JPH0423495A - 多層配線基板 - Google Patents
多層配線基板Info
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Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電子機器で用いられる多層配線基板に関する
ものである。
ものである。
従来の多層配線基板の電源配線は第9図のように各層で
乗せ換え用の専用回線等を用いて位置をずらしながら上
層配線に接続していた。
乗せ換え用の専用回線等を用いて位置をずらしながら上
層配線に接続していた。
第9図において多層配線基板の第1層に第1電源配線9
6が設けられ、第1絶縁層を介して第1層の上に位置す
る第2層に第2電源配線97が設けられ、第2絶縁層を
介して第2層の上に位置する第3層に第3電源配線92
が設けられている。第1絶縁層に第1電源配線96と第
2電源配線97を接続するヴィアホール91が設けられ
、第2絶縁層に第2電源配線97と第3電源配線92を
接続するヴィアホール93が設けられ、ヴィアホール9
1.93の位置がずらしである。
6が設けられ、第1絶縁層を介して第1層の上に位置す
る第2層に第2電源配線97が設けられ、第2絶縁層を
介して第2層の上に位置する第3層に第3電源配線92
が設けられている。第1絶縁層に第1電源配線96と第
2電源配線97を接続するヴィアホール91が設けられ
、第2絶縁層に第2電源配線97と第3電源配線92を
接続するヴィアホール93が設けられ、ヴィアホール9
1.93の位置がずらしである。
また第10図は従来の多層配線基板を示す部分断面図で
、下層から上層に同じ位置にヴィアホールが貫通するよ
うに形成した電源用の配線を使用していた。第10図に
おいて、10はセラミックまたはガラスセラミック多層
配線基板、14は第1絶縁層、15は第2絶縁層、16
は第1電源配線、17は第2電源配線、12は第3電源
配線である。第1電源配線16、第2電源配線17およ
び第3電源配線12はヴィアホールにより相互に接続さ
れている。
、下層から上層に同じ位置にヴィアホールが貫通するよ
うに形成した電源用の配線を使用していた。第10図に
おいて、10はセラミックまたはガラスセラミック多層
配線基板、14は第1絶縁層、15は第2絶縁層、16
は第1電源配線、17は第2電源配線、12は第3電源
配線である。第1電源配線16、第2電源配線17およ
び第3電源配線12はヴィアホールにより相互に接続さ
れている。
〔発明が解決しようとする課題〕
第9図に示す従来の多層配線基板では、電源用配線につ
いて、配線の引回しが延び、配線抵抗の影響で電圧ドロ
ップが高くなってしまう問題、パターン密度が下がって
しまう問題、ヴイアコンタクトに失敗した場合オープン
が発生してしまう等の問題があった。
いて、配線の引回しが延び、配線抵抗の影響で電圧ドロ
ップが高くなってしまう問題、パターン密度が下がって
しまう問題、ヴイアコンタクトに失敗した場合オープン
が発生してしまう等の問題があった。
また、第10図に示す従来の多層配線基板では電源用配
線の電圧ドロップの問題は解決出来るが、ヴィアホール
が深くなっていってしまう。電源用の配線の形成時のレ
ジストプロセスでヴィアホール部の深さが30ミクロン
を越えるとヴィアホール部にレジストが厚くたまり、第
11図に示すようにレジストの抜は残り118が発生し
てしまう等の問題があった。第11図において110は
セラミックまたはガラスセラミック多層配線基板、11
4は第1絶縁層、115は第2絶縁層、113は第3絶
縁層、116は第1電源配線、117は第2電源配線、
112は第3電源配線、111はトレジストである。
線の電圧ドロップの問題は解決出来るが、ヴィアホール
が深くなっていってしまう。電源用の配線の形成時のレ
ジストプロセスでヴィアホール部の深さが30ミクロン
を越えるとヴィアホール部にレジストが厚くたまり、第
11図に示すようにレジストの抜は残り118が発生し
てしまう等の問題があった。第11図において110は
セラミックまたはガラスセラミック多層配線基板、11
4は第1絶縁層、115は第2絶縁層、113は第3絶
縁層、116は第1電源配線、117は第2電源配線、
112は第3電源配線、111はトレジストである。
また、埋め込みなどをして平坦化する方法も有るが、そ
の分工数が増えてしまう。また、導通抵抗も上昇してし
