粘稠油状物を得た。このものは冷却する
と固化する(MP=約60℃)。IR及びNMRスペク
トル分析によりこの生成物の所期の構造が確認された。 B)デカメチレンビスカーボネートビス(2,2,6,
6−テトラメチル−4−ピペリジル)の製造中央攪拌機
、温度計用外装、側面にある窒素導入管及び蒸留カラム
を備えた100ccのフラスコに、・29g(0.1モ
ル)のA)で製造した化合物、・36.1g(0.23
モル)の4−ヒドロキシ−2,2,6,6−テトラメチ
ルピペリジン、・0.032gの炭酸カリウム、 ・5μlのC18/6クラウンエーテルを装入する。反
応混合物を窒素雰囲気下に7時間、次いで26600P
aの圧力下に2時間110〜115℃で加熱する。次い
で665Paまで徐々に減圧し、温度を115℃で30
分間保持した。この操作の間、メタノールをその生成に
応じて除去するとともに少量の4−ヒドロキシ−2,2
,6,6−テトラメチルピペリジンを除去した。次いで
、266Paの圧力下に120℃に2時間加熱すること
によって反応混合物からの揮発性化合物の除去を停止し
た。最後に、49gの黄色粘稠油状物を得た。IR及び
NMRスペクトル分析によりこの生成物の所期の構造が
確認された。 【0021】例8:ポリプロピレン(PP)(APPR
YL3030P ;BPケミカル社製)の光安定化速度
の遅い混合機で、重量組成を下記の表1に示す各300
gの混合物を製造する。 【0022】 【表1】 *テトラ[3−(4−ヒドロキシ−3,5−ジ−t−ブ
チルフェニル)プロピオネート)ペンタエリスリチル*
*亜リン酸トリス(2,4−ジ−t−ブチルフェニル) ***CHIMASSORB 944 【化15】 これらの組成物を下記の条件で押出成形する。 ・押出機(商標名THORET):スクリュウの直径=
20mm、スクリュウの長さ=400mm ・温度分布:帯域1=200℃、帯域2=220℃、帯
域3=220℃、帯域4=230℃、ノズルヘッド=2
15℃得られた棒状物を造粒し、次いで粒状物を下記の
条件でカルバープレスにより200μmのフィルムにプ
レスする。温度=210℃、時間=5分、圧力=20M
Pa これらのフィルムをSAIREM−SEPAP 12−
24型促進老化試験室において暴露する。この室では、
試験片は、円を描く回転運動により動かされた円柱形タ
レット上に配置する。タレット自体は、四隅がMAZD
A MA400W型の加圧水銀灯により占められている
並行六面体の室の中央に位置する。水銀灯の覆いは30
0nmよりも長い波長の放射線しか通さない(このよう
な装置は仏国特許第2430609号に記載されている
)。室内の温度は制御系により60℃に保持する。フィ
ルムの老化は赤外線分光計により追跡する。1720〜
1740cm−1のカルボニル吸収帯の光学濃度から重
合体材料の光酸化の程度が示される。得られた結果を下
記の表2に要約する。表2は、0.3の光学濃度(=組
成物の寿命)を得るのに必要な時間を示す。 【0023】 【表2】

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  次の一般式(I) 【化1】 [ここで、Rは、 ・1〜18個の炭素原子を有する線状若しくは分岐状ア
    ルキル基、 ・5〜12個の炭素原子を有するシクロアルキル基、・
    フェニル基、 ・1〜12個の炭素原子を有するアルキル置換基を1若
    しくは2個含むフェニル基、 ・アルキル部分が線状若しくは分岐状で1〜12個の炭
    素原子を含むフェニルアルキル基又は ・次式(II) 【化2】 (ここで、R1 は水素原子又はメチル基を表す)の2
    ,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジニル基を表
    し、Zは、 ・次式(III) 【化3】 の基又は ・2〜15個の炭素原子を有するポリメチレン基を表し
    、Zがポリメチレン基を表すときは、Rは式(II)の
    2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジニル基を
    表しかつnは1〜2の数を表し、Zが式(III) の
    基を表すときは、nは1〜100の数を表す]に相当す
    ることを特徴とする2,2,6,6−テトラメチルピペ
    リジニル基を有する化合物。
  2. 【請求項2】  Rが、 ・1〜18個の炭素原子を有する線状若しくは分岐状の
    アルキル基、例えばメチル、エチル、プロピル、イソプ
    ロピル、ブチル、t−ブチル、ヘキシル、オクチル、デ
    シル、ドデシル、ヘキサデシル及びオクタデシル基、・
    シクロヘキシル基、 ・フェニル基、 ・1〜9個の炭素原子を有する線状若しくは分岐状のア
    ルキル置換基を1若しくは2個含むフェニル基、例えば
    メチルフェニル、ジメチルフェニル、イソプロピルフェ
    ニル、ジイソプロピルフェニル、t−ブチルフェニル、
