JPH04252406A - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
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- JPH04252406A JPH04252406A JP3008326A JP832691A JPH04252406A JP H04252406 A JPH04252406 A JP H04252406A JP 3008326 A JP3008326 A JP 3008326A JP 832691 A JP832691 A JP 832691A JP H04252406 A JPH04252406 A JP H04252406A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ヘッド、特に磁気ギ
ャップ部に高飽和磁束密度、高透磁率の磁性材を配置し
た、いわゆるＭＩＧタイプの磁気ヘッドに関するもので
ある。
ャップ部に高飽和磁束密度、高透磁率の磁性材を配置し
た、いわゆるＭＩＧタイプの磁気ヘッドに関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】近年、映像、音響、情報関連機器の進歩
はめざましい。これらの分野での記録の主流は磁気記録
であり、磁気ヘッドに於いても、急速な進歩からくる種
々の要請に応じるため、積層ヘッドや薄膜ヘッド等様々
なタイプの磁気ヘッドが研究されている。
はめざましい。これらの分野での記録の主流は磁気記録
であり、磁気ヘッドに於いても、急速な進歩からくる種
々の要請に応じるため、積層ヘッドや薄膜ヘッド等様々
なタイプの磁気ヘッドが研究されている。
【０００３】それらのヘッドの中では、製造コストや耐
摩耗性等の面で、磁気ギャップ部に高飽和磁束密度、高
透磁率の磁性材を配置したメタルインギャップ（ＭＩＧ
）タイプの磁気ヘッドが優れている。
摩耗性等の面で、磁気ギャップ部に高飽和磁束密度、高
透磁率の磁性材を配置したメタルインギャップ（ＭＩＧ
）タイプの磁気ヘッドが優れている。
【０００４】しかしながら従来の磁性材では、記録媒体
の高密度化にともなって進んでいる、媒体の高保磁力化
、単位記録面積の微細化に対して、その飽和磁束密度、
透磁率がほぼ限界に達している。
の高密度化にともなって進んでいる、媒体の高保磁力化
、単位記録面積の微細化に対して、その飽和磁束密度、
透磁率がほぼ限界に達している。
【０００５】そこでより高い飽和磁束密度と透磁率を兼
ね備えた磁性材料として、Ｃｏ系アモルファスとその窒
化物との多層膜（例えば、「電子情報通信学会技術研究
報告」ＭＲ８７−１４（１９８７））あるいは、Ｆｅ系
アモルファスとその窒化物との多層膜（例えば、「電子
情報通信学会技術研究報告」ＭＲ８８−５５（１９８９
））等が研究されている。
ね備えた磁性材料として、Ｃｏ系アモルファスとその窒
化物との多層膜（例えば、「電子情報通信学会技術研究
報告」ＭＲ８７−１４（１９８７））あるいは、Ｆｅ系
アモルファスとその窒化物との多層膜（例えば、「電子
情報通信学会技術研究報告」ＭＲ８８−５５（１９８９
））等が研究されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のＣ
ｏ系あるいはＦｅ系アモルファスとその窒化物との軟磁
性膜は、当初積層タイプの磁気ヘッド材料として、セラ
ミックやガラス基板上で開発された材料であったので、
ＭＩＧタイプの磁気ヘッドとしてフェライト上に着膜し
、ギャップ形成のために熱処理を行うと、フェライトと
の間でＯ、Ｃｏ等の元素の拡散が起こる。そのため、Ｍ
ＩＧタイプの磁気ヘッドの中では最も製造が容易で最も
コストの低い、フェライトと軟磁性膜との界面と、メイ
ンギャップとが平行なタイプのＭＩＧヘッド（以後、平
行ギャップ型ＭＩＧヘッドと呼ぶ）に応用した場合、疑
似ギャップが生じてヘッド出力の周波数特性にうねりが