まう。
の分工数が増えてしまう。また、導通抵抗も上昇してし
まう。
本発明の多層配線基板は、第1〜第3の配線層に設けら
れた第1〜第3の電源配線と、前記第1および第2の配
線層間に設けられた第1の絶縁層と、前記第2および第
3の配線層間に設けられた第2の絶縁層と、前記第1の
絶縁層に設けられ前記第1および第2の電源配線を接続
する複数の第1ヴィアホールと、前記第2の絶縁層に前
記第1のヴィアホールとは位置をずらして設けられ前記
第2および第3の電源配線を接続する複数の第2のヴィ
アホールとを有している。
れた第1〜第3の電源配線と、前記第1および第2の配
線層間に設けられた第1の絶縁層と、前記第2および第
3の配線層間に設けられた第2の絶縁層と、前記第1の
絶縁層に設けられ前記第1および第2の電源配線を接続
する複数の第1ヴィアホールと、前記第2の絶縁層に前
記第1のヴィアホールとは位置をずらして設けられ前記
第2および第3の電源配線を接続する複数の第2のヴィ
アホールとを有している。
本発明の多層配線基板は第1〜第4の配線層に設けられ
た第1〜第4の電源配線と、前記第1および第2の配線
層間に設けられた第1の絶縁層と、前記第2および第3
の配線層間に設けられた第2の絶縁層と、前記第3およ
び第4の配線層間に設けられた第3の絶縁層と、前記第
1の絶縁層に設けられ前記第1および第2の電源配線を
接続する複数の第1のヴィアホールと、前記第2の絶縁
層に前記第1のヴィアホールとは位置をずらして設けら
れ前記第2および第3の電源配線を接続する複数の第2
のヴィアホールと、前記第3の絶縁層に前記第1および
第2のヴィアホールとは位置をずらして設けられ前記第
3および第4の電源配線を接続する複数の第3のヴィア
ホールとを有している。
た第1〜第4の電源配線と、前記第1および第2の配線
層間に設けられた第1の絶縁層と、前記第2および第3
の配線層間に設けられた第2の絶縁層と、前記第3およ
び第4の配線層間に設けられた第3の絶縁層と、前記第
1の絶縁層に設けられ前記第1および第2の電源配線を
接続する複数の第1のヴィアホールと、前記第2の絶縁
層に前記第1のヴィアホールとは位置をずらして設けら
れ前記第2および第3の電源配線を接続する複数の第2
のヴィアホールと、前記第3の絶縁層に前記第1および
第2のヴィアホールとは位置をずらして設けられ前記第
3および第4の電源配線を接続する複数の第3のヴィア
ホールとを有している。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の第1の実施例の平面図でヴィアホール
の位置を示したもので、250ミクロン角の電源配線に
50ミクロン角のヴィアホールを各絶縁層で4個ないし
5個有している場合である。
の位置を示したもので、250ミクロン角の電源配線に
50ミクロン角のヴィアホールを各絶縁層で4個ないし
5個有している場合である。
第1図において、第1電源配線の上に形成した第1絶縁
層のヴィアホール1を破線で示している。そして第1絶
縁層の上に第2電源配線を形成し、第2絶縁層のヴィア
ホール3を実線で示している。この時、第1絶縁層のヴ
ィアホール1と第2絶縁層のヴィアホール3は重なり合
わないように配置している。そして第2絶縁層の上に第
3電源配線2を形成している。
層のヴィアホール1を破線で示している。そして第1絶
縁層の上に第2電源配線を形成し、第2絶縁層のヴィア
ホール3を実線で示している。この時、第1絶縁層のヴ
ィアホール1と第2絶縁層のヴィアホール3は重なり合
わないように配置している。そして第2絶縁層の上に第
3電源配線2を形成している。
第2図は、第1図の平面図のA−A“における、縦断面
図である。
図である。
第2図においてセラミックまたはガラスセラミック多層
配線基板20に銅又は金等の第1電源配線26がめつき
法等で厚さ5ミクロンから10ミクロン、線幅15ミク
ロンから30ミクロンで形成され、第1電源配線26を
形成している基板20上に40から50ミクロン角のヴ
ィアホール1を5個有する有機絶縁の第1絶縁層24を
膜厚15ミクロンから25ミクロンで形成している。
配線基板20に銅又は金等の第1電源配線26がめつき
法等で厚さ5ミクロンから10ミクロン、線幅15ミク
ロンから30ミクロンで形成され、第1電源配線26を
形成している基板20上に40から50ミクロン角のヴ
