JPH0121106B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0121106B2 JPH0121106B2 JP9625284A JP9625284A JPH0121106B2 JP H0121106 B2 JPH0121106 B2 JP H0121106B2 JP 9625284 A JP9625284 A JP 9625284A JP 9625284 A JP9625284 A JP 9625284A JP H0121106 B2 JPH0121106 B2 JP H0121106B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating
- insulating paste
- present
- weight
- paste
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
（産業上の利用分野）
本発明は、厚膜印刷用絶縁ペースト組成物に関
する。特に、本発明は、中温領域で焼成可能であ
り、精度のよいパターンの焼成絶縁層が得られる
絶縁ペースト組成物に関する。 （従来技術） 従来の絶縁ペーストは、ガラス フリツトとビ
ヒクルを混合し、次に、３本ローラー混合機など
の混合機により均一混合しペースト状にすること
により作られた。このような従来の絶縁ペースト
には、非晶質と結晶化タイプの２種がある。非晶
質ガラス ペーストとは、主に600℃以下で焼成
できるものを云い、結晶化タイプ ガラス ペー
ストとは、850℃以上で焼成しなければならない
ものである。 このような従来の絶縁ペーストでは、第一に、
非晶質の場合は、銀電極の拡散が発生し、また結
晶化タイプでは、高温焼成が必要であり、下部電
極の抵抗値が変化し、安定性に欠ける。第二に、
結晶化タイプの場合、更に、酸、アルカリ等に浸
漬すると、密着力がなくなり、又、非晶質の場
合、パターンのダレ発生が大きくなり、そして、
パターン精度を失う。第三に、銀電極拡散が在る
ために、用いることのできる下部導体の種類に制
約があり、選択の幅が狭い。このように従来の絶
縁ペーストには、多層回路作成上、種々の制約、
制限があり、使いにくいものであつた。 （発明の目的） 本発明は、以上のような従来の絶縁ペーストの
問題点を解決する事を目的としている。即ち、本
発明は、下部導体の抵抗値に対して製造工程上影
響の少ない絶縁層を作ることの出来る絶縁ペース
トを提供することを目的とする。すなわち下部抵
抗に対して密着性が良好で焼成による印刷パター
ンのダレ発生がなく、精度のよいパターンが得ら
れ、更に、下部導体の種類を選択しない絶縁ペー
ストを提供する。 （発明の構成） 本発明の絶縁ペーストは、厚膜印刷用のもので
あり、特に多層回路形成のための絶縁層作成に用
いられるものである。 本発明の絶縁ペーストは、PbO―SiO2―B2O3
系のガラスフリツトの中で軟化点が600℃付近の
ものをベースとして用い、添加物としてTiO2，
ZnOを用いて、それに、ビヒクルを加えたもので
ある。本発明の絶縁ペーストは、軟化点600℃付
近のガラス フリツト、TiO2，ZnO及びビヒク
ルを混合し、次に３本ローラー混合機などにより
均一混合し、ペースト状の絶縁ペーストを作る。 本発明の絶縁ペーストを用いて回路、多層回路
電気部品を製造するには、例えば、アルミナ基板
に下部電極を形成し、其の上に本発明の絶縁ペー
ストを印刷し、750℃付近の中温度領域で焼成を
行ない、更に、其の上に上部電極を形成し、多層
回路を形成すればよい。 本発明の絶縁ペーストの組成割合は、 PbO―SiO2―B2O3系のガラス フリツトに対
して、その重量を基礎として、ZnOを５〜15重量
％、TiO2を50〜80重量％添加した組成割合であ
る。 ZnOは、主に結晶核形成剤として、効果があ
り、通常は10％前後の量で用いられる。 ZnOの添加量が５重量％以上であると、焼成後
の絶縁膜の表面に凹凸ができ、またピンホールが