生じる等の課題を有していた。
ｏ系あるいはＦｅ系アモルファスとその窒化物との軟磁
性膜は、当初積層タイプの磁気ヘッド材料として、セラ
ミックやガラス基板上で開発された材料であったので、
ＭＩＧタイプの磁気ヘッドとしてフェライト上に着膜し
、ギャップ形成のために熱処理を行うと、フェライトと
の間でＯ、Ｃｏ等の元素の拡散が起こる。そのため、Ｍ
ＩＧタイプの磁気ヘッドの中では最も製造が容易で最も
コストの低い、フェライトと軟磁性膜との界面と、メイ
ンギャップとが平行なタイプのＭＩＧヘッド（以後、平
行ギャップ型ＭＩＧヘッドと呼ぶ）に応用した場合、疑
似ギャップが生じてヘッド出力の周波数特性にうねりが
生じる等の課題を有していた。
【０００７】本発明は上記課題に鑑み、従来の磁性材料
より高い飽和磁束密度と透磁率をもつ、上記Ｃｏ系ある
いはＦｅ系アモルファスとその窒化物との多層膜等の膜
を用い、かつ疑似ギャップの影響の小さな平行ギャップ
型ＭＩＧタイプの磁気ヘッドを提供するものである。
より高い飽和磁束密度と透磁率をもつ、上記Ｃｏ系ある
いはＦｅ系アモルファスとその窒化物との多層膜等の膜
を用い、かつ疑似ギャップの影響の小さな平行ギャップ
型ＭＩＧタイプの磁気ヘッドを提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の磁気ヘッドは、アモルファス合金または微結
晶合金と、その窒化物を交互に積層させた軟磁性膜、あ
るいは膜厚方向に少なくとも窒素の組成が変調された、
窒化アモルファス合金または窒化微結晶合金の軟磁性膜
を、フェライトコアのキャップ部に配したＭＩＧタイプ
の磁気ヘッドにおいて、軟磁性膜のフェライトと接する
層すなわち第１層が窒化層あるいは窒素富裕層であり、
第１層の膜厚が非窒化層あるいは窒素欠乏層である第２
層の膜厚の半分以上であり、かつ３００ｎｍ以下である
という構成を備えたものである。
に本発明の磁気ヘッドは、アモルファス合金または微結
晶合金と、その窒化物を交互に積層させた軟磁性膜、あ
るいは膜厚方向に少なくとも窒素の組成が変調された、
窒化アモルファス合金または窒化微結晶合金の軟磁性膜
を、フェライトコアのキャップ部に配したＭＩＧタイプ
の磁気ヘッドにおいて、軟磁性膜のフェライトと接する
層すなわち第１層が窒化層あるいは窒素富裕層であり、
第１層の膜厚が非窒化層あるいは窒素欠乏層である第２
層の膜厚の半分以上であり、かつ３００ｎｍ以下である
という構成を備えたものである。
【０００９】
【作用】アモルファス合金または微結晶合金と、その窒
化物を交互に積層させた軟磁性膜、あるいは膜厚方向に
少なくとも窒素の組成が変調された、窒化アモルファス
合金または窒化微結晶合金の軟磁性膜においては、熱処
理時に非窒化層あるいは窒素欠乏層に、両隣の窒化層あ
るいは窒素富裕層から過剰な窒素が拡散して、非窒化層
あるいは窒素欠乏層中の未結合の元素を窒化する。従っ
て軟磁性膜のフェライトと接する層すなわち第１層の層
厚が、非窒化層あるいは窒素欠乏層である第２層の膜厚
の半分以下であれば、第２層中の未結合の元素を充分に
窒化できず、フェライト中の酸素が窒素富裕層を突き抜
けて、軟磁性膜中に拡散する。しかしながら非窒化層あ
るいは窒素欠乏層である第２層へは、両隣の窒化層ある
いは窒素富裕層から窒素が拡散して来るので、第１層の
窒化層あるいは窒素富裕層の膜厚は、第２層の膜厚の半
分以上であれば充分である。また第１層が３００ｎｍ以
上であれば、この窒素富裕層自体にかなりの量の酸素が
フェライトから拡散してしまう。従って第１層の膜厚を
第２層の膜厚の半分以上かつ３００ｎｍ以下にすること
により、多層膜とフェライトとの間での元素の拡散が抑
えられて、従って疑似ギャップの発生が抑えられて、生
産性のよい平行ギャップ型のＭＩＧヘッドを採用しても
、ヘッド特性の低下が防がれることとなる。
化物を交互に積層させた軟磁性膜、あるいは膜厚方向に
少なくとも窒素の組成が変調された、窒化アモルファス
合金または窒化微結晶合金の軟磁性膜においては、熱処