ィアホール1を5個有する有機絶縁の第1絶縁層24を
膜厚15ミクロンから25ミクロンで形成している。
そしてこの上に上記と同様にめっき法等で形成した第2
電源配線27を宵している。40から50ミクロン角の
ヴィアホール3を4個有するを機樹脂絶縁の第2絶縁層
25を膜圧15ミクロンから25ミクロンで第2電源配
線27の上に有している。そしてこの後、上記プロセス
で形成した第3電源配線2を有し、通常は」1記構造を
繰返す。この時、電源配線の上のヴィアホールの位置は
第1図に示したように下層のヴィアホールと重なりあわ
ない位置に存在する。
電源配線27を宵している。40から50ミクロン角の
ヴィアホール3を4個有するを機樹脂絶縁の第2絶縁層
25を膜圧15ミクロンから25ミクロンで第2電源配
線27の上に有している。そしてこの後、上記プロセス
で形成した第3電源配線2を有し、通常は」1記構造を
繰返す。この時、電源配線の上のヴィアホールの位置は
第1図に示したように下層のヴィアホールと重なりあわ
ない位置に存在する。
第3図は本発明の第2の実施例のヴィアホールの位置を
示した平面図である。第3図においては、200ミクロ
ン角の電源配線に50ミクロン角のヴィアホールを各層
2固有している場合である。
示した平面図である。第3図においては、200ミクロ
ン角の電源配線に50ミクロン角のヴィアホールを各層
2固有している場合である。
第3図において、第1電源配線の上に形成した第1絶縁
層のヴィアホール31を破線で示している。そしてその
上に第2電源配線を形成し第2絶縁層のヴィアホール3
3を実線で示している。この時、第1絶縁層のヴィアホ
ール31と第2絶縁層のヴィアホール33が重なり合わ
ないように配置している。そして第2絶縁層の上に第3
電源配線32を形成している。
層のヴィアホール31を破線で示している。そしてその
上に第2電源配線を形成し第2絶縁層のヴィアホール3
3を実線で示している。この時、第1絶縁層のヴィアホ
ール31と第2絶縁層のヴィアホール33が重なり合わ
ないように配置している。そして第2絶縁層の上に第3
電源配線32を形成している。
第4図は、第3図の平面図のB−B”における縦断面図
で、40はセラミックまたはガラスセラミック多層配線
基板、44は第1絶縁層、45は第2絶縁層、46は第
1電源配線、47は第2電源配線である。
で、40はセラミックまたはガラスセラミック多層配線
基板、44は第1絶縁層、45は第2絶縁層、46は第
1電源配線、47は第2電源配線である。
第5図は、本発明の第3図の実施例のヴィアホールの位
置を示した平面図である。第5図においては、300ミ
クロン角の電源配線に50ミクロン角のヴィアホールを
各層8個有している場合である。
置を示した平面図である。第5図においては、300ミ
クロン角の電源配線に50ミクロン角のヴィアホールを
各層8個有している場合である。
第5図において、第1電源配線の上に形成した第1絶縁
層のヴィアホール51を破線で示している。そしてその
上に第2電源配線を形成し第2絶縁層のヴィアホール5
3を実線で示している。この時、第1絶縁層のヴィアホ
ール51と第2絶縁層のヴィアホール53が重なり合わ
ないように配置している。そして第2絶縁層の上に第3
電源配線52を形成している。
層のヴィアホール51を破線で示している。そしてその
上に第2電源配線を形成し第2絶縁層のヴィアホール5
3を実線で示している。この時、第1絶縁層のヴィアホ
ール51と第2絶縁層のヴィアホール53が重なり合わ
ないように配置している。そして第2絶縁層の上に第3
電源配線52を形成している。
第6図は、第5図の平面図のC−C′における縦断面図
で、60はセラミックまたはガラスセラミック多層配線
基板、64は第1絶縁層、65は第2絶縁層、66は第
1電源配線、67は第2電源配線である。
で、60はセラミックまたはガラスセラミック多層配線
基板、64は第1絶縁層、65は第2絶縁層、66は第
1電源配線、67は第2電源配線である。
第7図は本発明の第4の実施例のヴィアホールの位置を
示した平面図である。第7図においては、300ミクロ
ン角の電源配線に50ミクロン角のヴィアホールを各層
5個ないし6個有している場合である。
示した平面図である。第7図においては、300ミクロ
ン角の電源配線に50ミクロン角のヴィアホールを各層
5個ないし6個有している場合である。
第7図において、第1電源配線の上に形成した第1絶縁