できやすくなり、そのため、絶縁性が悪くなる。
ZnO添加量が15重量％以上であると、やはり、ピ
ンホールができやすくなり、絶縁性が悪くなる。
TiO2の添加は、主に、焼成時の流動を防止する
のに効果があるためである。 TiO2の添加量が50重量％以下であると、パタ
ーンのダレが生じ、パターン寸法変化率が大きく
なり、パターン精度が落ちる。更に、絶縁抵抗値
が低くなり、絶縁性に問題が生じ、またAg拡散
にも問題が生じ易い。TiO2添加量が80重量％を
超えると、絶縁抵抗性に問題が生じ、且つ、酸、
アルカリ浸漬後の密着性（剥離）が悪くなる。 （発明の実施例） 第１表の３つの成分を、前述の如く混合し、３
本ローラー混合機で均一混合し、絶縁ペーストを
作る。
する。特に、本発明は、中温領域で焼成可能であ
り、精度のよいパターンの焼成絶縁層が得られる
絶縁ペースト組成物に関する。 （従来技術） 従来の絶縁ペーストは、ガラス フリツトとビ
ヒクルを混合し、次に、３本ローラー混合機など
の混合機により均一混合しペースト状にすること
により作られた。このような従来の絶縁ペースト
には、非晶質と結晶化タイプの２種がある。非晶
質ガラス ペーストとは、主に600℃以下で焼成
できるものを云い、結晶化タイプ ガラス ペー
ストとは、850℃以上で焼成しなければならない
ものである。 このような従来の絶縁ペーストでは、第一に、
非晶質の場合は、銀電極の拡散が発生し、また結
晶化タイプでは、高温焼成が必要であり、下部電
極の抵抗値が変化し、安定性に欠ける。第二に、
結晶化タイプの場合、更に、酸、アルカリ等に浸
漬すると、密着力がなくなり、又、非晶質の場
合、パターンのダレ発生が大きくなり、そして、
パターン精度を失う。第三に、銀電極拡散が在る
ために、用いることのできる下部導体の種類に制
約があり、選択の幅が狭い。このように従来の絶
縁ペーストには、多層回路作成上、種々の制約、
制限があり、使いにくいものであつた。 （発明の目的） 本発明は、以上のような従来の絶縁ペーストの
問題点を解決する事を目的としている。即ち、本
発明は、下部導体の抵抗値に対して製造工程上影
響の少ない絶縁層を作ることの出来る絶縁ペース
トを提供することを目的とする。すなわち下部抵
抗に対して密着性が良好で焼成による印刷パター
ンのダレ発生がなく、精度のよいパターンが得ら
れ、更に、下部導体の種類を選択しない絶縁ペー
ストを提供する。 （発明の構成） 本発明の絶縁ペーストは、厚膜印刷用のもので
あり、特に多層回路形成のための絶縁層作成に用
いられるものである。 本発明の絶縁ペーストは、PbO―SiO2―B2O3
系のガラスフリツトの中で軟化点が600℃付近の
ものをベースとして用い、添加物としてTiO2，
ZnOを用いて、それに、ビヒクルを加えたもので
ある。本発明の絶縁ペーストは、軟化点600℃付
近のガラス フリツト、TiO2，ZnO及びビヒク
ルを混合し、次に３本ローラー混合機などにより
均一混合し、ペースト状の絶縁ペーストを作る。 本発明の絶縁ペーストを用いて回路、多層回路
電気部品を製造するには、例えば、アルミナ基板
に下部電極を形成し、其の上に本発明の絶縁ペー
ストを印刷し、750℃付近の中温度領域で焼成を
行ない、更に、其の上に上部電極を形成し、多層
回路を形成すればよい。 本発明の絶縁ペーストの組成割合は、 PbO―SiO2―B2O3系のガラス フリツトに対
して、その重量を基礎として、ZnOを５〜15重量
％、TiO2を50〜80重量％添加した組成割合であ
る。 ZnOは、主に結晶核形成剤として、効果があ
り、通常は10％前後の量で用いられる。 ZnOの添加量が５重量％以上であると、焼成後
の絶縁膜の表面に凹凸ができ、またピンホールが
できやすくなり、そのため、絶縁性が悪くなる。
ZnO添加量が15重量％以上であると、やはり、ピ
ンホールができやすくなり、絶縁性が悪くなる。
TiO2の添加は、主に、焼成時の流動を防止する
のに効果があるためである。 TiO2の添加量が50重量％以下であると、パタ
