JPH02173914A - 磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
磁気ヘッド及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH02173914A JPH02173914A JP32980988A JP32980988A JPH02173914A JP H02173914 A JPH02173914 A JP H02173914A JP 32980988 A JP32980988 A JP 32980988A JP 32980988 A JP32980988 A JP 32980988A JP H02173914 A JPH02173914 A JP H02173914A
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- magnetic
- sendust
- thin film
- ferrite
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野コ
本発明は、フェライトからなる磁気コアの磁気ギャップ
を形成する衝き合わせ面にセンゲス１−薄膜を設けた磁
気ヘッドに関し、更に詳しくは、センダス！・薄膜の下
地にチタン及び／又はルテニウム層を形成した磁気ヘッ
ドに関するものである。
を形成する衝き合わせ面にセンゲス１−薄膜を設けた磁
気ヘッドに関し、更に詳しくは、センダス！・薄膜の下
地にチタン及び／又はルテニウム層を形成した磁気ヘッ
ドに関するものである。
［従来の技術］
フェライ）ｌスコアの磁気ギャップを形成する衝き合わ
せ面に強磁性金属薄膜を設けた磁気ヘッドはＭＩＧ （
メタル・イン・ギャップ）型ヘッドと呼ばれ既に実用化
されている。
せ面に強磁性金属薄膜を設けた磁気ヘッドはＭＩＧ （
メタル・イン・ギャップ）型ヘッドと呼ばれ既に実用化
されている。
従来のこの種の磁気ヘッドの一例について、その磁気ギ
ャップ近傍の拡大図を第３図に示す。
ャップ近傍の拡大図を第３図に示す。
磁気ヘッドは、フェライトからなる２個の磁気コア１０
．１２の磁気ギャップを形成する衝き合わせ面の少なく
とも一方にセンダスト薄膜１４をスパッタリング法ある
いは蒸着法等により形成し、ギャップガラス１６により
所定の磁気ギャップとなるように組み合わせ、ボンディ
ングガラス１８により結合した構造である。ここで符号
Ｓで示す面は磁気記録媒体との摺動面である。この例で
はセンダスト薄膜１４は磁気コア１２側に形成されてい
るが、磁気コア１０側に形成してもよいし、磁気コア１
０．１２の両方に形成してもよい。
．１２の磁気ギャップを形成する衝き合わせ面の少なく
とも一方にセンダスト薄膜１４をスパッタリング法ある
いは蒸着法等により形成し、ギャップガラス１６により
所定の磁気ギャップとなるように組み合わせ、ボンディ
ングガラス１８により結合した構造である。ここで符号
Ｓで示す面は磁気記録媒体との摺動面である。この例で
はセンダスト薄膜１４は磁気コア１２側に形成されてい
るが、磁気コア１０側に形成してもよいし、磁気コア１
０．１２の両方に形成してもよい。
このようなＭＩＧヘッドは、磁気ギャップ部に磁束が集
中し、記録磁界が大きく且つ急峻となるため、高保磁力
の磁気記録媒体に対する記録・再生に適している。
中し、記録磁界が大きく且つ急峻となるため、高保磁力
の磁気記録媒体に対する記録・再生に適している。
［発明が解決しようとする課題］
第３図に示すような従来のギャップ構造の磁気ヘッドで
は、第４図に示すような孤立再生波形が得られる。つま
り本来の信号（符号ａで示す）の他に、余分な信号（符
号すで示す）が発生する。
は、第４図に示すような孤立再生波形が得られる。つま
り本来の信号（符号ａで示す）の他に、余分な信号（符
号すで示す）が発生する。
この余分な信号が発生する理由は、従来の磁気ヘッドの
場合、フェライト磁気コアとセンダスト薄膜との間に界
面反応が起こり、センダスト中のＡＩが界面側に移動し
フェライト中の酸素が界面側に移動して磁気劣化層２０
（第３図参照）が形成され、それが擬似ギャップにな
るためと考えられる。
場合、フェライト磁気コアとセンダスト薄膜との間に界
面反応が起こり、センダスト中のＡＩが界面側に移動し
フェライト中の酸素が界面側に移動して磁気劣化層２０