層のヴィアホール71と第4電源配線の上に形成した第
4絶縁層のヴィアホール75を点線で示している(ヴィ
アホール71.75の位置は重なっている)。そして第
2電源配線の上に形成した第2絶縁層のヴィアホール7
2と第5電源配線の上に形成した第5絶縁層のヴィアホ
ール76を1点鎖線で示している。そして第3電源配線
の上に形成した第3絶縁層のヴィアホール73と第6電
源配線の上に形成した第6絶縁層のヴィアホール77を
実線で示している。この時第1絶縁層と第4絶縁層のヴ
ィアホール71.75はそれぞれ6個の、第2.3.5
.6絶縁層のヴィアホール72,73,7E3.77は
それぞれ5個が設けられている。
層のヴィアホール71と第4電源配線の上に形成した第
4絶縁層のヴィアホール75を点線で示している(ヴィ
アホール71.75の位置は重なっている)。そして第
2電源配線の上に形成した第2絶縁層のヴィアホール7
2と第5電源配線の上に形成した第5絶縁層のヴィアホ
ール76を1点鎖線で示している。そして第3電源配線
の上に形成した第3絶縁層のヴィアホール73と第6電
源配線の上に形成した第6絶縁層のヴィアホール77を
実線で示している。この時第1絶縁層と第4絶縁層のヴ
ィアホール71.75はそれぞれ6個の、第2.3.5
.6絶縁層のヴィアホール72,73,7E3.77は
それぞれ5個が設けられている。
第8図は第7図のD−D’における縦断面図で、80は
セラミックまたはガラスセラミック多層配線基板、84
は第1絶縁層、85は第2絶縁層、86は第1電源配線
、87は第2電源配線、88は第3絶縁層、8Aは第4
電源配線、8Cは第4絶縁層、8Dは第5電源配線、8
Eは第5絶縁層、8Gは第6電源配線、8Hは第6絶縁
層である。
セラミックまたはガラスセラミック多層配線基板、84
は第1絶縁層、85は第2絶縁層、86は第1電源配線
、87は第2電源配線、88は第3絶縁層、8Aは第4
電源配線、8Cは第4絶縁層、8Dは第5電源配線、8
Eは第5絶縁層、8Gは第6電源配線、8Hは第6絶縁
層である。
第8図かられかるように、第1絶縁層84のヴィアホー
ル71と第4絶縁層8Aのヴィアホール75は重なって
はいるが間に絶縁層が2層、配線層が3層はいっている
のでヴィアホール部が深くなってはいない。他のヴィア
ホール部も同様である。
ル71と第4絶縁層8Aのヴィアホール75は重なって
はいるが間に絶縁層が2層、配線層が3層はいっている
のでヴィアホール部が深くなってはいない。他のヴィア
ホール部も同様である。
以上説明したようには発明によれば、多層配線基板の構
造において、第1の配線層および第2の配線層を第1の
絶縁層の複数の第1のヴィアホールで接続し、かつ第2
の配線層の第2の電源配線の上に形成した第3の配線層
の第3の電源配線と第2の電源配線を複数の第2のヴィ
アホールで接続し、第1のヴィアホールの位置と第2の
ヴィアホールの位置が重なり合わないようにすることに
より、電源配線が各層で位置をずらしながら上部配線に
接続することにより、配線の引回しが延び、配線抵抗が
高くなってしまう従来の多層配線基板に対し約1/3の
配線抵抗にできる。また、同じ位置に下層から上層に同
じようにヴィアホールを形成し電源配線を形成してヴィ
アホールが深くなってしまうと、ヴィアホール部に発生
するレジストの抜は残りを防止できる。さらに、複数の
ヴィアホールを1つの電源配線に設けることにより、1
つのヴィアホールが形成不良をおこし、導通がとれなく
なった場合でも、他のヴィアホールがあるためその電源
配線全体の不良になることが避けられる。
造において、第1の配線層および第2の配線層を第1の
絶縁層の複数の第1のヴィアホールで接続し、かつ第2
の配線層の第2の電源配線の上に形成した第3の配線層
の第3の電源配線と第2の電源配線を複数の第2のヴィ
アホールで接続し、第1のヴィアホールの位置と第2の
ヴィアホールの位置が重なり合わないようにすることに
より、電源配線が各層で位置をずらしながら上部配線に
接続することにより、配線の引回しが延び、配線抵抗が
高くなってしまう従来の多層配線基板に対し約1/3の
配線抵抗にできる。また、同じ位置に下層から上層に同
じようにヴィアホールを形成し電源配線を形成してヴィ
アホールが深くなってしまうと、ヴィアホール部に発生
するレジストの抜は残りを防止できる。さらに、複数の
ヴィアホールを1つの電源配線に設けることにより、1