    ジ−t−ブチルフェニル、ノニルフェニル及びジノニル
    フェニル基、 ・アルキル部分が線状若しくは分岐状で1〜4個の炭素
    原子を含むフェニルアルキル基、例えばベンジル、フェ
    ネチル及び3−フェニルプロピル基、又は・式(II)
    の2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジニル基
    (ここでR1 は水素原子又はメチル基を表す)を表し
    、Zは、 ・次式(III)  【化4】 の基又は ・2〜15個の炭素原子を有するポリメチレン基を表し
    、Zがポリメチレン基を表すときは、Rは式(III)
    の2,2,6,6−テトラメチルピペリジニル基を表し
    かつnは1〜2の数を表し、Zが式(III) の基を
    表すときは、nは1〜20の数を表す式(I)に相当す
    ることを特徴とする請求項1記載の化合物。
  3. 【請求項3】  Zが式(II)の基を表す請求項1又
    は2記載の式(I)の化合物を製造するにあたり、塩基
    性エステル交換触媒及び要すればクリプタント剤の存在
    下に次の一般式(IV) 【化5】 のジオールを化学量論的量よりも過剰の炭酸ジメチルと
    反応させ、次いでこのようにして得られた次式(V)【
    化6】 の4−N,N−ビス(エチレン)アミノ−2,2,6,
    6−テトラメチルピペリジンビスカーボネートジメチル
    を次式(VI) R’ −OH          (VI)(ここでR
    ’ は式(II)の基を除いて式(I)においてRにつ
    いて前記した意味を有する)のモノアルコール又はモノ
    フェノール及び要すれば1よりも大きい単位数nを望む
    場合には式(IV)のジオールと反応させることにより
    式(I)の化合物に転化することを特徴とする式(I)
    の化合物の製造法。
  4. 【請求項4】  式(V)、式(IV)及び式(VI)
    の反応体の比率が、(n+1)/2モルの式(V)の化
    合物について、(n−1)/2モルの式(IV)の化合
    物及び2モルの式(VI)の化合物R’ −OHを使用
    するようなものであることを特徴とする請求項3記載の
    方法。
  5. 【請求項5】  最初のエステル交換反応の終了時に過
    剰の炭酸ジメチルを除去し、次いで触媒を含む式(V)
    の化合物に式(IV)及び式(VI)の化合物を添加す
    ることを特徴とする請求項2又は3記載の方法。
  6. 【請求項6】  Zがポリメチレン基を表す請求項1又
    は2記載の式(I)の化合物を製造するにあたり、エス
    テル交換触媒の存在下に次式(VIII)HO−(CH
    2 )p −OH のジオールと過剰量の炭酸ジメチルとの反応によって次
    式(VII)      CH3 −O−CO−[(CH2 )p −O
    −CO−]n −O−CH3 (ここでnは式(I)に
    ついて先に示した意味を有し、pは2〜15の数を表す
    )の混成炭酸ポリメチレンジメチルエステルを製造し、
    次いで式(VII) の化合物と次式(IX) 【化7】 の2,2,6,6−テトラメチルピペリジノールとの間
    のエステル交換を行うことを特徴とする前記式(I)の
    化合物の製造法。
  7. 【請求項7】  有効量の請求項1又は2記載の式(I
    )の化合物の少なくとも1種により光線及び紫外線の有
    害作用に対して安定化された有機重合体組成物。
  8. 【請求項8】  有機重合体がポリオレフィン、ポリス
    チレン、ポリアルカジエン、ポリウレタン、ポリアミド
    、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリスルホン、ポ
    リエーテル−スルホン、ポリエーテル−ケトン、アクリ
    ル重合体、ハロゲン化重合体、これらの共重合体及びこ
    れらの混合物のうちから選択されることを特徴とする請
    求項7記載の組成物。
  9. 【請求項9】  有機重合体がポリプロピレン、高密度
    ポリエチレン、低密度ポリエチレン、低密度線状ポリエ
    チレン、ポリブタジエン、これらの共重合体及びこれら
    の混合物のようなポリオレフィン及びポリアルカジエン
    のうちから選択されることを特徴とする請求項7又は8
    記載の組成物。
  10. 【請求項10】  重合体100gあたり0.004〜
    20ミリ当量の2,2,6,6−テトラメチルピペリジ
    ニル基、好ましくは重合体100gあたり0.020〜
    4ミリ当量の2,2,6,6−テトラメチルピペリジニ
    ル基を含有することを特徴とする請求項7〜9のいずれ
    かに記載の組成物。
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