（第３図参照）が形成され、それが擬似ギャップにな
るためと考えられる。
フェライト上に単にセンダスト薄膜をスパッタリング法
あるいは蒸着法により形成する過程ではこのような磁気
劣化層の発生は殆ど見られない、しかし磁気ヘッドを構
成する場合、前述のように２個の磁気コア１０．１２を
ボンディングガラス１日により結合する工程が入る。ボ
ンディングガラスの作業温度は５００〜８ｏ。
あるいは蒸着法により形成する過程ではこのような磁気
劣化層の発生は殆ど見られない、しかし磁気ヘッドを構
成する場合、前述のように２個の磁気コア１０．１２を
ボンディングガラス１日により結合する工程が入る。ボ
ンディングガラスの作業温度は５００〜８ｏ。
℃程度である。このガラスボンディング作業によって、
前記のようなフェライトとセンダストの界面反応が発生
し、センダスト薄膜側には約４００人もの磁気劣化１１
２０ができ、それが擬似ギャップとなり余分な信号すの
発生につながる。
前記のようなフェライトとセンダストの界面反応が発生
し、センダスト薄膜側には約４００人もの磁気劣化１１
２０ができ、それが擬似ギャップとなり余分な信号すの
発生につながる。
ガラスボンディング作業温度を下げ、且つ作業時間を短
くすることは界面反応の低減に有効であるが、磁気コア
同士の強固な結合を実現するためには自ずから限度があ
る。
くすることは界面反応の低減に有効であるが、磁気コア
同士の強固な結合を実現するためには自ずから限度があ
る。
このようなことから、従来の磁気ヘッドにおいて擬似ギ
ャップ信号の発生を防止することは困難であった。
ャップ信号の発生を防止することは困難であった。
本発明の目的は、上記のような従来技術の欠点を解消し
、擬似ギャップ信号のない綺麗な孤立再生波形を得るこ
とができるＭＩＧ磁気ヘッド及びその製造方法を提供す
ることにある。
、擬似ギャップ信号のない綺麗な孤立再生波形を得るこ
とができるＭＩＧ磁気ヘッド及びその製造方法を提供す
ることにある。
［課題を解決するための手段］
上記のような技術的課題を解決できる本発明は、フェラ
イトからなる磁気コアの磁気ギャップを形成する衝き合
わせ面に、まずチタン及び／又はルテニウムの下地層を
形成し、その上にセンダスト薄膜を設けた磁気ヘッドで
ある。チタン下地層やルテニウム下地層の形成は、スパ
ッタリング法あるいは蒸着法によって行う。
イトからなる磁気コアの磁気ギャップを形成する衝き合
わせ面に、まずチタン及び／又はルテニウムの下地層を
形成し、その上にセンダスト薄膜を設けた磁気ヘッドで
ある。チタン下地層やルテニウム下地層の形成は、スパ
ッタリング法あるいは蒸着法によって行う。
ここでチタン及び／又はルテニウム下地層は、その全膜
厚を５０〜２００人程度とし、センダスト薄膜の膜厚は
１〜３μｍ程度とするのが望ましい。
厚を５０〜２００人程度とし、センダスト薄膜の膜厚は
１〜３μｍ程度とするのが望ましい。
［作用コ
フェライト磁気コアとセンダスト薄膜との間に設けたチ
タン及び／又はルテニウムの下地層はガラスボンディン
グ工程でバリヤー（酸化防止層）として働き、センダス
ト中のＡＩの界面側への移動及びフェライト中の酸素の
界面側への移動を防ぐ。これによって磁気劣化層の形成
を防止する。
タン及び／又はルテニウムの下地層はガラスボンディン
グ工程でバリヤー（酸化防止層）として働き、センダス
ト中のＡＩの界面側への移動及びフェライト中の酸素の
界面側への移動を防ぐ。これによって磁気劣化層の形成
を防止する。
また下地層を形成しているチタンやルテニウムの一部は
ガラスボンディング作業中にセンダスト中へ拡散してい
くが、これらはセンダストの特性を向上させる働きをす
る。つまりチタンの場合にはセンダスト中に拡散するこ
とによってそれを微細構造にし耐摩耗性を向上させる。
ガラスボンディング作業中にセンダスト中へ拡散してい
くが、これらはセンダストの特性を向上させる働きをす
る。つまりチタンの場合にはセンダスト中に拡散するこ
とによってそれを微細構造にし耐摩耗性を向上させる。
ルテニウムの場合には耐食性を高める。これらは極く僅
かな量の添加で効果が生じるから、拡散によって良好な
特性を発現させることができる。
かな量の添加で効果が生じるから、拡散によって良好な
特性を発現させることができる。
ところでチタンやルテニウムの下地層は非磁性材料であ
るから擬似ギャップ信号が生じることが考えられるが、
膜厚を２００Å以下にしておけば擬似ギャップ信号を充