理時に非窒化層あるいは窒素欠乏層に、両隣の窒化層あ
るいは窒素富裕層から過剰な窒素が拡散して、非窒化層
あるいは窒素欠乏層中の未結合の元素を窒化する。従っ
て軟磁性膜のフェライトと接する層すなわち第１層の層
厚が、非窒化層あるいは窒素欠乏層である第２層の膜厚
の半分以下であれば、第２層中の未結合の元素を充分に
窒化できず、フェライト中の酸素が窒素富裕層を突き抜
けて、軟磁性膜中に拡散する。しかしながら非窒化層あ
るいは窒素欠乏層である第２層へは、両隣の窒化層ある
いは窒素富裕層から窒素が拡散して来るので、第１層の
窒化層あるいは窒素富裕層の膜厚は、第２層の膜厚の半
分以上であれば充分である。また第１層が３００ｎｍ以
上であれば、この窒素富裕層自体にかなりの量の酸素が
フェライトから拡散してしまう。従って第１層の膜厚を
第２層の膜厚の半分以上かつ３００ｎｍ以下にすること
により、多層膜とフェライトとの間での元素の拡散が抑
えられて、従って疑似ギャップの発生が抑えられて、生
産性のよい平行ギャップ型のＭＩＧヘッドを採用しても
、ヘッド特性の低下が防がれることとなる。
【００１０】
【実施例】（実施例１）以下本発明の第１の実施例の磁
気ヘッドについて、図面を参照しながら説明する。（図
１）は本発明の全ての実施例における磁気ヘッドの、熱
処理前の、磁気記録媒体との摺動面の、ギャップ近傍を
示した平面図である。
気ヘッドについて、図面を参照しながら説明する。（図
１）は本発明の全ての実施例における磁気ヘッドの、熱
処理前の、磁気記録媒体との摺動面の、ギャップ近傍を
示した平面図である。
【００１１】（図１）において、１はメインギャップ、
２フェライトコア、３は軟磁性膜であり、製膜直後には
４に示す窒化層あるいは窒素富裕層と、５に示す非窒化
層あるいは窒素欠乏層からなる。本図はメインギャップ
１と、フェライトコア２および軟磁性膜３との境界が平
行な、平行ギャップ型ＭＩＧの一例である。図中の円内
は、フェライトコア２と軟磁性層３との近傍の拡大図で
ある。この４に示す窒化層あるいは窒素富裕層と、５に
示す非窒化層あるいは窒素欠乏層は、材料と組成によっ
ては、熱処理後にほとんど層構造がなくなってしまうこ
ともある。６はモールドガラスである。
２フェライトコア、３は軟磁性膜であり、製膜直後には
４に示す窒化層あるいは窒素富裕層と、５に示す非窒化
層あるいは窒素欠乏層からなる。本図はメインギャップ
１と、フェライトコア２および軟磁性膜３との境界が平
行な、平行ギャップ型ＭＩＧの一例である。図中の円内
は、フェライトコア２と軟磁性層３との近傍の拡大図で
ある。この４に示す窒化層あるいは窒素富裕層と、５に
示す非窒化層あるいは窒素欠乏層は、材料と組成によっ
ては、熱処理後にほとんど層構造がなくなってしまうこ
ともある。６はモールドガラスである。
【００１２】以上のように構成された磁気ヘッドについ
て、以下（表１）および（表２）を用いてその特徴を説
明する。
て、以下（表１）および（表２）を用いてその特徴を説
明する。
【００１３】（表１）は、単結晶磁性フェライト基板上
に、窒化層４と非窒化層５とを２７ｎｍづつ形成し、軟
磁性膜のフェライトと接する層すなわち第１層である窒
化層の厚さのみを変化させた場合に、フェライトの酸素
が軟磁性膜中に拡散する深さと、第１窒化層厚との関係
を示した表である。
に、窒化層４と非窒化層５とを２７ｎｍづつ形成し、軟
磁性膜のフェライトと接する層すなわち第１層である窒
化層の厚さのみを変化させた場合に、フェライトの酸素
が軟磁性膜中に拡散する深さと、第１窒化層厚との関係
を示した表である。
【００１４】この時、軟磁性膜のフェライトと接する層
から数えて第３層以降の平均組成は、Ｃｏ８６Ｎｂ６Ｚ
ｒ２．５Ｎ５．５であり、製膜後５５０℃、回転磁界中
で３０分間熱処理を施す。フェライトの酸素が軟磁性膜
中に拡散する深さは、各試料の膜厚方向への元素の分布
状態を、オージェ電子分光分析によって測定し、酸素原
子からのオージェ電子のエネルギー強度が、ノイズレベ