ーンのダレが生じ、パターン寸法変化率が大きく
なり、パターン精度が落ちる。更に、絶縁抵抗値
が低くなり、絶縁性に問題が生じ、またAg拡散
にも問題が生じ易い。TiO2添加量が80重量％を
超えると、絶縁抵抗性に問題が生じ、且つ、酸、
アルカリ浸漬後の密着性（剥離）が悪くなる。 （発明の実施例） 第１表の３つの成分を、前述の如く混合し、３
本ローラー混合機で均一混合し、絶縁ペーストを
作る。
【表】
実施例(1)〜(7)の各絶縁ペーストを、第２表に示
す重量比で作る。
す重量比で作る。
【表】
ビヒクルは、重量比で他の３成分（ガラスフリ
ツト―TiO2―ZnO）１に対して、約0.5の割合で
添加した。ビヒクルの添加量は、絶縁ペーストの
印刷性（印刷後の絶縁ペーストの表面平担特性、
ダレ）を考慮して決められる。印刷性を満足する
レベルの１例が、上記のものであるが、下部体の
特性などに依存するものであり、一概に決められ
ないものである。 第２表に示した実施例の各絶縁ペーストによつ
て作つた絶縁層及び、従来の非晶質及び結晶化タ
イプの絶縁層について、焼成後及び酸、アルカリ
浸漬後の密着性、下部導体に対する反応性、下部
導体の抵抗値変化、パターンのダレ（パターン寸
法変化率）及び絶縁抵抗性などの物理特性を測定
した。其の比較結果を第３表に示す。
ツト―TiO2―ZnO）１に対して、約0.5の割合で
添加した。ビヒクルの添加量は、絶縁ペーストの
印刷性（印刷後の絶縁ペーストの表面平担特性、
ダレ）を考慮して決められる。印刷性を満足する
レベルの１例が、上記のものであるが、下部体の
特性などに依存するものであり、一概に決められ
ないものである。 第２表に示した実施例の各絶縁ペーストによつ
て作つた絶縁層及び、従来の非晶質及び結晶化タ
イプの絶縁層について、焼成後及び酸、アルカリ
浸漬後の密着性、下部導体に対する反応性、下部
導体の抵抗値変化、パターンのダレ（パターン寸
法変化率）及び絶縁抵抗性などの物理特性を測定
した。其の比較結果を第３表に示す。
【表】
市販のガラスフリツト、サンプルＡ，Ｂ，Ｃ，
Ｄについて、測定した絶縁抵抗値及びパターン寸
法変化率を第４表に示す。
Ｄについて、測定した絶縁抵抗値及びパターン寸
法変化率を第４表に示す。
【表】
第３表及び第１図ａより明らかなように、実施
例(1)〜(5)の組成割合のものが、最適である。即
ち、ガラスフリツト重量に対するTiO2添加量は、
50〜80重量％が好適である。 （発明の効果） 本発明の絶縁ペーストは、多層回路形成のため
の絶縁層として、安定性良く又取り扱い易い。特
にサーマル ヘツド等の作成のために、中温の領
域で焼成可能であり、サーマル ヘツド或いはハ
イブリツドICの製造に使用出来る。更に、ビデ
オ ヘツドなどの精密加工を必要とするものにも
使用が考えられる。 １例として、本発明の絶縁ペーストを用い、サ
ーマル ヘツドの基板上に多層回路を形成した構
造を第２図に示す。図示のごとく、アルミナ基板
１上に、蓄熱層２、発熱抵抗体３及び下部電極４
を形成し、下部電極４を被うように、本発明の絶
縁ペーストによる絶縁層５を形成する。更に、こ
の絶縁層の上に、上部電極６を形成し、多層回路
を作成した。 以上のように、本発明の絶縁ペーストは、密着
性が良く、精度の良いパターン絶縁層を、中温領
域での焼成工程により、作成出来るものである。
更に、本発明の絶縁ペーストにより作成した絶縁
層は、接触する導体の選択の自由度を広くとるこ
とができ、又、焼成時における接触導体の抵抗値
の変化が少なく、そのため、品質の安定した優れ
た多層回路、パターン或いはヘツドが得られる。
例(1)〜(5)の組成割合のものが、最適である。即
ち、ガラスフリツト重量に対するTiO2添加量は、
50〜80重量％が好適である。 （発明の効果） 本発明の絶縁ペーストは、多層回路形成のため
の絶縁層として、安定性良く又取り扱い易い。特
にサーマル ヘツド等の作成のために、中温の領
域で焼成可能であり、サーマル ヘツド或いはハ
イブリツドICの製造に使用出来る。更に、ビデ