分小さくできる。
るから擬似ギャップ信号が生じることが考えられるが、
膜厚を２００Å以下にしておけば擬似ギャップ信号を充
分小さくできる。
特にｌＯＯ人程度にしておくと、その後のセンダスト中
への拡散も考慮すると擬似ギャップ信号は殆ど認められ
なくなる。
への拡散も考慮すると擬似ギャップ信号は殆ど認められ
なくなる。
［実施例］
第１図は本発明に係る磁気ヘッドのギヤノブ部構成の一
実施例を示す詳細図である９この磁気ヘッドも、基本的
には従来技術と同様、フェライトからなる磁気コア１０
．１２の磁気ギャップを形成する衝き合わせ面にセンダ
スト薄膜１４を設けた構成である。磁気コア１０とセン
ダスト薄膜１４とのギャップ部分にはギャップガラス１
６が位置し、ボンディングガラス１８により結合される
。
実施例を示す詳細図である９この磁気ヘッドも、基本的
には従来技術と同様、フェライトからなる磁気コア１０
．１２の磁気ギャップを形成する衝き合わせ面にセンダ
スト薄膜１４を設けた構成である。磁気コア１０とセン
ダスト薄膜１４とのギャップ部分にはギャップガラス１
６が位置し、ボンディングガラス１８により結合される
。
さて本発明が従来技術と顕著に相違する点は、フェライ
ト磁気コア１２とセンダスト薄膜１４との間にチタン及
び／又はルテニウムの下地層２２を形成した点である。
ト磁気コア１２とセンダスト薄膜１４との間にチタン及
び／又はルテニウムの下地層２２を形成した点である。
チタン及び／又はルテニウムの下地層２２はフェライト
磁気コア１２の」二に５０〜２００人程度の厚さで、例
えばスパッタリング法により形成する。そして、その上
にセンダスト薄膜１４を１〜３．５μｍ程度の厚さとな
るように、同じくスパッタリング法により形成する。勿
論、スパッタリング法に代えて蒸着法を用いてもよい。
磁気コア１２の」二に５０〜２００人程度の厚さで、例
えばスパッタリング法により形成する。そして、その上
にセンダスト薄膜１４を１〜３．５μｍ程度の厚さとな
るように、同じくスパッタリング法により形成する。勿
論、スパッタリング法に代えて蒸着法を用いてもよい。
フェライト」二に直接センダスト薄膜を形成した場合、
その後のガラスボンディング処理において加熱されるた
め、センダスト中のＡＩやＳｌがフェライト中の酸素を
取り込み４００人程度の磁気劣化層を生成する。しかし
本発明のようにフェライト磁気コアとセンダスト薄膜と
の間にチタン及び／又はルテニウム下地層２２を形成し
ておくと、それがバリヤーとして働き酸化防止機能を果
たす。そのため磁気劣化層は生じない。
その後のガラスボンディング処理において加熱されるた
め、センダスト中のＡＩやＳｌがフェライト中の酸素を
取り込み４００人程度の磁気劣化層を生成する。しかし
本発明のようにフェライト磁気コアとセンダスト薄膜と
の間にチタン及び／又はルテニウム下地層２２を形成し
ておくと、それがバリヤーとして働き酸化防止機能を果
たす。そのため磁気劣化層は生じない。
ガラスボンディング作業において下地材料であるチタン
やルテニウムは、その一部がセンダスト中に拡散してい
く。これらはセンダストの特性を向上さ」ム・る、チタ
ンが若干量大ると微細構造になり耐摩耗性が向上する。
やルテニウムは、その一部がセンダスト中に拡散してい
く。これらはセンダストの特性を向上さ」ム・る、チタ
ンが若干量大ると微細構造になり耐摩耗性が向上する。
磁気ギャップ部は磁気記録媒体に摺接するから耐摩耗性
の向上は磁気ヘッドの特性の向」二に大きく貢献する。
の向上は磁気ヘッドの特性の向」二に大きく貢献する。
またルテニウムを用いた場合には、その若干量の混入に
よって耐食性が向」−する、センダス１−は５５０℃程
度のアニーリング処理によって磁気的安定性が良好にな
るが、チタンやルテニウムを入れると、好ましいアニー
リング処理温度が６５０℃程度まで高くなる。従って６
００℃程度のボンディング作業温度はセンダスｉ−の磁
気的安定性の向上に貢献する。
よって耐食性が向」−する、センダス１−は５５０℃程
度のアニーリング処理によって磁気的安定性が良好にな
るが、チタンやルテニウムを入れると、好ましいアニー
リング処理温度が６５０℃程度まで高くなる。従って６
００℃程度のボンディング作業温度はセンダスｉ−の磁
気的安定性の向上に貢献する。
前述のようにチタン及び／又はルテニウムの下地［２２
の膜厚は全部で５０〜２００人程度がよい。下地層が薄