ル以下になっている位置の、軟磁性膜とフェライトとの
境界からの距離によって表している。また酸素以外の元
素で、軟磁性膜とフェライトとの境界を越えて拡散する
元素はコバルトのみであり、しかもコバルトが拡散する
のは、酸素がかなり激しく拡散する時だけであった。
から数えて第３層以降の平均組成は、Ｃｏ８６Ｎｂ６Ｚ
ｒ２．５Ｎ５．５であり、製膜後５５０℃、回転磁界中
で３０分間熱処理を施す。フェライトの酸素が軟磁性膜
中に拡散する深さは、各試料の膜厚方向への元素の分布
状態を、オージェ電子分光分析によって測定し、酸素原
子からのオージェ電子のエネルギー強度が、ノイズレベ
ル以下になっている位置の、軟磁性膜とフェライトとの
境界からの距離によって表している。また酸素以外の元
素で、軟磁性膜とフェライトとの境界を越えて拡散する
元素はコバルトのみであり、しかもコバルトが拡散する
のは、酸素がかなり激しく拡散する時だけであった。
【００１５】
【表１】
【００１６】（表１）から理解されるように、軟磁性膜
のフェライトと接する第１層の窒化層厚が、薄すぎても
厚すぎてもフェライトの酸素の軟磁性膜中への拡散は大
きくなる。軟磁性膜のフェライトと接する第２層の非窒
化層以降の膜厚が２７ｎｍの場合、軟磁性膜とフェライ
トとの間の元素の拡散が少なく抑えられる第１窒化層の
膜厚の下限は、第２層の非窒化層の半分の１３．５ｎｍ
であり、上限はこの表からでは判断が難しい。
のフェライトと接する第１層の窒化層厚が、薄すぎても
厚すぎてもフェライトの酸素の軟磁性膜中への拡散は大
きくなる。軟磁性膜のフェライトと接する第２層の非窒
化層以降の膜厚が２７ｎｍの場合、軟磁性膜とフェライ
トとの間の元素の拡散が少なく抑えられる第１窒化層の
膜厚の下限は、第２層の非窒化層の半分の１３．５ｎｍ
であり、上限はこの表からでは判断が難しい。
【００１７】（表２）は、（表１）に示した試料と同じ
軟磁性膜を、単結晶フェライト上に４μｍ形成し、平行
ギャップ型のＭＩＧヘッドに加工して、ヘッドと磁気記
録媒体との相対速度が３．１ｍ／ｓの時の、起磁力５５
０ｍＡ・ｔｕｒｎ、書き込み周波数６５ｋＨｚ、に於け
る疑似出力（メインギャツプに於ける出力ＶＭ に対す
る、疑似ギャップにおける出力ＶＧ の比）と、周波数
特性のうねりを示したものである。
軟磁性膜を、単結晶フェライト上に４μｍ形成し、平行
ギャップ型のＭＩＧヘッドに加工して、ヘッドと磁気記
録媒体との相対速度が３．１ｍ／ｓの時の、起磁力５５
０ｍＡ・ｔｕｒｎ、書き込み周波数６５ｋＨｚ、に於け
る疑似出力（メインギャツプに於ける出力ＶＭ に対す
る、疑似ギャップにおける出力ＶＧ の比）と、周波数
特性のうねりを示したものである。
【００１８】
【表２】
【００１９】（表２）から、軟磁性膜のフェライトと接
する第２層の非窒化層以降の膜厚が２７ｎｍの場合、第
１窒化層の膜厚が第２層の膜厚の半分以上かつ３００ｎ
ｍ以下の時に、疑似ギャップの影響が小さくなっている
ことが分かる。
する第２層の非窒化層以降の膜厚が２７ｎｍの場合、第
１窒化層の膜厚が第２層の膜厚の半分以上かつ３００ｎ
ｍ以下の時に、疑似ギャップの影響が小さくなっている
ことが分かる。
【００２０】以上のように本実施例によれば、Ｃｏ−Ｎ
ｂ−Ｚｒとその窒化膜を、２７ｎｍづつ交互に積層させ
た軟磁性膜を、フェライトコアのキャップ部に配した平
行ギャップ型のＭＩＧヘッドにおいて、軟磁性膜のフェ
ライトと接する第１層の窒化層の膜厚を第２層の膜厚の
半分以上かつ３００ｎｍ以下にすることにより、軟磁性
膜とフェライトとの間の元素の拡散を抑えて疑似ギャッ
プの影響を小さくし、軟磁性膜の高飽和磁束密度、高透
磁率を活かした、生産性の良いＭＩＧヘッドを提供する
ことができる。
ｂ−Ｚｒとその窒化膜を、２７ｎｍづつ交互に積層させ
た軟磁性膜を、フェライトコアのキャップ部に配した平
行ギャップ型のＭＩＧヘッドにおいて、軟磁性膜のフェ
ライトと接する第１層の窒化層の膜厚を第２層の膜厚の
半分以上かつ３００ｎｍ以下にすることにより、軟磁性
