JPH0423340Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0423340Y2 JPH0423340Y2 JP1983137786U JP13778683U JPH0423340Y2 JP H0423340 Y2 JPH0423340 Y2 JP H0423340Y2 JP 1983137786 U JP1983137786 U JP 1983137786U JP 13778683 U JP13778683 U JP 13778683U JP H0423340 Y2 JPH0423340 Y2 JP H0423340Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- enamel
- layer
- crystalline
- circuit board
- metal core
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案は放熱性が良好で、かつ絶縁性能にも
優れたほうろうプリント回路基板に関するもので
ある。従来のほうろうプリント回路基板は第１図
に示したように、金属コア１の表面にほうろうエ
ナメルをコーテイングして耐熱性の電気絶縁層で
あるほうろうエナメル層２で全体を被覆し、その
表面に厚膜回路などの電気回路３を形成した構造
のものが知られている。
優れたほうろうプリント回路基板に関するもので
ある。従来のほうろうプリント回路基板は第１図
に示したように、金属コア１の表面にほうろうエ
ナメルをコーテイングして耐熱性の電気絶縁層で
あるほうろうエナメル層２で全体を被覆し、その
表面に厚膜回路などの電気回路３を形成した構造
のものが知られている。
このほうろう基板は本来放熱特性が良好なこと
が特徴の一つであるが、ほうろうエナメル中には
気泡が入つたりピンホールが発生することがあ
り、この気泡により肉厚が特に薄くなつた部分が
生じてほうろうエナメル層の層厚の割に耐圧が低
かつたり、回路導体を印刷焼成する際にピンホー
ルを経由してコア材である鋼板から鉄分が移行し
て特性を損ねたりすることがあり、電気絶縁性を
保障するためにはほうろうエナメルを厚くコーテ
イングしなければならない。例えば1000V耐圧の
場合にはほうろうエナメルの厚さは100μm〜
200μmとすることを要するが、このようにほうろ
うエナメルの層が厚くなるとほうろうエナメルは
熱伝導率が小さいために放熱効果を低下し、電気
回路で発生する熱は放散しにくくなりほうろう基
板本来の特徴を失なう欠点を有している。
が特徴の一つであるが、ほうろうエナメル中には
気泡が入つたりピンホールが発生することがあ
り、この気泡により肉厚が特に薄くなつた部分が
生じてほうろうエナメル層の層厚の割に耐圧が低
かつたり、回路導体を印刷焼成する際にピンホー
ルを経由してコア材である鋼板から鉄分が移行し
て特性を損ねたりすることがあり、電気絶縁性を
保障するためにはほうろうエナメルを厚くコーテ
イングしなければならない。例えば1000V耐圧の
場合にはほうろうエナメルの厚さは100μm〜
200μmとすることを要するが、このようにほうろ
うエナメルの層が厚くなるとほうろうエナメルは
熱伝導率が小さいために放熱効果を低下し、電気
回路で発生する熱は放散しにくくなりほうろう基
板本来の特徴を失なう欠点を有している。
上記の欠点を低減するために例えば第２図に示
したように金属コア１上に二重のほうろうエナメ
ル層２ａ，２ｂを重ねることにより両層の発泡、
ピンホールを相補ない比較的薄いほうろうエナメ
ル層により耐圧を高めることができる。しかしな
がら、この方法では、絶縁耐圧を高める必要のあ
る部分以外のほうろうエナメル層も厚さが増加し
放熱性を低下させることになる。
したように金属コア１上に二重のほうろうエナメ
ル層２ａ，２ｂを重ねることにより両層の発泡、
ピンホールを相補ない比較的薄いほうろうエナメ
ル層により耐圧を高めることができる。しかしな
がら、この方法では、絶縁耐圧を高める必要のあ
る部分以外のほうろうエナメル層も厚さが増加し
放熱性を低下させることになる。
本考案は上述の如き状況に鑑みなされたもの
で、第３図に示すように金属コア１の表面に結晶
性ほうろうエナメル層２Ｃ−１を設け、その上に
電気回路形成部分よりわずかに広い部分に結晶性
ほうろうエナメル層２Ｃ−２と、電気回路３とを
順次設けて、結晶性ほうろうエナメルを結晶化さ
せてなるほうろうプリント回路基板である。
で、第３図に示すように金属コア１の表面に結晶
性ほうろうエナメル層２Ｃ−１を設け、その上に
電気回路形成部分よりわずかに広い部分に結晶性
ほうろうエナメル層２Ｃ−２と、電気回路３とを
順次設けて、結晶性ほうろうエナメルを結晶化さ
せてなるほうろうプリント回路基板である。