つのヴィアホールが形成不良をおこし、導通がとれなく
なった場合でも、他のヴィアホールがあるためその電源
配線全体の不良になることが避けられる。
第1図および第2図はそれぞれ本発明の第1の実施例の
平面図およびA−A”断面図、第3図および第4図はそ
れぞれ本発明の第2の実施例の平面図およびB−B′断
面図、第5図および第6図はそれぞれ本発明の第3の実
施例の平面図およびc−c’断面図、第7図および第8
図はそれぞれ本発明の第4の実施例の平面図およびD−
D’断面図、第9図は従来の多層配線基板の平面図、第
10図は従来の他の多層配線基板の断面図、第11図は
従来のさらに他の実施例の断面図である。 1.31,51.71.91・・・第1絶縁層のヴィア
ホール、2.32.52,82,92゜12.112・
・・第3電源配線、3,33,53゜72.93・・・
第2絶縁層のグイアホール、24゜44.64.84,
14.114・・・第1絶縁層、25.45,65,8
5,15,115・・・第2絶縁層、28,46.t3
6,86.96.16゜116・・・第1電源配線、2
7,47.67.87゜97.17.117・・・第2
電源配線、20,40゜Eio、80,10,110・
・・セラミックまたはガラスセラミック多層配線基板、
73・・・第3の絶縁=13− 層のヴィアホール、74・・・第7電源配線、75・・
・第4絶縁層のヴィアホール、76・・・第5絶縁層の
ヴィアホール、77・・・第6絶縁層のヴィアホール、
88・・・第3絶縁層、8A・・・第4電源配線、8C
・・・第4絶縁層、8D・・・第5電源配線、8E・・
・第5絶縁層、8G・・・第6電源配線、8H・・・第
6絶縁層、111・・・フォトレジスト、113・・・
第3絶縁層、118・・・レジスト残り。
平面図およびA−A”断面図、第3図および第4図はそ
れぞれ本発明の第2の実施例の平面図およびB−B′断
面図、第5図および第6図はそれぞれ本発明の第3の実
施例の平面図およびc−c’断面図、第7図および第8
図はそれぞれ本発明の第4の実施例の平面図およびD−
D’断面図、第9図は従来の多層配線基板の平面図、第
10図は従来の他の多層配線基板の断面図、第11図は
従来のさらに他の実施例の断面図である。 1.31,51.71.91・・・第1絶縁層のヴィア
ホール、2.32.52,82,92゜12.112・
・・第3電源配線、3,33,53゜72.93・・・
第2絶縁層のグイアホール、24゜44.64.84,
14.114・・・第1絶縁層、25.45,65,8
5,15,115・・・第2絶縁層、28,46.t3
6,86.96.16゜116・・・第1電源配線、2
7,47.67.87゜97.17.117・・・第2
電源配線、20,40゜Eio、80,10,110・
・・セラミックまたはガラスセラミック多層配線基板、
73・・・第3の絶縁=13− 層のヴィアホール、74・・・第7電源配線、75・・
・第4絶縁層のヴィアホール、76・・・第5絶縁層の
ヴィアホール、77・・・第6絶縁層のヴィアホール、
88・・・第3絶縁層、8A・・・第4電源配線、8C
・・・第4絶縁層、8D・・・第5電源配線、8E・・
・第5絶縁層、8G・・・第6電源配線、8H・・・第
6絶縁層、111・・・フォトレジスト、113・・・
第3絶縁層、118・・・レジスト残り。
Claims (2)
- 1.第1〜第3の配線層に設けられた第1〜第3の電源
配線と、前記第1および第2の配線層間に設けられた第
1の絶縁層と、前記第2および第3の配線層間に設けら
れた第2の絶縁層と、前記第1の絶縁層に設けられ前記
第1および第2の電源配線を接続する複数の第1ヴィア
ホールと、前記第2の絶縁層に前記第1のヴィアホール
とは位置をずらして設けられ前記第2および第3の電源
配線を接続する複数の第2のヴィアホールとを含むこと
を特徴とする多層配線基板。 - 2.第1〜第4の配線層に設けられた第1〜第4の電源
配線と、前記第1および第2の配線層間に設けられた第
1の絶縁層と、前記第2および第3の配線層間に設けら
れた第2の絶縁層と、前記第3および第4の配線層間に
設けられた第3の絶縁層と、前記第1の絶縁層に設けら
れ前記第1および第2の電源配線を接続する複数の第1
のヴィアホールと、前記第2の絶縁層に前記第1のヴィ
アホールとは位置をずらして設けられ前記第2および第
3の電源配線を接続する複数の第2のヴィアホールと、