膜とフェライトとの間の元素の拡散を抑えて疑似ギャッ
プの影響を小さくし、軟磁性膜の高飽和磁束密度、高透
磁率を活かした、生産性の良いＭＩＧヘッドを提供する
ことができる。
【００２１】（実施例２）以下本発明の第２の実施例に
ついて（表３）および（表４）を参照しながら説明する
。
ついて（表３）および（表４）を参照しながら説明する
。
【００２２】（表３）は、単結晶磁性フェライト基板上
に、窒化層４と非窒化層５とを５ｎｍづつ形成し、軟磁
性膜のフェライトと接する層すなわち第１層である窒化
層の厚さのみを変化させた場合に、フェライトの酸素が
軟磁性膜中に拡散する深さと、第１窒化層厚との関係を
示した表である。
に、窒化層４と非窒化層５とを５ｎｍづつ形成し、軟磁
性膜のフェライトと接する層すなわち第１層である窒化
層の厚さのみを変化させた場合に、フェライトの酸素が
軟磁性膜中に拡散する深さと、第１窒化層厚との関係を
示した表である。
【００２３】この時、軟磁性膜の組成は（実施例１）の
ものと同じであり、製膜後５５０℃、回転磁界中で３０
分間熱処理を施す。フェライトの酸素が軟磁性膜中に拡
散する深さは、各試料の膜厚方向への元素の分布状態を
、オージェ電子分光分析によって測定し、酸素原子から
のオージェ電子のエネルギー強度が、ノイズレベル以下
になっている位置の、軟磁性膜とフェライトとの境界か
らの距離によって表している。また酸素以外の元素で、
軟磁性膜とフェライトとの境界を越えて拡散する元素は
コバルトのみであり、しかもコバルトが拡散するのは、
酸素がかなり激しく拡散する時だけであった。
ものと同じであり、製膜後５５０℃、回転磁界中で３０
分間熱処理を施す。フェライトの酸素が軟磁性膜中に拡
散する深さは、各試料の膜厚方向への元素の分布状態を
、オージェ電子分光分析によって測定し、酸素原子から
のオージェ電子のエネルギー強度が、ノイズレベル以下
になっている位置の、軟磁性膜とフェライトとの境界か
らの距離によって表している。また酸素以外の元素で、
軟磁性膜とフェライトとの境界を越えて拡散する元素は
コバルトのみであり、しかもコバルトが拡散するのは、
酸素がかなり激しく拡散する時だけであった。
【００２４】
【表３】
【００２５】（表３）からわかるように、軟磁性膜のフ
ェライトと接する第１層の窒化層厚が、薄すぎても厚す
ぎてもフェライトの酸素の軟磁性膜中への拡散は大きく
なる。軟磁性膜のフェライトと接する第２層の非窒化層
以降の膜厚が５ｎｍの場合、軟磁性膜とフェライトとの
間の元素の拡散が少なく抑えられる第１窒化層の膜厚の
下限は、第２層の非窒化層の半分の２．５ｎｍであり、
上限はこの表からでは判断が難しい。
ェライトと接する第１層の窒化層厚が、薄すぎても厚す
ぎてもフェライトの酸素の軟磁性膜中への拡散は大きく
なる。軟磁性膜のフェライトと接する第２層の非窒化層
以降の膜厚が５ｎｍの場合、軟磁性膜とフェライトとの
間の元素の拡散が少なく抑えられる第１窒化層の膜厚の
下限は、第２層の非窒化層の半分の２．５ｎｍであり、
上限はこの表からでは判断が難しい。
【００２６】（表４）は、（表３）に示した試料と同じ
軟磁性膜を、単結晶フェライト上に４μｍ形成し、平行
ギャップ型のＭＩＧヘッドに加工して、ヘッドと磁気記
録媒体との相対速度が３．１ｍ／ｓの時の、起磁力５５
０ｍＡ・ｔｕｒｎ、書き込み周波数６５ｋＨｚ、に於け
る疑似出力（メインギャツプに於ける出力ＶＭ に対す
る、疑似ギャップにおける出力ＶＧ の比）と、周波数
特性のうねりを示したものである。
軟磁性膜を、単結晶フェライト上に４μｍ形成し、平行
ギャップ型のＭＩＧヘッドに加工して、ヘッドと磁気記
録媒体との相対速度が３．１ｍ／ｓの時の、起磁力５５
０ｍＡ・ｔｕｒｎ、書き込み周波数６５ｋＨｚ、に於け
る疑似出力（メインギャツプに於ける出力ＶＭ に対す
る、疑似ギャップにおける出力ＶＧ の比）と、周波数
特性のうねりを示したものである。
【００２７】
【表４】
【００２８】（表４）から、軟磁性膜のフェライトと接