さて、本考案に於て結晶性ほうろうエナメルと
いうのは一例を示せば下記のような結晶化ガラス
を含むほうろうエナメルであるが、本考案は、こ
の組成に限定されるものではない。
いうのは一例を示せば下記のような結晶化ガラス
を含むほうろうエナメルであるが、本考案は、こ
の組成に限定されるものではない。
(a) 約６〜25モルパーセントの酸化バリウムと
(b) 約30〜60モルパーセントのMOと
(c) 約13〜35モルパーセントのB2O3と
(d) 約10〜25モルパーセントのSiO2とからなる
酸化物組成であつて、上記MOは酸化マグネシ
ウムと、酸化マグネシウムと酸化亜鉛、及び酸
化カルシウムからなる群から選ばれたものであ
る。
酸化物組成であつて、上記MOは酸化マグネシ
ウムと、酸化マグネシウムと酸化亜鉛、及び酸
化カルシウムからなる群から選ばれたものであ
る。
その具体例を示せばMgO58.0モル％、BaO7.0
モル％、B2O321.0モル％、SiO214.0モル％の組成
のものでは約700℃で溶融し、850℃10分程度で結
晶化し、950℃以上の再溶解温度を有する。
モル％、B2O321.0モル％、SiO214.0モル％の組成
のものでは約700℃で溶融し、850℃10分程度で結
晶化し、950℃以上の再溶解温度を有する。
このため通常の厚膜工程と同じ工程で接着を行
ない得るのでエナメル被覆の能率が良く、被覆は
850℃以上の耐熱性を有する。
ない得るのでエナメル被覆の能率が良く、被覆は
850℃以上の耐熱性を有する。
本考案を実施する具体例について言及すれば、
金属コア１の表面を上記のような結晶化し得るエ
ナメルで厚さ20μm〜100μmに被覆してエナメル
層２Ｃ−１を形成し、厚膜回路等の電気回路３を
形成する部分２Ｃ−２に、前記の如き800〜900℃
で溶融し結晶化するガラスフリツト又は800〜900
℃で溶融し約700℃で固着する非結晶性ガラスフ
リツトをペースト状としてスクリーン印刷し、乾
燥した後又は乾燥し焼成した後回路導体を重ねて
スクリーン印刷し焼成して電気回路３を形成し本
考案のほうろうプリント回路基板を得ることがで
きる。
金属コア１の表面を上記のような結晶化し得るエ
ナメルで厚さ20μm〜100μmに被覆してエナメル
層２Ｃ−１を形成し、厚膜回路等の電気回路３を
形成する部分２Ｃ−２に、前記の如き800〜900℃
で溶融し結晶化するガラスフリツト又は800〜900
℃で溶融し約700℃で固着する非結晶性ガラスフ
リツトをペースト状としてスクリーン印刷し、乾
燥した後又は乾燥し焼成した後回路導体を重ねて
スクリーン印刷し焼成して電気回路３を形成し本
考案のほうろうプリント回路基板を得ることがで
きる。
本考案の他の実施例は、例えば焼成することに
より酸化ケイ素（SiO2）や酸化アルミニウム
（Al2O3）の膜を形成する有機化合物を前記のガ
ラスペーストのかわりに用いることができる。こ
の場合、形成される膜が薄いため、電気回路を形
成する部分の直下のみにコーテイングを限定しな
くても良い。
より酸化ケイ素（SiO2）や酸化アルミニウム
（Al2O3）の膜を形成する有機化合物を前記のガ
ラスペーストのかわりに用いることができる。こ
の場合、形成される膜が薄いため、電気回路を形
成する部分の直下のみにコーテイングを限定しな
くても良い。
本考案は上記のような構造であるので下記のよ
うな効果を奏するものである。
うな効果を奏するものである。
(1) ほうろうエナメルとして結晶化エナメルを用
いているので本来耐熱性がよくほうろうエナメ
ル層の内部に気泡を含むことがあつても、結晶
化により耐熱性が上つているため、基板を再焼
成しても気泡が増加したり成長することはな
い。
いているので本来耐熱性がよくほうろうエナメ
ル層の内部に気泡を含むことがあつても、結晶
化により耐熱性が上つているため、基板を再焼
成しても気泡が増加したり成長することはな
い。
(2) 回路導体３の下側は結晶性ほうろうエナメル
層２Ｃ−１と結晶性ほうろうエナメル層２Ｃ−
２との２層構成であるので、両層に気泡やピン
ホールが存在しても同一部分に同一弱点を生ず
る可能性が少ないので相補関係にあり、電気絶
縁性を向上することができる。
層２Ｃ−１と結晶性ほうろうエナメル層２Ｃ−
２との２層構成であるので、両層に気泡やピン
ホールが存在しても同一部分に同一弱点を生ず
る可能性が少ないので相補関係にあり、電気絶
縁性を向上することができる。
(3) 電気絶縁の必要のない部分は、結晶性ほうろ
うエナメル層２Ｃ−１のみで被覆されており薄
いので、金属コア１を介して熱が放散し易く、
かつ20μm〜100μmのコーテイングにより、金
属コア１が高温、高湿の雰囲気中になつても、
又、厚膜回路形成中の高温雰囲気中でも酸化さ
れることがない。
うエナメル層２Ｃ−１のみで被覆されており薄
いので、金属コア１を介して熱が放散し易く、