過ぎると酸素バリヤーとしての機能が不足するし、逆に
厚くなり過ぎるとそれらの材料は非磁性材であるから擬
似ギャップとなり余分な信号が発生するからである。そ
こで実際ζこ磁気ヘッドを製造する場合には１００人程
度が最も好ましい、前述した２００人程度以下の膜厚に
すると、ガラスボンディング作業においてチタンやルテ
ニウムの−・部がセンジス１−中に拡散し７、実際に残
存する下地層は形成直後の下地層の膜厚よりも薄くなる
から、擬似ギヤノブ信号を殆ど無くすことができる。
の膜厚は全部で５０〜２００人程度がよい。下地層が薄
過ぎると酸素バリヤーとしての機能が不足するし、逆に
厚くなり過ぎるとそれらの材料は非磁性材であるから擬
似ギャップとなり余分な信号が発生するからである。そ
こで実際ζこ磁気ヘッドを製造する場合には１００人程
度が最も好ましい、前述した２００人程度以下の膜厚に
すると、ガラスボンディング作業においてチタンやルテ
ニウムの−・部がセンジス１−中に拡散し７、実際に残
存する下地層は形成直後の下地層の膜厚よりも薄くなる
から、擬似ギヤノブ信号を殆ど無くすことができる。
この実施例に示す磁気ヘッドにより得られる孤立再生波
形を第２図に示す。従来技術で生じていた余分な信号（
第４図の符号すで示す信号）は本発明では生じないこと
が判る。
形を第２図に示す。従来技術で生じていた余分な信号（
第４図の符号すで示す信号）は本発明では生じないこと
が判る。
以」二、本発明の好ましい一実施例について詳述したが
、本発明はこのような構成のみに限定されるものではな
い。センダスト薄膜を（ｎスコア１０側に形成する場合
には、その間にチタンやルテニウムの下地層を形成する
。勿論、磁気コア１０側及び磁気コア１２側の両方に下
地層及びセンダスト′ＦＲ膜を形成してもよい。
、本発明はこのような構成のみに限定されるものではな
い。センダスト薄膜を（ｎスコア１０側に形成する場合
には、その間にチタンやルテニウムの下地層を形成する
。勿論、磁気コア１０側及び磁気コア１２側の両方に下
地層及びセンダスト′ＦＲ膜を形成してもよい。
チタンとルテニウムを組み合わせた下地層とする場合に
は２層構造等にしてもよい。
は２層構造等にしてもよい。
［発明の効果］
本発明は上記のようにフェライト磁気コアとセンダス）
］膜の間にチタン及び／又はルテニウムの下地層を形成
した磁気ヘッドであるから、この下地層がバリヤーとし
て働き両者の間での界面反応の発生を防止し、そのため
擬似ギャップが形成されず、余分な信号の発生を防止で
きる。
］膜の間にチタン及び／又はルテニウムの下地層を形成
した磁気ヘッドであるから、この下地層がバリヤーとし
て働き両者の間での界面反応の発生を防止し、そのため
擬似ギャップが形成されず、余分な信号の発生を防止で
きる。
また下地材料であるチタンやルテニウムはガラスボンデ
ィング工程においてセンダスト中に幾分拡散し、センダ
ストの材料特性を向上させる。更にそれらの拡散によっ
てセンダストのアニーリング温度が高くなり、ガラスボ
ンディング温度を極度に下げたリボンディング時間を掻
端に短くする必要がなくなり作業性も向上する。
ィング工程においてセンダスト中に幾分拡散し、センダ
ストの材料特性を向上させる。更にそれらの拡散によっ
てセンダストのアニーリング温度が高くなり、ガラスボ
ンディング温度を極度に下げたリボンディング時間を掻
端に短くする必要がなくなり作業性も向上する。
第１図は本発明に係る磁気ヘッドの一実施例のギャップ
部分の拡大図、第２図はその磁気ヘッドにより得られる
孤立再生波形図、第３図は従来技術におけるギヤ・ノブ
部分の一例を示す拡大図、第４図は従来技術により得ら
れる孤立再生波形図である。 １０．１２・・・磁気コア、１４・・・センダスト薄膜
、１６・・・ギャップガラス、１８・・・ボンディング
ガラス、２０・・・磁気劣化層、２２・・・チタ〉・及
び／又はルテニウムの下地層。 特許出願人 富士電気化学株式会社 代 理 人 茂 見 穣第１図 第３図 第２図 第４図 時間 時間
部分の拡大図、第２図はその磁気ヘッドにより得られる
孤立再生波形図、第３図は従来技術におけるギヤ・ノブ
部分の一例を示す拡大図、第４図は従来技術により得ら
れる孤立再生波形図である。 １０．１２・・・磁気コア、１４・・・センダスト薄膜
、１６・・・ギャップガラス、１８・・・ボンディング
ガラス、２０・・・磁気劣化層、２２・・・チタ〉・及