する第２層の非窒化層以降の膜厚が５ｎｍの場合、第１
窒化層の膜厚が第２層の膜厚の半分以上かつ３００ｎｍ
以下の時に、疑似ギャップの影響が小さくなっているこ
とが分かる。
する第２層の非窒化層以降の膜厚が５ｎｍの場合、第１
窒化層の膜厚が第２層の膜厚の半分以上かつ３００ｎｍ
以下の時に、疑似ギャップの影響が小さくなっているこ
とが分かる。
【００２９】以上のように本実施例によれば、Ｃｏ−Ｎ
ｂ−Ｚｒとその窒化膜を、５ｎｍづつ交互に積層させた
軟磁性膜を、フェライトコアのキャップ部に配した平行
ギャップ型のＭＩＧヘッドにおいて、軟磁性膜のフェラ
イトと接する第１層の窒化層の膜厚を、第２層の膜厚の
半分以上かつ３００ｎｍ以下にすることにより、軟磁性
膜とフェライトとの間の元素の拡散を抑えて疑似ギャッ
プの影響を小さくし、軟磁性膜の高飽和磁束密度、高透
磁率を生かした、生産性の良いＭＩＧヘッドを提供する
ことができる。
ｂ−Ｚｒとその窒化膜を、５ｎｍづつ交互に積層させた
軟磁性膜を、フェライトコアのキャップ部に配した平行
ギャップ型のＭＩＧヘッドにおいて、軟磁性膜のフェラ
イトと接する第１層の窒化層の膜厚を、第２層の膜厚の
半分以上かつ３００ｎｍ以下にすることにより、軟磁性
膜とフェライトとの間の元素の拡散を抑えて疑似ギャッ
プの影響を小さくし、軟磁性膜の高飽和磁束密度、高透
磁率を生かした、生産性の良いＭＩＧヘッドを提供する
ことができる。
【００３０】（実施例３）以下本発明の第３の実施例に
ついて（表５）を参照しながら説明する。
ついて（表５）を参照しながら説明する。
【００３１】（表５）は、単結晶磁性フェライト基板上
に、窒化層４と非窒化層５とを２７ｎｍづつ形成し、軟
磁性膜のフェライトと接する層の次の第２層の厚さを５
ｎｍにした場合の、第１層である窒化層の厚さと、フェ
ライトの酸素が軟磁性膜中に拡散する深さとの関係を示
した表である。
に、窒化層４と非窒化層５とを２７ｎｍづつ形成し、軟
磁性膜のフェライトと接する層の次の第２層の厚さを５
ｎｍにした場合の、第１層である窒化層の厚さと、フェ
ライトの酸素が軟磁性膜中に拡散する深さとの関係を示
した表である。
【００３２】この時、軟磁性膜の組成は（実施例１）の
ものと同じであり、製膜後５５０℃、回転磁界中で３０
分間熱処理を施す。フェライトの酸素が軟磁性膜中に拡
散する深さは、各試料の膜厚方向への元素の分布状態を
、オージェ電子分光分析によって測定し、酸素原子から
のオージェ電子のエネルギー強度が、ノイズレベル以下
になっている位置の、軟磁性膜とフェライトとの境界か
らの距離によって表している。また酸素以外の元素で、
軟磁性膜とフェライトとの境界を越えて拡散する元素は
コバルトのみであり、しかもコバルトが拡散するのは、
酸素がかなり激しく拡散する時だけであった。
ものと同じであり、製膜後５５０℃、回転磁界中で３０
分間熱処理を施す。フェライトの酸素が軟磁性膜中に拡
散する深さは、各試料の膜厚方向への元素の分布状態を
、オージェ電子分光分析によって測定し、酸素原子から
のオージェ電子のエネルギー強度が、ノイズレベル以下
になっている位置の、軟磁性膜とフェライトとの境界か
らの距離によって表している。また酸素以外の元素で、
軟磁性膜とフェライトとの境界を越えて拡散する元素は
コバルトのみであり、しかもコバルトが拡散するのは、
酸素がかなり激しく拡散する時だけであった。
【００３３】
【表５】
【００３４】（表５）からわかるように、軟磁性膜のフ
ェライトと接する層から数えて第３層以降の膜厚が第２
層の膜厚と異なる場合でも、軟磁性膜とフェライトとの
間の元素の拡散が少なく抑えられる第１窒化層の膜厚の
下限は、膜厚が５ｎｍである第２層の非窒化層の膜厚の
半分の２．５ｎｍである。
ェライトと接する層から数えて第３層以降の膜厚が第２
層の膜厚と異なる場合でも、軟磁性膜とフェライトとの
間の元素の拡散が少なく抑えられる第１窒化層の膜厚の
下限は、膜厚が５ｎｍである第２層の非窒化層の膜厚の
半分の２．５ｎｍである。