かつ20μm〜100μmのコーテイングにより、金
属コア１が高温、高湿の雰囲気中になつても、
又、厚膜回路形成中の高温雰囲気中でも酸化さ
れることがない。
(4) 本考案のほうろうプリント回路基板の製造は
通常の厚膜回路の印刷焼成と同様に行なうこと
ができるので、設備の面でも作業上の点でも比
較的容易に実施することができる。
通常の厚膜回路の印刷焼成と同様に行なうこと
ができるので、設備の面でも作業上の点でも比
較的容易に実施することができる。
なお本考案で好ましい第１層のほうろうエナメ
ル層２Ｃ−１は800〜900℃で溶融し、結晶化する
ものであつて、厚さは20μm〜100μmが好ましい。
即ち20μm未満では薄過ぎて気泡や、ピンホール
を介して金属コアが酸化され易く、逆に100μmを
過ぎて厚い場合は材料の削減効果もなく、放熱性
も低下する傾向にあるので好ましくない。
ル層２Ｃ−１は800〜900℃で溶融し、結晶化する
ものであつて、厚さは20μm〜100μmが好ましい。
即ち20μm未満では薄過ぎて気泡や、ピンホール
を介して金属コアが酸化され易く、逆に100μmを
過ぎて厚い場合は材料の削減効果もなく、放熱性
も低下する傾向にあるので好ましくない。
第１図は従来のほうろうプリント回路基板の一
例を示す断面図、第２図は同他の一例を示す断面
図、第３図は本考案のほうろうプリント回路基板
の一例を示す断面図である。 １……金属コア、２Ｃ−１……結晶性ほうろう
エナメル層、２Ｃ−２……結晶性ほうろうエナメ
ル層。又は非結晶性ほうろうエナメル層、又は絶
縁性酸化膜層などによる第２の絶縁層。
例を示す断面図、第２図は同他の一例を示す断面
図、第３図は本考案のほうろうプリント回路基板
の一例を示す断面図である。 １……金属コア、２Ｃ−１……結晶性ほうろう
エナメル層、２Ｃ−２……結晶性ほうろうエナメ
ル層。又は非結晶性ほうろうエナメル層、又は絶
縁性酸化膜層などによる第２の絶縁層。
Claims (1)
- 金属コア表面を蔽う結晶性ほうろうエナメル層
が設けられ、その上に電気回路形成部分に結晶性
又は、非結晶性ほうろうエナメル層又は電気絶縁
性酸化膜層と電気回路を順次設けていることを特
徴とするほうろうプリント回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13778683U JPS6045458U (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | ほうろうプリント回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13778683U JPS6045458U (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | ほうろうプリント回路基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6045458U JPS6045458U (ja) | 1985-03-30 |
| JPH0423340Y2 true JPH0423340Y2 (ja) | 1992-05-29 |
Family
ID=30309370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13778683U Granted JPS6045458U (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | ほうろうプリント回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6045458U (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5811112B2 (ja) * | 1978-10-27 | 1983-03-01 | 株式会社東芝 | 基板 |
| JPS56153789A (en) * | 1980-04-28 | 1981-11-27 | Ngk Frit Kk | Substrate for electronic circuit |
| JPS5724596A (en) * | 1980-07-21 | 1982-02-09 | Tokyo Shibaura Electric Co | Circuit board |
-
1983
- 1983-09-07 JP JP13778683U patent/JPS6045458U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6045458U (ja) | 1985-03-30 |
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