オ ヘツドなどの精密加工を必要とするものにも
使用が考えられる。 １例として、本発明の絶縁ペーストを用い、サ
ーマル ヘツドの基板上に多層回路を形成した構
造を第２図に示す。図示のごとく、アルミナ基板
１上に、蓄熱層２、発熱抵抗体３及び下部電極４
を形成し、下部電極４を被うように、本発明の絶
縁ペーストによる絶縁層５を形成する。更に、こ
の絶縁層の上に、上部電極６を形成し、多層回路
を作成した。 以上のように、本発明の絶縁ペーストは、密着
性が良く、精度の良いパターン絶縁層を、中温領
域での焼成工程により、作成出来るものである。
更に、本発明の絶縁ペーストにより作成した絶縁
層は、接触する導体の選択の自由度を広くとるこ
とができ、又、焼成時における接触導体の抵抗値
の変化が少なく、そのため、品質の安定した優れ
た多層回路、パターン或いはヘツドが得られる。
第１図ａ，ｂは、本発明の絶縁ペースト及び従
来の絶縁ペーストについて、絶縁抵抗値及びパタ
ーン寸法変化率を示したグラフである。第２図
は、本発明の絶縁ペーストを用いて作成した多層
回路を持つサーマル ヘツドの構造を示す。 １……アルミナ基板、２……蓄熱層、３……発
熱抵抗体、４……下部電極、５……絶縁層、６…
…上部電極、７……ICチツプ、８……ボンデイ
ングワイヤ。
来の絶縁ペーストについて、絶縁抵抗値及びパタ
ーン寸法変化率を示したグラフである。第２図
は、本発明の絶縁ペーストを用いて作成した多層
回路を持つサーマル ヘツドの構造を示す。 １……アルミナ基板、２……蓄熱層、３……発
熱抵抗体、４……下部電極、５……絶縁層、６…
…上部電極、７……ICチツプ、８……ボンデイ
ングワイヤ。
Claims (1)
- １ PbO―SiO2―B2O3系のガラス フリツトに
対して、その重量を基礎として、ZnOを５〜15重
量％、TiO2を50〜80重量％添加した組成割合で
あることを特徴とする厚膜印刷用絶縁ペースト組
成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9625284A JPS60239344A (ja) | 1984-05-14 | 1984-05-14 | 厚膜印刷用絶縁ペ−スト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9625284A JPS60239344A (ja) | 1984-05-14 | 1984-05-14 | 厚膜印刷用絶縁ペ−スト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60239344A JPS60239344A (ja) | 1985-11-28 |
| JPH0121106B2 true JPH0121106B2 (ja) | 1989-04-19 |
Family
ID=14160019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9625284A Granted JPS60239344A (ja) | 1984-05-14 | 1984-05-14 | 厚膜印刷用絶縁ペ−スト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60239344A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4922616B2 (ja) * | 2006-01-05 | 2012-04-25 | 京セラ株式会社 | 配線基板とその製造方法 |
-
1984
- 1984-05-14 JP JP9625284A patent/JPS60239344A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60239344A (ja) | 1985-11-28 |
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