【００３５】以上のように本実施例によれば、Ｃｏ−Ｎ
ｂ−Ｚｒとその窒化膜を、２７ｎｍづつ交互に積層させ
た軟磁性膜を、フェライトコアのキャップ部に配した平
行ギャップ型のＭＩＧヘッドにおいても、軟磁性膜のフ
ェライトと接する第２層の膜厚を薄くすることにより、
軟磁性膜とフェライトとの間の元素の拡散を抑えて疑似
ギャップの影響を小さくし、軟磁性膜の高飽和磁束密度
、高透磁率を生かした、生産性の良いＭＩＧヘッドを提
供することができる、第１層の窒化層の膜厚の下限を、
２．５ｎｍと薄くすることができる。
ｂ−Ｚｒとその窒化膜を、２７ｎｍづつ交互に積層させ
た軟磁性膜を、フェライトコアのキャップ部に配した平
行ギャップ型のＭＩＧヘッドにおいても、軟磁性膜のフ
ェライトと接する第２層の膜厚を薄くすることにより、
軟磁性膜とフェライトとの間の元素の拡散を抑えて疑似
ギャップの影響を小さくし、軟磁性膜の高飽和磁束密度
、高透磁率を生かした、生産性の良いＭＩＧヘッドを提
供することができる、第１層の窒化層の膜厚の下限を、
２．５ｎｍと薄くすることができる。
【００３６】なお第１、第２および第３の実施例に於い
て、軟磁性膜３はＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒ系の組成変調窒化膜
としたが、Ｃｏ系の他の組成の組成変調窒化膜、あるい
はＦｅ系の組成変調窒化膜を用いてもよい。また第１、
第２および第３の実施例において、軟磁性膜の各層の層
厚は、５ｎｍと２７ｎｍの場合以外示さなかったが、磁
気特性の許す範囲の別の層厚でもよい。
て、軟磁性膜３はＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒ系の組成変調窒化膜
としたが、Ｃｏ系の他の組成の組成変調窒化膜、あるい
はＦｅ系の組成変調窒化膜を用いてもよい。また第１、
第２および第３の実施例において、軟磁性膜の各層の層
厚は、５ｎｍと２７ｎｍの場合以外示さなかったが、磁
気特性の許す範囲の別の層厚でもよい。
【００３７】
【発明の効果】以上のように本発明は、アモルファス合
金または微結晶合金と、その窒化物を交互に積層させた
軟磁性膜、あるいは膜厚方向に少なくとも窒素の組成が
変調された、窒化アモルファス合金または窒化微結晶合
金の軟磁性膜を、フェライトコアのキャップ部に配した
平行ギャップ型のＭＩＧヘッドにおいて、軟磁性膜のフ
ェライトと接する層、すなわち第１層が、窒化層あるい
は窒素富裕層であり、第１層の膜厚が非窒化層あるいは
窒素欠乏層である第２層の膜厚の半分以上であり、かつ
３００ｎｍ以下にすることにより、疑似ギャップの影響
を抑え、より高い飽和磁束密度と透磁率を持つ上記軟磁
性膜を用いることにより、ヘッドの記録、再生特性が、
従来のＭＩＧタイプの磁気ヘッドより優れ、かつ生産性
の良いＭＩＧタイプの磁気ヘッドを提供することができ
る。
金または微結晶合金と、その窒化物を交互に積層させた
軟磁性膜、あるいは膜厚方向に少なくとも窒素の組成が
変調された、窒化アモルファス合金または窒化微結晶合
金の軟磁性膜を、フェライトコアのキャップ部に配した
平行ギャップ型のＭＩＧヘッドにおいて、軟磁性膜のフ
ェライトと接する層、すなわち第１層が、窒化層あるい
は窒素富裕層であり、第１層の膜厚が非窒化層あるいは
窒素欠乏層である第２層の膜厚の半分以上であり、かつ
３００ｎｍ以下にすることにより、疑似ギャップの影響
を抑え、より高い飽和磁束密度と透磁率を持つ上記軟磁
性膜を用いることにより、ヘッドの記録、再生特性が、
従来のＭＩＧタイプの磁気ヘッドより優れ、かつ生産性
の良いＭＩＧタイプの磁気ヘッドを提供することができ
る。
【図１】本発明の第１、第２の実施例における磁気ヘッ
ドの、磁気記録媒体との摺動面のギャップ近傍を示した
平面図
ドの、磁気記録媒体との摺動面のギャップ近傍を示した
平面図
１ メインギャップ
２ フェライトコア
３ 軟磁性膜
４ 窒化層
５ 非窒化層
６ モールドガラス