前記第3の絶縁層に前記第1および第2のヴィアホール
とは位置をずらして設けられ前記第3および第4の電源
配線を接続する複数の第3のヴィアホールとを含むこと
を特徴とする多層配線基板。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2129563A JP2503725B2 (ja) | 1990-05-18 | 1990-05-18 | 多層配線基板 |
| EP19910304397 EP0457583A3 (en) | 1990-05-18 | 1991-05-16 | Multilayer interconnection substrate |
| CA002042823A CA2042823C (en) | 1990-05-18 | 1991-05-17 | Multilayer interconnection substrate |
| US07/702,326 US5320894A (en) | 1990-05-18 | 1991-05-20 | Multilayer interconnection substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2129563A JP2503725B2 (ja) | 1990-05-18 | 1990-05-18 | 多層配線基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0423495A true JPH0423495A (ja) | 1992-01-27 |
| JP2503725B2 JP2503725B2 (ja) | 1996-06-05 |
Family
ID=15012584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2129563A Expired - Lifetime JP2503725B2 (ja) | 1990-05-18 | 1990-05-18 | 多層配線基板 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5320894A (ja) |
| EP (1) | EP0457583A3 (ja) |
| JP (1) | JP2503725B2 (ja) |
| CA (1) | CA2042823C (ja) |
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-
1990
- 1990-05-18 JP JP2129563A patent/JP2503725B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-05-16 EP EP19910304397 patent/EP0457583A3/en not_active Withdrawn
- 1991-05-17 CA CA002042823A patent/CA2042823C/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-05-20 US US07/702,326 patent/US5320894A/en not_active Expired - Lifetime
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| US10905008B2 (en) | 2017-05-24 | 2021-01-26 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Wiring board |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2503725B2 (ja) | 1996-06-05 |
| EP0457583A3 (en) | 1992-03-04 |
| EP0457583A2 (en) | 1991-11-21 |
| US5320894A (en) | 1994-06-14 |
| CA2042823C (en) | 1996-07-09 |
| CA2042823A1 (en) | 1991-11-19 |
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