び／又はルテニウムの下地層。 特許出願人 富士電気化学株式会社 代 理 人 茂 見 穣第１図 第３図 第２図 第４図 時間 時間
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、フェライトからなる磁気コアの磁気ギャップを形成
する衝き合わせ面にセンダスト薄膜を設けた磁気ヘッド
において、フェライト磁気コアとセンダスト薄膜との間
にチタン下地層を形成したことを特徴とする磁気ヘッド
。 ２、フェライトからなる磁気コアの磁気ギャップを形成
する衝き合わせ面にセンダスト薄膜を設けた磁気ヘッド
において、フェライト磁気コアとセンダスト薄膜との間
にルテニウム下地層を形成したことを特徴とする磁気ヘ
ッド。 ３、フェライトからなる磁気コアの磁気ギャップを形成
する衝き合わせ面にセンダスト薄膜を設けた磁気ヘッド
において、フェライト磁気コアとセンダスト薄膜との間
にチタンとルテニウムの下地層を形成したことを特徴と
する磁気ヘッド。 ４、フェライトからなる磁気コアの磁気ギャップを形成
する衝き合わせ面にチタン及び／又はルテニウムの下地
膜をスパッタリング法または蒸着法で形成し、その上に
センダスト薄膜をスパッタリング法または蒸着法で形成
することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。 ５、チタン及び／又はルテニウム下地膜の全膜厚を５０
〜２００Åとし、センダスト薄膜の膜厚を１〜３μｍと
する請求項４記載の磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32980988A JPH02173914A (ja) | 1988-12-26 | 1988-12-26 | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32980988A JPH02173914A (ja) | 1988-12-26 | 1988-12-26 | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02173914A true JPH02173914A (ja) | 1990-07-05 |
Family
ID=18225485
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32980988A Pending JPH02173914A (ja) | 1988-12-26 | 1988-12-26 | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02173914A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5756201A (en) * | 1995-04-10 | 1998-05-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magnetic thin film for magnetic head, method of manufacturing the same, and magnetic head |
| CN1332292C (zh) * | 2001-12-07 | 2007-08-15 | 株式会社Ntt都科摩 | 移动通信终端、应用程序执行状态控制方法 |
-
1988
- 1988-12-26 JP JP32980988A patent/JPH02173914A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5756201A (en) * | 1995-04-10 | 1998-05-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magnetic thin film for magnetic head, method of manufacturing the same, and magnetic head |
| CN1332292C (zh) * | 2001-12-07 | 2007-08-15 | 株式会社Ntt都科摩 | 移动通信终端、应用程序执行状态控制方法 |
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