Claims (2)
- 【請求項１】 アモルファス合金または微結晶合金と
、その窒化物を交互に積層させた軟磁性膜、あるいは膜
厚方向に少なくとも窒素の組成が変調された、窒化アモ
ルファス合金または窒化微結晶合金の軟磁性膜を、フェ
ライトコアのギャップ部に配したＭＩＧタイプのヘッド
において、軟磁性膜のフェライトと接する層すなわち第
１層が窒化層あるいは窒素富裕層であり、第１層の膜厚
が非窒化層あるいは窒素欠乏層である第２層の膜厚の半
分以上であり、かつ３００ｎｍ以下であることを特徴と
する磁気ヘッド。 - 【請求項２】 少なくとも（多層膜のフェライトと接
する第１層に隣接する）第２層を、他の層の厚さよりも
薄く構成したことを特徴とする、請求項１記載の磁気ヘ
ッド。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3008326A JPH04252406A (ja) | 1991-01-28 | 1991-01-28 | 磁気ヘッド |
| US07/769,852 US5227193A (en) | 1990-10-02 | 1991-10-02 | Method for manufacturing magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3008326A JPH04252406A (ja) | 1991-01-28 | 1991-01-28 | 磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04252406A true JPH04252406A (ja) | 1992-09-08 |
Family
ID=11690059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3008326A Pending JPH04252406A (ja) | 1990-10-02 | 1991-01-28 | 磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04252406A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01315109A (ja) * | 1988-06-15 | 1989-12-20 | Alps Electric Co Ltd | 非晶質軟磁性膜および磁気ヘッド |
| JPH02208811A (ja) * | 1989-02-08 | 1990-08-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘッド |
| JPH03238606A (ja) * | 1990-02-16 | 1991-10-24 | Hitachi Ltd | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-01-28 JP JP3008326A patent/JPH04252406A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01315109A (ja) * | 1988-06-15 | 1989-12-20 | Alps Electric Co Ltd | 非晶質軟磁性膜および磁気ヘッド |
| JPH02208811A (ja) * | 1989-02-08 | 1990-08-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘッド |
| JPH03238606A (ja) * | 1990-02-16 | 1991-10-24 | Hitachi Ltd | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
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